JPH06120659A - 多層配線構成体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】本発明は、基板上に形成した第１層の金属配線
と該第１層の金属配線を覆う第１層のポリイミド系絶縁
膜と、該第１層のポリイミド系絶縁膜に形成された開口
を介して前記第１層の金属配線に接続された第２層の金
属配線とを最小構成単位として具備した多層配線構成体
において、上記基板が凹部を有しかつ上記ポリイミド系
絶縁膜の少なくとも一部が上記凹部と係合密着している
ことを特徴とする多層配線構成体に関する。 【効果】本発明によると、多層配線構成体において、ポ
リイミド系絶縁膜の周縁部端部に応力が集中することを
抑制し、ポリイミド系絶縁膜と基板との接着性低下を防
止することにより、基板からの剥離および剥離に伴うク
ラックを防止することができ、信頼性の高い多層配線構
成体を安定して製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、多層配線構成体に関す
るものであり、さらに詳しくは、ポリイミド系樹脂を層
間絶縁膜として用いた高密度実装用多層配線構成体に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】ポリイミドはその熱的、機械的、および
電気的に優れた特性を有することなどから電子デバイス
実装基板における多層配線の層間絶縁膜、および半導体
における保護膜やα線遮蔽膜などに用いられている。こ
れらの用途に用いられるポリイミドのパターン形成方法
としては、フォトレジストをマスクとして非感光性ポリ
イミド前駆体またはこれを加熱処理した膜を、エッチン
グする方法、および感光性の付与された感光性ポリイミ
ド前駆体を用い直接パターンを形成する方法（例えば、
特開昭５４−１４５７９４号公報）などが挙げられる。

【０００３】このうち感光性ポリイミド前駆体を用いて
ポリイミドパターンを形成する方法は、工程が簡略であ
るので最近主流となりつつある。一般的な感光性ポリイ
ミド・パターン形成工程の一例を次に記す。

【０００４】（１）基板上に感光性ポリイミド前駆体を
塗布する。

【０００５】（２）感光性ポリイミド前駆体をプリベー
クする。

【０００６】（３）マスクを用い感光性ポリイミド前駆
体に紫外線を照射する。

【０００７】（４）現像液で現像することによりポリイ
ミド前駆体をパターン加工する。

【０００８】（５）ポリイミド前駆体パターンをリンス
後乾燥する。

【０００９】（６）キュアすることによりポリイミド前
駆体をポリイミドに変換する。

【００１０】しかしながら、従来技術によりポリイミド
前駆体をパターン加工しポリイミド系絶縁膜を形成する
と、ポリイミド前駆体が感光性の場合では、露光部の周
縁部の形状がほぼ垂直に切り立ったり、オーバー現像や
露光不足のためにオーバーハングになる傾向がある。ま
た非感光性の場合においても、ドライエッチングやウェ
ットエッチングによりパターン加工を行うのであるが、
そのエッチングの性質により、感光性同様ポリイミド系
絶縁膜の周縁部の形状が垂直に切り立ったり、オーバー
ハングになる傾向がある。一方基板上にポリイミド膜を
形成した場合、基板とポリイミドとの熱膨張係数の差に
よりポリイミド膜には熱応力が発生する。特にポリイミ
ド膜を厚く形成した場合、熱応力は大きな値となる。ポ
リイミド膜中に発生した熱応力は特にポリイミド膜の周
縁部端部において基板とポリイミド膜の界面に集中す
る。このためポリイミド膜の周縁部端面の現像後の形状
が切り立っていたり、オーバーハングになっている場
合、発生した熱応力によりポリイミド膜の周縁部におい
て基板との接着性が低下しやすく、しばしば基板からポ
リイミド膜が浮き上がったり、クラックが生じたりする
などの問題が生じた。特に基板をアルカリ水溶液処理を
施した場合、これらの現象が発生しやすい。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術の欠点に鑑み創案されたもので、その目的とすると
ころは、ポリイミド系樹脂を層間絶縁膜として用いた高
密度実装用多層配線構成体において、ポリイミド系絶縁
膜の周縁部の端部に応力が集中することを抑制し、ポリ
イミド系絶縁膜と基板との接着性低下を防止することに
より、基板からの剥離、クラックの発生を抑制すること
ができる多層配線構成体を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上に形成した第１層の金属配線と該第１層の金属配
線を覆う第１層のポリイミド系絶縁膜と、該第１層のポ
リイミド系絶縁膜に形成された開口を介して前記第１層
の金属配線に接続された第２層の金属配線とを最小構成
単位として具備した多層配線構成体において、上記基板
が凹部を有しかつ上記ポリイミド系絶縁膜の少なくとも
一部が上記凹部と係合密着していることを特徴とする多
層配線構成体により達成される。

