TWI402137B - 雙重功能電極平板與利用拋光轉盤及雙重功能電極平板拋光矽電極之方法 - Google Patents
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Description
本發明大體上係關於用於電極重調節之方法，且更特定言之係關於用於重調節已用作電漿處理系統中之激發電極之單組件電極及多組件電極之方法。雖然本發明之方法不限於特定電極組態或已在重調節之前使用電極之情形，但為達成說明之目的，在本文中參考圖8至圖11中所說明之特定矽基電極組合來說明方法步驟，其中獨立內部電極及外部電極形成電極組合。預期本發明之方法亦將適用於拋光包括內部電極及外部電極整合為單片電極之單電極的其他類型之電極及結構上類似於或不同於本文中所說明之電極之其他電極組態。
根據本發明之一實施例，提供一種用於利用一拋光轉盤及一雙重功能電極平板拋光一矽電極之方法。該雙重功能電極平板緊固至該拋光轉盤且包含複數個電極座架，其經配置以自該雙重功能電極平板之電極嚙合面突出。該等電極座架與形成於待拋光之矽電極之平板嚙合面中之座架插槽的各別位置互補。該等電極座架及該等座架插槽經組態以容許進行該電極平板之電極嚙合面及該矽電極之平板嚙合面之非破壞性嚙合及脫離。該雙重功能電極平板進一步包含平板轉接器支座，其定位於該等電極座架徑向內部。該等平板轉接器支座經組態以使一平板轉接器與旋轉拋光軸大致對準。該矽電極藉由以下步驟來拋光：(i)經由該等電極座架及該等座架插槽來嚙合該電極平板之電極嚙合面及該矽電極之平板嚙合面，(ii)利用該拋光轉盤以將旋轉運動賦予該經嚙合之矽電極，及(iii)當該矽電極繞該旋轉拋光軸旋轉時使該矽電極之暴露面與拋光表面接觸。
根據本發明之另一實施例，提供一種雙重功能電極平板，其包含複數個軸向屈服電極座架及平板轉接器支座。該等電極座架經配置以自該雙重功能電極平板之電極嚙合面突出且與形成於矽電極之平板嚙合面中之軸向屈服座架插槽之各別位置互補，其中該等軸向屈服電極座架及該等軸向屈服座架插槽經組態以容許進行該電極平板之電極嚙合面及該矽電極之平板嚙合面在單一方向上之非破壞性嚙合及脫離。該等平板轉接器支座定位於該等軸向屈服電極座架徑向內部，其中該等平板轉接器支座經組態以使平板轉接器之平板轉接器質心與該雙重功能電極平板之電極平板質心大致對準。預期、揭示且主張額外實施例。
可在結合附圖閱讀時最好地理解本發明之特定實施例之以下詳細描述，在諸圖中，相同結構以相同參考數字指示。
圖1至圖5說明拋光矽電極之方法。參看圖1，在一實施例中，該方法可包括預拋光量測步驟110。對於內部電極10之表面粗糙度之量測，首先量測內部電極之中心。接著，在與中心量測相距半徑之處，量測彼此分開90°之四個點。預期可進行其他形式之表面粗糙度量測。此外，預期不需要進行預拋光量測。
進一步參看圖1，在一實施例中，內部電極預拋光量測步驟110可包括量測內部電極10之厚度剖面(thickness profile)。較佳地，內部電極之厚度係在沿直徑之十八個點處量測，其開始於極邊緣及第一列氣孔處且自序號之位置延伸至內部電極之相對側。然而，可使用厚度量測之其他方法。舉例而言，為了計算內部電極厚度剖面，合計18次量測，且計算平均厚度。較佳地，平均計算厚度大於最小可允許電極厚度。此外，預期不進行預拋光量測。
進一步參看圖1，視需要，在已完成內部電極預拋光量測步驟110之後，應清洗轉盤15與平板轉接器60(見圖15)兩者且測試其適當功能性。較佳地，所有固持設備應藉由以下序列清洗：以異丙醇(IPA)擦拭，接著以去離子水(DIW)沖洗；接著以2% HNO3
溶液擦拭，且接著以DIW沖洗。此清洗序列應在每次其用於拋光程序中時經重新清洗以避免零件與拋光殘餘物之任何污染/交叉污染。然而，其他適當清洗方案可用於在開始拋光製程之前移除汙物。
在預備之後，內部電極10應使用中心導銷牢固地安裝於平板轉接器60(見圖15)上以確保與平板轉接器60嚙合，或在拋光製程之預備中安裝於任何適當拋光結構上。
再次參看圖1，為了自內部電極10移除側壁沈積物，提供第一側壁沖洗步驟112。在一實施例中，側壁沖洗步驟112包含以去離子水(DIW)沖洗內部電極10。較佳地，DIW之流量在整個拋光程序期間應為恆定的。在第一側壁沖洗步驟112期間，轉盤15應以約20rpm至約40rpm之範圍中之速度旋轉。然而，預期轉盤15可以其他速度旋轉。
進一步參看圖1，在第一側壁沖洗步驟112後，可以側壁拋光步驟114處理內部電極10。在一實施例中，側壁拋光步驟114包含拋光內部電極10之側壁與階梯表面兩者(見圖10)。在一實施例中，鑽石磨料盤(diamond grit pad)及鑽石銼刀(diamond tip)可用於拋光側壁及階梯表面。其他研磨材料亦可用於進行拋光且移除側壁沈積物。拋光時間較通常可在1分鐘與2分鐘之範圍之間以完全移除側壁沈積物。然而，如所預期，拋光時間可花費更多或更少時間。
在側壁拋光步驟114之後，可以第二側壁沖洗步驟116處理內部電極10。在一實施例中，第二側壁沖洗步驟116包含以DIW沖洗內部電極10直至不剩餘側壁沈積物為止。在一實施例中，沖洗持續1至2分鐘。然而，第二側壁沖洗步驟116可取決於特定應用之需要而縮短或延長。
在第二側壁沖洗步驟116之後，內部電極10可經歷側壁擦拭步驟118。在一實施例中，側壁擦拭步驟118包含以無塵擦拭布擦拭側壁與階梯表面兩者以移除所有殘餘側壁沈積物。然而，側壁擦拭步驟118亦可包含移除殘餘沈積物之其他方式、不同擦拭方法或使用不同材料。
在側壁擦拭步驟118之後，內部電極10可經歷強力沖洗步驟(magnum rinsing step)120。在一實施例中，強力沖洗步驟120包含以DIW沖洗內部電極10。較佳地，強力沖洗步驟120持續至少一分鐘。然而，可根據應用修改強力沖洗步驟120之持續時間。在另一實施例中，沖洗內部電極10之外壁。
