CN102246278A - 用于促进硅电极抛光的盘和适配器组件 - Google Patents

用于促进硅电极抛光的盘和适配器组件 Download PDF

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Abstract

提供了一种用抛光转盘和双功能电极盘抛光硅电极的方法。所述双功能电极盘固定于所述抛光转盘且包括多个设置为伸出于所述双功能电极盘的电极接合面的电极固定件。所述电极固定件与成形于待抛光的所述硅电极的盘接合面的固定件插座的各位置互补。所述电极固定件和所述固定件插座配置为允许所述电极盘的所述电极接合面和所述硅电极的所述盘接合面的无破损地接合和解离。所述双功能电极盘进一步包括位于所述电极固定件径向向内的盘适配器拱座。所述盘适配器拱座配置为使盘适配器与所述旋转抛光轴近似对准。所述硅电极通过以下方式抛光(i)经由所述电极固定件和所述固定件插座接合所述电极盘的所述电极接合面和所述硅电极的所述盘接合面，(ii)利用所述抛光转盘施加旋转运动于已接合的所述硅电极，和(iii)当所述硅电极关于所述旋转抛光轴旋转时将所述硅电极的暴露表面与抛光表面接触。也考虑、公开和要求保护附加的具体实施方式。

Description

用于促进硅电极抛光的盘和适配器组件
本公开一般地涉及用于电极再调整的方法且，更特别地，涉及用于再调整在等离子体处理系统中已被用做激发电极的单元件或者多元件电极的方法。尽管本公开的方法不限于特别的电极配置或电极再调整之前已使用的环境，但是，为说明目的，此处所阐述的工序是关于示出在图8-图11中的具体硅基电极装置，图8-图11中分开的内部电极和外部电极形成电极组件。
考虑到本公开的方法也将适用于抛光其它类型的电极，包括内部电极和外部电极被集成为一个单片的电极的单电极，以及与此处所阐述的电极结构相同或不同的其它电极配置。
在示出于图8-图11中的具体实施方式中，内部电极包括延伸穿过电极层厚且能够被置于与工艺气体进口流体连通的多个气孔。尽管该气孔能够以各种不同的方式设置，但是在所阐述的具体实施方式中，该气孔以同心圆的方式设置，从内部电极的中心放射状地向外延伸，贯穿同心圆圆周间隔开。同样地，单片、单电极也可以装备有多个气孔。
依据本公开的一种具体实施方式，提供了利用抛光转盘和双功能电极盘(platen)抛光硅电极的方法。双功能电极盘固定于抛光转盘且包括多个设置为伸出于所述双功能电极盘的电极接合面的电极固定件。所述电极固定件与成形于待抛光的硅电极的盘接合面的固定件插座的各位置互补。电极固定件和固定件插座配置为允许电极盘的电极接合面和硅电极的盘接合面无破损的接合和解离。双功能电极盘进一步包括位于电极固定件径向向内的盘适配器拱座。盘适配器拱座配置为使盘适配器与旋转抛光轴近似对准。硅电极通过以下方式抛光(i)经由电极固定件和固定件插座接合电极盘的电极接合面和硅电极的盘接合面，(ii)利用抛光转盘施加旋转运动于已接合的硅电极，和(iii)当硅电极关于旋转抛光轴旋转时将硅电极的暴露表面与抛光表面接触。
依据本公开的另一种具体实施方式，提供了双功能电极盘，其包括多个轴向屈从电极固定件和盘适配器拱座。电极固定件设置为伸出于双功能电极盘的电极接合面且与成形于硅电极的盘接合面的轴向屈从固定件插座的各位置互补，其中轴向屈从电极固定件和轴向屈从固定件插固定件配置为允许电极盘的电极接合面和硅电极的盘接合面在单一方向上无破损的接合和解离。盘适配器拱座辐射状地位于轴向屈从电极固定件的内侧，其中盘适配器拱座配置为将盘适配器的盘适配器中心与双功能电极盘的电极适配器中心近似对准。也考虑、公开和要求保护其他的实施方式。
以下关于本公开的特定具体实施方式的详细描述在与以下附图共同阅读时能够被最好地理解，在附图中同样的结构用同样的参考标记表示且在其中：
图1-3示出根据本公开抛光第一类硅电极的方法；
图4和5示出根据本公开抛光第二类硅电极的方法；
图6至图7示出了清洁硅电极的方法；
图8和9呈现了硅电极组件的正视和背视图；
图10至图11示出了图8至图9中的单个电极元件的侧视图；
图12示出了抛光工具；
图13示出根据本公开的电极盘；
图14示出了安装于图13中的电极盘上的硅电极；
图15示出了依据本公开的盘适配器；
图16示出了电极夹具；和
图17至图18示出了由图15和图16中的电极夹具支撑的两种不同类型的硅电极。
图1-图5示出了一种抛光硅电极的方法。参考图1，在一种具体实施方式中，该方法可以包括预抛光测量步骤110。对于内部电极10的表面精糙度的测量，首先测量内部电极的中心。然后，在从中心测量的半径的1/2处，测量相互间隔90°的四个点。也考虑其它形式的表面粗糙度的测量也可以实施。进一步地，也考虑预抛光测量步骤不需要实施。
进一步参考图1，在一种具体实施方式中，内部电极预抛光测量步骤110可以包括测量内部电极10的厚度样态。优选地，内部电极10的厚度沿直径在十八个点上测量，从最边缘和第一排气孔开始且延伸至内部电极的对侧。然而，也考虑厚度测量的其它方法。为了计算内部电极的厚度，合计这18个测量值，且计算平均厚度。优选地，所计算的平均厚度大于最小的可允许的电极厚度。另外，也考虑不进行预抛光测量。
进一步参考图1，可选择地，在内部电极预抛光测量步骤完成之后，为了适当的功能，转盘15和盘适配器60(见图15)都应当清洗和测试。优选地，所有夹持(holding)设备应当以以下顺序清洁：用异丙醇(IPA)擦拭，然后用去离子水(DIW)冲洗；然后用2％的HNO3溶液擦拭，然后用DIW冲洗。每次被应用于抛光程序时该清洁顺序应该被再清洁以避免电极与抛光残渣的污染/交叉污染。然而，在抛光程序开始前，其它适宜的清洁方案可以用于去除污垢。
准备后，内部电极10应当用中心销和定位销牢固地安装于盘适配器60(见图15)以保证与适配器60接合，或者安装于任何适当的抛光结构以为抛光程序做准备。
再次参考图1，为了将侧壁沉积物从内部电极10移除，提供了第一侧壁冲洗步骤112。在一种具体实施方式中，侧壁冲洗步骤112包括用DIW冲洗内部电极10。优选地，在整个抛光程序中DIW的流量应当保持恒定。在第一侧壁冲洗步骤112中，转盘15可以以范围从大约每分钟20到40转的速度旋转。然而，也考虑转盘15也可以以其它速度旋转。