【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１４】本発明における基板の材料としてはシリコ
ン、アルミニウム、窒化アルミニウム、ガラスセラミッ
クス、アルミナセラミックス、サファイヤなどが用いら
れるが、これらに限定されない。これらの中で特に好ま
しいのは、ガラスセラミックスおよびアルミナセラミッ
クスである。

【００１５】ここでガラスセラミックスとしては、主と
してシリカ（二酸化ケイ素）を含有するセラミックスの
ことをいう。シリカの含有量としては、特に限定されな
いが、２０〜９０重量％が好ましい。より好ましくは、
３０〜７０重量％である。シリカとともに含有される他
の化合物としては、特に限定されないが、アルミナ（酸
化アルミニウム）、マグネシア（酸化マグネシウム）、
カルシア（酸化カルシウム）などを挙げることができ
る。アルミナの含有量としては、特に限定されないが、
１０〜８０重量％が好ましく、より好ましくは３０〜７
０重量％である。マグネシアの含有量としては、特に限
定されないが、０〜１０重量％が好ましい。カルシアの
含有量としては、特に限定されないが、０〜１０重量％
が好ましい。

【００１６】またアルミナセラミックスとしては、主と
してアルミナを含有するセラミックスのことをいう。ア
ルミナの含有量としては、特に限定されないが、好まし
くは、８０〜１００重量％であり、より好ましくは、９
０〜１００重量％である。さらに好ましくは、９５〜１
００重量％である。アルミナとともに含有される他の化
合物としては特に限定されないが、シリカ、マグネシ
ア、カルシアなどを挙げることができる。シリカの含有
量としては、特に限定されないが、０〜２０重量％が好
ましい。マグネシアの含有量としては、特に限定されな
いが、０〜１０重量％が好ましい。カルシアの含有量と
しては、特に限定されないが、０〜１０重量％が好まし
い。

【００１７】本発明において使用される基板は、前述の
ような材質からなり、かつその上面所定位置に凹部を有
するものである。基板に設ける凹部の形状や構造などは
金属配線およびこれを覆うポリイミド系絶縁膜などの多
層配線構成体の基本設計や構造等に応じて適宜選択でき
るもので、特に限定されないが、代表的な例を図８およ
び図９を参照して説明する。

【００１８】すなわち、図８は、基板１の中央側所定位
置に所定深さの方形状の凹部５を形成したもので、この
タイプの場合は、該凹部５内に第１層の金属配線が配設
されるとともに該金属配線を覆うポリイミド系絶縁膜が
前記凹部底面および側面にそれぞれ密着係合できるよう
に設けることができる。

【００１９】図１〜図４はそれぞれ図８のタイプの基板
を用いて本発明の多層配線構成体を構成した例を示すも
ので、１は基板、２は第１層の金属配線、３は第１層の
ポリイミド系絶縁膜、４は第２層の金属配線、５は凹部
であり、図１の場合は、ポリイミド系絶縁膜３の上端を
凹部５の上端より上方に位置するように構成した例であ
り、図２の場合はポリイミド系絶縁膜３を凹部５内に設
けた例であり、図３の例はポリイミド系絶縁膜の上部側
周縁部を基板上面に沿って外方に延在せしめた例を示す
ものである。さらに、図４は、凹部５内周壁を階段状に
形成したものである。

【００２０】また、図９のタイプは、基板１の中央側に
は凹部を設けず、四周面側にのみ互いに連通する溝から
なる凹部５を設け、該凹部５にポリイミド系絶縁膜の周
縁側を密着係合せしめるように構成した例である。

【００２１】図５〜図７はそれぞれ図９のタイプの基板
を用いて本発明の多層配線構成体を構成した例を示すも
ので、１〜５の記号は、図１〜４の場合と同様のものを
示す。また、６は、凹部に囲まれたフラット部分を表
す。図５の場合は、ポリイミド系絶縁膜３の上端を凹部
５の上端より上方に位置するように構成した例であり、
図６の場合は、ポリイミド系絶縁膜の上部側周縁部を基
盤上面に沿って外方に延在せしめた例を示すものであ
る。さらに、図７は、凹部５の周縁を階段状に形成した
ものである。

