KR0140688B1 - 에칭제, 세정제 및 기기의 제조방법 - Google Patents

에칭제, 세정제 및 기기의 제조방법

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아끼라 아베
쓰또무 나까무라
타다히로 오오미
가즈꼬 오기노
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아끼라 아베
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Abstract

본 발명은, 처리중에 발열이나 기체가 발생하지 않고, 승화성이 없고 장기간 안정하고, 특별한 배관을 사용할 필요없이, 그 위에 유기계의 용매를 사용하지 않기 때문에, 특별한 폐액처리의 필요성이 없는 에칭제를 제공한다. 이 에칭제는 용액중에 플루오르화수소산과 Mm(XOn)p(단, 식중에서 M은 수소, 1∼3가의 금속 또는 NH₄이고, m은 1 또는 5이며, x는 할로겐원소이고, n은 3, 4, 또는 6이며, p는 1, 2 또는 3이다)으로 표시되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 함유하는 용액이다.
본 발명이 에칭제는 세정제로도 사용될 수 있다.

Description

에칭제, 세정제 및 기기의 제조방법
제1도는 본 발명의 실시예 1과 종래예의 에칭율의 경시변화를 나타낸 도이고,
제2도는 종래예에 의한 측면에칭을 나타낸 단면개략도이고,
제3도는 종래예에 포토레지스트에 대한 손상을 나태내는 단면개략도이고,
제4도는 종래의 요오드 에칭액의 요오드 농도의 경시변화를 나타낸 도이고,
제5도는 본 발명의 실시예 1의 플루오르화수소산 농도와 에칭율과의 관계를 나타내는 도이고,
제6도는 본 발명의 실시예 1의 요오드산 농도와 에칭율과의 관계를 나타내는 도이고,
제7도는 본 발명의 실시예 1에 의한 가공상태를 나타내는 단면개략도이다.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 기관 .............................................2 : a-Si
3 : 포토레지스트....................................4 : 포토레지스트 용해부분
본 발명은 고체 표면을 습식으로 에칭처리하기에 매우 적합한 에칭제, 이 에칭제를 사용하여 구성부재를 에칭처리하여 기기를 제조하는 방법, 특히 상기 부재가 규소인 기기의 제조방법, 및 고체 표면을 세정하기에 매우 적합한 세정제, 이 세정제를 사용하여 구성부재를 세정하여 기기를 제조하는 방법에 관한 것이다.
종래에는, 에칭제나 세정제로서 플로오르화수소산과 질산 및 아세트산의 혼합용액이 사용되어 왔다. 특히 반도체 기기등의 전자기기로 대표되는 기기를 제조할 때의 단결정 규소(이하 c-Si라고 기재함), 다결정 규소(이하 p-Si라 기재함) 또는 비정질 규소(이하 a-Si라고 기재함)등의 에칭처리나, 기기를 제조할 때의 판재나 스테인레스 배관등으로 되는 구성부재의 표면의 세정처리, 또는 공정에서 사용하는 기구의 세정처리 등에 상기 혼합용액이 많이 사용되고 있다.
그러나, 이와 같은 종래의 에칭제나 세정제를 사용하여 전자기기 등을 제조할 때의 구성부재 표면의 에칭처리나, 기기를 제조할 때의 판재나 스테인레스 배관 등으로 되는 구성부재의 표면의 세정처리, 또한 공정에서 사용하는 기구의 세정처리 등에 있어서는 처리과정에서 질산이 분해하여 유해한 질소산화물(NOX)이 발생하기 때문에, 발생한 유독기체가 환경에 악영향을 주지 않도록 특별한 처리장치의 설치가 필수적이다.
대표적인 기기이든 반도체 기기를 구성하는 부재이든 규소의 표면에 대하여, 이 종래의 에칭제를 사용한 경우의 반응을 반응식1로 표시했다. 이때에, 상기한 것과 같은 유해한 질소산화물(NO)이 발생하는 것을 알 수 있다.