进一步参考图1，从第一侧壁冲洗步骤112，内部电极10也可以用侧壁抛光步骤114处理。在一种具体实施方式中，侧壁抛光步骤114包括将内部电极10(见图10)的侧壁和梯级表面都抛光。在一种具体实施方式中，金钢石磨料垫和金钢石尖端可以用于抛光侧壁和梯级表面。可选择地，其它研磨材料也可以用于进行抛光和去除侧壁沉积物。优选地，抛光时间可以处于1分钟和2分钟之间的范围以彻底地去除测壁沉积物。然而，也考虑抛光步骤可以用更多或更少的时间。
在侧壁抛光步骤114之后，内部电极10可以用第二侧壁冲洗步骤116处理。在一种具体实施方式中，第二侧壁冲选步骤116包括用DIW冲洗内部电极10直至没有侧壁沉积物剩余。在一种具体实施方式中，冲洗持续1-2分钟。然而，依据于特别的应用程序第二冲洗步骤116的时间长短可以减小或者延长。
在第二侧壁冲洗步骤116之后，内部电极10可以经历侧壁擦拭步骤118。在一种具体实施方式中，侧壁擦拭步骤118包括用洁净室擦对侧壁和梯级表面都进行擦拭以去除所有残留的侧壁沉积物。然而，侧壁擦拭步骤118也可以包括其它去除残留沉积物和清洁器件的方法，例如供选择的擦拭方法。
在该方法的配置中，在侧壁擦拭步骤118之后，内部电极10可以经历马格南(magnum)冲洗步骤120。在一种实施方式中，马格南冲洗步骤包括用DIW冲洗内部电极10。优选地，马格南冲洗步骤120历时至少一分钟。然而，马格南冲洗步骤120的持续时间可以更改。
在内部电极10的侧壁抛光完成以后，可以抛光内部电极10的剩余的表面。参考图2，内部电极10可以首先进行平坦电极表面的抛光。在一种具体实施方式中，内部电极10可以进行擦洗(scrub)抛光步骤122来抛光内部电极10(见图8)的平坦电极表面。在一种具体实施方式中，擦洗抛光步骤122包括用渐细的金钢石圆盘抛光内部电极10，同时用DIW不断地冲洗内部电极10。
在一种具体实施方式中，内部电极10利用转盘15以范围从每分钟80转到每分钟120转的速度旋转。也考虑转盘15也可以以其它速度旋转。在一种具体实施方式中，如果内部电极10的表面上保持平坦，平的抛光盘可以用于擦洗抛光步骤122。如果与抛光盘连接的牢固的手柄(firm handle)变软且不能保持平坦，应该立即用新的手柄进行更换。此外，也可以使用其它抛光器件。
在一种具体实施方式中，渐细的金钢石盘也可以用于完成擦洗抛光步骤122。如果内部电极10具有较小的粗化和凹点，可以用180的粒度金钢石盘开始擦洗抛光步骤122。如果内部电极10具有深的凹陷或者划痕的粗化表面，可以用140粒度金钢石盘开始擦洗抛光步骤122。优选地，擦洗抛光步骤122应当用粗糙的金钢石盘开始，直到主要的凹点，划痕，和表面破坏已被去除。一旦主要的破坏已被抛光去除，内部电极10的表面可以在颜色上统一。
在另一种具体实施方式中，用第一选择金钢石盘抛光表面之后，内部电极10可以用更高的粒度金钢石盘抛光，例如180粒度金钢石盘，220粒度金钢石盘，280粒度金钢石盘，360粒度金钢石盘，和800粒度金钢石盘。优选地，在擦洗抛光步骤122中，应当对金钢石盘施加一致的压力。
然而在另一种具体实施方式中，金钢石盘无论何时改变，内部电极10都应当用DIW冲洗至少一分钟以去除累积的微粒。然而，内部电极10可以进行宽范围的持续时间的冲洗以去除累积的微粒。
在金钢石盘改变之后，内部电极10可以进行马格南冲洗步骤124以去除内部电极10上的气孔内的任何俘获粒子。在一种具体实施方式中，马格南冲洗步骤124包括用马格南枪冲洗内部电极10以去除任何累积的副产品。在另一种具体实施方式中，马格南冲洗步骤124用DIW和40磅/平方英寸的N2或清洁的干空气来实施。
在马格南洗步骤124之后，内部电极10可以进行擦拭步骤126以从硅表面去除过剩的水分。在一种具体实施方式中，擦拭步骤126包括用净化室擦擦拭内部电极10的表面。然而，也考虑也可以利用其它水分去除步骤。
擦拭步骤126之后，按照上述的内部电极预抛光检测步骤110中应用的程序，可进行后抛光检测步骤128以评价内部电极10的表面粗糙度。然而，表面粗糙度也可以以其它适宜的方式进行评估。在一种具体实施方式中，如果内部电极10的表面粗糙度大于8μinches Ra，那么内部电极10应当返回到擦洗抛光步骤122直至达到适当的表面粗糙度。然而，也考虑其它粗糙度也可以是适当的。
在一种具体实施方式中，如果后抛光测量步骤128揭示了内部电极10处于适当的表面粗糙度范围内，可以内部电极预抛光检测步骤110相同方式进行最终厚度检测步骤130以评价内部电极10的厚度。内部电极10的该厚度也可以被比作内部电极10的最小厚度规格。然而，也考虑不存在在所有实施方式中都必要的检测步骤。
在最后的厚度测量步骤130完成之后，内部电极10可以进行最后的抛光步骤132以去除由表面粗糙度和厚度样态测量所产生的标记。在一种具体实施方式中，最后的抛光步骤132包括用DIW冲洗，轻柔抛光以去除测量标记，且喷射冲洗内部电极10。优选地，用DEW冲洗具有至少一分钟的持续时间，然而，可选择的持续时间也是预期的。更进一步地，在一种具体实施方式中，轻柔抛光步骤可以仅持续2-3分钟，然而，也考虑不同的持续时间。优选地，用DIW实施喷射冲洗内部电极10仅1-2分钟。然而，也考虑更短的冲洗时间和更长的冲洗时间。
参考图3，最后的抛光步骤132完成之后，内部电极10从盘适配器60上去除，且被安装在夹具70(参见图16-18中合适冲洗夹具的范例)上。安装在夹具70上后，内部电极10进行冲洗步骤140。在一种具体实施方式中，冲洗步骤140包括用DIW和40-50磅/平方英寸的N2或清洁的干空气冲洗内部电极10。优选地，冲洗步骤140具有至少5分钟的持续时间。然而，也考虑依据于应用的需要冲洗步骤140可以持续更短或者更长的时间。
冲洗步骤140完成之后，用DIW冲洗内部电极10且进行最后的擦拭步骤142。在一种具体实施方式中，最后的擦拭步骤142包括擦拭内部电极10的表面直至所有的污迹和过剩的水分从内部电极10去除掉。
在最后的擦拭步骤142以后，内部电极10进行最后的马格南冲洗步骤144。在一种具体实施方式中，最后的马格南冲洗步骤144包括用DIW冲洗内部电极10。优选地，最后的马格南冲洗步骤144具有至少5分钟的持续时间，但是也考虑其它的冲洗持续时间。
