JPH06224477A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JPH06224477A JPH06224477A JP29130492A JP29130492A JPH06224477A JP H06224477 A JPH06224477 A JP H06224477A JP 29130492 A JP29130492 A JP 29130492A JP 29130492 A JP29130492 A JP 29130492A JP H06224477 A JPH06224477 A JP H06224477A
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- Japan
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- circuit board
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- niobium
- superconducting
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】
【目的】 超伝導物質による回路パターンを備えた回路
基板において、回路パターンの超伝導特性が損なわれに
くくする。 【構成】 多層回路基板１は、第１回路基板２と、それ
に積層された第２回路基板３と、表面配線４，８と、内
部配線７とから主に構成されている。表面配線４，８及
び内部配線７は、ニオブ層４ａ，７ａ，８ａと、それを
被覆するＮｂ3 Ａｌ層４ｂ，７ｂ，８ｂとの積層体から
構成されている。Ｎｂ3 Ａｌ層４ｂ，７ｂ，８ｂは超伝
導物質であるニオブ層４ａ，７ａ，８ａの酸化を防止す
るので、各配線４，７，８の超伝導特性は損なわれにく
い。
基板において、回路パターンの超伝導特性が損なわれに
くくする。 【構成】 多層回路基板１は、第１回路基板２と、それ
に積層された第２回路基板３と、表面配線４，８と、内
部配線７とから主に構成されている。表面配線４，８及
び内部配線７は、ニオブ層４ａ，７ａ，８ａと、それを
被覆するＮｂ3 Ａｌ層４ｂ，７ｂ，８ｂとの積層体から
構成されている。Ｎｂ3 Ａｌ層４ｂ，７ｂ，８ｂは超伝
導物質であるニオブ層４ａ，７ａ，８ａの酸化を防止す
るので、各配線４，７，８の超伝導特性は損なわれにく
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は回路基板、特に、回路パ
ターンを備えた回路基板に関する。
ターンを備えた回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的な回路基板は、基板と、基板に設
けられた回路パターンとを備えており、回路パターンは
銅等の導電性材料から構成されている。この種の回路基
板では、たとえばジョセフソン素子等の超伝導素子を搭
載すると、超伝導素子に誤動作が発生しやすい。これ
は、超伝導素子は信号の伝達速度が高速でありかつ信号
のＯＮ−ＯＦＦ間の電位レベルの差が極めて小さいた
め、回路パターンの電気抵抗による信号の減衰や歪みに
よる影響を受けやすいためと考えられている。
けられた回路パターンとを備えており、回路パターンは
銅等の導電性材料から構成されている。この種の回路基
板では、たとえばジョセフソン素子等の超伝導素子を搭
載すると、超伝導素子に誤動作が発生しやすい。これ
は、超伝導素子は信号の伝達速度が高速でありかつ信号
のＯＮ−ＯＦＦ間の電位レベルの差が極めて小さいた
め、回路パターンの電気抵抗による信号の減衰や歪みに
よる影響を受けやすいためと考えられている。
【０００３】そこで、超伝導素子用の回路基板として、
回路パターンを超伝導物質により形成する構成が提案さ
れている。
回路パターンを超伝導物質により形成する構成が提案さ
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、超伝導物質は