3Si + 4HNO₃+18HF→3H₂SiF6+4NO↑+8H₂O [식1]
또한 처리과정에서 기체가 발생하기 때문에, 에칭가공한 반도체 기기를 제조할 때에, 미세한 패턴의 형성에는 적용할 수 없다는 문제점이 있었다.
또한 질산을 함유하는 용액에 의한 처리시에는, 일반적으로 격렬한 발열을 수반하여, 반응표면에서의 정확한 온도조절은 극히 곤란하다. 이러한 문제점으로 인해 미세가공에는 적용할 수 없을 뿐만 아니라 이러한 종래의 에칭제나 세정제를 사용한 전자기기 등을 제조할 때의 구성부재 표면의 에칭처리나, 기기를 제조할 때의 판재나 스테인레스 배관 등으로 되는 구성부재 표면의 세정처리, 또한 공정에서 사용하는 기구의 세정처리 등에 있어서도 안정성을 확보하기 위해 충분히 유의하여 설비가 이루어지는 것이 필요하였다.
또한, 질산은 약품 배관계로 널리 사용되고 있는 퍼플루오로알콕시 플루오르수지(PFA)의 관을 투과하는 성질이 있기 때문에, 2중·3중 구조의 특수한 관을 사용할 필요가 있고, 배관의 비용증대나 상시 액체가 새는 것을 검사해야 되는 등 생산공장의 운용 관리상 상당한 장애가 있다.
또 상기 혼합용액에서 질산의 해리를 막기 위해 사용하는 아세트산은 유기산이고, 폐기할 때의 배수의 COD치가 높지 않게 하는 특별한 폐액처리가 필요했다.
더욱이 반도체 기기의 제조공정에 있어서, 종래의 에칭제로는 플루오르화수소산 및 질산을 고농도로 하지 않으면 충분한 에칭처리 속도가 얻어지지 않는다. 예를 들면, 반도체 기기를 제조할 때의 a-Si이 실온에서의 에칭속도인 에칭율로서, 매분 1,500Å을 얻기 위해서는 플루오르화수소산 및 질산의 농도를 각각 0.52몰/ℓ, 6.4몰/ℓ로 하지 않으면 안되었다. 이같은 고농도의 질산을 함유한 종래의 에칭제를 사용하면, 포토레지스트의 변질이나 제2도에 나타낸 것과 같이 포토레지스트(3)와 피처리물인 규소(2)와의 사이에 밀착성이 열화하고, 제2도에 나타낸 것과 같이 측면 에칭량이 많이 발생하고, 미세한 패턴이 얻어지지 않는다.
또한 반도체 기기의 제조공정에 있어서, 종래의 에칭제에서는 상기한 것과 같이 아세트산이 성분으로 사용되고 있었는데, 제3도에 나타낸 것과 같이 아세트산은 포토레지스트(3)에 손상을 주어, 포토레지스트 용해부분(4)이 생겨, 포토레지스트(3)을 포라스(다공성)의 막으로 만들기 때문에 미세패턴의 형성에는 적용되지 않는다.
또한 에칭율을 높이기 위한 목적으로 종래의 플루오르화수소산과 질산과 아세트산의 혼합용액에 요오드를 첨가한 소위 요오드 에칭액이 일본국 특개소 57-137472호에 개시되어 있으나, 고농도이 질산이 필요하고, 앞에서 나타낸 a-Si을 실온에서 에칭할 때에, 요오드를 0.015몰/ℓ 첨가해도 플루오로화수산 및 질산의 농도를 각각 0.52몰/ℓ, 1.6몰/ℓ로 하지 않으면 안되고, 큰 농도의 질산에 기인하는 문제점은 해소되지 않는다. 또한, 요오드가 제4도에 나타내는 것과 같이 승화하기 쉽고, 해방계에서는 용이하게 계외로 나가 버리기 때문에, 에칭율이 10시간에서 25%로 저하하고, 액의 안전성이 나쁘고 관리상 상당한 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기 문제점을 해소하기 위해 사용하는 에칭제, 이 에칭제를 사용한 기기의 제조방법 및 세정제, 이 세정제를 사용한 기기의 제조방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명이 에칭제는 용액중에 플루오르화수소산과, Mm(XOn)p(단, 식중에서 M은 수소, 1∼3가의 금속 또는 NH₄이고, m은 1 또는 5이며, X는 할로겐원소이고, n은 3, 4, 또는 6이며, p는 1, 2 또는 3이다)로 표시되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 포함하는 것이다.
