JPH06200384A - エッチング剤,部材表面のエッチング処理方法,電子部品の製造方法,洗浄剤、部材の洗浄処理方法,器具の洗浄処理方法および機器の製造方法 - Google Patents
エッチング剤,部材表面のエッチング処理方法,電子部品の製造方法,洗浄剤、部材の洗浄処理方法,器具の洗浄処理方法および機器の製造方法Info
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- JPH06200384A JPH06200384A JP4285338A JP28533892A JPH06200384A JP H06200384 A JPH06200384 A JP H06200384A JP 4285338 A JP4285338 A JP 4285338A JP 28533892 A JP28533892 A JP 28533892A JP H06200384 A JPH06200384 A JP H06200384A
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Abstract
エッチレートが長期間安定に使用できる表面処理剤を提
供すること。 【構成】 溶液中に、フッ化水素酸と、Mm(XOn)
p(Mは水素または1〜3価の金属またはNH4 、mは
1または2または3または5、Xはハロゲン元素、nは
3または4または6、pは1または2または3)で示さ
れるオキソ酸またはオキソ酸塩化合物とを含む表面処理
剤。 【効果】 オキソ酸またはオキソ酸塩化合物が強力な酸
化剤として働き、固体表面を酸化物に変え、ついでこれ
らの酸化物がフッ化水素酸により溶解される。この際、
発熱や気体が発生することがなく、昇華性が無いため長
期間安定であり、特別な配管を用いる必要がなく、さら
に有機系の化合物を用いていないため、特別な廃液処理
の必要がない。
Description
チング処理する際に好適なエッチング剤,このエッチン
グ剤を用いて構成部材表面をエッチング処理する方法,
このエッチング処理方法を用いて電子装置を製造する方
法、並びに固体表面を洗浄する際に好適な洗浄剤,この
洗浄剤を用いて構成部材表面や器具を洗浄処理する方法
さらにはこの構成部材表面の洗浄処理方法を用いて機器
を製造する方法に関する。
ッ化水素酸と硝酸と酢酸の混合溶液が用いられてきた。
特に半導体装置に代表される電子装置を製造する際の単
結晶シリコン(以下c- Siと記載),多結晶シリコン
(以下p- Siと記載)またはアモルファスシリコン
(以下a- Siと記載)等のエッチング処理や、機器を
製造する際の板材やステンレス配管等からなる構成部材
の表面の洗浄処理、さらには工程で使用する器具の洗浄
処理等に、上記混合溶液が多用されている。
うな従来のエッチング剤や洗浄剤を用いて電子装置等を
製造する際の構成部材表面のエッチング処理や、機器を
製造する際の板材やステンレス配管等からなる構成部材
の表面の洗浄処理、さらには工程で使用する器具の洗浄
処理等にあっては、処理過程で硝酸が分解して有害な窒
素酸化物(NOx)が発生するため、発生した有毒気体
が環境に悪影響を与えないような特別な処理装置の設置
が必須であった。
コン表面に対して、この従来のエッチング剤を用いた場
合の反応式を化1に示した。この際、上記したように有
害な窒素酸化物(NO)が発生することが分かる。
6 +4NO↑+8H2 O
エッチング加工し半導体装置を製造する際に、微細なパ
ターンの形成に適用できないという問題点があった。
激しい発熱がともない、反応表面での正確な温度コント
ロールは極めて困難である。この点からも微細加工には
適用できないばかりでなく、このような従来のエッチン
グ剤や洗浄剤を用いた電子装置等を製造する際の構成部
材表面のエッチング処理や、機器を製造する際の板材や
ステンレス配管等からなる構成部材の表面の洗浄処理、
さらには工程で使用する器具の洗浄処理等にあっても、
安全性を確保するため十分留意された設備が必要であっ
た。
れているパーフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)
のチューブを透過する性質があるため、2重・3重構造
の特殊なチューブを使用する必要があり、配管のコスト
アップや常時液漏れのチェックを要する等生産工場の運
用管理の上で大きな障害であった。