【００２２】凹部の深さとしては、特に限定されない
が、第１層のポリイミド系絶縁膜の側壁と基板との接触
面積を十分にとる意味において、第１層のポリイミド系
絶縁膜の総膜厚以上であるのが好ましい。具体的には、
１０μｍ以上が好ましく、より好ましくは、５０μｍ以
上、さらに好ましくは、１００μｍ以上である。

【００２３】図３および図７のようにポリイミド系絶縁
膜の上部側周縁部が基板上面に沿って外方に延在してい
る場合、その程度としては、凹部開口部から１ｃｍ以内
が好ましい。より好ましくは、０．５ｃｍ以内であり、
さらに好ましくは、０．１ｃｍ以内である。

【００２４】凹部の内周壁や底面の形状なども、特に限
定されず、平面、曲面、凹凸状など適宜形状とすること
ができる。凹部内周壁の好ましい形状としては、階段状
である。

【００２５】多層配線構成体および凹部の態様について
図示の例の基づいて説明したが、本発明は、上記の範囲
に限定されるものでなく、本発明の目的を損なわない範
囲で、適宜、構造や形状の一部を変更したり、組合せた
りすることができることはいうまでもない。要は、第１
層の金属配線を覆う第１層のポリイミド系絶縁膜を基板
凹部に係合密着させることによって、両者の接合力を従
来の基板使いのものに比べ確実に高めることができるも
のであればいかなるものでもよい。

【００２６】凹部を形成する方法としては、泥漿法、加
圧成型法、切削加工法などを用いることができるが、こ
れらの方法に限定されない。好ましい凹部形成方法とし
ては、加圧成形法である。加圧成型法とは、セラミック
ス原料の粉体を型にいれ、加圧して成型する方法であ
る。

【００２７】これらの基板の上に第１層の金属配線が形
成される。本発明における金属配線としては、金、銅、
ニッケルおよび／または、銅合金、ニッケル合金が、単
独或いはアルミニウム、金、クロム、白金、銀など電気
伝導性の材料との複層で、所望の機能を果たすように、
パターン状または全面に形成された層であることが好ま
しい。これらの配線は、通常、真空蒸着、スパッタリン
グ、メッキなどの方法により形成される。

【００２８】第１層の金属配線が形成された基板の上
に、第１層のポリイミド系絶縁膜が形成される。本発明
におけるポリイミド系絶縁膜としては、テトラカルボン
酸二無水物とジアミンを選択的に組み合わせ、これらを
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセト
アミドなどの極性溶媒中で反応させて、ポリイミド前駆
体のワニスとした後、このポリイミド前駆体のワニスを
基板上に塗布して２００〜４００℃の範囲で熱処理を行
ない脱水縮合することにより得られるものを挙げること
ができ、公知のものが使用しうる。具体的な例として、
ピロメリット酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニ
ルエーテル、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニル
エーテル、３、３´，４，４´−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物と４、４´−ジアミノジフェニルエーテ
ル、ピロメリット酸二無水物と３、３´−（または４、
４´）ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸二
無水物および３、３´，４，４´−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物と３、３´−（または４、４´）
ジアミノジフェニルスルホン、３、３´，４，４´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と３、３´−
（または４、４´）ジアミノジフェニルスルホン、３、
３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
と３、３´−（または４，４´）ジアミノジフェニルス
ルホン、ピロメリット酸二無水物と４，４´−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフ
ェニルスルフィド、３，３´，４，４´−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミ
ン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメリット酸二
無水物および３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、ピロ
メリット酸二無水物および３，３´，４，４´−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミ
ン、３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラ
カルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、ピロメ
リット酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエー
テルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジ
シロキサン、などから合成されたポリイミド前駆体のワ
ニスを挙げることができる。さらに、これらのポリイミ
ド前駆体に感光性を付与した感光性ポリイミド前駆体は
好ましく使用される。ポリイミド前駆体に感光性を付与
するために使用される感光性化合物としては、アクリル
エステル化合物、アクリルアミド化合物、メタクリルエ
ステル化合物、ビスアジド、ビニル基を有するアミノ化
合物などが例として挙げられる。具体的な感光性ポリイ
ミド前駆体の組成としては、例えば、特公昭５５−３０
２０７号公報、特公昭５９−５２８２２号公報、特開昭
５３−１２７７２３号公報などに記載されているものが
挙げられる。