본 발명에 유효하게 작용하는 옥소산 또는 옥소산염 화합물로서는, 예를 들면, 브롬산(HBrO₃), 브롬산리튬(LiBrO₃), 브롬산칼륨(KBrO₃), 브롬산나트륨(NaBrO₃), 브롬산암모늄(NH4BrO3), 브롬산칼슘(Ca(BrO3)2), 브롬산마그네슘(Mg(BrO3)2), 브롬산아연(Zn(BrO3)2), 브롬산구리(Cu(BrO3)2), 브롬산알루니늄(Al(BrO3)3), 과브롬산(HBrO₄), 과브롬산리튬(LiBrO₄), 과브롬산칼륨(KBrO₄), 요오드산(HIO₃), 요오산리튬(LiIO₃), 요오드산칼륨(KIO₃), 요오드산나트륨(NaIO₃), 요오드산암모늄(NH4IO3), 요오드산칼슘(Ca(IO3)2), 요오드산마그네슘(Mg(IO3)2), 요오드산아연(Zn(IO3)2), 요오드산제일철(Fe(IO3)2), 요오드산구리(Cu(IO3)2), 요오드산알루미늄(Al(IO3)3), 요오드제이철(Fe(IO3)3), 과요오드산(HIO4, H5IO6), 과요오드산리튬(LiIO₄), 과요오드산칼륨(KIO₄), 과요오드산아연(Zn5(IO6)2), 또는 염소산칼륨(KCIO₃)등이 있으나, 이중에서도 요오드산, 요오드산칼륨, 브롬산칼륨은 시약의 취급이 쉬워서 매우 적합하다. 또한 요오드산은 반도체 기기의 오염원이 되는 금속원소를 포함하고 있지 않으므로 대표적인 전자기기인 반도체 기기의 에칭제로서 가장 적합하다.
특허청구범위 제3항에 기재한 발명은 상기 에칭제를 사용하여 기기를 구성하는 부재의 에칭처리공정을 행하는 기기의 제조방법이다.
특허청구범위 제4항에 기재한 발명은 청구범위 제3항에 기재된 발명중 특히 기기를 구성하는 부재가 규소인 기기의 제조방법이다.
본 발명의 세정제는 용액중에 플루오르화수소산과, Mm(XOn)p(단, 식중에서 M은 수소, 1∼3가의 금속 또는 NH₄이고, m은 1 또는 5이며, X는 할로겐원소이고, n은 3, 4, 또는 6이며, p는 1, 2 또는 3이다)로 표시되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 함유하는 것이다.
본 발명에 유효하게 작용하는 옥소산 또는 옥소산염 화합물은 본 발명의 에칭제에 유효한 시약과 동일하며, 또한 동일한 요오드산은 기기의 구성부재의 세정제로서 가장 적합하다.
특허청구범위 제7항에 기재한 발명은 상기 세정제를 사용하여 기기를 구성하는 부재의 세정처리공정을 행하는 기기의 제조방법이다.
본 발명에 기재된 에칭제는 상기 구성으로 했기 때문에 요오드산을 시작으로 한 옥소산 또는 옥소산염 화합물이 강력한 산화제로서 활약하여, 고체표면을 산화물로 바꾼다. 이어서 이들 산화물이 플루오르화수소산에 의해 용해된다. 이 때문에, 본 에칭제는 고체표면을 제거하는 공정에 유효하게 작용한다.