的で用いられている酢酸は有機酸であり、廃棄する際に
排水のCOD値が高くならないような特別な廃液処理が
必要であった。
来のエッチング剤では、フッ化水素酸及び硝酸を高濃度
にしないと充分なエッチング処理速度が得られなかっ
た。例えば、半導体装置を製造する際の、a- Siの室
温でのエッチングスピードであるエッチレートとして、
毎分1,500オングストロームを得るためには、フッ
化水素酸および硝酸の濃度をそれぞれ0.52mol/
l,6.4mol/lとしなくてはならなかった。この
ような高濃度の硝酸を含んだ従来のエッチング剤を用い
ると、フォトレジストの変質や図2に示すようにフォト
レジスト3と被処理物であるシリコン2との間の密着性
が劣化し、図2に示すようにサイドエッチング量が多く
発生し、微細なパターンが得られなかった。
のエッチング剤では上記したように酢酸が成分として用
いられていたが、図3に示すように酢酸はフォトレジス
ト3にダメージを与え、フォトレジスト溶解部分4がで
きてしまいフォトレジスト3をポーラスな膜にしてしま
うため、微細パターンの形成には適用できなかった。
のフッ化水素酸と硝酸と酢酸の混合溶液にヨウ素を添加
したいわゆるヨウ素エッチ液が特開昭57−13747
2号に開示されているが、それでも高濃度の硝酸が必要
であり、さきに示したa- Siを室温でエッチングする
際に、ヨウ素を0.015mol/l添加しても、フッ
化水素酸および硝酸の濃度をそれぞれ0.52mol/
l,1.6mol/lとしなくてはならず、高濃度硝酸
に起因する問題点は解消されない。さらに、ヨウ素が図
4に示すように昇華しやすく解放系では容易に系外に出
てしまうために、エッチレートが10時間で25%も低
下してしまい、液の安定性が悪く管理上大きな問題であ
った。
ッチング剤,このエッチング剤を用いた構成部材表面エ
ッチング処理方法,このエッチング処理方法を用いた電
子装置製造方法、並びに洗浄剤,この洗浄剤を用いた構
成部材表面や器具の洗浄処理方法さらにはこの構成部材
表面の洗浄処理方法を用いた機器の製造方法を提供する
ことにある。
溶液中に、フッ化水素酸と、Mm(XOn)p(Mは水
素,1〜3価の金属またはNH4 、mは1,2,3また
は5、Xはハロゲン元素、nは3,4または6、pは
1,2または3)で示されるオキソ酸またはオキソ酸塩
化合物とを含むエッチング剤である。
キソ酸塩化合物としては、例えば臭素酸(HBr
O3 ),臭素酸カリウム(KBrO3 ),臭素酸ナトリ
ウム(NaBrO3 ),臭素酸アンモニウム(NH4 B
rO3 ),臭素酸カルシウム(Ca(BrO3 )2 ),
臭素酸マグネシウム(Mg(BrO3 )2 ),臭素酸ア
ルミニウム(Al(BrO3 )3 ),過臭素酸(HBr
O4 ),過臭素酸リチウム(LiBrO4 ),過臭素酸
カリウム(KBrO4 ),ヨウ素酸(HIO3 ),ヨウ
素酸カリウム(KIO3 ),ヨウ素酸ナトリウム(Na
IO3 ),ヨウ素酸アンモニウム(NH4 IO3 ),ヨ
ウ素酸カルシウム(Ca(IO3 )2 ),ヨウ素酸マグ
ネシウム(Mg(IO3 )2 ),ヨウ素酸アルミニウム
(Al(IO3)3 ),過ヨウ素酸(HIO4 ),過ヨ
ウ素酸リチウム(LiIO4 ),過ヨウ素酸カリウム
(KIO4 ),等があるが、中でもヨウ素酸(HI
O3 ),ヨウ素酸カリウム(KIO3 ),臭素酸カリウ
ム(KBrO3 ),は試薬も取扱いやすく好適である。
更にヨウ素酸(HIO3 )は、半導体材料の汚染源とな
る可能性のある金属元素を含まないため、代表的な電子
装置である半導体装置のエッチング剤として最適であ
る。
ッチング剤を用いた、構成部材表面のエッチング処理方
法である。
ッチング方法を用いた電子装置の製造方法である。
水素酸と、Mm(XOn)p(Mは水素,1〜3価の金
属またはNH4 、mは1,2,3または5、Xはハロゲ
ン元素、nは3,4または6、pは1,2または3)で
示されるオキソ酸またはオキソ酸塩化合物とを含む洗浄
剤である。
キソ酸塩化合物としては、請求項1記載のエッチング剤
と同様に、例えば臭素酸(HBrO3 ),臭素酸カリウ
ム(KBrO3 ),臭素酸ナトリウム(NaBr
O3 ),臭素酸アンモニウム(NH4 BrO3 ),臭素
酸カルシウム(Ca(BrO3 )2 ),臭素酸マグネシ
ウム(Mg(BrO3 )2 ),臭素酸アルミニウム(A