酸化しやすいので、超伝導物質による回路パターンは酸
化しやすい。超伝導物質による回路パターンが酸化する
と、回路パターンの超伝導特性が損なわれるので、超伝
導素子を搭載した場合に通常の回路基板の場合と同様の
問題が発生するおそれがある。
酸化しやすいので、超伝導物質による回路パターンは酸
化しやすい。超伝導物質による回路パターンが酸化する
と、回路パターンの超伝導特性が損なわれるので、超伝
導素子を搭載した場合に通常の回路基板の場合と同様の
問題が発生するおそれがある。
【０００５】本発明の目的は、超伝導物質による回路パ
ターンを備えた回路基板において、回路パターンの超伝
導特性が損なわれにくくすることにある。
ターンを備えた回路基板において、回路パターンの超伝
導特性が損なわれにくくすることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の回路基板は、基
板と、基板に設けられた回路パターンとを備えたもので
ある。回路パターンは、ニオブ層と、ニオブ層を被覆す
るＮｂ3 Ａｌ層との積層体からなる。なお、積層体は、
たとえば、基板とニオブ層との間に配置されたＮｂ3 Ａ
ｌ層をさらに備えている。
板と、基板に設けられた回路パターンとを備えたもので
ある。回路パターンは、ニオブ層と、ニオブ層を被覆す
るＮｂ3 Ａｌ層との積層体からなる。なお、積層体は、
たとえば、基板とニオブ層との間に配置されたＮｂ3 Ａ
ｌ層をさらに備えている。
【０００７】
【作用】本発明の回路基板では、回路パターンが超伝導
物質であるニオブからなる層を有する積層体からなるの
で、超伝導現象を示す。また、このニオブ層は、Ｎｂ3
Ａｌ層により被覆されているので、酸化しにくい。よっ
て、回路パターンの超伝導特性は損なわれにくい。
物質であるニオブからなる層を有する積層体からなるの
で、超伝導現象を示す。また、このニオブ層は、Ｎｂ3
Ａｌ層により被覆されているので、酸化しにくい。よっ
て、回路パターンの超伝導特性は損なわれにくい。
【０００８】なお、積層体が基板とニオブ層との間に配
置されたＮｂ3 Ａｌ層をさらに備えている場合は、ニオ
ブ層の基板側も酸化されにくくなるので、回路パターン
の超伝導特性はより損なわれにくくなる。
置されたＮｂ3 Ａｌ層をさらに備えている場合は、ニオ
ブ層の基板側も酸化されにくくなるので、回路パターン
の超伝導特性はより損なわれにくくなる。
【０００９】
【実施例】図１に本発明の一実施例に係る多層回路基板
１を示す。図において、多層回路基板１は、セラミック
製の第１回路基板２と、その上に積層された樹脂製の第
２回路基板３とから主に構成されている。第１回路基板
２は、たとえばアルミナ、ムライト、窒化アルミニウム
またはガラス等のセラミック材料からなる板状である。
１を示す。図において、多層回路基板１は、セラミック
製の第１回路基板２と、その上に積層された樹脂製の第
２回路基板３とから主に構成されている。第１回路基板
２は、たとえばアルミナ、ムライト、窒化アルミニウム
またはガラス等のセラミック材料からなる板状である。
【００１０】第１回路基板２は、図の上面に表面配線４
を有している。表面配線４は、第１回路基板２の上面に
所定のパターンで配置されており、超伝導物質であるニ
オブ（Ｎｂ）層４ａと、それを被覆するＮｂ3 Ａｌ層４
ｂとから構成されている。Ｎｂ3 Ａｌ層４ｂの厚みは、
ニオブ層４ａの厚みが１．０〜５．０μｍの場合、０．
０５〜０．１μｍが好ましい。
を有している。表面配線４は、第１回路基板２の上面に
所定のパターンで配置されており、超伝導物質であるニ
オブ（Ｎｂ）層４ａと、それを被覆するＮｂ3 Ａｌ層４
ｂとから構成されている。Ｎｂ3 Ａｌ層４ｂの厚みは、
ニオブ層４ａの厚みが１．０〜５．０μｍの場合、０．
０５〜０．１μｍが好ましい。
【００１１】樹脂製の第２回路基板３は、ポリイミド樹
脂製であり、第１回路基板２上に配置された第１樹脂層