이 때에 발열하거나 부생성물로서 기체가 발생하는 일은 없으며, 옥소산 또는 옥소산염 화합물은 승화성이 없으므로 본 에칭제는 장기간 안정하다.
또한, 통상의 퍼플루오로알콕시플루오르수지(PFA)의 배관을 투과하는 일이 없다. 또한 유기계의 용매를 사용하지 않으므로, 배수의 COD치를 높게하지 않을 뿐만 아니라, 포토레지스트를 침식하지 않으며, 포토레지스트의 피처리물과의 사이에 밀착성을 열화하는 일이 없으며, 포토레지스트 그 자체에 손상을 주지 않는다.
또한, 본 발명의 에칭제를 사용하면, 처리과정에서 상기에서 기술한 바와 같은 에칭제가 갖고 있는 작용을 얻게 되고, 저렴한 비용으로 설비하여 안정하게 기기를 제조할 수 있게 되었다.
본 발명의 에칭제는 특히 규소를 부재로 하는 기기의 제조에 있어서 하기와 같이 유효하게 작용하여 이 에칭제를 사용함에 의해 저렴한 비용으로 설비하여 안정하게 기기를 제조할 수 있게 되었다.
대표적 전자기기인 반도체기기의 반도체 재료인 규소 표면에 대하여, 옥소산으로 요오드산을 사용한 본 에칭제로 에칭처리를 한 경우의 반응을 반응식2로 표시했다.
5Si + 4HNO₃+30HF→5H₂SiF6+2I₂+12H₂O …[식2]
이때에, 부생성물로서 기체가 발생하지 않고, 요오드가 생성되나, 이것은 용이하게 계외로의 제거가 가능하며, 요오드산으로 대표되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물은 승화성이 없으므로 본 에칭제는 장기간 안정하다.
본 발명 기재의 세정제는 상기 구성으로 이루어졌으므로 요오드산을 시작으로한 옥소산 또는 옥소산염 화합물이 강력한 산화제로서 활동하여, 표면에 형성된 오염물을 산화물로 바꾼다. 이어서 이들 산화물이 플루오르화수소산에 의해 용해된다. 이 때문에, 본 세정제는 고체표면을 세정하는 공정에 유효하게 작용한다.
이때에, 본 발명 기재의 에칭제와 동일하게, 발열하거나 부생성물로서 기체가 발생하는 일은 없으며, 옥소산 또는 옥소산염 화합물은 승화성이 없으므로 본 세정제는 장기간 안정하다.
또한, 통상의 퍼플루오로알콕시플루오르수지의 배관을 투과하지 않으며, 유기계의 용매를 사용하지않기 때문에, 배수의 COD치를 높이지는 않는다.
이때의 표면의 오염물과, 옥소산으로서 요오드산을 사용했을 때의 반응은 반응식2의 Si원소에 해당하는 오염물 원소로 치환하는 것으로 이루어진다.
본 발명의 세정제를 기기의 제조에 사용하면, 상기 본 발명의 에칭제를 사용한 제조방법과 동일하게, 처리과정에서 본 세정제에 기인하는 발열이 유독한 기체의 발생이 없고, 유효성분이 조성 변동도 없이 장기간 세정속도가 안정한 세정처리가 될 수 있다.
이하 볼 발명을 실시예에 의해 설명한다.
실시예 1
테프론 용기중에서 순수에 플루오르화수소산(다이낑공업사 제품 EL급)고 요오드산(HIO₃)(와고준야구사 제품 특급시약)과를 각각의 농도가 0.52몰/ℓ, 0.04몰/ℓ되도록 넣어 에칭제를 조정했다.
