CN102225406B - 一种金刚线切割硅片的清洗方法 - Google Patents
一种金刚线切割硅片的清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102225406B CN102225406B CN 201110111779 CN201110111779A CN102225406B CN 102225406 B CN102225406 B CN 102225406B CN 201110111779 CN201110111779 CN 201110111779 CN 201110111779 A CN201110111779 A CN 201110111779A CN 102225406 B CN102225406 B CN 102225406B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- water
- shake
- cleaning
- temperature
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 43
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims description 21
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 abstract 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000009514 concussion Effects 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明涉及切割硅片的后处理技术领域，特别是一种金刚线切割硅片的清洗方法。该方法如下：经过脱胶后的硅片分别在碱性清洗剂和乳酸中进行粗洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度30～50℃，乳酸的温度为60℃，然后分别在碱性清洗剂和纯水中进行精洗，碱性清洗剂的pH＝9～10，温度70～90℃。该清洗方法的根本革新在于：通过对硅片清洗液的PH的提高、以及温度的提高，使得其硅片表面更加干净，表面损伤层去除更大，同时对于硅片的碱制绒工艺起到表面活化作用。这样硅片在制绒时，金字塔绒面的覆盖率较高，绒面比较均一。
Description
技术领域
本发明涉及切割硅片的后处理技术领域，特别是一种金刚线切割硅片的清洗方法。
背景技术
目前太阳能硅片的切割普遍使用多线切割机，市场上占有率比较多的是MB、HCT、NTC等.但是由于该切割工艺效率低下，一刀需要7～8h;在切割中需要使用SiC和PEG的混合砂浆，切割后其废砂浆的排放严重污染环境.针对上述问题，目前国际上开发了新型切割工艺，金刚石线切割，其切割速度是普通线切割的2～3倍，切割过程中不需要使用SiC,使用对环境无污染的水性切削液。但是由于其切割原理不同，导致对硅片的表面形貌影响也不一样，如果安正常的硅片清洗，硅片经过碱制绒其金字塔的覆盖率非常小，反射率低，电池转化效率也比较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种金刚线切割硅片的清洗方法，可以提高硅片碱制绒的金字塔覆盖率、反射率以及电池效率。。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种金刚线切割硅片的清洗方法,金刚线切割的硅片首先经过脱胶粗洗处理，然后进行精洗，
硅片的脱胶粗洗处理经过多道清洗步骤，分别是：
1)在30～50℃水中清洗；
2)在碱性清洗剂中清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，温度30～50℃；
3)在30～50℃水中清洗；
4)在50～70℃乳酸中清洗；
5)在30～50℃水中清洗；
6)在常温水中清洗；
精洗工艺共经过多道清洗步骤和烘干处理，分别是：
1)在碱性清洗剂中清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，温度70～90℃，该清洗步骤，配制1～3道；
2)在40～60℃水中清洗，该清洗步骤，配制1～3道；
3)在60～80℃纯水中清洗，该清洗步骤，配制1～3道；
4)硅片烘干，该烘干步骤，配制1～3道。
本发明的有益效果是：该金刚线切割硅片清洗工艺方法根本革新在于：通过对硅片清洗液的PH的提高、以及温度的提高，使得其硅片表面更加干净，表面损伤层去除更大，同时对于硅片的碱制绒工艺起到表面活化作用。这样硅片在制绒时，金字塔绒面的覆盖率较高，绒面比较均一。通过金刚线切割硅片清洗工艺方法的调整，硅片的反射率降低了3％左右，电池效率提高了0.3-0.7％。
具体实施方式
一种金刚线切割硅片的清洗方法,该方法如下：
（一）、金刚线切割的硅片按顺序插入硅片花篮，进行脱胶粗洗工艺，粗洗工艺共经过6个水槽清洗，主要是除去硅片表面脏污和胶体，硅片粗洗的工艺步骤如下：粗洗的各步骤处理时间各800秒。
1.在30～50℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗，摇动、喷水和超声波清洗就是水槽保持轻微振动，水保持循环同时有超声震荡的清洗方式；
2.在碱性清洗剂中通过摇动、喷水和超声波清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，温度30～50℃；
3.在30～50℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
4.在乳酸中通过摇动、喷水清洗，乳酸的温度为60℃；
5.在40℃水中通过摇动、喷水清洗；
6.在常温水中摇动清洗；
（二）、经过脱胶后的硅片进行精洗工艺，精洗工艺共经过7个水槽清洗和两步烘干处理，主要目的是除去硅片表面损伤层，硅片精洗的工艺步骤如下：精洗的各步骤处理时间各300秒。
1.在碱性清洗剂中通过摇动、喷水和超声波清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，温度70～90℃；
2.在碱性清洗剂中通过摇动和超声波清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，温度70～90℃；
3.在40～60℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
4.在40～60℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