５と、第１樹脂層５上にさらに積層された第２樹脂層６
とから主に構成されている。また、第２回路基板３は、
内部配線７と表面配線８とを有している。内部配線７
は、第１樹脂層５の図上面に所定のパターンで配置され
ており、第１樹脂層５に設けられたスルーホール９を通
じて第１回路基板２の表面配線４と接続している。ま
た、表面配線８は、第２樹脂層６上に所定のパターンで
配置されており、第２樹脂層６に設けられたスルーホー
ル１０を通じて内部配線７と接続している。
脂製であり、第１回路基板２上に配置された第１樹脂層
５と、第１樹脂層５上にさらに積層された第２樹脂層６
とから主に構成されている。また、第２回路基板３は、
内部配線７と表面配線８とを有している。内部配線７
は、第１樹脂層５の図上面に所定のパターンで配置され
ており、第１樹脂層５に設けられたスルーホール９を通
じて第１回路基板２の表面配線４と接続している。ま
た、表面配線８は、第２樹脂層６上に所定のパターンで
配置されており、第２樹脂層６に設けられたスルーホー
ル１０を通じて内部配線７と接続している。
【００１２】なお、内部配線７及び表面配線８は、第１
回路基板２の表面配線４と同じくニオブ層７ａ，８ａ
と、それに積層されたＮｂ3 Ａｌ層７ｂ，８ｂとからそ
れぞれ構成されている。また、Ｎｂ3 Ａｌ層７ｂ，８ｂ
の厚みも表面配線４の場合と同様に設定されている。本
実施例の多層回路基板１上には、図１に示すように、ジ
ョセフソン素子のような超伝導素子１５を配置する。こ
こでは、超伝導素子１５は、表面配線８の所定部位にた
とえば鉛のバンプ１６により固定され得る。
回路基板２の表面配線４と同じくニオブ層７ａ，８ａ
と、それに積層されたＮｂ3 Ａｌ層７ｂ，８ｂとからそ
れぞれ構成されている。また、Ｎｂ3 Ａｌ層７ｂ，８ｂ
の厚みも表面配線４の場合と同様に設定されている。本
実施例の多層回路基板１上には、図１に示すように、ジ
ョセフソン素子のような超伝導素子１５を配置する。こ
こでは、超伝導素子１５は、表面配線８の所定部位にた
とえば鉛のバンプ１６により固定され得る。
【００１３】超伝導素子１５が固定された多層回路基板
１は、使用時に液体ヘリウム（４．２Ｋ）中に配置す
る。多層回路基板１に設けられた表面配線４，８及び内
部配線７は、それを構成するニオブ層４ａ，７ａ，８ａ
が約９．１Ｋで超伝導を示すので、液体ヘリウム中では
電気抵抗が０となる。この結果、表面配線４，８や内部
配線７は、電気抵抗が原因となる信号の減衰や歪みを起
こさないので、超伝導素子１５は誤動作しにくくなる。
１は、使用時に液体ヘリウム（４．２Ｋ）中に配置す
る。多層回路基板１に設けられた表面配線４，８及び内
部配線７は、それを構成するニオブ層４ａ，７ａ，８ａ
が約９．１Ｋで超伝導を示すので、液体ヘリウム中では
電気抵抗が０となる。この結果、表面配線４，８や内部
配線７は、電気抵抗が原因となる信号の減衰や歪みを起
こさないので、超伝導素子１５は誤動作しにくくなる。
【００１４】また、本実施例の多層回路基板１では、各
ニオブ層４ａ，７ａ，８ａがそれぞれＮｂ3 Ａｌ層４
ｂ，７ｂ，８ｂにより被覆されているので酸化されにく
い。よって、各配線４，７，８の超伝導特性は損なわれ
にくく長期間良好に維持され得る。次に、図２から図６
を参照して、前記多層回路基板１の製造方法について説
明する。
ニオブ層４ａ，７ａ，８ａがそれぞれＮｂ3 Ａｌ層４
ｂ，７ｂ，８ｂにより被覆されているので酸化されにく
い。よって、各配線４，７，８の超伝導特性は損なわれ
にくく長期間良好に維持され得る。次に、図２から図６
を参照して、前記多層回路基板１の製造方法について説
明する。
【００１５】まず、第１回路基板２を製造する。第１回
路基板２は、所定のセラミック原料粉末からなるペース
トをドクターブレード法やカレンダーロール法等の周知
の方法によりグリーンシートとし、このグリーンシート
を所定の温度（たとえばアミルナセラミック原料の場合
は約１６００℃）で焼成すると得られる。次に、図２に
