KR20050070767A

KR20050070767A - 반도체 기판용 클리닝부재의 파티클 제거장치

Info

Publication number: KR20050070767A
Application number: KR1020030100973A
Authority: KR
Inventors: 남정현
Original assignee: 동부아남반도체 주식회사
Priority date: 2003-12-30
Filing date: 2003-12-30
Publication date: 2005-07-07

Abstract

본 발명은 반도체 기판용 클리닝부재의 파티클 제거장치에 관한 것으로, 클리닝부재에 남아있는 파티클을 매우 효과적으로 제거하기 위한 장치에 관한 것이다.

본 발명의 구성은 상부에 갖추어지는 클램핑부재와, 이 클램핑부재에 분리가능하게 구비되는 클리닝부재와, 이 클리닝부재의 하부 바닥면에 고정설치되는 클리닝컵과, 이 클리닝컵의 일측에 구비되면서 클리닝컵안에 DI가 저장되도록 하는 공급노즐부로 이루어진 반도체 기판용 클리닝부재의 파티클 제거장치에 있어서, 상기 클리닝컵의 하부에 초음파발생기가 설치된 구조이다.

이러한 구성을 가지는 본 발명은 반도체 기판의 표면 연마후, 다시 클리닝공정을 거칠 때 사용하는 클리닝부재에 반복적인 사용으로 인해 남아있게되는 파티클의 제거시, DI에 의한 제거와 동시에 초음파발생기에 의한 동작으로 제가효과가 배가되도록 한 것이다.

Description

반도체 기판용 클리닝부재의 파티클 제거장치{An Apparatus for eliminating Particle of Cleaning Member of Semiconductor Wafer}

본 발명은 반도체 기판 클리닝용 스폰지 부재의 파티클 제거장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 기판의 클리닝시 사용하는 스폰지부재에 발생하는 파티클(Particle)을 초음파발생기를 이용하여 효과적으로 제거하기 위한 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조공정중에서 반도체 기판인 웨이퍼의 표면을 연마하는 화학적기계적 폴리싱(Chemical Mechanical Polishing, 이하 "CMP"라 약칭함)기술이 도입되어 적용되고 있다.

이러한 CMP공정은 반도체 기판인 웨이퍼의 표면에 증착된 증착막을 패드와 마찰시키면서 화학/기계적 작용에 의해 소정 두께로 연마하는 공정인 것이다.

이러한 CMP공정에 의해연마(Polishing)된 웨이퍼를클리닝하기 위한 장치로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 상부에 구비되면서 이동가능하게 설치되는 회전척(10)의 하부에 클램핑부재(12)에 클리닝부재(14)가 갖추어지고, 이 클리닝부재(14)의 하부 위치에 해당하는 바닥면에는 초순수(Deionized Water, 이하 "DI"라 약칭함)(16)가 저장되는 클리닝컵(18)가 설치되어 있다.

상기 클리닝부재(14)는 통상적으로 스폰지(Sponge)로 되어 있다.

또한, 이 클리닝컵(16)의 일측에는 DI를 공급해주는 공급노즐부(20)가 마련되어 있다.

이러한 종래의 구성은 대기상태 일때에는 도 1에 도시된 바와 같은 상태에 있다가, CMP(Chemical Mechanical Polishing)공정을 통해 연마공정을 마친 웨이퍼 표면을 클리닝하기 위해 상기 클리닝부재(14)를 회전척(10)을 이용하여 이동시켜서 웨이퍼 표면에 위치시킨 다음, 웨이퍼 표면의 클리닝작업을 한다.

이러한 클리닝작업을 반복적으로 수행(통상 웨이퍼의 클리닝작업 매수가 3000매 이상)하다보면, 클리닝부재(14)에 파티클(particle)이 발생,증가하게 된다. 그러면, 이 클리닝부재(14)를 상기 클램핑부재(12)로부터 분리하여 파티클을 제거하게 되는데, 이때 작업자가 손으로 비벼서 털거나, 또는 DI(16)가 들어있는 클리닝컵(18)에 클리닝부재(14)를 담그고, 회전시켜서 파티클을 제거한다.