【００２９】また、感光性ポリイミド前駆体として、市
販のものも使用することができる。市販の感光性ポリイ
ミド前駆体としては、“フォトニース”ＵＲ−３１４
０、ＵＲ−３１８０（いずれも東レ（株）製）、“パイ
メル”Ｇ−６２４６Ａ，ＴＬ（いずれも旭化成（株）
製）、“パイラリン”ＰＤ−２７２０、ＰＤ−２７４０
（いずれもデュポン（株）製）、“フォトパル”ＰＬ−
３０００（日立化成（株）製）が好ましく用いられる。

【００３０】次に、本発明の多層配線構成体の製造方法
の一例について説明する。

【００３１】底面が一辺７ｃｍの正方形、深さが６０μ
ｍ、底面と側壁とのなす角が９０度である凹部を有する
電源と接地層を含む多層アルミナセラミックス基板（10
×10×0.4cm ）を用いて、図１のごとく前記凹部内の底
部上に、第１層の配線を形成する。配線は基板上に、例
えば、銅をスパッタリングで0.3 μｍ形成し、電解メッ
キでさらに10μｍ形成後、クロムをスパッタリングで0.
1 μｍ形成し、フォトエッチングすることにより、所望
の配線パターンを得ることができる。

【００３２】この第１層の金属配線を形成した基板上
に、第１層のポリイミド系絶縁膜を形成する。通常、上
部配線との開口（接続孔）を設けるため、該ポリイミド
系絶縁膜をパターン加工する。パターン加工はいくつか
の方法で行うことができる。

【００３３】ポリイミド前駆体として感光性ポリイミド
前駆体を用いる場合は、一例として次の方法が挙げられ
る。すなわち、ポリイミド前駆体を塗布、乾燥後、感光
性ポリイミド前駆体の膜上にマスクを置き、紫外線を照
射する。ついで、現像を行う。現像方法としては、ディ
ップ現像法、スプレーパドル現像法などが挙げられる。
現像後、熱処理することにより凹部内にポリイミド系絶
縁膜を得ることができる。この熱処理温度としては、１
２０〜４５０℃が好ましい。

【００３４】また、感光性を有しないポリイミド前駆体
を用いる場合は、例えばポリイミド前駆体を塗布、乾
燥、熱処理後、金属薄膜や酸化ケイ素などをマスクにし
て、酸素プラズマでポリイミドをエッチングすることに
より、配線パターンに対応する開口パターンを有するポ
リイミド系絶縁膜を凹部内に得ることができる。乾燥
は、６０〜１６０℃の範囲で行なうのが好ましい。熱処
理は、例えば、窒素雰囲気中で、室温から４５０℃の温
度を選び、段階的に昇温するかある温度範囲を選び連続
的に昇温しながら５分〜５時間実施する。この熱処理の
最高温度は、１２０〜４５０℃、好ましくは、１３０〜
４５０℃で行うのがよい。例えば、１３０℃、２００
℃、４００で各々３０分熱処理する。また、室温から４
００℃まで２時間かけて直線的に昇温してもよい。

【００３５】パターン加工の後、さらに、上部配線との
開口（接続孔）部における接触抵抗を下げるため、過硫
酸アンモニウム水溶液で表面をエッチングするかプラズ
マ処理するのが望ましい。

【００３６】次に、このようにして得た配線基板上に第
２層の金属配線を形成する。配線は第１層の配線と同様
に、基板上に、例えば、銅をスパッタリングで0.3 μｍ
形成し、電解メッキでさらに10μｍ形成後、クロムをス
パッタリングで0.1 μｍ形成し、フォトエッチングする
ことにより、２層配線構成体が得られる。

【００３７】つづいて、２層配線構成体の上に、第２層
のポリイミド系絶縁膜を形成し、さらに、その上に第３
層の金属配線を形成すると３層配線構成体が得られる。
第２層のポリイミド系絶縁膜は、第１層のポリイミド絶
縁膜を覆うような形で形成されることが好ましい。すな
わち、第１層ポリイミド絶縁膜の周縁部端面が基板と接
している部分、あるいは、それよりも外側で基板と接し
ていることが好ましい。なぜなら第１層のポリイミド系
絶縁膜がむき出しになっていると、金属配線のパターン
形成のエッチングの際に、エッチング液がかかり、膜の
性質が悪くなる恐れがあるからである。以下同様に上記
作業を繰り返すことにより、さらに高次の多層配線構成
体が得られる。