l(BrO3 )3 ),過臭素酸(HBrO4 ),過臭素
酸リチウム(LiBrO4 ),過臭素酸カリウム(KB
rO4 ),ヨウ素酸(HIO3 ),ヨウ素酸カリウム
(KIO3 ),ヨウ素酸ナトリウム(NaIO3 ),ヨ
ウ素酸アンモニウム(NH4 IO3 ),ヨウ素酸カルシ
ウム(Ca(IO3 )2 ),ヨウ素酸マグネシウム(M
g(IO3 )2 ),ヨウ素酸アルミニウム(Al(IO
3 )3 ),過ヨウ素酸(HIO4 ),過ヨウ素酸リチウ
ム(LiIO4 ),過ヨウ素酸カリウム(KIO4 ),
等があるが、中でもヨウ素酸(HIO3 ),ヨウ素酸カ
リウム(KIO3 ),臭素酸カリウム(KBrO3 ),
は試薬も取扱いやすく好適である。更にヨウ素酸(HI
O3)は、半導体材料の汚染源となる可能性のある金属
元素を含まないため、代表的な電子機器である半導体装
置の構成部材の洗浄剤として最適である。
浄剤を用いた、構成部材表面の洗浄処理方法である。
浄剤を用いた、表面を洗浄処理する器具の洗浄処理方法
である。
浄方法を用いた、機器の製造方法である。
ために、オキソ酸またはオキソ酸塩化合物が強力な酸化
剤として働き、固体表面を酸化物に変える。ついでこれ
らの酸化物がフッ化水素酸により溶解される。このた
め、本エッチング剤は固体表面を除去する工程に有効に
作用する。
発生することはないし、オキソ酸またはオキソ酸塩化合
物は、昇華性が無いため本エッチング剤は長期間安定で
ある。
素樹脂(PFA)の配管を透過することが無いし、有機
系の化合物を用いていないため、排水のCOD値を高く
することがない。
方法は上記構成としたために、処理過程で本エッチング
剤に起因する発熱や気体の発生が無く、有効成分の組成
変動もなく長期間エッチング速度が安定なエッチング処
理ができる。
アルコキシフッ素樹脂(PFA)の配管を用いることが
可能となり、さらには有機系の化合物を用いていないた
め、排水のCOD値を高くすることがない。
子装置の製造方法は上記構成としたために、強力な酸化
剤であるオキソ酸またはオキソ酸塩化合物により、電子
装置の所望の材料の表面が酸化され、ついでこれらの酸
化物がフッ化水素酸により溶解される。このため、本エ
ッチング剤は電子装置の材料表面のエッチング工程に有
効に作用し、それらの製造に用いられる。
材料であるシリコン表面に対して、オキソ酸としてヨウ
素酸を用いた本エッチング剤で、エッチング処理をした
場合の反応式を化2に示した。
6 +2I2 +12H2 O
とはなく、ヨウ素が生成するが、これは容易に系外に除
去可能であるし、ヨウ素酸に代表されるオキソ酸または
オキソ酸塩化合物は、昇華性が無いため本エッチング剤
は長期間安定である。
素樹脂(PFA)の配管を透過することが無いし、有機
系の化合物を用いていないため、排水のCOD値が高く
なることがないうえに、エッチング処理工程で用いられ
るフォトレジストに対する影響も全く認められなかっ
た。
めに、オキソ酸またはオキソ酸塩化合物が強力な酸化剤
として働き、表面に形成された汚染物を酸化物に変え
る。ついでこれらの酸化物がフッ化水素酸により溶解さ
れる。このため、本洗浄剤は固体表面を清浄にする工程
に有効に作用する。
様に、発熱したり副生成物として気体が発生することは
ないし、オキソ酸またはオキソ酸塩化合物は、昇華性が
無いため本洗浄剤は長期間安定である。
素樹脂(PFA)の配管を透過することが無いし、有機
系の化合物を用いていないため、排水のCOD値を高く
することがない。
ヨウ素酸を用いた場合の反応式は、化2のSi元素を該
当する汚染物元素に置き換えたものとなる。
上記構成としたために、前記請求項2記載のエッチング
処理方法の処理過程と同様に、処理過程で本洗浄剤に起
因する発熱や気体の発生が無く、有効成分の組成変動も
なく長期間洗浄速度が安定な洗浄処理ができる。
アルコキシフッ素樹脂(PFA)の配管を用いることが
可能となり、さらには有機系の化合物を用いていないた
め、排水のCOD値を高くすることがない。
構成としたために、前記請求項5記載の洗浄処理方法と
同様の作用が有り、強力な酸化剤であるオキソ酸または
オキソ酸塩化合物が、器具の表面に形成されている汚染
物に作用しこれを酸化し、この酸化物をフッ化水素酸が
溶解する。
してヨウ素酸を用いた場合の反応式は、化2のSi元素
を該当する汚染物元素に置き換えたものとなる。
としたために、前記請求項3記載の電子装置の製造方法