在最后的马格南冲洗步骤144之后，内部电极10进行超声波清洗步骤146。在一种具体实施方式中，超声波清洗步骤146包括当超纯水(UPW)直接流入衬垫(liner)时，超声地清洁内部电极10。优选地，内部电极保持正面向上，且超声波清洁步骤146具有10分钟的持续时间。然而，超声波清洁步骤146可以持续比10分种更长或者更短的时间。在超声波清洗步骤146期间内部电极10可以周期性地旋转，例如，每5分钟一个旋转周期。
在超声波清洗步骤146之后，内部电极10进行最后的喷射冲洗步骤148。在一种具体实施中，最后的喷射冲洗步骤148包括用DIW喷射冲洗内部电极10。在一种具体实施方式中，最后的喷射冲洗步骤148历时至少一分钟。然而，最后的喷射冲洗步骤148可以历时比一分钟更短或更长的时间。在另一种具体实施方式中，可以检查内部电极10以确保在电极的正面和反面均没有缺口，裂纹，和/或损坏。
在另一种具体实施方式中，内部电极10可以进行浸湿步骤150。浸湿步骤150可以包括将内部电极10放入充满DIW的聚丙烯或者聚乙烯槽中。在一种具体实施方式中，在内部电极10进入浸湿步骤150之后，内部电极10必须在两小时之内进行以下所描述的清洁方法。
参考图4，在一种具体实施方式中，外部电极预抛光测量步骤200可以包括对外部电极12的厚度和表面粗糙度都进行测量。优选地，为测量外部电极12的表面粗糙度，要在顶部平坦表面上测量六个点。一个点应当与外部电极12的编号对齐。其余五个点围绕外部电极12半径等距离地沿顶平面均匀分布。然而，也可以应用其它的测量外部电极12的表面粗糙度的方法。进一步地，也考虑不需要预抛光测量。
在一种具体实施方式中，可以测量外部电极12的厚度。优选地，对外部电极12的顶部平坦表面进行6次测量，每次测量处于与下次测量基本相似的半径上。平均得到六次检测的平均数，该平均值可以与最小可以允许的外部电极的厚度规格进行比较。然而，也可以应用其它的计算外部电极12的厚度的方法。进一步地，也考虑不需要预抛光测量。
进一步参照图4，对于外部电极预抛光检测步骤200，在一实施方式中，可检测外部电极12横截面的样态。优选，检测与WAP孔相对的硅片以确定横截面样态检测。可检测沿从外部电极12中心点辐射的直线相互间大致等距离的、沿表面的八个点，开始于顶平面的外边沿，朝内边沿向内延伸，最终检测发生在内边沿之前。
在外部电极预抛光测量步骤200之后，在一种具体实施方式中，外部电极12可以用至少两个用于与双功能电极盘50(见图13)迅速安装的螺纹电极固定件(mounts)54接合于双功能电极盘50。在另一种具体实施方式中，双功能电极盘50可以接合于转盘15，这可以配置为以介于大约每分钟80转和120转之间的速度旋转，既向前旋转也向后旋转。
在安装于双功能电极盘50之后，外部电极12进行第一冲洗步骤202，该步骤包括用DIW冲洗外部电极12。优选地，在第一冲洗步骤202中，转盘15以每分钟20转到40转的速度旋转，但也考虑其它旋转速度。
在第一冲洗步骤202之后，外部电极12可以进行内径抛光步骤204。内径抛光步骤204可以包括抛光外部电极12的内径(见图11)。在一种具体实施方式中，金钢石垫可以用于抛光且去除任何内径侧壁沉积物。优选地，可以使用800粒度金钢石盘，但是也考虑其它研磨材料。在一种具体实施方式中，内径抛光步骤204可以用1-2分钟的抛光时间来彻底地去除侧壁沉积物。
在内径抛光步骤204完成后，外部电极12可以进行内径冲洗步骤206。在一种具体实施方式中，内径冲洗步骤206包括用DIW冲洗外部电极12。优选地，内径冲洗步骤206包括将侧壁冲洗1-2分钟，且擦拭侧壁以去除任何剩余的沉积物。也可以检查外部电极12以确保没有侧壁沉积物剩余。
在内径冲洗步骤206完成后，外部电极12可以进行外径抛光步骤208。外径抛光步骤208可以包括抛光外径侧壁以去除任何侧壁沉积物(见图11)。优选地，可以用800粒度金钢石垫抛光外部电极12。然而，可以用其它研磨器件抛光外径。进一步地，侧壁沉积物可以用1-2分钟的抛光时间来彻底地去除，但也考虑更长的去除时间。
一旦外径抛光步骤208已完成，外部电极12可以进行外径冲洗步骤210。在一种具体实施方式中，外径冲洗步骤210包括用DIW冲洗外部电极12的外径(见图11)。优选地，外径冲洗步骤210具有至少一分钟的持续时间以去除任何可能已累积的微粒。然而，也考虑其它的冲洗持续时间。在另一种具体实施方式中，在外径冲洗步骤210已完成后，可以对内径和外径都进行检查以确保所有沉积物已去除。
完成外径冲洗步骤210后，外部电极12可以进行内径和外径的马格南冲洗步骤212。在一种具体实施方式中，内径和外径马格南冲洗步骤212包括用DIW使用马格南枪冲洗(magnum gun rinse)方式冲洗外部电极12。优选地，外径马格南冲洗步骤212对于外部电极12的内部边缘和外部边缘每个具有至少一分钟的持续时间。然而，也考虑其它的冲洗时间。
在内径和外径马格南冲洗步骤完成后，外部电极12可以进行剩余表面的抛光。参考图5，在一种具体实施方式中，顶部平坦表面首先抛光，然后抛光外部坡度区域，且最后抛光内部坡度区域(见图11)。不正确的抛光技术可以导致边缘倒角(the rounding of theedges)，和外部电极12表面轮廓的改变。进一步地，在一种具体实施方式中，当在盘适配器60中时，内部坡度区域可以不被抛光。
在一种具体实施方式中，外部电极12可以进行平顶抛光步骤220以抛光外部电极12的平坦电极表面。在一种具体实施方式中，平顶抛光步骤220包括用渐细的金钢石盘抛光外部电极12，且用DIW不断地冲洗外部电极12。然而，也考虑其他研磨器件和方案(protocols)。
优选地，外部电极12利用转盘15以范围介于每分钟80转到120转的速度旋转。然而，也考虑其它的旋转速度。在平顶抛光步骤220的一种具体实施方式中，可以使用平抛光盘，且必须在外部电极12的顶表面上保持平放。如果与抛光盘相连的牢固手柄(firmhandle)变软且不能保持平放，则应当立即用新手柄替换。然而，也考虑将其它抛光器件用于平顶抛光步骤220中。