이 에칭제에 플라즈마 CVD 성막법에 의해 표면에 a-Si막을 성형한 기판을 침적하고 실온에서의 에칭율을 측정한 바, 매분 2000Å으로 에칭되고, 우수한 에칭제임이 확인되었다. 이 표면처리의 도중에는 발열이나 기체의 발생은 일체 볼수 없었으며, 요오드에 기인하는 용액의 색변화가 인식된 것 뿐이며, 처리과정에서의 환경보전을 위한 특별한 처리장치의 설치가 필요하지 않은 것이 확인되었음과 동시에 상기한 반응식2가 정확했음을 알았다.
이 에칭제의 COD치를 측정한 결과, 상기 반응식 2로부터 예상되었던 것이나, 측정한계 이하이고, 이 에칭제를 폐기할 때에, 배수의 COD치가 높지 않게하는 특별한 폐액처리가 필요없음이 확인되었다.
또한 이 에칭제를 질산은 투과해 버리는 퍼플루오로알콕시플루오르수지 제품으로 내경 10㎜의 배관계를 사용한 1㎏/㎠의 송압으로 6개월간 순환시켰으나, 에칭제의 성분이 외부에 누출되거나, 배관이 변색하는 등의 이상은 볼수 없었다.
이 에칭제의 대기 해방 보존에서의 에칭율의 변화 정도를 제1도에 나타냈다. 제1도에서, 종축은 실온에서의 a-Si의 에칭율(Å/분)을, 횡축은 대기해방 보존기간(시간)을 나타내도 있다. 도중의 △는 본 실시예에 나타낸 에칭제를 사용한 결과이고, □는 종래의 기술의 예로서 조성을 표시한 요오드를 첨가한 요오드 에칭액을 사용한 결과이다.
종래의 요오드 에칭액에서는 상기한 바와 같이, 10시간 보존후에 약 25%의 에칭율의 저하가 인지되었으나, 본 발명의 에칭제에서는 100시간 보존한 후에도 거의 에칭율이 저하되지 않았다.
본 실시예에서 나타낸 에칭제와 같은 성분으로, 조성을 바꾸어서 c-Si(1, 0, 0)과 a-Si의 에칭율을 측정한 실험 결과를 제5도와 제6도에 표시했다.
제5도에서는 요오드산의 농도를 0.04몰/ℓ로 고정하고, 플루오르화수소산의 농도를 변화시킨때의 실온에서의 c-Si의 에칭율은 ○로, a-Si의 에칭율을 △로 표시했다. 이 결과 에칭율은 공히 플루오르화수소산농도에 비례하고, 목적하는 에칭율을 가진 에칭제가 용이하게 얻어지는 것을 알수 있다.
제6도에서는 플루오르화수소산 농도를 0.52몰/ℓ로 고정하고, 요오드산의 농도를 변화시켰을 때의 실온에서의 c-Si의 에칭율을 ○로, a-Si의 에칭율을 △로 표시했다. 이결과 요오드산 농도가 높아짐에 따라 에칭율은 크게 되지만, 요오드산 농도가 약 0.05몰/ℓ이상에서는 에칭율은 거의 일정하게 되는 것을 알수 있다.
제5도 및 제6도에 표시한 어느 조성의 에칭제에서도, 종래의 에칭제에서의 과제이었던 문제점(처리시 발열하는 것·기체가 발생하는 것·COD대책으로서의 배수처리가 필수인 것·PEA 배관을 투과해 버리는 것·에칭율이 경시변화해 버리는 것)은 전혀 발생하고 있지 않는 것이 확인되었다.
실시예 2
플루오르화수소산과 함께 사용하는 시약으로서, 각종의 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 사용하여 a-Si를 에칭한 실험결과를 하기 표1에 표시했다.
표1에 나타낸 것과 같이, 각종 옥소산 또는 옥소산염 화합물이 플루오르화수소산에 첨가되는 화합물로서 유효한 것을 알수 있었다.