【００３８】

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。

【００３９】実施例１ 底面が一辺６ｃｍの正方形、深さが１５０μｍ、底面と
側壁とのなす角が９０度である凹部を有する電源と接地
層を含む９９．５％アルミナセラミックス基板（10×10
×0.2cm ）上に銅をスパッタリングで0.3 μｍ形成し、
電解メッキでさらに10μｍ形成後、クロムをスパッタリ
ングで0.1 μｍ形成し、フォトエッチングすることによ
り、第１層の金属配線パターンを作成した。この第１層
の金属配線を形成した基板上にネガ型の感光性ポリイミ
ド前駆体“フォトニース”ＵＲ−３１８０（東レ（株）
製）を塗布、８０℃で１２０分窒素雰囲気中で乾燥し、
膜厚40μｍの感光性ポリイミド前駆体被膜を形成した。

【００４０】形成された感光性ポリイミド前駆体被膜に
対し、キャノン（株）製紫外線露光機ＰＬＡ−５０１Ｆ
を用い、マスクを介して６００ｍＪ／ｃｍ² 露光した。
現像液ＤＶ−６０５（東レ（株）製）中に超音波を印加
しながら浸漬現像し、２−プロパノールでリンス、窒素
ブローして乾燥した。次に、１３０℃、２００℃、４０
０℃で各々３０分窒素雰囲気中で熱処理し、開口（ビア
ホール）を有し膜厚20μｍの第１層のポリイミド系絶縁
膜を凹部内に形成した。

【００４１】次に、第１層のポリイミド系絶縁膜上に銅
をスパッタリングで0.3 μｍ形成し、電解メッキでさら
に10μｍ形成後、クロムをスパッタリングで0.1 μｍ形
成し、フォトエッチングすることにより第２層の金属配
線を形成し、２層配線構成体を得た。このときの要部概
略断面図を図２に示す。すなわち、凹部の深さが第１層
のポリイミド系絶縁膜の総膜厚よりも深いので第１層の
ポリイミド系絶縁膜３は、基板表面よりも低い位置に形
成されている。

【００４２】つづいて、２層配線構成体の上に第２層の
ポリイミド系絶縁膜を形成し、第１層のポリイミド系絶
縁膜と同様にパターン加工した。その上に第３層の金属
配線を形成し、３層配線構成体を得た。以下同様にこの
工程を２回繰り返すことにより５層配線構成体を得た。

【００４３】このアルミナセラミックス基板を、５％の
水酸化カリウム水溶液に２０分間浸漬した後のポリイミ
ド系絶縁膜と基板との接着性および膜のクラックを光学
顕微鏡を用い２０倍の倍率で調べた。その結果、基板か
らの剥離や膜のクラックなどは見られなかった。

【００４４】実施例２ 基板として、凹部の深さが７０μｍであること以外は実
施例１と同様のアルミナセラミックス基板を用いて、実
施例１と同様にして５層配線構成体を得た。

【００４５】このアルミナセラミックス基板を、実施例
１と同様の方法を用いて基板との接着性および膜のクラ
ックを調べた。その結果、基板からの剥離や膜のクラッ
クなどは見られなかった。

【００４６】実施例３ 基板として、凹部の底面が直径７ｃｍの円であること以
外は実施例１と同様のアルミナセラミックス基板を用い
て、実施例１と同様にして５層配線構成体を得た。

【００４７】このアルミナセラミックス基板を、実施例
１と同様の方法を用いて基板との接着性および膜のクラ
ックを調べた。その結果、基板からの剥離や膜のクラッ
クなどは見られなかった。

【００４８】実施例４ 実施例３で使用した基板と全く同様の形状を有するガラ
スセラミックス基板を用いて、実施例１と同様にして５
層配線構成体を得た。

【００４９】このガラスセラミックス基板を、実施例１
と同様の方法を用いて基板との接着性および膜のクラッ
クを調べた。その結果、基板からの剥離や膜のクラック
などは見られなかった。

【００５０】実施例５ 凹部の形状が図９に示されるような、幅２ｍｍ、深さ６
０μｍ、一辺８０ｍｍの正方形の外周、一辺７６ｍｍの
正方形の内周、側壁とのなす角が９０度であること以外
は、実施例１と同様のアルミナセラミックス基板を用い
て、実施例１と同様にして５層配線構成体を得た。この
ときの要部概略断面図を図５に示す。すなわち、凹部の
深さが第１層のポリイミド系絶縁膜の総膜厚が浅いので
第１層のポリイミド系絶縁膜は基板から突出して形成さ
れている。

【００５１】このアルミナセラミックス基板を、実施例
１と同様の方法を用いて基板との接着性および膜のクラ
ックを調べた。その結果、基板からの剥離や膜のクラッ
クなどは見られなかった。