在一种具体实施方式中，如果对外部电极12的破坏是大量的，则可以使用粗糙的金钢石盘。例如，如果外部电极12具有轻微粗化和凹点，则180粒度金钢石盘可以用于开始平顶抛光步骤220。如果内部电极10具有深凹陷或划痕的粗糙面，则可以使用140粒度金钢石盘来开始平顶抛光步骤220。平顶抛光步骤220应当用粗糙的金钢石盘开始直至主要的凹点，划痕，和表面破坏被去除。优选地，一旦主要的破坏已去除，外部电极12的表面应当在颜色上统一。
在一种具体实施方式中，当用第一选择金钢石盘抛光表面后，用更高粒度的金钢石盘抛光电极，例如220粒度金钢石盘，280粒度金钢石盘，360粒度金钢石盘，和800粒度金钢石盘。在平顶抛光步骤220中，应当对金钢石盘施加统一的压力。
无论何时改变金钢石盘，和使用更细的盘，可以使用超溶解海绵状物来去除每一抛光后累积在金钢石盘上的微粒。在每一随后更好的金钢石盘抛光后，外部电极12可以进行水枪冲洗步骤226。在一种具体实施方式中，水枪冲洗步骤226包括使用水枪用DIW冲洗外部电极12以减少外部电极12上WAP孔内部俘获粒子的数量。
在平顶抛光步骤220完成后，然后外部电极12可以进行外表面抛光步骤222。除了抛光外部电极12的外表面而不是顶平面(参见图11)之外，类似上述平顶抛光步骤220进行外表面抛光步骤222，其中外表面抛光步骤222包括用渐细研磨品级抛光外部电极12，以及用DIW持续冲洗外部电极12。
在平顶抛光步骤220和外表面抛光步骤222均完成后，外部电极12可以进行内表面抛光步骤224。在一种具体实施方式中，内表面抛光步骤224包括抛光外部电极12的内表面区域(见图11)。优选地，金钢石盘从牢固的手柄上去除，且被用于轻柔抛光内表面区域。然而，可以代替实施其它抛光方法。在一种具体实施方式中，内表面区域的斜率应当保持不变。在另一种具体实施方式中，外部电极12的边缘没有被抛光修圆磨光，且留下斜率保持不变。
在水枪冲洗步骤226后，可以在外部电极擦拭步骤228中冲洗和擦拭外部电极12。在一种具体实施方式中，外部电极擦拭步骤228可以包括用DIW冲洗外部电极12，且从硅表面擦拭所有过多的水分。然而，也考虑去除累积微粒和水分的其它方法。
在外部电极擦拭步骤228后，依据以上所揭示的应用于预抛光测量步骤110中的程序可以实施外部电极质量测量步骤230以评价外部电极12的表面粗糙度。在一种具体实施方式中，如果外部电极12的表面粗糙度大于8μinches Ra，那么外部电极12应当返回到抛光步骤220，222，和224直至达到适当的表面粗糙度。
在一种具体实施方式中，如果外部电极质量测量步骤230揭示了外部电极12具有可容忍的表面粗糙度，则以与外部电极预抛光测量步骤200相同的方式可以实施最后的外部厚度测量步骤232以评价外部电极12的厚度。该厚度测量与适用于外部电极12的最小厚度规格进行比较。
在外部电极质量测量步骤230完成后，外部电极12可以进行揭示于图2和图3中的与内部电极10相似的步骤，也就是步骤132，步骤140，步骤142，步骤144，步骤146，步骤148，和步骤150，以完成适用于外部电极12的抛光程序。
在单电极抛光的情况下，斜坡抛光工具80能够用于抛光单电极的内部斜坡，或者单电极的其它倾斜表面。在此实施例中，单电极能够安装于转盘15且斜坡抛光工具80用于抛光内部斜坡。优选地，抛光工具80应当与仅800粒度的砂纸一起使用，且应当抛光至少两分钟直至去除所有的污点。然而，也考虑其它研磨技术和抛光持续时间。在另一种具体实施方式中，抛光工具80应当始终保持笔直，且在每一停止后应当冲洗单电极。
一般地参考图6和图7，混合酸清洁程序可以用于清洁各种各样的硅电极类型，包括，但不限于，以上所讨论的所有电极类型。进一步地，混合酸清洁方法可以用于清洁没有被揭示的其它类型和配置的硅电极。
以下所讨论的混合酸清洁程序可以在如前所述的抛光程序完成后应用，或者混合酸清洁程序可以独立于抛光方法之外应用。进一步地，也考虑鉴于各种清洁和抛光步骤的组合可以省略某一清洁和/或抛光步骤。
下述混酸清洁方法特别优越，因为其无需操作者接触硅电极。结果，尽管本披露的混酸清洁工艺可包含涉及操作者接触的步骤，但是执行该工艺可显著减低如非自动抛光、手动擦拭、手动喷涂等的其他操作所产生的工艺变量。此外，应小心谨慎操作硅电极，所有周边区域应保持清洁且没有不必要的灰尘。处理硅电极应当使用一副新的洁净室手套。
参考图6，在一种具体实施方式中，清洁硅电极的过程包括用于去除电极背面的点亮(light up)标记的点亮去除步骤300。在一种具体实施方式中，点亮去除步骤300包括屏蔽指定区域，和擦洗以去除任何背面点亮标记。优选地，电极放置于一张聚苯乙烯泡沫上。在另一种具体实施方式中，点亮去除步骤300包括屏蔽任何气孔周围的区域和缺少气孔的径向同心区域。优选地，点亮标记可以用1350金钢石盘或者1350金钢石尖端非常轻且小心地擦洗几秒直至标记去除。然而，可以用其它方法去除点亮标记。点亮去除步骤300也可以包括在点亮标记去除后去除该屏蔽和用异丙醇(IPA)擦拭压胶(taped)区域。
在一种具体实施方式中，用于清洁硅电极的过程可以包括在点亮去除步骤300之后的CO2小球清洁步骤302，以便去除掉电极背面石墨垫片上的任何残渣以及某些蚀刻处理部件正面的沉积物，从而确保孔中无微粒。在一种具体实施方式中，CO2小球清洁步骤302包括用干冰小球爆破电极的硅表面。优选地，气压≤40磅/平方英寸且小球进给速率≤0.3千克/分钟。然而，可以应用其它气压和进给速率。在另一种具体实施方式中，应当用干冰小球爆破全部硅表面以去除覆盖包括边缘的整个表面的任何室沉积物。进一步地，在另一种具体实施方式中，可以爆破电极上的孔以清洁其内部。
在另一种具体实施方式中，CO2小球清洁步骤302包括爆破可以用干冰小球爆破的背面以去除垫片上剩余的任何残渣。优选地，爆破完成后，为了检查应当加热电极以去除雾和霜，且应当检查电极以确保去除全部的沉积物。如果在爆破过程中漏掉了一些沉积物，应当继续额外的爆破直至去除全部的沉积物。
优选地，在CO2小球清洁步骤302中，可能应用塑料喷嘴以避免金属污染和刮划电极。然而，如果不引起破坏，喷嘴和气流的其它组合是可以接收的。此外，在另一种具体实施方式中，在CO2小球清洁步骤302中，必须保护电极的背面，或者通过用手固定，将其置于柔软表面的方式，或者通过将其置于例如图16-图18中所示出的冲洗设备的台上的方式。