실시예 3
실시예 1 및 실시예 2에서 표시한 에칭제를 사용하여 c-Si(1, 0, 0)및 a-Si을 에칭했을 때의 에칭율과 플라즈마 CVD 성막법으로 성막한 질화규소(SiN)에 대한 a-Si의 에칭 선택비를 하기 표2에 나타냈다. 또한 표1의 표시한 에칭제와 동일한 에칭제는 동일 번호를 나타냈다.
이와 같이, 본 발명이 에칭제는 각 규소에 대하여 에칭작용을 가지는 것과 함께 절연물인 질화규소에 대하여 에칭 선택비가 얻어지는 것을 알수 있다.
실시예 4
실시예 1에 표시한 에칭제(플루오르화수소산과 요오드산의 농도는 각각 0.52몰/ℓ, 0.04몰/ℓ)를 작성했다. 또한 플라즈마 CVD에 의해 표면에 a-Si막을 형성한 석영기판의 표면에 포토레지스트(동경 오호가사 제품 OFPR 800)을 사용하여 5㎛의 라인·스페이스(Line ＆ Space)의 미세패턴을 형성하고, 시료를 작성했다. 이 시료를 상기 에칭제에 침적하고 a-Si의 패턴 만들기 에칭을 했다.
이 결과를 제7도에 표시했으나, 포토레지스트(3)의 a-Si(2)에 대한 밀착성의 열화에 기인하는 측면 에칭은 발생하지 않은 것이 확인되었다.
또한, 본 에칭제는 포토레지스트(3)에 대한 용해작용도 전혀 볼수 없었다. 이 사실은 상기 실시예 3의 결과와 합해서, 본 에칭제가 게이트 절연막으로서 질화규소를 반도체층으로서 a-Si을 사용한 박막 트랜지스터의 제조에 매우 유효한 것을 의미하고 있다.
실시예 5
테프론 용기중에서, 순수에 플루오르화수소산(다이낑공업사 제품 EL급)과 요오드산(와고준야구사 제품 특급시약)과를 각각의 농도가 1.0몰/ℓ, 0.15몰/ℓ가 되게 넣고, 세정제를 조정했다. 이 세정제에 표면이 경면 연마된 스테인레스(SUS 306)제의 판상의 부재를 침적하고, 표면에 세정처리를 행했다. 판상부재의 표면의 청정도에 대한 평가로서, 순수의 표면 접촉각을 측정(교와가이멘 가가꾸사 제품 접촉각계를 사용)했다. 이 결과, 세정 처리전이 30°이었는데 비해 세정 처리후에 10°가 되고 표면의 청정도가 명확히 향상하고 있는 것을 확인했다.
본 세정처리 중에, 종래의 세정액에서의 과제이었던 문제점(처리시에 발열하는 것·유독한 기체가 발생하는 것·COD대책으로서의 배수처리가 필수인 것·PEA 배관을 투과해 버리는 것·세정속도가 경시 변화해 버리는 것)은 전혀 발생하고 있지 않은 것이 확인되었다.
본 판상부재 및 동일한 세정처리를 한 부재를 사용하여, 진공기기의 쳄버(Chamber)를 조립하여 제조한 바, 이 진공기기의 진공도는 2×10-7토르이었다. 이 성능은 종래의 세정제를 사용한 세정처리한 부재를 사용하여 조립 제작한 기기와 손색이 없는 것으로, 본세정제를 사용한 부재의 세정처리 공정이 당해 기기의 제조방법으로서 유효한 것을 알수 있다.
실시예 6
실시예 1에 표시한 에칭제(플루오르화수소산과 요오드산의 농도는 각각 0.52몰/ℓ, 0.04몰/ℓ)와 같은 성분 조성의 세정제를 작성했다. 이 세정제에 표면이 연마된 유리(코닝사 제품 #7059)제의 판상의 부재를 침적하고, 표면을 세정처리를 했다. 판상부재의 표면의 청정도에 대한 평가로서는 상기 실시예 5와 같이 순수의 표면 접촉각을 측정했다. 이결과, 세정 처리전 30°이었던 것에 비해 세정 처리후는 10°가 되고, 표면의 청정도가 명확히 향상하고 있고, 본 세정제를 사용한 세정방법이 유효한 것을 확인했다.