と同様の作用が有り、強力な酸化剤であるオキソ酸また
はオキソ酸塩化合物が、機器の構成部材の表面に形成さ
れている汚染物に作用し、これらを酸化し、ついでこの
酸化物をフッ化水素酸が溶解する。このため、本洗浄剤
は機器の構成部材の洗浄処理工程に有効に作用し、この
洗浄処理工程は機器の製造に用いられる。
オキソ酸としてヨウ素酸を用いた場合の反応式は、化2
のSi元素を該当する元素に置き換えたものとなる。こ
の際も、化2と同様に副生成物として気体が発生するこ
とはなく、ヨウ素が生成するが、これは同様に容易に系
外に除去可能である。
(ダイキン工業製ELグレード)とヨウ素酸(HI
O3 )(和光純薬製特級試薬)とを、それぞれの濃度が
0.52mol/l,0.04mol/lとなるように
入れ、エッチング剤を調整した。
面にa- Si膜を形成した基板を浸漬して室温でのエッ
チレートを測定したところ、毎分2000オングストロ
ームでエッチングされており、優れたエッチング剤であ
ることが確認された。この表面処理の最中には、発熱や
気体の発生はいっさい認められず、ヨウ素に起因する溶
液の色の変化が認められただけであり、処理過程での環
境保全のために特別な処理装置の設置が不要であること
が確認されたと同時に、前記化2が正しいことがわかっ
た。
ころ、前記化2より予想されたことではあるが、測定限
界以下であり、このエッチング剤を廃棄する際に、排水
のCOD値が高くならないような特別な廃液処理が必要
無いことが確認された。
しまうパーフルオロアルコキシフッ素樹脂(PFA)製
で内径10mmの配管系を用いて1kg/cm2 の送圧
で6ケ月間循環させたが、エッチング剤の成分が外部に
しみ出したり、配管が変色する等の異常は認められなか
った。
ッチレートの変化具合いを図1に示した。図1で、縦軸
は室温でのa- Siのエッチレート(オングストローム
/分)を、横軸は大気解放保存期間(時間)を示してい
る。図中の△は、本実施例に示した表面処理剤を用いた
結果であり、□は従来の技術の例として組成を示したヨ
ウ素を添加したヨウ素エッチ液を用いた結果である。
示したように、10時間保存後に約25%のエッチレー
トの低下が認められたが、本発明のエッチング剤では、
100時間保存した後でもほとんどエッチレートの低下
は認められなかった。
分で、組成を変えてc- Siとa-Siのエッチレート
を測定した実験結果を、図5及び図6に示した。
/lに固定し、フッ化水素酸の濃度を変化させたときの
室温でのc- Siのエッチレートを○で、a- Siのエ
ッチレートを△で示した。この結果エッチレートはとも
にフッ化水素酸濃度に比例しており、所望のエッチレー
トを有するエッチング剤が容易に得られることが分か
る。
l/lに固定し、ヨウ素酸の濃度を変化させたときの室
温でのc- Siのエッチレートを○で、a- Siのエッ
チレートを△で示した。この結果ヨウ素酸濃度が高くな
るに従いエッチレートは大きくなるが、ヨウ素酸濃度が
約0.05mol/l以上ではエッチレートはほぼ一定
になることが分かった。、
チング剤でも、従来のエッチング剤での課題であった問
題点(処理時に発熱すること・気体が発生すること・C
OD対策としての排水処理が必須であること・PFA配
管を透過してしまうこと・エッチレートが経時変化して
しまうこと)は、全く発生していないことが確認され
た。
試薬として、各種のオキソ酸またはオキソ酸塩化合物を
用いてa- Siをエッチングした実験結果を下記表1に
示した。
またはオキソ酸塩化合物が、フッ化水素酸に添加される
化合物として有効であることが分かった。
チング剤を用いてc- Si及びa- Siをエッチングし
た時のエッチレートと、プラズマCVDで成膜した窒化
シリコン膜に対するa- Siのエッチング選択比とを下
記表2に示した。なお前記表1に示したエッチング剤と
同一のエッチング剤を、同一の”No”で示した。
リコンに対して充分なエッチレートが得られる上、絶縁
物である窒化シリコンに対して充分なエッチング選択比
が得られることが分かった。
剤(フッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ0.5
2mol/l,0.04mol/l)を作成した。また
P−CVDにより表面にa- Si膜を形成した石英基板
の表面に、フォトレジスト(東京応化製OFPR80