再参考图6，优选地，CO2清洁步骤302用大约五分钟来清洁内部电极10和大约十五分钟来完成外部电极12的爆破。然而，也考虑CO2清洁的不同时间，只要不导致电极损伤便可使用。
如果CO2小球清洁步骤302没有执行，则可以以擦拭和擦洗步骤代替执行。在一种具体实施方式中，擦拭和擦洗步骤可以包括用净化室擦和异丙醇(IPA)擦拭待处理(the party)的整个表面至少一分钟以去除任何不牢固的沉积物和指纹。在一种具体实施方式中，擦拭和擦洗步骤也可以包括根据需要使用擦洗垫以去除电极背面上的垫片和孔上的任何沉积物和剩余残渣。
在CO2小球清洁步骤302或者可选择地，擦拭和擦洗步骤后，在一种具体实施方式中，电极可以进行含水的清洁剂浸湿步骤304。在一种具体实施方式中，清洁剂浸湿步骤304包括在含水的清洁剂溶液中浸湿电极。优选地，浸湿进行10分钟，但是也考虑其它浸湿持续时间。在一种具体实施方式中，在清洁剂浸湿步骤304中，电极可以搁在聚四氟乙烯条上，且定期地搅动(agitated)。然而，该搅动可以是持续的，间断的，周期性的，或者非周期性的。进一步地，聚四氟乙烯条可以用聚四氟乙烯涂覆，或者甚至聚四氟乙烯包封条代替。
再参考图6，在一种具体实施方式中，在清洁剂浸湿步骤304之后，电极可以进行清洁剂冲洗步骤306。清洁剂冲洗步骤306可以包括用超纯水(UPW)喷射冲洗电极。优选地，清洁剂冲洗步骤306进行至少两分钟，但也考虑其它冲洗时间。进一步地，在说明书全文中描述UPW时，其可以包括以电阻系数大于18MQ为特征的纯度的水。然而，也考虑其他纯度等级作为UPW使用。
在一种具体实施方式中，在清洁剂冲洗步骤306之后，电极可以进行IPA浸湿步骤308。IPA浸湿步骤308可以包括在IPA中浸湿电极。优选地，IPA浸湿步骤进行30分钟。然而，也考虑范围从5分钟到几个小时的额外的浸湿时间。在一种具体实施方式中，在IPA浸湿步骤308中电极被搁在聚四氟乙烯条上且被周期性地搅动。然而，该搅动可以是持续的，间断的，周期性的，或者非周期性的。进一步地，聚四氟乙烯条可以是聚四氟乙烯涂覆，或者甚至聚四氟乙烯包封条。
在一种具体实施方式中，硅电极清洁程序包括IPA冲洗步骤310。IPA冲洗步骤310可以包括用UPW喷射冲洗电极。优选地，IPA冲洗步骤310实施至少一分钟，但也考虑其它冲洗时间。
如果电极在进入清洁程序之前被抛光，则电极可以进行超声波清洁步骤312。在一种具体实施方式中，超声波清洁步骤312包括在衬垫中清洁电极，用过量的UPW直接泵入衬垫中且允许溢流。优选地，在超声波清洁步骤312中，电极置于超声波槽中的两个聚四氟乙烯条上。进一步地，聚四氟乙烯条可以是聚四氟乙烯镀膜条，或者甚至聚四氟乙烯密封条。衬垫可以包括聚四氟乙烯或者聚乙烯两者中的任一者，或者其它适当的材料。超声波清洁步骤312可以持续范围从1分钟到10分钟的不同的持续时间，然而，优选地，其包括超声地清洁电极至少10分钟，电极每五分钟一旋转。在超声波清洁步骤312中，UPW应当直接泵入衬垫，过量的溢出于衬垫。
在一种具体实施方式中，在超声波清洁步骤312后，电极可以进行预酸冲洗步骤314。在一种具体实施方式中，预酸冲洗步骤314包括用UPW喷射冲洗电极。优选地，预酸冲洗步骤314持续至少一分钟，但是也考虑其它时间。
参考图7，在预酸冲洗步骤314完成后，电极可以安装在任何适宜的夹具70上。例如，见图16至图18，电极可以保持处于夹具70中直至进行装袋步骤328。一旦电极安装于夹具70，就不应当碰触硅表面。替代地，夹具70上的夹持器手柄应当用于移动和操纵该部件。
再参考图7，在预酸冲洗步骤314已完成，且电极安装于夹具70后，电极可以进行最初的UPW冲洗步骤316。在一种具体实施方式中，最初的UPW冲洗步骤316包括使用装有UPW和N2的马格南水枪对电极的两面均进行清洁。优选地，最初的UPW冲洗步骤316具有至少8分钟的持续时间。然而，也考虑其它冲洗持续时间和方法。在一种具体实施方式中，N2供应范围从40磅/平方英寸到50磅/平方英寸。最初的UPW冲洗步骤316可以以各种不同的冲洗方案进行，例如在顶部冲洗3分钟，在底部冲洗2分钟，且在顶部附加3分钟。
在最初的UPW冲洗步骤316后，电极可以进行混合酸浸湿步骤318。在一种具体实施方式中，混合酸浸湿步骤318包括浸湿电极于包括氢氟酸，硝酸，醋酸，和水的混合物的混合酸溶液，一个实例阐明于以下图表中：
  化学来源   体积浓度   体积比  制作1公升的体积
  氢氟酸(HF)   49％(w/v)   1   10ml
  硝酸   69％(w/v)   7.5   75ml
  醋酸(HAc)   100％   3.7   37ml
  超纯水   100％   87.8   878ml
为了描述和定义本发明，应当知道此处提供的体积比指的是百分比，如7.5的体积比表明该成分占溶液全部体积的百分之7.5。
在一种具体实施方式中，混合酸溶液包括：
相当于体积比低于近似10的浓度近似40％-60％的氢氟酸溶液的一定体积比的氢氟酸；
相当于体积比低于近似20的浓度近似60％-80％的硝酸溶液的一定体积比的硝酸；
相当于体积比低于近似10的浓度近似90％-100％的醋酸溶液的一定体积比的醋酸；以及
水体积比在大约75以上。
在另一种具体实施方式中，混合酸溶液包括：
按重量近似0.5％的氢氟酸；
按重量近似5.3％的硝酸；
按重量近似3.8％的醋酸；以及
水。
在再一种具体实施方式中，混合酸溶液包括：
按重量近似0.45％至近似0.55％的氢氟酸；
按重量近似4.8％至近似5.8％的硝酸；
按重量近似3.3％至近似4.3％的醋酸；以及
水。
在另一种具体实施方式中，混合酸溶液包括：
按重量近似0.4％至近似0.6％的氢氟酸；
按重量近似4.3％至近似6.3％的硝酸；
按重量近似2.8％至近似4.8％的醋酸；以及
水。
混合酸浸湿步骤318可以进行一系列的持续时间，但是优选地该浸湿实施约10分钟，随着电极每几分钟被搅动一次。然而，该搅动可以是持续的，间断的，周期性的，或者非周期性的。在一种具体实施方式中，混合酸溶液应当是刚刚混合的。在另一种具体实施方式中，混合酸溶液应仅用于两个电极。