실시예 7
실시예 6에서 표시한 세정제(플루오르화수소산과 요오드산의 농도는 각각 0.52몰/ℓ, 0.04몰/ℓ)와 같은 성분 조성의 세정제를 작성했다. 이 세정제에 석영제의 기구를 침적하여, 표면의 세정처리를 행했다. 기구의 표면의 청정도에 대한 평가로서, 상기 실시예 5와 같이 순수의 표면접촉각을 측정했다. 이 결과, 세정 처리전 30°이었던 것에 비해 세정 처리후 7°가 되고, 표면의 청정도가 명확히 향상하고 있고, 본 세정제를 사용한 세정방법이 유효한 것을 확인했다.
이상 설명한 것과 같이, 본 발명의 에칭제 및 세정제는 그 구성을, 용액중에 플루오르화수소산과, Mm(XOn)p(단, 식중에서 M은 수소, 1∼3가의 금속 또는 NH₄이고, m은 1 또는 5이며, X는 할로겐원소이고, n은 3, 4, 또는 6이며, p는 1, 2 또는 3이다)으로 표시되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 함유하기 때문에, 옥소산 또는 옥소산염 화합물이 강력한 산화제로서 작용하여 고체표면 또는 표면에 형성된 오염물을 산화물로 바꾼다. 이어서 이들 산화물이 플루오르화수소산에 의해 용해된다. 이 때문에, 본 에칭제 또는 세정제는 기기를 구성하는 부재의 목적하는 부분의 에칭처리 공정 또는 표면에 형성된 오염물을 제거하는 세정공정에 있어서 유효하게 작용한다.
이때에, 부생성물로서 독성을 가지는 기체가 발생됨이 없이, 이것을 처리하기 위해 특별한 처리장치가 불필요하게 된다.
또한 옥소산 또는 옥소산염 화합물은 승화성이 없기 때문에 본 에칭제 및 세정제는 장기간 안정하며, 관리하기가 매우 쉽다.
그 위에, 통상 퍼플루오로알콕시플루오르수지의 관을 투과하지 않으므로, 특별한 배관을 사용할 필요가 없고 생산공장의 관리가 매우 쉽다.
또한, 유기계의 용매를 사용하지 않으므로, 배수의 COD치가 높지 않고, 특별한 폐수처리 설비가 필요하지 않다.
또한, 처리과정에서, 기체가 발생하지 않는것, 및 본 에칭제가 포토레지스트와 피처리물사이의 밀착성의 열화를 일으키지 않으므로, 측면에칭이 거의 발생하지 않고, 반도체 부재 등의 처음으로 한 기기를 구성하는 부재의 미세한 패턴의 형성에도 충분히 적용할 수가 있다.
또한, 에칭처리 및 세정처리 중에 발열하는 것이 없으므로, 처리 표면에서의 정확한 온도조절이 용이하므로, 이점으로부터도 에칭처리시에 있어서는 미세한 패턴의 가공에도 충분히 적용될 수 있을 뿐만 아니라, 본 에칭제나 본 세정제를 사용한 전자기기 등을 제조할 때에 구성부재 표면의 에칭처리나, 기기를 제조할 때의 판재나 스테인레스 배관 등으로부터 되는 구성부재 표면의 세정처리, 또는 공정에서 사용하는 기구의 세정처리 등에 있어서도 충분히 안정하고 방재로 인한 특별한 설비를 필요하지 않다.