0)を用いて5μmのラインアンドスペースの微細パタ
ーンを形成して、試料を作成した。この試料を、前記エ
ッチング剤に浸漬処理してa- Siのパターン出しエッ
チング加工をした。
ト3のa- Si2に対する密着性の劣化に起因するサイ
ドエッチは発生していないことが確認された。
に対する溶解作用も全く認められなかった。
ッ化水素酸(ダイキン工業製ELグレード)とヨウ素酸
(HIO3 )(和光純薬製特級試薬)とを、それぞれの
濃度が1.0mol/l,0.15mol/lとなるよ
うに入れ、洗浄剤を調整した。この洗浄剤に、表面が鏡
面研磨されたステンレス(SUS306)製の板状の部
材を浸漬して、表面の洗浄処理を行った。板状部材の表
面の清浄度の評価として、純水の表面接触角を測定(協
和界面科学製接触角計使用)した。この結果、洗浄処理
前が30゜であったのに対して、洗浄処理後は10゜と
なり、表面の清浄度が明らかに向上していることが確認
された。
あった問題点(処理時に発熱すること・気体が発生する
こと・COD対策としての排水処理が必須であること・
PFA配管を透過してしまうこと・エッチレートが経時
変化してしまうこと)は、全く発生していないことが確
認された。
部材を用いて、真空機器のチャンバー部分を組立て製造
したところ、この真空機器の真空度は、2×10-7To
rrであった。この性能は、従来の洗浄剤を用いた洗浄
処理を施した部材を用いて組立製造した機器と、遜色無
いものであり、本洗浄剤を用いた部材の洗浄処理工程が
当該機器の製造方法として有効であることが分かった。
剤(フッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ0.5
2mol/l,0.04mol/l)と同じ成分組成の
洗浄剤を作成した。この洗浄剤に、表面が研磨されたガ
ラス(コーニング製#7059)製の板状の部材を浸漬
して、表面の洗浄処理を行った。板状部材の表面の清浄
度の評価として、前記実施例4と同様に純水の表面接触
角を測定した。この結果、洗浄処理前が30゜であった
のに対して、洗浄処理後は10゜となり、表面の清浄度
が明らかに向上しており、本洗浄剤を用いた洗浄方法が
有効であることが確認された。
処理時と同様に、従来の洗浄剤での課題であった問題点
(処理時に発熱すること・気体が発生すること・COD
対策としての排水処理が必須であること・PFA配管を
透過してしまうこと・エッチレートが経時変化してしま
うこと)は、全く発生していないことが確認された。
ッ化水素酸とヨウ素酸の濃度は、それぞれ0.52mo
l/l,0.04mol/l)と同じ成分組成の洗浄剤
を作成した。この洗浄剤に、石英製の器具を浸漬して、
表面の洗浄処理を行った。器具の表面の清浄度の評価と
して、前記実施例4と同様に純水の表面接触角を測定し
た。この結果、洗浄処理前が30゜であったのに対し
て、洗浄処理後は7゜となり、表面の清浄度が明らかに
向上しており、本洗浄剤を用いた器具の洗浄方法が有効
であることが確認された。
処理時と同様に、従来の洗浄剤での課題であった問題点
(処理時に発熱すること・気体が発生すること・COD
対策としての排水処理が必須であること・PFA配管を
透過してしまうこと・エッチレートが経時変化してしま
うこと)は、全く発生していないことが確認された。
のエッチング剤及び洗浄剤は、その構成を、溶液中にフ
ッ化水素酸と、Mm(XOn)p (Mは水素,1〜3
価の金属またはNH4 、mは1,2,3または5、Xは
ハロゲン元素、nは3,4または6、pは1,2または
3)で示されるオキソ酸またはオキソ酸塩化合物とを含
むこととしたために、オキソ酸またはオキソ酸塩化合物
が強力な酸化剤として働き、固体表面または表面に形成
された汚染物を酸化物に変える。ついでこれらの酸化物
がフッ化水素酸により溶解される。このため、本エッチ
ング剤及び洗浄剤を用いたエッチング処理方法および洗
浄処理方法は、所望の部分のエッチング処理または表面
に形成された汚染物を除去するという効果を有する。
理方法および洗浄処理方法は電子部品や機器の製造方法
として活用することができる。
が発生することがなく、これを処理するための特別な処
理装置が不要となるという顕著な効果を奏する。
半導体部材等のエッチング処理時の微細なパターンの形
成にも十分適用できるという顕著な効果を奏する。
の変質やフォトレジストと被処理物との間の密着性の劣