5.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
6.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
7.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
8.在100℃温度下摇动烘干；
9.在150℃温度下摇动烘干。
Claims (3)
1.一种金刚线切割硅片的清洗方法,其特征是：金刚线切割的硅片首先经过脱胶粗洗处理，然后进行精洗，
硅片的脱胶粗洗处理经过多道清洗步骤，分别是：
1)在30～50℃水中清洗；
2)在碱性清洗剂中清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，温度30～50℃；
3)在30～50℃水中清洗；
4)在50～70℃乳酸中清洗；
5)在30～50℃水中清洗；
6)在常温水中清洗；
精洗工艺共经过多道清洗步骤和烘干处理，分别是：
1)在碱性清洗剂中清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，温度70～90℃，该清洗步骤，配制1～3道；
2)在40～60℃水中清洗，该清洗步骤，配制1～3道；
3)在60～80℃纯水中清洗，该清洗步骤，配制1～3道；
4)硅片烘干，该烘干步骤，配制1～3道。
2.根据权利要求1所述的一种金刚线切割硅片的清洗方法,其特征是：具体步骤如下：
（一）、金刚线切割的硅片进行脱胶粗洗工艺，粗洗工艺经过6个水槽清洗，步骤如下：
1.在30～50℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
2.在碱性清洗剂中通过摇动、喷水和超声波清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，温度30～50℃；
3.在30～50℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
4.在乳酸中通过摇动、喷水清洗，乳酸的温度为60℃；
5.在40℃水中通过摇动、喷水清洗；
6.在常温水中摇动清洗；
（二）、经过脱胶后的硅片进行精洗工艺，精洗工艺共经过7个水槽清洗和两步烘干处理，步骤如下：
1.在碱性清洗剂中通过摇动、喷水和超声波清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～
10，温度70～90℃；
2.在碱性清洗剂中通过摇动和超声波清洗，碱性清洗剂的ｐＨ=9～10，
温度70～90℃；
3.在40～60℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
4.在40～60℃水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
5.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
6.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
7.在60～80℃纯水中通过摇动、喷水和超声波清洗；
8.在100℃温度下摇动烘干；
9.在150℃温度下摇动烘干。
3.根据权利要求2所述的一种金刚线切割硅片的清洗方法,其特征是：粗洗工艺的各步骤处理时间各800秒，精洗工艺的各步骤处理时间各300秒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110111779 CN102225406B (zh) | 2011-04-30 | 2011-04-30 | 一种金刚线切割硅片的清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201110111779 CN102225406B (zh) | 2011-04-30 | 2011-04-30 | 一种金刚线切割硅片的清洗方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102225406A CN102225406A (zh) | 2011-10-26 |
| CN102225406B true CN102225406B (zh) | 2013-02-13 |
Family
ID=44806423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201110111779 Active CN102225406B (zh) | 2011-04-30 | 2011-04-30 | 一种金刚线切割硅片的清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102225406B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102544205A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-07-04 | 嘉兴优太太阳能有限公司 | 太阳能硅片制备系统中的切割方法 |
| CN102806216A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-12-05 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 准单晶硅片清洗方法 |
| CN103343061A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-10-09 | 镇江荣德新能源科技有限公司 | 金刚线切割机用清洗剂及清洗方法 |
| CN104979430A (zh) * | 2015-07-09 | 2015-10-14 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法 |
| CN106238401A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-12-21 | 宁夏晶谷新能源有限公司 | 硅料无酸清洗方法 |
| CN106824903A (zh) * | 2016-12-23 | 2017-06-13 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 金刚线切割的晶体硅片的脱胶方法及使用的超声水槽 |
| CN106733876B (zh) * | 2016-12-23 | 2019-09-20 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种金刚线切割的晶体硅片的清洗方法 |