또한 대표적인 전자기기인 반동체 기기의 제조공정에 있어서, 본 에칭제는 상기한 것과 같은 유기계의 성분을 사용하지 않으므로, 포토레지스트에 손상을 주지 않는다. 이 때문에 포토레지스트는 용해부분이 발생하지 않고, 포토레지스트를 다공성막으로 만들지 않으므로 미세한 패턴형성에도 적용할 수 있다.
[표 1]
[표 2]

Claims (9)

  1. 용액중에, 플루오르화수소산과, Mm(XOn)p(단, 식중에서 M은 수소, 1∼3가의 금속 또는 NH₄이고, m은 1 또는 5이며, X는 할로겐원소이고, n은 3, 4, 또는 6이며, p는 1, 2 또는 3이다)로 표시되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 함유하여, 상기 플루오르화수소산에 대한 상기 옥소산 또는 옥소산염 화합물의 몰 농도비는 1:0.05내지 1:0.2이고, 상기 플루오르화수소산 및 옥소산 또는 옥소산염 화합물 각각의 몰농도 합이 0.24몰/ℓ 내지 0.84몰/ℓ임을 특징으로 하는 에칭제.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 옥소산 또는 옥소산염 화합물이 요오드산인 것을 특징으로 하는 에칭제.
  3. 용액중에, 플루오르화수소산과, Mm(XOn)p(단, 식중에서 M은 수소, 1∼3가의 금속 또는 NH₄이고, m은 1 또는 5이며, X는 할로겐원소이고, n은 3, 4, 또는 6이며, p는 1, 2 또는 3이다)로 표시되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 함유하며, 상기 플루오르화수소산에 대한 상기 옥소산 또는 옥소산염 화합물의 몰 농도비는 1:0.05내지 1:0.2이고, 상기 플루오르화수소산 및 옥소산 또는 옥소산염 화합물 각각의 몰농도 합이 0.24몰/ℓ 내지 0.84몰/ℓ인 에칭제를 사용하여, 기기를 구성하는 부재의 에칭처리공장을 행하는 것을 특징으로 하는 기기의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 기기를 구성하는 부재가 규소인 것을 특징으로 하는 기기의 제조방법.
  5. (정정) 용액중에, 플루오르화수소산과, Mm(XOn)p(단, 식중에서 M은 수소, 1∼3가의 금속 또는 NH₄이고, m은 1 또는 5이며, X는 할로겐원소이고, n은 3, 4, 또는 6이며, p는 1, 2 또는 3이다)로 표시되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 함유하여, 상기 플루오르화수소산에 대한 상기 옥소산 또는 옥소산염 화합물의 몰 농도비는 1:0.05내지 1:0.2이고, 상기 플루오르화수소산 및 옥소산 또는 옥소산염 화합물 각각의 몰농도 합이 0.24몰/ℓ 내지 0.84몰/ℓ임을 특징으로 하는 세정제.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 옥소산 또는 옥소산염 화합물이 요오드산인 것을 특징으로 하는 세정제.
  7. 용액중에, 플루오르화수소산과, Mm(XOn)p(단, 식중에서 M은 수소, 1∼3가의 금속 또는 NH₄이고, m은 1 또는 5이며, X는 할로겐원소이고, n은 3, 4, 또는 6이며, p는 1, 2 또는 3이다)로 표시되는 옥소산 또는 옥소산염 화합물을 함유하며, 상기 플루오르화수소산에 대한 상기 옥소산 또는 옥소산염 화합물의 몰 농도비는 1:0.05내지 1:0.2이고, 상기 플루오르화수소산 및 옥소산 또는 옥소산염 화합물 각각의 몰농도 합이 0.24몰/ℓ 내지 0.84몰/ℓ인 세정제를 사용하여, 기기를 구성하는 부재의 세정처리공장을 행하는 것을 특징으로 하는 기기의 제조방법.
  8. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 옥소산 또는 옥소산염 화합물이 요오드산인 것을 특징으로 하는 기기의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 옥소산 또는 옥소산염 화합물이 요오드산인 것을 특징으로 하는 기기의 제조방법.
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