化を引き起こさないため、サイドエッチングが殆ど発生
せず、微細なパターンを得ることができるという顕著な
効果を奏する。。
熱することがないため、処理表面での正確な温度コント
ロールが容易にできるという顕著な効果を奏し、この点
からもエッチング処理時においては、微細なパターンの
加工にも十分適用できるばかりでなく、本エッチング剤
や本洗浄剤を用いた電子装置等を製造する際の構成部材
表面のエッチング処理や、機器を製造する際の板材やス
テンレス配管等からなる構成部材の表面の洗浄処理、さ
らには工程で使用する器具の洗浄処理等にあっても、十
分安全であり防災のための特別な設備は必要ない。
昇華性が無いため本エッチング剤および洗浄剤は長期間
安定であり、非常に管理がやりやすいという顕著な効果
を奏する。
ッ素樹脂(PFA)のチューブを透過することが無いた
め、特別な配管を用いる必要がなく生産工場の管理が非
常にやりやすくなるという顕著な効果を奏する。
め、排水のCOD値を高くすることがなく、特別な廃液
処理設備が必要ないという顕著な効果を奏する。
製造工程において、本エッチング剤では上記したように
酢酸等の有機系の成分を用いていないため、フォトレジ
ストにダメージを与えることがない。このためフォトレ
ジスト溶解部分が発生することがなく、フォトレジスト
をポーラスな膜にすることがないため、微細なパターン
の形成にも適用できるという顕著な効果を奏する。
示す図
す断面略図
を示す図
の関係を示す図
係を示す図
Claims (7)
- 【請求項1】 溶液中に、フッ化水素酸と、Mm(XO
n)p(Mは水素,1〜3価の金属またはNH4 、mは
1,2,3または5、Xはハロゲン元素、nは3,4ま
たは6、pは1,2または3)で示されるオキソ酸また
はオキソ酸塩化合物とを含むことを特徴とするエッチン
グ剤。 - 【請求項2】 請求項1記載のエッチング剤を用いて、
構成部材表面のエッチング処理を行うことを特徴とする
部材表面のエッチング処理方法。 - 【請求項3】 請求項2記載のエッチング方法を用いる
ことを特徴とする電子装置の製造方法。 - 【請求項4】 溶液中に、フッ化水素酸と、Mm(XO
n)p(Mは水素,1〜3価の金属またはNH4 、mは
1,2,3または5、Xはハロゲン元素、nは3,4ま
たは6、pは1,2または3)で示されるオキソ酸また
はオキソ酸塩化合物とを含むことを特徴とする洗浄剤。 - 【請求項5】 請求項4記載の洗浄剤を用いて、構成部
材表面の洗浄処理を行うことを特徴とする部材の洗浄処
理方法。 - 【請求項6】 請求項4記載の洗浄剤を用いて、表面を
洗浄処理することを特徴とする器具の洗浄処理方法。 - 【請求項7】 請求項5記載の洗浄方法を用いることを
特徴とする機器の製造方法。
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KR1019930020137A KR0140688B1 (ko) | 1992-09-30 | 1993-09-28 | 에칭제, 세정제 및 기기의 제조방법 |
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JP4285338A JP2681433B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 |
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JPH06200384A true JPH06200384A (ja) | 1994-07-19 |
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JP4285338A Expired - Lifetime JP2681433B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | エッチング剤およびこのエッチング剤を使用するシリコン半導体部材のエッチング方法、および洗浄剤およびこの洗浄剤を使用するシリコン半導体部材の洗浄方法 |
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KR (1) | KR0140688B1 (ja) |
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