在混合酸浸湿步骤318之后，电极可以进行酸冲洗步骤320。在一种具体实施方式中，酸冲洗步骤320包括使用马格南水枪对电极的两面均进行冲洗。优选地，酸冲洗步骤持续至少3分钟，但是也考虑其它冲洗持续时间和方案。例如，电极在顶部冲洗1分钟，在底部冲洗1分钟，和在顶部冲洗1分钟。
在酸冲洗步骤320之后，电极可以进行后酸超声波清洁步骤322。在一种具体实施方式中，后酸超声波清洁步骤322包括用范围大约从1.5瓦特/平方厘米(10瓦特/平方英寸)到3.0瓦特/平方厘米(20瓦特/平方英寸)功率密度的超声波能量在超声波槽中超声波地清洁电极。优选地，超声波清洁持续至少10分钟，其间五分钟后旋转，但是可以应用其它清洁持续时间，和旋转方案。优选地，在电极插入衬垫中之前应当证实超声波的功率密度。在一种具体实施方式中，电极和夹具70被插入具有衬垫的超声波槽中。衬垫可以由聚丙烯，聚乙烯，或者其它适当的材料制成。在一种具体实施方式中，在后酸超声波清洁步骤322中，UPW可以直接泵入具有过量溢流物的衬垫。在另一实施方式中，UPW应具有＞2MΩcm的电阻率，UPW的周转率应＞1.5。然而，也考虑其他电阻率和周转频率，并可在后酸超声清洁步骤322中使用。
在后酸超声波清洁步骤322完成后，电极可以进行预装袋马格南冲洗步骤324。在一种具体实施方式中，预装袋马格南冲洗步骤324包括用UPW和N2冲洗电极以对电极的两面均进行冲洗。优选地，提供40磅/平方英寸-50磅/平方英寸的N2，但是也考虑其它压力。优选地，预装袋冲洗步骤324实施至少3分钟，然而，其它冲洗时间可以是充分的。例如，预装袋马格南冲洗步骤324包括冲洗电极顶部1分钟；清洗底部1分钟，且清洗电极顶部1分钟。然而，也考虑其它冲洗顺序和持续时间。
在预装袋马格南冲洗步骤324完成后，电极可以进行烘烤步骤326 Inposelstartlnplnposelendoselstart326lnposelend。在一种具体实施方式中，烘烤步骤326包括在净化间内烘烤电极。在一种具体实施方式中，电极可以在净化间内以120℃的温度烘烤至少2小时。然而，也考虑电极可以以不同的持续时间和不同的温度进行烘烤。优选地，应当将夹具70上的安装螺钉去除以避免水印，且应当将过剩的水从电极表面上吹掉。优选地，过剩的水分可以用0.1μm的过滤的CDA或者氮气吹离电极。
在烘烤步骤326之后，电极可以进行装袋步骤。在一种具体实施方式中，装袋步骤328包括将电极放入净化室袋中且真空热封净化室袋。在一种具体实施方式中，电极可以放入一系列的净化室袋，每一个依次的袋子在插入下一个袋子之前被真空热封。优选地，电极在插入净化室袋之前被冷却。
备选地，在一实施方式中，可使用基于水的处理清洁电极。例如，可如混酸处理完成步骤300-314。在完成预酸冲洗步骤314后，通过步骤326-328处理电极，省略步骤316-324。。
在实践本披露的方法时，确保以下设备可供使用可能是更可取的：
·具有10-20瓦特/平方英寸(在40kHz)的功率密度超纯水(UPW)溢流的超声波槽；
·用于UPW冲洗的标准喷嘴枪；
·用于UPW和40-50磅/平方英寸的N2清洁的马格南冲洗枪；
·源自麦克马斯特卡尔、型号为54635K214的高挠空气和水软管；
·用于UPW冲洗的湿化工作台；
·净化室真空袋机器；
·烘箱，与等级100净化室兼容的；
·等级1000净化室或者更好等级的。推荐等级100；
·PB-500超声波能量计；
·在冷却过程中如果没有足够的烘烤夹具可以需要聚四氟乙烯条来支撑电极；
·Q-III表面粒子检测器；
·干冰(CO2)小球清洁系统(推荐塑料喷嘴以避免金属污染和破坏。被推荐的喷嘴为(1)6英寸或9英寸长，0.125英寸的孔，塑料喷嘴或(2)6英寸或9英寸长，0.3125”孔塑料喷嘴。在塑料保护带中包裹金属喷嘴是可以接受的；
·在源头电阻率＞18MΩ·cm的超纯水；
·100级针织涤纶净化室擦；
·具有低金属阳离子(例如Na+和K+)浓度(＜200ppm)的含水清洁剂；
·用0.1μm过滤器过滤的40-50psi的压缩干燥氮气；
·内部净化室袋按照说明按Lam规格603-097924-001；
·外部净化室袋按照说明按Lam规格603-097924-001；
·100级Oak技术CLV-100抗静电乙烯基手套；
·擦洗垫例如3M-ScotchBrite#7445(白)或者同等物品；
·金钢石3.5英寸
Figure BDA0000067151470000231
1350粒度或者具有1350金钢石尖端的三英寸突出的尖端；
·一张聚苯乙烯泡沫用于当校验或洗涤背面点亮标记时保持电极；
·如果需要金刚石垫摩擦时用于保护背面临界接触区域的遮蔽带；
·在抛光和冲洗过程中用于DIW冲洗的标准喷嘴枪；
·马格南冲洗枪，型号6735K4用于DIW和40-50磅/平方英寸的N2清洁，由McMaster Carr提供；
·用于硅电极抛光的变速转盘；
·冲洗台；
·在DIW中运输内部和外部硅电极的PP或PE槽；
·超声波槽，功率密度为10-12瓦特/平方英寸(在40kHz)有DIW溢出；
·测量表面粗糙度的仪器；
·转盘测高计，具有12英寸的垂直距离和0.001英寸的精度；
·用于厚度和样态检测的、具有聚酯薄膜包覆块以防止刮伤的花岗石台面；
·ErgoSCRUB3.5英寸的牢固手柄，具有来自于Foamex Asia的挂钩支撑；
·
Figure BDA0000067151470000241
海绵，来自于Foamex Asia；
·金钢石3.5英寸
Figure BDA0000067151470000242
，具有来自于Foamex Asia的140，180，220，280，360，和800粒度的环；
·三英寸突出的尖端，具有1350金钢石尖端，来自于FoamexAsia，PNHT17491；
·根据SEMI Spec C41-1101A，百分之100的异丙醇，1级或更好；
·按照SEMI Spec.C35-0301，半导体级硝酸(HNCb)，2级或更好；
·按照SEMI Spec.C28-0301，半导体级氢氟酸(HF)，2级或更好；
·按照SEMI Spec.C18-0301，半导体级醋酸(CH3COOH)，1级或更好；
·根据SEMI Spec C41-1101A，百分之100的异丙醇，2级或更好；
·用0.1μm过滤器过滤的40-50psi的压缩干燥氮气或清洁干燥空气(CDA)；
·100级洁净室洁净室丁腈手套；