在完成內部電極10之側壁拋光之後，可拋光內部電極10之剩餘表面。參看圖2，內部電極10首先可經歷平坦電極表面之拋光。在一實施例中，內部電極10可經歷磨擦拋光步驟122以拋光內部電極10之平坦電極表面(見圖8)。在一實施例中，磨擦拋光步驟122包含以逐步較精細之鑽石碟拋光內部電極10，同時繼續以DIW沖洗內部電極10。
在一實施例中，內部電極10使用轉盤15以80rpm至120rpm之範圍中的速度旋轉。轉盤15亦可以其他速度旋轉。在一實施例中，平坦拋光碟可用於磨擦拋光步驟122，較佳地，其在內部電極10之表面上保持平坦。在另一實施例中，若連接至拋光碟之牢固手柄變軟且不可維持平坦性，則其應立即用新手柄替換。
在一實施例中，逐步較精細之鑽石碟可用於完成磨擦拋光步驟122。若內部電極10具有較小粗糙化及凹痕，則180粒度鑽石碟可用於開始磨擦拋光步驟122。若內部電極10有具有深凹痕或劃痕之粗糙化表面，則140粒度鑽石碟可用於開始磨擦拋光步驟122。磨擦拋光步驟122應以粗鑽石碟開始直至主要凹痕、劃痕及表面損壞已經移除為止。一旦已移除主要損壞，則內部電極10之表面之色彩應均一。
在另一實施例中，在藉由第一選定鑽石碟拋光表面之後，繼續分別以較高粒度鑽石碟(諸如，180、220、280、360及最終800粒度鑽石碟)拋光內部電極10。在進入磨擦拋光步驟122期間，應將均一壓力施加至鑽石碟。
在又一實施例中，只要鑽石碟改變，則內部電極10應以DIW沖洗至少一分鐘以移除積聚粒子。然而，內部電極10可經歷其他持續時間之沖洗以移除積聚粒子。
在每一鑽石碟改變之後，內部電極10可經歷強力沖洗步驟124以移除內部電極上之氣孔內之截獲粒子。在一實施例中，強力沖洗步驟124包含以強力槍沖洗內部電極10以移除積聚之任何副產物。在另一實施例中，以DIW及40psi N2
或清潔乾空氣進行強力沖洗步驟124。
在最精細鑽石碟拋光及以DIW之沖洗的強力沖洗步驟124之後，內部電極10可經歷擦拭步驟126以自矽表面移除過量水。在一實施例中，擦拭步驟126包含以無塵擦拭布擦拭內部電極10之表面。
在擦拭步驟126之後，可根據上文所論述之內部電極預拋光量測步驟110中所應用之程序進行後拋光量測步驟128以評估內部電極10之表面粗糙度。然而，亦可以替代適當方式評估表面粗糙度。在一實施例中，內部電極10之表面粗糙度大於8微英吋Ra，接著內部電極10應返回至磨擦拋光步驟122直至達到適當表面粗糙度為止。
在一實施例中，若後拋光量測步驟128揭露內部電極10在適當表面粗糙度範圍內，則最終厚度量測步驟130可以與內部電極預拋光量測步驟110相同的方式進行以評估內部電極10之厚度。內部電極10之厚度亦可與內部電極10之最小厚度規格比較。然而，亦預期量測步驟可能並非為所有實施例所需。
在完成最終厚度量測步驟130之後，內部電極10可經歷最終拋光步驟132以移除藉由表面粗糙度及厚度剖面量測形成之標記。在一實施例中，最終拋光步驟132包含以DIW沖洗，輕微拋光以移除量測標記及噴霧沖洗內部電極10。較佳地，以DIW進行沖洗具有至少一分鐘之持續時間，但亦預期替代持續時間。此外，在一實施例中，輕拋光步驟可持續僅2至3分鐘，但預期不同持續時間。較佳地，內部電極10之噴霧沖洗以DIW進行1至2分鐘，但預期替代持續時間。
參看圖3，在完成最終拋光步驟132之後，自平板轉接器60移除內部電極10，且將其安裝於夾具70上(見圖16至圖18，例如，適當沖洗夾具)。在安裝於夾具70上後，內部電極10經歷沖洗步驟140。在一實施例中，沖洗步驟140包含以DIW及在40至50psi下之N2
或清潔乾空氣沖洗內部電極10。較佳地，沖洗步驟140具有至少五分鐘之持續時間。然而，沖洗步驟140可取決於應用之需要而持續更短或更長時間。
在完成沖洗步驟140之後，以DIW沖洗內部電極10且使之經歷最終擦拭步驟142。在一實施例中，最終擦拭步驟142包含擦拭內部電極10表面直至所有污點及過量水自內部電極10移除為止。
在最終擦拭步驟142之後，內部電極10經歷最終強力沖洗步驟144。在一實施例中，最終強力沖洗步驟144包含以DIW沖洗內部電極10。較佳地，最終強力沖洗步驟144具有至少五分鐘之持續時間，但預期其他持續時間。
在最終強力沖洗步驟144之後，內部電極10經歷超音波清洗步驟146。在一實施例中，超音波清洗步驟146包含超音波清洗內部電極10，同時使超純水(UPW)直接流動至襯套中。在一實施例中，內部電極保持正面向上。在一實施例中，超音波清洗步驟146具有10分鐘之持續時間。然而，超音波清洗步驟146可持續比十分鐘長或短的時間。內部電極10可在超音波清洗步驟146期間週期性(例如，每五分鐘)旋轉。
在超音波清洗步驟146之後，內部電極10經歷最終噴霧沖洗步驟148。在一實施例中，最終噴霧沖洗步驟148包含以DIW噴霧沖洗內部電極10。在一實施例中，最終噴霧沖洗步驟148持續至少一分鐘。然而，最終噴霧沖洗步驟148可持續比一分鐘短或長的時間。在另一實施例中，可檢查內部電極10以確保電極之正面與背面兩者上不存在碎片、裂縫及/或損壞。
一旦完成最終噴霧沖洗步驟148，則內部電極10可經歷浸泡步驟150。在一實施例中，浸泡步驟150包含將內部電極10置放於以DIW填充之聚丙烯或聚乙烯槽中。在一實施例中，在內部電極10進入浸泡步驟150之後，內部電極10必須在兩小時內經歷下文所述之清洗方法。
參看圖4，在一實施例中，外部電極預拋光量測步驟200可包括量測外部電極12之厚度與表面粗糙度兩者。較佳地，為了量測外部電極12之表面粗糙度，量測頂平坦表面上之六個點。一點應與外部電極12之序號對準。剩餘五點應以圍繞外部電極12等距的半徑均一地圍繞頂平坦表面之剩餘表面分佈。然而，可使用量測外部電極12之表面粗糙度之其他方式。此外，預期不進行預拋光量測。
