JP2008118138A - シリコン表面上の欠陥を特徴付ける方法、シリコン表面用のエッチング組成物、およびシリコン表面をエッチング組成物で処理するプロセス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】HF、HNO3、酢酸、臭化アルカリおよび臭素酸アルカリを含むエッチング液で処理するものであり、特に臭化アルカリおよび前記臭素酸アルカリは、臭化ナトリウムおよび臭素酸ナトリウムであり、又HF/HNO3は、1:1から1:15のモル比であり、臭化物および臭素酸塩は、5:1のモル比で存在し、HF/酢酸は、1:5から1:15のモル比である。
【選択図】図6
Description
− エッチングの感度、すなわち様々なタイプの欠陥(空孔および酸素析出物の塊に相当するD欠陥など)を検出することが可能であり、最も好ましくは、あるタイプのエッチング処理の後、異なるタイプの欠陥を特定すること、
− エッチング組成物に適切な成分を用いることによって、所望の特性、エッチング速度、エッチングの感度などを犠牲にすることなく、健康上のリスクおよび環境上の問題を軽減すること、
− ある一定の期間保存することができ、かつきわめて複雑な安全手段なしでも扱うことができるようなエッチング組成物の安定性。
2)さらに、本発明によるエッチング液は硝酸を含む。本発明に従って使用される硝酸は、やはり、一般に50%超、より好ましくは60%超、特に約70%など65%超の硝酸濃度を示す水溶液であることが好ましい。
3)本発明に従って使用される酢酸は、99%の酢酸含有量を有する氷酢酸として市販されている酢酸など、純粋な酢酸であることが好ましい。
4)臭化アルカリおよび臭素酸アルカリは、それぞれ臭化ナトリウムおよび臭素酸ナトリウムであることが好ましいが、カリウム塩など他のアルカリ塩を使用することもできる。
Claims (15)
- HF、HNO3、酢酸、臭化アルカリおよび臭素酸アルカリを含むことを特徴とするエッチング液。
- 前記臭化アルカリおよび前記臭素酸アルカリは、臭化ナトリウムおよび臭素酸ナトリウムであることを特徴とする請求項1に記載のエッチング液。
- HF/HNO3は、1:1から1:15のモル比であることを特徴とする請求項1または2に記載のエッチング液。
- 臭化物および臭素酸塩は、5:1のモル比で存在することを特徴とする請求項1、2または3に記載のエッチング液。
- モル比HF/酢酸は、1:5から1:15のモル比であることを特徴とする請求項1、2、3または4に記載のエッチング液。
- シリコン表面上の欠陥を特徴付ける方法であって、請求項1から5のいずれか一項に記載のエッチング液で前記シリコン表面を処理するステップを含むことを特徴とする方法。
- 前記シリコン表面は、SOIまたはsSOI基板であることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記方法は、HFによる前記シリコン表面の前処理をさらに含むことを特徴とする請求項6または7に記載の方法。
- 前記方法は、脱イオン水で洗浄することによる前記シリコン基板の後処理をさらに含むことを特徴とする請求項6、7または8に記載の方法。
- 処理された前記シリコン表面を視覚的に評価するステップをさらに含むことを特徴とする請求項6、7、8または9に記載の方法。
- シリコン表面をエッチングするプロセスであって、請求項1から5のいずれか一項に記載のエッチング液で前記シリコン表面を処理するステップを含むことを特徴とするプロセス。
- 前記シリコン表面は、SOIまたはsSOI基板であることを特徴とする請求項11に記載のプロセス。
- 前記ステップは、HFによる前記シリコン表面の前処理をさらに含むことを特徴とする請求項11または12に記載のプロセス。
- 前記ステップは、脱イオン水で洗浄すること、および欠陥の描画のために49%HF溶液に90秒間浸すことによる前記シリコン基板の後処理をさらに含むことを特徴とする請求項11、12または13に記載のプロセス。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載のエッチング液で前記シリコン表面を処理する前記ステップは、5℃から25℃の温度で行われることを特徴とする請求項6、7、8、9または10に記載の方法、あるいは請求項11、12、13または14に記載のプロセス。
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