·100级Oak技术CLV-100抗静电乙烯基手套。。
现在参考图13-图15，也考虑此处所描述的硅电极抛光方法或者任何其它类型的硅电极处理或再调理程序可以被抛光转盘15(见图1至图5)和双功能电极盘50的应用所促进。如图1至图5和图13中图示所阐明的，抛光转盘15被配置为关于旋转抛光轴A旋转。双功能电极盘50包括盘心52且固定于抛光转盘使盘心52与旋转抛光轴A近似地对准。在所示出的具体实施方式中，电极盘50用延伸穿过电极盘50的至少一部分厚度并与抛光转盘15螺纹安装的固定器件55固定于抛光转盘15。
双功能电极盘50进一步包括多个轴向屈从电极固定件54，轴向屈从电极固定件54设置为从电极盘50的电极接合面56伸出。电极固定件54与轴向屈从固定件插座的各位置互补，该轴向屈从固定件插座成形于要安装在电极盘50上的硅电极的盘接合面上。例如，参考图9中内部电极10和外部电极12的背面视图，外部电极12包括盘接合面13A和多个与电极固定件54互补的轴向屈从固定件插座17。
轴向屈从电极固定件54和轴向屈从固定件插座17设置为允许电极盘50的电极接合面56和硅电极12的盘接合面13A在平行于旋转抛光轴A的单一方向上非破坏地接合和解离。图14示出了处于接合状态的硅电极12和电极盘50。为此，轴向屈从电极固定件54可以设计为包括嵌入电极盘50厚度尺寸内部的嵌入部分54A和伸出于电极盘50的电极接合面56的非螺纹部分54B。电极固定件54的嵌入部分54A可以设有螺纹以在厚度尺寸之内接合电极盘50的一部分或者可仅被设计为构造为在厚度尺寸内摩擦接合电极盘50的一部分。
电极固定件54的非螺纹部分54B的各外径(OD)可以配置为限定相应的圆柱形廓面以近似地与由固定件插座17的各内径(ID)限定的圆柱形廓面互补。OD/ID的近似度代表性地选择在抛光过程中足以使硅电极12固定于电极盘50同时允许硅电极12和电极盘50无破损地接合和解离。如图9所示，轴向屈从电极固定件54沿电极盘的通常圆周部分分布。
当硅电极12以如图14中所示的方式安装或者以其它相似的非夹紧(unclamped)的方式安装时，可通过采用抛光转盘15而赋予接合硅电极12以旋转运动以及通过随着硅电极12相对抛光转轴A旋转而使硅电极12的暴露面与抛光面接触而被抛光。例如，但不限于这种方式，双功能电极盘50可以用于执行此处所讨论的抛光方法。
典型的硅电极抛光程序利用高程度的流体流动以促进表面抛光。为此，电极盘50提供有多个延伸穿过电极盘的外部圆周部分的流体出口通道59。优选地，流体出口通道59从电极盘50的圆心52通过电极盘50的外部圆周部分成直线地延伸穿过电极接合面56和盘适配器拱座58。
也如图13中所示，双功能电极盘50进一步包括位于轴向屈从电极固定件54径向向内的盘适配器拱座58。盘适配器60如图15所示。盘适配器拱座58与盘适配器60的边缘互补且被配置为使盘适配器60的盘适配器圆心62与旋转抛光轴线A近似地对准。为促进前面所提及的对准，在所阐明的具体实施方式中，盘适配器拱座58沿电极盘50的通常圆周部分设置且位于成形于电极盘50的适配器凹槽57的周围。
通过利用电极盘50中的盘适配器拱座58来使盘适配器圆心62与旋转抛光轴A近似对准，盘适配器60可以用于抛光例如与内部电极10不相似的硅电极。适当的适配器固定器件65用于将盘适配器固定于电极盘50。盘适配器60包括多个额外的轴向屈从电极固定件64，该轴向屈从电极固定件64被设置为伸出于盘适配器60的额外的电极接合面66。电极固定件64的各位置与轴向屈从固定件插座的各位置互补，轴向屈从固定件插座成形于不相类似的硅电极的盘适配器接合表面以固定在盘适配器60上。例如，参考图9中所示的内部电极10和外部电极12的背面视图，内部电极10包括盘适配器接合面13B和多个与额外的电极固定件64互补的轴向屈从固定件插座17B。
典型地，当有必要从外部电极抛光切换到内部电极抛光时，电极盘50和盘适配器60依次使用。然而，也考虑电极盘50和盘适配器60可以同时使用以同时抛光两个不相似的硅电极。
如电极盘50，盘适配器60可以用适配器固定器件65固定于电极盘，该适配器固定器件65延伸穿过至少一部分的盘适配器的厚度以与电极盘螺纹接合。此外，如以上图13所阐明关于电极固定件54，各自的额外轴向屈从电极固定件64可以包括突出于盘适配器60的电极接合面66的螺纹或按压配合内嵌部分以及非螺纹部分。盘适配器60进一步包括设置为与电极盘50的流体出口通道59直接连通的额外的流体出口通道69。
应注意，此处所描述的本披露的元件被以特定方式“配置”或“布置”或以特定方式“配置”或“布置”以体现特定特性或功能是结构描述，与目的用途描述相对。更具体地说，此处所述元件被“配置”或“布置”的方式是表示元件存在的物理条件，并且将如此被视为元件结构特点的限定性描述。
应注意此处所采用的如“优选”、“一般地”以及“通常地”的术语不用于限定要求保护的发明范围或暗示某些特征对要求保护的发明的结构或功能是关键的、必要的，或甚至重要的。相反，这些术语仅用于确定本披露的实施方式的特定方面或强调替换或附加的、在本披露的特定实施方式中可能采用或未采用的特征。
为了描述和限定本发明的目的，应注意此处所采用的术语“大致”和“近似”表示不确定的固有程度，可归因于定量比较，数值、检测或其他体现。此处还采用术语“大致”和“近似”以表现程度，由此标识的定量体现可与指定参照不同而不导致所述主题基本功能发生变化。
已详细并参照其具体实施方式讨论了本披露的主题，应注意此处所披露的不同细节不应被视为暗示这些细节涉及那些是此处所述不同实施方式的必要元件的元素，哪怕在本说明书每张附图示出同一特定元素的情况下。相反，其权利要求书应被视为本披露和此处所述不同实施方式相应范围的宽度的唯一体现。此外，不背离限定在权利要求书中的发明范围的修改和变化显然是可能的。更具体地说，尽管此处本披露的某些方面已被确定为优选的或特别有利的，但是也考虑本披露不必限定为这些方面。
应注意权利要求书中的一项或多项采用术语“其中”作为过渡语。为了限定本发明的目的，应注意本术语在权利要求书中作为开放式过渡词用于引入一系列结构特性，应以相似的更常用的开放式前序术语“包括”的方式理解。

Claims (20)

1.一种用抛光转盘和双功能电极盘抛光硅电极的方法，其中：