在一實施例中，可量測外部電極12之厚度。較佳地，可對外部電極12之平坦頂表面進行六次量測，其中一量測與序號對準，且剩餘五次量測以與第一量測大體上類似的半徑圍繞平坦頂表面等距隔開。可獲得六次量測結果之平均值且進行平均。平均值可與最小可允許外部電極厚度規格比較。然而，可使用計算外部電極12之厚度之其他方法。此外，預期不進行預拋光量測。
進一步參看圖4，對於外部電極預拋光量測步驟200，在一實施例中，可量測外部電極12之橫截剖面。較佳地，量測與WAP孔相對之矽片以確定橫截剖面量測結果。沿表面之八個點可沿自外部電極12之中心輻射之直線在彼此大體上等距的點處量測，其自頂平坦表面之外部邊緣開始且向內向內部邊緣延伸，其中在內部邊緣之前進行最終量測。
在外部電極預拋光量測步驟200之後，在一實施例中，外部電極12以用於與雙重功能電極平板50快速嚙合之至少兩個螺紋電極座架54安裝至雙重功能電極平板50(見圖13)。在另一實施例中，雙重功能電極平板50安裝於轉盤15上，該轉盤15可經組態以在約80rpm與約120rpm之間的速度以向前旋轉與向後旋轉兩者旋轉。
在安裝於雙重功能電極平板50上之後，外部電極12經歷第一沖洗步驟202，其包含以DIW沖洗外部電極12。較佳地，在第一沖洗步驟202期間，轉盤15在20rpm至40rpm之速度下旋轉，但可使用其他旋轉速度。
在第一沖洗步驟202之後，外部電極12經歷內徑拋光步驟204。內徑拋光步驟204可包含拋光外部電極12之內徑(見圖11)。在一實施例中，鑽石墊可用於拋光且移除任何內徑側壁沈積物。較佳地，可使用800粒度鑽石墊，但預期其他研磨材料。在一實施例中，內徑拋光步驟204可花費1至2分鐘之拋光時間以完全移除側壁沈積物。
在完成內徑拋光步驟204之後，外部電極12可經歷內徑沖洗步驟206。在一實施例中，內徑沖洗步驟206包含以DIW沖洗外部電極12。較佳地，內徑沖洗步驟206包含沖洗側壁1至2分鐘，且擦拭側壁以移除任何殘餘沈積物。亦可檢查外部電極12以確保不剩餘側壁沈積物。
在完成內徑沖洗步驟206之後，外部電極12亦可經歷外徑拋光步驟208。外徑拋光步驟208可包含拋光外徑側壁以移除任何側壁沈積物(見圖11)。較佳地，800粒度鑽石墊可用於拋光外部電極12。然而，其他研磨裝置可用於拋光外徑。在另一實施例中，側壁沈積物可花費1至2分鐘之拋光時間以完全移除。
一旦已完成外徑拋光步驟208，則外部電極12可經歷外徑沖洗步驟210。在一實施例中，外徑沖洗步驟210包含以DIW沖洗外部電極12之外徑(見圖11)。較佳地，外徑沖洗步驟具有至少一分鐘之持續時間以移除可能已積聚之任何粒子。然而，亦預期其他持續時間之沖洗。在另一實施例中，在已完成外徑沖洗步驟210之後，可檢查內徑與外徑兩者以確保已移除所有沈積物。
在完成外徑沖洗步驟210後，外部電極12可經歷內徑及外徑強力沖洗步驟212。在一實施例中，內徑及外徑強力沖洗步驟212包含使用強力槍沖洗以DIW沖洗外部電極12。較佳地，對外部電極12之內部邊緣及外部邊緣進行之外徑強力沖洗步驟各自具有至少一分鐘之持續時間。
在完成內徑及外徑強力沖洗步驟212之後，外部電極12可經歷剩餘表面之拋光。參看圖5，在一實施例中，首先拋光頂平坦表面，繼之以拋光外部傾斜區，最終拋光內部傾斜區(見圖11)。不正確拋光技術可導致邊緣之磨圓及外部電極12之表面輪廓之修改。此外，當在平板轉接器60中時，可不拋光內部傾斜區。
在一實施例中，以平坦頂部拋光步驟220處理外部電極12以拋光外部電極12之平坦電極表面。在一實施例中，平坦頂部拋光步驟220包含以逐步較精細鑽石碟拋光外部電極12，且繼續以DIW沖洗外部電極12。然而，預期其他研磨裝置。
較佳地，外部電極12使用轉盤以80rpm至120rpm之範圍中的速度旋轉。然而，預期其他旋轉速度。在平坦頂部拋光步驟220之一實施例中，平坦拋光碟可被使用且必須在外部電極12之頂表面上保持平坦。若連接至拋光碟之牢固手柄變軟且不可維持平坦性，則其應立即用新手柄替換。然而，預期其他拋光裝置用於平坦頂部拋光步驟220中。
在一實施例中，若對外部電極12之損壞廣泛存在，則可使用較粗鑽石碟。舉例而言，若外部電極12具有較小粗糙化及凹痕，則180粒度鑽石碟可用於開始平坦頂部拋光步驟220。若內部電極10有具有深凹痕或劃痕之粗糙化表面，則140粒度鑽石碟可用於開始平坦頂部拋光步驟220。應以粗鑽石碟開始平坦頂部拋光步驟220直至已移除主要凹痕、劃痕及表面損壞為止。較佳地，一旦已移除主要損壞，則外部電極12之表面之色彩應均一。
在一實施例中，在藉由第一選定鑽石碟拋光表面之後，繼續分別以較高粒度鑽石碟(諸如，220、280、360及最終800粒度鑽石碟)拋光電極。在平坦頂部拋光步驟220期間，應將均一壓力施加至鑽石碟。
只要改變鑽石碟且使用較精細碟，便可使用超溶解海綿(ultrasolv sponge)在每一拋光之後移除積聚於鑽石碟上之粒子。在每一後續較精細鑽石碟拋光之後，外部電極12可經歷水槍沖洗步驟226。在一實施例中，水槍沖洗步驟226包含以具有DIW之水槍沖洗外部電極12以沖洗電極且減少外部電極12上之WAP孔內之截獲粒子。
在完成平坦頂部拋光步驟220之後，外部電極12接著可經歷外表面拋光步驟222。類似於上文所論述之平坦頂部拋光220進行外表面拋光步驟222，其中外表面拋光步驟222包含以逐步較精細研磨材料拋光外部電極12，且繼續以DIW沖洗外部電極12，除代替平坦頂部表面而拋光外部電極12之外表面以外(見圖11)。
在完成平坦頂部拋光步驟220與外表面拋光步驟222兩者之後，外部電極12可經歷內表面拋光步驟224。在一實施例中，內表面拋光步驟224包含拋光外部電極12之內表面區(見圖11)。較佳地，鑽石碟自牢固手柄移除，該鑽石碟用於輕柔地拋光內表面區。然而，可進行其他拋光方式。在一實施例中，內表面區之斜率應保持不變。在另一實施例中，未藉由拋光磨圓外部電極12之邊緣，且斜率保持不變。