【００５２】実施例６ 基板として、凹部の深さが１５０μｍであること以外は
実施例１と同様のアルミナセラミックス基板を用いて、
実施例１と同様にして５層配線構成体を得た。このアル
ミナセラミックス基板を、実施例１と同様の方法を用い
て基板との接着性および膜のクラックを調べた。その結
果、基板からの剥離や膜のクラックなどは見られなかっ
た。

【００５３】実施例７ 基板として、凹部の側壁が２段の階段状であること以外
は実施例１と同様のアルミナセラミックス基板を用い
て、実施例１と同様にして５層配線構成体を得た。

【００５４】このアルミナセラミックス基板を、実施例
１と同様の方法を用いて基板との接着性および膜のクラ
ックを調べた。その結果、基板からの剥離や膜のクラッ
クなどは見られなかった。

【００５５】その結果、基板からの剥離や膜のクラック
等は見られなかった。

【００５６】実施例８ 実施例７で使用した基板と全く同様の形状を有するガラ
スセラミックス基板を用いて、実施例１と同様にして５
層配線構成体を得た。

【００５７】このアルミナセラミックス基板を、実施例
１と同様の方法を用いて基板との接着性および膜のクラ
ックを調べた。その結果。基板からの剥離や膜のクラッ
クは見られなかった。

【００５８】比較例１ 凹部を全く有しないこと以外は実施例１と同様のアルミ
ナセラミックス基板を用いて、実施例１と同様にして５
層配線構成体を得た。このときの要部概略断面図を図１
０に示す。すなわち、基板１が凹部を有さないので、表
面上に第１層の金属配線２が形成され、さらにその上に
第１層のポリイミド系絶縁膜３が形成されている。

【００５９】このアルミナセラミックス基板を、実施例
１と同様の方法を用いて基板との接着性および膜のクラ
ックを調べた。その結果、ポリイミド系絶縁膜の端部に
おいて基板からの剥離および剥離に伴うクラックが肉眼
で観察された。

【００６０】

【発明の効果】本発明によると、基板上に形成した第１
層の金属配線と該第１層の金属配線を覆う第１層のポリ
イミド系絶縁膜と、該第１層のポリイミド系絶縁膜に形
成された開口を介して前記第１層の金属配線に接続され
た第２層の金属配線とを最小構成単位として具備した多
層配線構成体において、ポリイミド系絶縁膜の周縁部端
部に応力が集中することを抑制し、ポリイミド系絶縁膜
と基板との接着性低下を防止することにより、基板から
の剥離および剥離に伴うクラックを防止することがで
き、信頼性の高い多層配線構成体を安定して製造するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる多層配線構成体の一例を示す要
部概略断面図である。

【図２】本発明にかかる多層配線構成体の他の例を示す
要部概略断面図である。

【図３】本発明にかかる多層配線構成体の他の例を示す
要部概略断面図である。

【図４】本発明にかかる多層配線構成体の他の例を示す
要部概略断面図である。

【図５】本発明にかかる多層配線構成体の他の例を示す
要部概略断面図である。

【図６】本発明にかかる多層配線構成体の他の例を示す
要部概略断面図である。

【図７】本発明にかかる多層配線構成体の他の例を示す
要部概略断面図である。

【図８】本発明にかかる多層配線構成体の製造に使用さ
れる基板の一例を示す上面図である。

【図９】本発明にかかる多層配線構成体の製造に使用さ
れる基板の他の例を示す上面図である。

【図１０】従来の多層配線構成体の要部概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１：基板 ２：第１層の金属配線 ３：第１層のポリイミド系絶縁膜 ４：第２層の金属配線 ５：基板の凹部 ６：凹部に囲まれたフラット部分

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成した第１層の金属配線と該第
   １層の金属配線を覆う第１層のポリイミド系絶縁膜と、
   該第１層のポリイミド系絶縁膜に形成された開口を介し
   て前記第１層の金属配線に接続された第２層の金属配線
   とを最小構成単位として具備した多層配線構成体におい
   て、上記基板が凹部を有しかつ上記ポリイミド系絶縁膜
   の少なくとも一部が上記凹部と係合密着していることを
   特徴とする多層配線構成体。
2. 【請求項２】基板としてガラスセラミックスを用いるこ
   とを特徴とする請求項１記載の多層配線構成体。
3. 【請求項３】基板としてアルミナセラミックスを用いる
   ことを特徴とする請求項１記載の多層配線構成体。