그러나, 종래에는 이러한 클리닝부재(14)의 파티클제거가 완전하지 못하고, 남아있게 되어서, 웨이퍼 표면의 클리닝시 미세하게 남아있는 파티클에 의해 웨이퍼 표면을 손상시킬 우려가 있었다.

또한, 클리닝부재의 수명도 그 만큼 단축되어 교체시기가 빨라지는 등의 문제점도 있었다.

이에 본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은, 반도체 기판의 표면을 클리닝하는 클리닝부재에 남아있는 파티클을 효과적으로 제거할 수 있도록 한 반도체 기판 클리닝부재의 파티클 제거장치를 제공함에 있다.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 회전하면서 이동가능하게 구비된 회전척과, 이 회전척의 하부에 구비되는 클램핑부재와, 이 클램핑부재에 분리가능하게 끼워지는 클리닝부재와, 이 클리닝부재의 하부에 마련되면서 DI가 저장되는 클리닝컵과, 이 클리닝컵의 일측에 구비되면서 DI를 클리닝컵에 공급하는 공급노즐부로 이루어진 CMP장치의 반도체 기판 클리닝부재의 파티클제거장치에 있어서, 상기 클리닝컵의 하부에 상기 클리닝부재에 남아있는 파티클을 제거하기 위한 초음파발생기가 구비된 것을 기술적 특징으로 한다.

이하, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.

상기 종래기술과 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하여 설명하고, 자세한 설명은 생략하며, 새로운 구성요소에 대해서는 새로운 부호를 부여하여 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명에 따른 장치를 나타낸 개략적인 도면으로서, 도시된 바와 같이, 본 발명은 우선 상부에 회전가능하면서 이동할 수 있도록 회전척(10)이 구비되고, 이 회전척(10)의 하부에는 클램핑부재(12)가 갖추어져 있다. 이 클램핑부재(12)에는 분리가능하게 클리닝부재(14)가 갖추어져 있는바, 이 클리닝부재(14)로서는 통상적으로 스폰지가 사용된다.

또한, 이 클리닝부재(14)의 하부 바닥면에는 클리닝컵(18)이 고정설치되고, 이 클리닝컵(18)의 일측에는 클리닝컵(18)안에 DI(16)가 저장되도록 하는 공급노즐부(20)가 갖추어져 있다.

여기서, 본 발명은 상기 클리닝컵(18)의 하부에 초음파발생기(30)가 설치된 구조이다.

본 발명은 상기 클리닝부재(14)를 클리닝컵(18)안에 담근 상태에서 회전척(10)을 회전시키고, 동시에 클리닝컵(18)의 하부에 구비된 초음파발생기(30)(메가소닉(Megasonic) 발진기)를 가동시켜 초음파에 의해 상기 클리닝부재(14)에 부착된 파티클을 완전하게 제거한다.

이와 같이 본 발명은 반도체 기판의 표면 연마후, 다시 클리닝공정을 거칠 때 사용하는 클리닝부재에 반복적인 사용으로 인해 남아있게되는 파티클의 제거시, DI에 의한 제거와 동시에 초음파발생기에 의한 동작으로 가일층 제거효과가 높아질 수 있는 것이다.

도 1은 종래의 클리닝장치를 나타낸 개략도

도 2는 본 발명에 따른 클리닝장치를 나타낸 개략도

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

10 : 회전척

12 : 클램핑부재

14 : 클리닝부재

16 : DI

18 : 클리닝컵

20 : 공급노즐부

30 : 초음파발생기

Claims

상부에 갖추어지는 클램핑부재와, 이 클램핑부재에 분리가능하게 구비되는 클리닝부재와, 이 클리닝부재의 하부 바닥면에 고정설치되는 클리닝컵과, 이 클리닝컵의 일측에 구비되면서 클리닝컵안에 DI가 저장되도록 하는 공급노즐부로 이루어진 반도체 기판용 클리닝부재의 파티클 제거장치에 있어서,

상기 클리닝컵의 하부에 상기 클리닝부재에 남아있는 파티클을 제거하기 위한 초음파발생기가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 기판용 클리닝부재의 파티클 제거장치.