在水槍沖洗步驟226之後，可在外部電極擦拭步驟228期間沖洗且擦拭外部電極12。在一實施例中，外部電極擦拭步驟228可包含以DIW沖洗外部電極12，及自矽表面擦拭掉全部過量水。然而，預期移除積聚粒子及濕氣之其他方式。
在外部電極擦拭步驟228之後，可根據上文所揭示之預拋光量測步驟110中所應用之程序進行外部電極品質量測步驟230以評估外部電極12之表面粗糙度。在一實施例中，若外部電極12之表面粗糙度大於8微英吋Ra，則外部電極12應返回至拋光步驟220、222及224直至達到適當表面粗糙度為止。
在一實施例中，若外部電極品質量測步驟230揭露外部電極12具有容許表面粗糙度，則可以與外部電極預拋光量測步驟200相同的方式進行最終外部電極厚度量測步驟232以評估外部電極12之厚度。外部電極12之厚度可與外部電極12之最小厚度規格比較。
在完成外部電極品質量測步驟230之後，外部電極12可類似於內部電極10經歷圖2及圖3中所揭示之步驟(即，步驟132、140、142、144、146、148及150)以完成外部電極之拋光製程。
在單電極拋光之情形中，斜面拋光工具80可用於拋光單電極之內斜面或其他傾斜表面。在此種狀況下，單電極可安裝於轉盤15上且斜面拋光工具80用於拋光內斜面。較佳地，拋光工具80應僅與800粒度砂紙一起使用，且其應拋光至少兩分鐘直至移除所有汙斑為止。然而，預期其他研磨技術及拋光持續時間。在另一實施例中，拋光工具80應始終保持筆直，且應在每一停止之後沖洗單電極。
大體參看圖6及圖7，混合酸清洗製程可用於清洗各種矽電極類型，其包括(但不限於)上文所論述之所有電極類型。此外，混合酸清洗方法可用於清洗尚未揭示之其他類型及組態之矽電極。
可在如上所述完成拋光製程之後利用下文論述之混合酸清洗製程，或可獨立於拋光方法使用混合酸清洗製程。此外，預期考慮到各種清洗及拋光步驟之組合可省略某些清洗及/或拋光步驟。
下文所論述之混合酸清洗方法特別有利，因為其不需要操作者與矽電極接觸。結果，儘管本發明之混合酸清洗方法可併有涉及操作者接觸之步驟，但其大體上為可在原本將由諸如非自動拋光、手動擦拭、手動噴洗等之操作引起的製程變數之顯著減小的情況下執行的製程。此外，應極小心且細心地處置矽電極，且所有周圍區應保持清潔且無不必要的汙物。應使用一副新的無塵手套處置矽電極。
參看圖6，在一實施例中，用於清洗矽電極之製程包含用於移除電極上之背面點火標記(light up mark)之點火移除步驟300。在一實施例中，點火移除步驟300包含遮罩指定區域及磨擦以移除任何背面點火標記。較佳地，電極置放於一片苯乙烯發泡體上。在另一實施例中，點火移除步驟300包含遮罩圍繞任何氣孔之區及無氣孔之同心徑向區。較佳地，點火標記可以1350鑽石碟或1350鑽石銼刀非常輕柔且仔細地磨擦幾秒直至移除遮罩為止。然而，可使用其他方式移除點火標記。點火移除步驟300亦可包含在移除點火標記之後移除遮罩及使用異丙醇(IPA)擦拭膠帶區。
在一實施例中，用於清洗矽電極之方法可包含在點火移除步驟300之後的CO2
顆粒清洗步驟302以便自電極背面上之石墨墊圈移除任何殘餘物，在某些蝕刻製程自零件之正面移除沈積物且確保孔無粒子。在一實施例中，CO2
顆粒清洗步驟302包含以乾冰顆粒噴射電極之矽表面。較佳地，氣壓且顆粒饋送速率公斤/分鐘。然而，可使用其他氣壓及饋送速率。在另一實施例中，整個矽表面應以乾冰顆粒噴射以移除任何腔室沈積物，其覆蓋包括邊緣之整個表面。此外，在又一實施例中，可對電極中之孔噴射以清洗內部。
在另一實施例中，CO2
顆粒清洗步驟302包含對可以乾冰顆粒噴射之背面噴射以自墊圈移除任何剩餘殘餘物。較佳地，在完成噴射之後，應加熱電極以檢查是否移除霧及霜，且可檢查電極以確保移除所有沈積物。若在噴射製程期間遺漏一些沈積物，則應繼續額外噴射直至移除所有沈積物為止。
較佳地，在CO2
顆粒清洗步驟302期間，可使用塑膠噴嘴以避免金屬污染及劃傷電極。然而，噴嘴及氣流之其他組合在其不引起損壞時可為可接受的。另外，在又一實施例中，在CO2
顆粒清洗步驟302期間，電極之背面必須藉由將其用手固持、將其置放於軟表面上或將其安置於支架(諸如，圖16至圖18中所示之三腳架沖洗夾具)上來保護。
再次參看圖6，較佳地，CO2
清洗步驟302花費約五分鐘以清洗內部電極10且花費約15分鐘以完成外部電極12之噴射。然而，預期用於CO2
清洗之不同時間且可使用該等時間，只要不損壞電極。
若不執行CO2
顆粒清洗步驟302，則可替代地執行擦拭及磨擦步驟。在一實施例中，擦拭及磨擦步驟可包含以無塵擦拭布及異丙醇(IPA)擦拭零件之整個表面至少一分鐘以移除任何鬆散沈積物及指紋。在一實施例中，擦拭及磨擦步驟亦可包含視需要使用磨擦墊以自電極背面上之墊圈及孔移除剩餘的任何沈積物及殘餘物。
在CO2
顆粒清洗步驟302或者擦拭及磨擦步驟之後，在一實施例中，電極可經歷水性清潔劑浸泡步驟304。在一實施例中，清潔劑浸泡步驟304包含在水性清潔劑溶液中浸泡電極。較佳地，進行浸泡10分鐘，但預期其他浸泡持續時間。在一實施例中，在清潔劑浸泡步驟304期間，電極可擱置在鐵氟龍桿上且週期性攪動。然而，攪動可為連續、不連續、週期性或非週期性的。此外，鐵氟龍桿替代地可為鐵氟龍塗佈乃至鐵氟龍囊封之桿。
再次參看圖6，在一實施例中，在清潔劑浸泡步驟304之後，電極可經歷清潔劑沖洗步驟306。清潔劑沖洗步驟306可包含以超純水(UPW)噴霧沖洗電極。較佳地，進行清潔劑沖洗步驟306至少兩分鐘，但預期其他沖洗時間。此外，當遍及本說明書描述UPW時，其可包含具有特徵在於大於18MΩ之電阻率之純度的水。然而，亦預期其他純度額定值用作UPW。