| CN108447810B (zh) * | 2018-05-17 | 2023-03-31 | 江苏美科太阳能科技股份有限公司 | 一种新型金刚线硅片脱胶机 |
| CN112657938B (zh) * | 2020-12-04 | 2022-07-05 | 娄底市佳鑫机械制造有限公司 | 一种h型钢自动化表面除锈处理一体机 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1638058A (zh) * | 2003-12-25 | 2005-07-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体晶片的清洗方法 |
| TW201034766A (en) * | 2008-12-10 | 2010-10-01 | Lam Res Corp | Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3456446B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2003-10-14 | 日立電線株式会社 | 半導体結晶ウエハの洗浄方法 |
| JP2003059883A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Nec Corp | 裏面洗浄方法および装置、動作制御方法および装置、コンピュータプログラム |
| JP5410943B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2014-02-05 | 三洋化成工業株式会社 | 電子材料用洗浄剤 |
-
2011
- 2011-04-30 CN CN 201110111779 patent/CN102225406B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1638058A (zh) * | 2003-12-25 | 2005-07-13 | 松下电器产业株式会社 | 半导体晶片的清洗方法 |
| TW201034766A (en) * | 2008-12-10 | 2010-10-01 | Lam Res Corp | Immersive oxidation and etching process for cleaning silicon electrodes |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开2000-340535A 2000.12.08 |
| JP特开2010-163608A 2010.07.29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102225406A (zh) | 2011-10-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102225406B (zh) | 一种金刚线切割硅片的清洗方法 | |
| CN102832101B (zh) | 晶体硅清洗方法 | |
| CN102294332B (zh) | 金刚石线切割硅晶片的清洗方法 | |
| CN102412173B (zh) | 切割、研磨硅片表面清洗设备 | |
| CN104893848B (zh) | 一种易降解环保型硅片清洗剂及其制备方法 | |
| CN103464415A (zh) | 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法 | |
| CN109860085A (zh) | 一种硅片cmp后加工设备及加工流程 | |
| CN109585272A (zh) | 一种提高光电效率的硅片清洗方法 | |
| CN207103242U (zh) | 一种硅片清洗装置及链式机台 | |
| CN105344658A (zh) | 一种陶瓷盘清洗装置及其清洗方法 | |
| CN104190665B (zh) | 一种中大尺寸蓝宝石晶圆图案化制程黄光涂布前清洗装置及方法 | |
| CN103170467B (zh) | 铸锭循环料清洁处理方法 | |
| CN102698983A (zh) | 一种太阳能级硅片的清洗方法 | |
| CN107221581B (zh) | 一种黑硅制绒清洗机及其工艺 | |
| CN106733876B (zh) | 一种金刚线切割的晶体硅片的清洗方法 | |
| CN108753478A (zh) | 一种半导体单晶硅清洗剂及其清洗方法 | |
| CN104028503B (zh) | 硅原材料的清洗方法 | |
| CN107240546A (zh) | 一种金刚线切割后的硅片清洗方法 | |
| CN102437021A (zh) | 化学机械研磨中的清洗方法 | |
| CN208225849U (zh) | 一种陶瓷芯片封装基座清洗机 | |
| CN109326538A (zh) | 一种湿法黑硅制绒清洗槽、制绒机台及湿法黑硅制绒方法 | |
| CN103144011B (zh) | 一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置 | |
| CN202845382U (zh) | 一种硅料清洗装置组 | |
| CN101447416A (zh) | 半导体硅片的清洗方法 | |
| CN212934645U (zh) | 一种硅片用槽式抛光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou Patentee after: trina solar Ltd. Address before: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou Patentee before: CHANGZHOU TRINA SOLAR ENERGY Co.,Ltd. Address after: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou Patentee after: TRINASOLAR Co.,Ltd. Address before: 213031, No. 2, Tianhe Road, Xinbei Industrial Park, Jiangsu, Changzhou Patentee before: trina solar Ltd. |