所述抛光转盘配置为关于旋转抛光轴旋转；
所述双功能电极盘包括盘心且固定于所述抛光转盘以使所述盘心与所述旋转抛光轴近似对准；
所述双功能电极盘进一步包括多个轴向屈从电极固定件，所述轴向屈从电极固定件设置为伸出于所述双功能电极盘的电极接合面且与成形于所述硅电极的盘接合面的轴向屈从固定件插座的各位置互补；
所述轴向屈从电极固定件和所述轴向屈从固定件插座配置为允许所述电极盘的所述电极接合面和所述硅电极的盘接合面在平行于所述旋转抛光轴的单一方向上无破损地接合和解离；
所述双功能电极盘进一步包括位于所述轴向屈从电极固定件径向向内的盘适配器拱座；
所述盘适配器拱座配置为使盘适配器的盘适配器中心与所述旋转抛光轴近似对准；且
所述硅电极通过以下方式抛光：
经由电极固定件和固定件插座接合所述电极盘的所述电极接合面和所述硅电极的所述盘接合面，
利用所述抛光转盘对已接合的所述硅电极施加旋转运动，且
当所述硅电极关于所述旋转抛光轴旋转时，将所述硅电极的暴露表面与抛光表面接触。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述电极盘包括多个延伸穿过所述电极盘的外部圆周部分的流体出口通道。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述流体出口通道额外地延伸穿过所述电极接合面和所述盘适配器拱座。
4.如权利要求2所述的方法，其中所述流体出口通道成直线地从所述电极盘的所述盘心延伸穿过所述电极盘的所述外部圆周部分。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述双功能电极盘用固定器件固定于所述抛光转盘，所述固定器件延伸穿过所述电极盘的至少一部分厚度以与所述抛光转盘螺纹接合。
6.如权利要求1所述的方法，其中各所述轴向屈从电极固定件包括嵌入所述电极盘的厚度尺寸之内的内嵌部分和伸出于所述电极盘的所述电极接合面的无螺纹部分。
7.如权利要求6所述的方法，其中所述电极固定件的内嵌部分包括设置为在厚度尺寸内与所述电极盘的一部分接合的螺纹部分或者设置为在厚度尺寸内与所述电极盘的一部分摩擦接合的按压配合部分。
8.如权利要求6所述的方法其中：
所述电极固定件的无螺纹部分的各外径(OD)限定各自的圆柱形廓面，该圆柱形廓面与由所述固定件插座的各内径(ID)限定的圆柱形廓面近似互补；且
OD/ID的近似度足以在抛光中将所述硅电极固定于所述电极盘同时允许所述硅电极和所述电极盘无破损接合和解离。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述轴向屈从电极固定件沿所述电极盘的通常圆周部分分布。
10.如权利要求1所述的方法，其中所述盘适配器拱座沿所述电极盘的通常圆周部分成形。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述盘适配器拱座位于成形于所述电极盘上的适配器凹槽周围。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述方法进一步包括通过利用所述盘适配器拱座来使所述盘适配器的中心与所述旋转抛光轴近似对准的方式和利用固定器件以将所述盘适配器固定于所述电极盘的方式抛光不相似的硅电极。
13.如权利要求12所述的方法，其中所述盘适配器包括多个额外的轴向屈从电极固定件，所述轴向屈从电极固定件被设置为伸出于盘适配器的额外的电极接合面且与成形于不相似的硅电极的盘接合面的额外的轴向屈从固定件插座的各位置互补。
14.如权利要求12所述的方法，其中所述不相似的硅电极和所述硅电极为同时地或者相继地进行抛光分别设置于所述电极盘的内圆周部分和外圆周部分。
15.如权利要求1所述的方法，其中所述盘适配器用延伸穿过所述盘适配器的至少一部分厚度以与所述电极盘螺纹安装的固定器件固定于所述电极盘。
16.如权利要求1所述的方法，其中各额外的轴向屈从电极固定件包括嵌入所述盘适配器的厚度尺寸之内的内嵌部分和伸出于所述盘适配器的电极接合面的无螺纹部分。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述额外的电极固定件的所述内嵌部分包括设置为与所述盘适配器接合的螺纹部分或者设置为与所述盘适配器摩擦接合的按压配合部分。
18.如权利要求17所述的方法，其中：
所述额外的电极固定件的无螺纹部分的各外径(OD)限定各自的圆柱形廓面，该圆柱形廓面与由所述固定件插座的各内径(ID)限定的圆柱形廓面近似互补；且
OD/ID的近似度足以在抛光过程中将所述不相类似的硅电极接合到所述盘适配器而允许所述不相类似的硅电极和所述盘适配器无破损接合与解离。
19.一种用抛光转盘和双功能电极盘抛光硅电极的方法，其中：
所述抛光转盘配置为关于旋转抛光轴旋转；
所述双功能电极盘固定于所述抛光转盘；
所述双功能电极盘包括多个电极固定件，所述电极固定件设置为伸出于所述双功能电极盘的电极接合面且与成形于所述硅电极的盘接合面的固定件插座的各位置互补；
所述电极固定件和所述固定件插座配置为允许所述电极盘的电极接合面和所述硅电极的盘接合面无破损地接合和解离；
所述双功能电极盘进一步包括位于所述电极固定件径向向内的盘适配器拱座；
所述盘适配器拱座设置为使盘适配器与所述旋转抛光轴近似对准；且
所述硅电极通过以下方式抛光
经由所述电极固定件和固定件插座接合所述电极盘的电极接合面和所述硅电极的盘接合面，
利用所述抛光转盘施加旋转运动于已接合的硅电极，和
当所述硅电极关于所述旋转抛光轴旋转时，将所述硅电极的暴露表面与抛光表面接触。
20.一种双功能电极盘，包括
多个轴向屈从电极固定件，其设置为伸出于所述双功能电极盘的电极接合面且与成形于硅电极的盘接合面的轴向屈从固定件插座的各位置互补，其中所述轴向屈从电极固定件和所述轴向屈从固定件插座配置为允许所述电极盘的电极接合面和所述硅电极的所述盘接合面在单一方向上无破损接合和解离；和
盘适配器拱座，其位于所述轴向屈从电极固定件径向向内，其中所述盘适配器拱座配置为使盘适配器的盘适配器中心与所述双功能电极盘的电极盘中心近似对准。
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