在一實施例中，在清潔劑沖洗步驟306之後，電極可經歷IPA浸泡步驟308。IPA浸泡步驟308可包含在IPA中浸泡電極。較佳地，進行IPA浸泡步驟30分鐘。然而，預期5分鐘至幾小時之範圍中之額外浸泡時間。在一實施例中，電極在IPA浸泡步驟308期間擱置在鐵氟龍桿上且週期性攪動。然而，攪動可為連續、不連續、週期性或非週期性的。此外，鐵氟龍桿可為鐵氟龍塗佈乃至鐵氟龍囊封之桿。
在一實施例中，矽電極清洗製程包含IPA沖洗步驟310。IPA沖洗步驟310可包含以UPW噴霧沖洗電極。較佳地，進行IPA沖洗步驟310至少一分鐘，但預期其他沖洗時間。
若在進入清洗製程之前拋光電極，則電極可經歷超音波清洗步驟312。在一實施例中，超音波清洗步驟312包含在襯套中清洗電極，其中過量UPW直接泵送至襯套中且被允許溢出。較佳地，在超音波清洗步驟312期間，電極擱置在超音波槽中之兩個鐵氟龍桿上。此外，鐵氟龍桿可為鐵氟龍塗佈乃至鐵氟龍囊封之桿。襯套可包含聚丙烯或聚乙烯或其他適當材料。超音波清洗步驟312可持續1分鐘至10分鐘之範圍中之變化持續時間，然而較佳地，其包含超音波清洗該電極至少十分鐘，其中電極每五分鐘地旋轉。在超音波清洗步驟312期間，UPW應直接泵送至襯套中，而過量UPW溢出襯套。
在一實施例中，在超音波清洗步驟312之後，電極可經歷酸前沖洗步驟314。在一實施例中，酸前沖洗步驟314包含以UPW噴霧沖洗電極。較佳地，酸前沖洗步驟314持續至少一分鐘，但預期其他時間。
參看圖7，在完成酸前沖洗步驟314之後，電極可安裝於任何適當夾具70上。舉例而言，參見圖16至圖18。電極可保持在夾具70中直至其經歷裝袋步驟328為止。一旦電極安裝於夾具70中，則不應觸摸矽表面。取而代之，應使用夾具70上之托架手柄來移動且操縱零件。
再次參看圖7，在完成酸前沖洗步驟314且電極安裝於夾具70中之後，電極可經歷初始UPW沖洗步驟316。在一實施例中，初始UPW沖洗步驟316包含使用具有UPW及N2
之強力水槍以清洗電極之兩面。較佳地，初始UPW沖洗步驟具有至少八分鐘之持續時間。然而，預期其他沖洗持續時間及方法。在一實施例中，所供應之N2
係在40psi至50psi之範圍中。可以例如在頂部沖洗3分鐘、在底部沖洗2分鐘且在頂部沖洗額外3分鐘之各種沖洗方案進行初始UPW沖洗步驟316。
在初始UPW沖洗步驟316之後，電極可經歷混合酸浸泡步驟318。在一實施例中，混合酸浸泡步驟318包含在包含氫氟酸、硝酸、乙酸及水之混合物之混合酸溶液中浸泡電極，其實例說明於下表中：
為達成描述且界定本發明之目的，應注意本文中所提供之體積比指百分率，以使得7.5之體積比指示組份構成溶液之總體積之7.5%。
在一實施例中，混合酸溶液包含：體積比等效於體積比小於約10之約40%至約60%之濃度的氫氟酸溶液的氫氟酸；體積比等效於體積比小於約20之約60%至約80%之濃度的硝酸溶液的硝酸；體積比等效於體積比小於約10之約90%至約100%之濃度的乙酸溶液的乙酸；及體積比大於約75之水。
在另一實施例中，混合酸溶液包含：約0.5重量%之氫氟酸；約5.3重量%之硝酸；約3.8%重量之乙酸；及水。
在又一實施例中，混合酸溶液包含：約0.45重量%至約0.55重量%之氫氟酸；約4.8重量%至約5.8重量%之硝酸；約3.3重量%至約4.3重量%之乙酸；及水。
在另一實施例中，混合酸溶液包含：約0.4重量%至約0.6重量%之氫氟酸；約4.3重量%至約6.3重量%之硝酸；約2.8重量%至約4.8重量%之乙酸；及水。
可進行混合酸浸泡步驟318達一範圍之持續時間，但較佳地進行浸泡約10分鐘，其中電極每幾分鐘攪動。然而，攪動可為連續、不連續、週期性或非週期性的。在一實施例中，混合酸溶液應新鮮混合。在另一實施例中，混合酸溶液可僅用於兩個電極。
在混合酸浸泡步驟318之後，電極可經歷酸沖洗步驟320。在一實施例中，酸沖洗步驟320包含使用強力水槍沖洗電極之兩面。較佳地，酸沖洗步驟持續至少3分鐘，但預期其他沖洗持續時間及方案。舉例而言，電極在頂部沖洗1分鐘，在底部沖洗1分鐘且在頂部沖洗1分鐘。
在酸沖洗步驟320之後，電極可經歷酸後超音波清洗步驟322。在一實施例中，酸後超音波清洗步驟322包含在超音波功率密度大致在約1.5瓦特/平方公分(10瓦特/平方英吋)至3.0瓦特/平方公分(20瓦特/平方英吋)之範圍中的超音波槽中超音波地清洗電極。較佳地，超音波清洗持續至少十分鐘，其中在五分鐘之後旋轉，但可使用其他清洗持續時間及旋轉方案。較佳地，應在電極插入至襯套中之前驗證超音波功率密度。在一實施例中，電極及夾具70插入至具有襯套之超音波槽中。襯套可由聚丙烯、聚乙烯或其他適當材料製成。在一實施例中，在酸後超音波清洗步驟322期間，UPW可直接泵送至襯套中，而過量UPW溢出襯套。在另一實施例中，UPW應具有>2MΩcm之電阻率，且槽中之UPW之週轉率應>1.5。然而，預期其他電阻率及週轉頻率，且可將其用於酸後超音波清洗步驟322中。
在完成酸後超音波清洗步驟322之後，電極可經歷預裝袋強力沖洗步驟324。在一實施例中，預裝袋強力沖洗步驟324包含以UPW及N2
沖洗電極以沖洗電極之兩面。較佳地，在40psi至50psi下提供N2
，但預期其他壓力。較佳地，進行預裝袋沖洗步驟324至少3分鐘，然而，其他沖洗時間可為足夠的。舉例而言，預裝袋強力沖洗步驟324包含沖洗電極之頂部1分鐘；洗滌底部1分鐘及洗滌電極之頂部1分鐘。然而，預期其他沖洗序列及持續時間。
在完成預裝袋強力沖洗步驟324之後，電極可經歷烘烤步驟326。在一實施例中，烘烤步驟326包含在無塵室中烘烤電極。在一實施例中，電極可在120℃之溫度下在無塵室中烘烤至少2小時。然而，可持續不同持續時間且在不同溫度下烘烤預期電極。較佳地，安裝螺釘應自夾具70移除以防止水印，且過量水應吹離電極之表面。較佳地，過量水可以經0.1μm過濾之CDA或氮氣吹離電極。
在烘烤步驟326之後，電極可經歷裝袋步驟。在一實施例中，裝袋步驟328包含將電極置放至無塵袋中及真空熱封無塵袋。在一實施例中，電極可置放至一系列無塵袋中，其中每一相繼袋在插入至下一者中之前被真空熱封。較佳地，電極在插入至無塵袋中之前冷卻。
或者，在一實施例中，可使用基於水之製程清洗電極。舉例而言，可如將針對混合酸製程實行一樣完成步驟300至314。在完成酸前沖洗步驟314之後，可以步驟326至328處理電極，而省略步驟316至324。
在實踐本發明之方法的過程中，可能較佳的是確保以下設備可用：
‧ 功率密度為10至20瓦特/平方英吋(在40kHz下)且超純水(UPW)會溢出之超音波槽；
‧ 用於UPW沖洗之標準噴嘴槍；
‧ 用於在40psi至50psi下之UPW及N2
清洗之強力沖洗槍；
‧ 可撓捲曲空氣及水管，購自McMaster Carr，型號為54635K214；
‧ 用於UPW沖洗之濕式台；
‧ 無塵真空裝袋機；
‧ 烘烤箱，100級無塵室相容；
‧ 1000級或1000以上級無塵室。推薦100級；
‧ PB-500超音波能量計；
‧ 可需要鐵氟龍桿以在冷卻期間在不存在足夠烘烤夾具時支撐電極；
‧ Q-III表面粒子偵測器；
‧ 乾冰(CO2
)顆粒清洗系統(推薦塑膠噴嘴以避免金屬污染及損壞)。推薦噴嘴為(1)6英吋或9英吋長、0.125英吋孔之塑膠噴嘴或(2)6英吋或9英吋長、0.3125英吋孔之塑膠噴嘴。以塑膠保護膠帶纏繞金屬噴嘴可為可接受的；
‧ 在來源處具有>18MΩ‧cm電阻率之超純水；
‧ 100級針織聚酯無塵擦拭布；
‧ 具有低金屬陽離子(例如，Na+及K+)濃度(<200ppm)之水性清潔劑；
‧ 以0.1μm過濾器過濾的在40psi至50psi下之壓縮乾氮氣；
‧ 如在Lam說明書603-097924-001中所規定之內部無塵袋；
‧ 如在Lam說明書603-097924-001中所規定之外部無塵袋；
‧ 100級Oak Technical CLV-100抗靜電塑膠手套；
‧ 諸如3M-ScotchBrite #7445(白色)或等效物之磨擦墊；
‧ 鑽石3.5英吋ScrubDISK，1350粒度；或具有1350鑽石銼刀之三英吋梭型銼刀；
‧ 用以在檢查或磨擦背面點火標記時固持電極之一片苯乙烯發泡體；
‧ 用於在需要鑽石墊磨擦時保護背面上之關鍵接觸區之遮罩膠帶；
‧ 用於在拋光期間及在沖洗期間進行DIW沖洗之標準噴嘴槍；
‧ 由McMaster Carr提供之用於在40psi至50psi下之DIW及N2
清洗之強力沖洗槍，型號為6735K4；
‧ 用於矽電極拋光之變速轉盤；
‧ 沖洗支架；
‧ 用以在DIW中輸送內部矽電極及外部矽電極之PP或PE槽；
‧ 功率密度為10至20瓦特/平方英吋(在40kHz)且DIW會溢出之超音波槽；
‧ 用以量測表面粗糙度之器具；
‧ 具有12英吋垂直範圍及0.001英吋精確度之刻度盤高度計；
‧ 具有用以防止劃傷之聚酯薄膜覆蓋塊之用於厚度及剖面量測之花崗岩工作台；
‧ 購自Foamex Asia之具有鉤式背襯之ErgoSCRUB 3.5英吋牢固手柄；
‧ 購自Foamex Asia之UltraSOLV海綿；
‧ 購自Foamex Asia之具有環圈、140、180、220、280、360及800粒度之鑽石3.5英吋ScrubDISK；
‧ 購自Foamex Asia之具有1350鑽石銼刀之三英吋梭型銼刀，PN HT17491；
‧ 100%異丙醇(IPA)，符合SEMI規格C41-1101A，1級或1級以上；
‧ 半導體級硝酸(HNO3
)，符合SEMI規格C35-0301，2級或2級以上；
‧ 半導體級氟化氫(HF)，符合SEMI規格C28-0301，2級或2級以上；
‧ 半導體級乙酸(CH3
COOH)，其符合SEMI規格C18-0301，1級或1級以上；
‧ 百分之百異丙醇(IPA)，符合SEMI規格C41-1101A，2級或2級以上；
‧ 以0.1μm過濾器過濾的在40psi至50psi下之壓縮乾氮氣或清潔乾空氣(CDA)；
‧ 100級無塵腈手套；
‧ 100級Oak Technical CLV-100抗靜電塑膠手套。
現參看圖13至圖15，預期可藉由使用拋光轉盤15(見圖1至圖5)及雙重功能電極平板50來促進本文中所述之矽電極拋光方法或任何其他類型之矽電極處理或重調節製程。如圖1至圖5及圖13中示意性說明，拋光轉盤15經組態以繞旋轉拋光軸A旋轉。雙重功能電極平板50包含平板質心52且緊固至拋光轉盤以使平板質心52與旋轉拋光軸A大致對準。在所說明之實施例中，電極平板50以緊固硬件(securing hardware)55緊固至拋光轉盤15，該緊固硬件55延伸穿過電極平板50之厚度之至少一部分直至與拋光轉盤15進行螺紋嚙合。
雙重功能電極平板50進一步包含複數個軸向屈服電極座架54，其經配置以自電極平板50之電極嚙合面56突出。電極座架54與形成於待安裝於電極平板50上之矽電極之平板嚙合面中之軸向屈服座架插槽的各別位置互補。舉例而言，參看圖9中之內部電極10及外部電極12之後視圖，外部電極12包含平板嚙合面13A及與電極座架54互補之複數個軸向屈服座架插槽17A。
軸向屈服電極座架54及軸向屈服座架插槽17A經組態以容許進行電極平板50之電極嚙合面56及矽電極12之平板嚙合面13A在平行於旋轉拋光軸A之單一方向上之非破壞性嚙合及脫離。圖14說明在嚙合狀態中之矽電極12及電極平板50。為此，軸向屈服電極座架54可設計成包含嵌入於電極平板50之厚度尺寸內之嵌入部分54A及自電極平板50之電極嚙合面56突出之非螺紋部分54B。電極座架54之嵌入部分54A可經車螺紋以嚙合厚度尺寸內之電極平板50之一部分或可僅設計為組態成摩擦嚙合厚度尺寸內之電極平板50之該部分的壓入配合部分。
電極座架54之非螺紋部分54B之各別外徑(OD)可經組態
以界定各別圓柱形剖面，其近似由座架插槽17A之各別內徑(ID)界定之互補圓柱形剖面。OD/ID近似之程度通常選擇成足以在拋光期間將矽電極12緊固至電極平板50同時容許進行矽電極12及電極平板50之非破壞性嚙合及脫離。如圖9中所說明，軸向屈服電極座架54沿電極平板之共同圓周部分分佈。
矽電極12在以圖14中所說明之方式或另一類似鬆開方式安裝時可藉由利用拋光轉盤15以將旋轉運動賦予經嚙合之矽電極12且藉由在矽電極12繞旋轉拋光軸A旋轉時使矽電極12之暴露面與拋光表面接觸來拋光。舉例而言且並非限制，雙重功能電極平板50可用於執行本文中所述之拋光方法。
典型矽電極拋光程序利用高程度之流體流動以促進表面拋光。為解決此情況，電極平板50具備複數個流體出口通道59，其延伸穿過電極平板之外圓周部分。較佳地，流體出口通道59自電極平板50之質心52線性地延伸穿過電極嚙合面56及平板轉接器支座58且穿過電極平板50之外圓周部分。
如圖13中亦說明，雙重功能電極平板50進一步包含平板轉接器支座58，其定位於軸向屈服電極座架54之徑向內部。圖15中說明平板轉接器60。平板轉接器支座58與平板轉接器60之周邊互補且經組態以使平板轉接器60之平板轉接器質心62與旋轉拋光軸A大致對準。為了幫助促進上述對準，在所說明之實施例中，平板轉接器支座58沿電極平
板50之共同圓周部分形成且圍繞形成於電極平板50中之轉接器凹陷部57定位。
平板轉接器60可用於藉由利用電極平板50中之平板轉接器支座58以使平板轉接器質心62與旋轉拋光軸A大致對準來拋光諸如內部電極10之不同矽電極。適當轉接器緊固硬件65用於將平板轉接器60緊固至電極平板50。平板轉接器60包含複數個額外軸向屈服電極座架64，其經配置以自平板轉接器60之額外電極嚙合面66突出。電極座架64之各別位置與形成於待安裝於平板轉接器60上之不同矽電極之平板轉接器嚙合面中之軸向屈服座架插槽的各別位置互補。舉例而言，參看圖9中之內部電極10及外部電極12之後視圖，內部電極10包含平板轉接器嚙合面13B及與額外電極座架64互補之複數個軸向屈服座架插槽17B。
通常，當有必要自外部電極拋光切換至內部電極拋光時，相繼使用電極平板50及平板轉接器60。然而，預期電極平板50及平板轉接器60可同時用於兩個不同矽電極之同時拋光。
如同電極平板50之狀況，平板轉接器60可以轉接器緊固硬件65緊固至電極平板，該轉接器緊固硬件65延伸穿過平板轉接器之厚度之至少一部分直至與電極平板進行螺紋嚙合。另外，如上文關於圖13之電極座架54所說明，額外軸向屈服電極座架64中之各別者可包含螺紋或壓入配合嵌入部分及自平板轉接器60之電極嚙合面66突出之非螺紋部分。平板轉接器60進一步包含額外流體出口通道69，其經
配置以將流體導引至電極平板50之流體出口通道59。
應注意與期望用途之敍述相對比，以特定方式「經組態」或「經配置」、「經組態」或「經配置」以按特定方式體現特定性質或功能的本發明之組件在本文中之敍述為結構性敍述。更特定言之，本文中對組件「經配置」或「經組態」之方式的參考指示組件之現有實體條件且因而被當作組件之結構性特性之明確敍述。
應注意諸如「較佳」及「通常」之術語在本文中利用時並非用於限制所主張之本發明之範疇或暗示某些特徵對所主張之本發明之結構或功能關鍵、基本乃至重要。實情為，此等術語僅意欲識別本發明之實施例之特定態樣或強調可能用於或可能未用於本發明之特定實施例中之替代或額外特徵。
出於描述且界定本發明之目的，應注意術語「大體上」及「約」在本文中用於表示可歸因於任何數量比較、值、量測或其他表示所致之不確定性之固有程度。術語「大體上」及「約」在本文中亦用於表示數量表示可相對於所規定之參考值變化而不導致所討論之標的物之基本功能之改變的程度。
在詳細地且藉由參考本發明之標的物之特定實施例來描述本發明之標的物後，應注意，本文中所揭示之各種細節不應視為暗示此等細節相關於作為本文中所述之各種實施例之基本組件的元件，甚至在伴隨本說明書之圖式中之每一者中說明特定元件的狀況下亦如此。實情為，隨附於本
文之申請專利範圍應被視為本發明之廣度之唯一表示及本文中所述之各種實施例之相應範疇。此外，將顯而易見的是，修改及變化在不脫離隨附申請專利範圍中所界定之本發明之範疇的情況下為可能的。更具體言之，儘管本發明之一些態樣在本文中被識別為較佳或尤其有利，但預期本發明未必限於此等態樣。
應注意，下文申請專利範圍將術語「其中」用作過渡片語。出於界定本發明之目的，應注意，此術語在申請專利範圍中作為用於引入結構之一系列特性之敍述的開放式過渡片語而引入且應以與較常用開放式前置術語「包含」相似之方式加以解釋。
10‧‧‧內部電極
12‧‧‧外部電極/矽電極
13A‧‧‧平板嚙合面
13B‧‧‧平板轉接器嚙合面
15‧‧‧拋光轉盤
17A‧‧‧軸向屈服座架插槽
17B‧‧‧軸向屈服座架插槽
50‧‧‧雙重功能電極平板
52‧‧‧平板質心
54‧‧‧軸向屈服電極座架
54A‧‧‧嵌入部分
54B‧‧‧非螺紋部分
55‧‧‧緊固硬件
56‧‧‧電極嚙合面
57‧‧‧轉接器凹陷部
58‧‧‧平板轉接器支座
59‧‧‧流體出口通道
60‧‧‧平板轉接器
62‧‧‧平板轉接器質心
64‧‧‧電極座架
65‧‧‧轉接器緊固硬件
66．．．額外電極嚙合面
69．．．額外流體出口通道
70．．．夾具
80．．．斜面拋光工具
A．．．旋轉拋光軸
圖1至圖3說明根據本發明之用於拋光第一類型之矽電極的方法；圖4及圖5說明根據本發明之用於拋光第二類型之矽電極的方法；圖6及圖7說明用於清洗矽電極之方法；圖8及圖9呈現矽電極組合之前視圖及後視圖；圖10至圖11呈現圖8至圖9之個別電極組件之邊視圖；圖12說明拋光工具；圖13說明根據本發明之電極平板；圖14說明安裝於圖13之電極平板上之矽電極；圖15說明根據本發明之平板轉接器；及圖16說明電極夾具；及
圖17至圖18說明由圖15及圖16之電極夾具支撐之兩種不同類型的矽電極。
50‧‧‧雙重功能電極平板
52‧‧‧平板質心
54‧‧‧軸向屈服電極座架
54A‧‧‧嵌入部分
54B‧‧‧非螺紋部分
55‧‧‧緊固硬件
56‧‧‧電極嚙合面
57‧‧‧轉接器凹陷部
58‧‧‧平板轉接器支座
59‧‧‧流體出口通道
A‧‧‧旋轉拋光軸
Claims (20)
- 一種用於利用一拋光轉盤及一雙重功能電極平板拋光一矽電極之方法，其中：該拋光轉盤經組態以繞一旋轉拋光軸旋轉；該雙重功能電極平板包含一平板質心且緊固至該拋光轉盤以使該平板質心與該旋轉拋光軸大致對準；該雙重功能電極平板進一步包含複數個軸向屈服電極座架，其經配置以自該雙重功能電極平板之一電極嚙合面突出且與形成於該矽電極之一平板嚙合面中之軸向屈服座架插槽之各別位置互補；該等軸向屈服電極座架及該等軸向屈服座架插槽經組態以容許進行該電極平板之該電極嚙合面及該矽電極之該平板嚙合面在一平行於該旋轉拋光軸之單一方向上之非破壞性嚙合及脫離；該雙重功能電極平板進一步包含平板轉接器支座，其定位於該等軸向屈服電極座架徑向內部；該等平板轉接器支座經組態以使一平板轉接器之一平板轉接器質心與該旋轉拋光軸大致對準；且該矽電極藉由以下步驟來拋光經由該等電極座架及該等座架插槽嚙合該電極平板之該電極嚙合面及該矽電極之該平板嚙合面，利用該拋光轉盤以將旋轉運動賦予該經嚙合之矽電極，及當該矽電極繞該旋轉拋光軸旋轉時使該矽電極之一暴露面與一拋光表面接觸。
- 如請求項1之方法，其中該電極平板包含複數個流體出口通道，其延伸穿過該電極平板之一外圓周部分。
- 如請求項2之方法，其中該等流體出口通道另外延伸穿過該電極嚙合面及該等平板轉接器支座。
- 如請求項2之方法，其中該等流體出口通道自該電極平板之該質心線性地延伸穿過該電極平板之該外圓周部分。
- 如請求項1之方法，其中該雙重功能電極平板以緊固硬件緊固至該拋光轉盤，該緊固硬件延伸穿過該電極平板之厚度之至少一部分直至與該拋光轉盤進行一螺紋嚙合。
- 如請求項1之方法，其中該等軸向屈服電極座架中之各別者包含一嵌入於該電極平板之一厚度尺寸內之嵌入部分及一自該電極平板之該電極嚙合面突出之非螺紋部分。
- 如請求項6之方法，其中該等電極座架之該等嵌入部分包含一經組態以嚙合該厚度尺寸內之該電極平板之一部分的螺紋部分或一經組態以摩擦嚙合該厚度尺寸內之該電極平板之該部分的壓入配合部分。
- 如請求項6之方法，其中：該等電極座架之該等非螺紋部分之各別外徑(OD)界定各別圓柱形剖面，其近似由該等座架插槽之各別內徑(ID)界定之互補圓柱形剖面；及OD/ID近似之程度足以在拋光期間將該矽電極緊固至該電極平板同時容許進行該矽電極及該電極平板之非破壞性嚙合及脫離。
- 如請求項1之方法，其中該等軸向屈服電極座架沿該電極平板之一共同圓周部分分佈。
- 如請求項1之方法，其中該等平板轉接器支座沿該電極平板之一共同圓周部分形成。
- 如請求項10之方法，其中該等平板轉接器支座圍繞一形成於該電極平板中之轉接器凹陷部而定位。
- 如請求項1之方法，其中該方法進一步包含藉由利用該等平板轉接器支座以使該平板轉接器質心與該旋轉拋光軸大致對準且藉由利用緊固硬件以將該平板轉接器緊固至該電極平板來拋光一不同矽電極。
- 如請求項12之方法，其中該平板轉接器包含複數個額外軸向屈服電極座架，其經配置以自該平板轉接器之一額外電極嚙合面突出且與形成於該不同矽電極之一平板嚙合面中之額外軸向屈服座架插槽之各別位置互補。
- 如請求項12之方法，其中該不同矽電極及該矽電極分別經定位以用於在該電極平板之內圓周部分及外圓周部分中同時或相繼拋光。
- 如請求項1之方法，其中該平板轉接器以緊固硬件緊固至該電極平板，該緊固硬件延伸穿過該平板轉接器之厚度之至少一部分直至與該電極平板進行一螺紋嚙合。
- 如請求項1之方法，其中額外軸向屈服電極座架中之各別者包含一嵌入於該平板轉接器之一厚度尺寸內之嵌入部分及一自該平板轉接器之一電極嚙合面突出之非螺紋部分。
- 如請求項16之方法，其中該等額外電極座架之該等嵌入部分包含一經組態以嚙合該平板轉接器之螺紋部分或一經組態以摩擦嚙合該平板轉接器之壓入配合部分。
- 如請求項17之方法，其中：該等額外電極座架之該等非螺紋部分之各別外徑(OD)界定各別圓柱形剖面，其近似由額外座架插槽之各別內徑(ID)界定之互補圓柱形剖面；及OD/ID近似之程度足以在拋光期間將不同矽電極緊固至該平板轉接器同時容許進行該不同矽電極及該平板轉接器之非破壞性嚙合及脫離。
- 一種用於利用一拋光轉盤及一雙重功能電極平板拋光一矽電極之方法，其中：該拋光轉盤經組態以繞一旋轉拋光軸旋轉；該雙重功能電極平板緊固至該拋光轉盤；該雙重功能電極平板包含複數個電極座架，其經配置以自該雙重功能電極平板之一電極嚙合面突出且與形成於該矽電極之一平板嚙合面中之座架插槽之各別位置互補；該等電極座架及該等座架插槽經組態以容許進行該電極平板之該電極嚙合面及該矽電極之該平板嚙合面之非破壞性嚙合及脫離；該雙重功能電極平板進一步包含平板轉接器支座，其定位於該等電極座架徑向內部；該等平板轉接器支座經組態以使一平板轉接器與該旋轉拋光軸大致對準；且該矽電極藉由以下步驟來拋光經由該等電極座架及該等座架插槽嚙合該電極平板之該電極嚙合面及該矽電極之該平板嚙合面，利用該拋光轉盤以將旋轉運動賦予該經嚙合之矽電極，及當該矽電極繞該旋轉拋光軸旋轉時使該矽電極之一暴露面與一拋光表面接觸。
- 一種雙重功能電極平板，其包含：複數個軸向屈服電極座架，其經配置以自該雙重功能電極平板之一電極嚙合面突出且與形成於一矽電極之一平板嚙合面中之軸向屈服座架插槽之各別位置互補，其中該等軸向屈服電極座架及該等軸向屈服座架插槽經組態以容許進行該電極平板之該電極嚙合面及該矽電極之該平板嚙合面在一單一方向上之非破壞性嚙合及脫離；及平板轉接器支座，其定位於該等軸向屈服電極座架徑向內部，其中該等平板轉接器支座經組態以使一平板轉接器之一平板轉接器質心與該雙重功能電極平板之一電極平板質心大致對準。
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