示すように、得られた第１回路基板２の表面全体にニオ
ブ膜１１を配置する。ニオブ膜１１は、真空蒸着法やス
パッタリング法等の物理蒸着法により配置できる。
路基板２は、所定のセラミック原料粉末からなるペース
トをドクターブレード法やカレンダーロール法等の周知
の方法によりグリーンシートとし、このグリーンシート
を所定の温度（たとえばアミルナセラミック原料の場合
は約１６００℃）で焼成すると得られる。次に、図２に
示すように、得られた第１回路基板２の表面全体にニオ
ブ膜１１を配置する。ニオブ膜１１は、真空蒸着法やス
パッタリング法等の物理蒸着法により配置できる。
【００１６】続けて、図３に示すように、ニオブ膜１１
上にアルミニウム膜１２を配置する。アルミニウム膜１
２は、ニオブ膜１１と同じく真空蒸着法やスパッタリン
グ法等の物理蒸着法により配置できる。なお、アルミニ
ウム膜１２の膜厚は、０．０５〜０．１μｍに設定す
る。次に、ニオブ膜１１とアルミニウム膜１２との積層
体をフォトリソグラフィー法により表面配線４のパター
ンに形成する。ここでは、アルミニウム膜１２上の全体
に均一にフォトレジストを塗布する。そして、フォトレ
ジスト上に表面配線４のパターンが形成されたフォトマ
スクを配置してフォトレジストを感光させる。次に、フ
ォトマスクを取り除いてフォトレジストを現像処理する
と、感光しなかったフォトレジストが現像液により除去
される。これにより、アルミニウム膜１２上には、表面
配線４のパターンに対応するフォトレジスト層が形成さ
れる。フォトレジスト層により被覆されていないアルミ
ニウム膜１２及びニオブ層１１をエッチング等の手法に
より除去すると、図４に示すように所定のパターンの表
面配線４が形成される。
上にアルミニウム膜１２を配置する。アルミニウム膜１
２は、ニオブ膜１１と同じく真空蒸着法やスパッタリン
グ法等の物理蒸着法により配置できる。なお、アルミニ
ウム膜１２の膜厚は、０．０５〜０．１μｍに設定す
る。次に、ニオブ膜１１とアルミニウム膜１２との積層
体をフォトリソグラフィー法により表面配線４のパター
ンに形成する。ここでは、アルミニウム膜１２上の全体
に均一にフォトレジストを塗布する。そして、フォトレ
ジスト上に表面配線４のパターンが形成されたフォトマ
スクを配置してフォトレジストを感光させる。次に、フ
ォトマスクを取り除いてフォトレジストを現像処理する
と、感光しなかったフォトレジストが現像液により除去
される。これにより、アルミニウム膜１２上には、表面
配線４のパターンに対応するフォトレジスト層が形成さ
れる。フォトレジスト層により被覆されていないアルミ
ニウム膜１２及びニオブ層１１をエッチング等の手法に
より除去すると、図４に示すように所定のパターンの表
面配線４が形成される。
【００１７】次に、ニオブ膜１１とアルミニウム膜１２
との積層体を４００℃に加熱する。ここでは、ニオブ膜
１１とアルミニウム膜１２とが反応し、ニオブ膜１１の
表面にＮｂ3 Ａｌ層が形成される。この際、アルミニウ
ム膜１２の厚みが上述の範囲に設定されているため、ア
ルミニウム膜１２がほぼ完全にニオブ膜１１と反応し、
Ｎｂ3 Ａｌとなる。したがって、形成されたＮｂ3 Ａｌ
層中には、未反応のアルミニウムが残存しにくい。な
お、ニオブ膜１１とアルミニウム膜１２との反応は、窒
素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中または真空中で行
う必要がある。反応雰囲気中に酸素が存在すると、アル
ミニウム層１２がアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）に酸化され、
Ｎｂ3 Ａｌが形成されなくなるためである。
との積層体を４００℃に加熱する。ここでは、ニオブ膜
１１とアルミニウム膜１２とが反応し、ニオブ膜１１の
表面にＮｂ3 Ａｌ層が形成される。この際、アルミニウ
ム膜１２の厚みが上述の範囲に設定されているため、ア
ルミニウム膜１２がほぼ完全にニオブ膜１１と反応し、
Ｎｂ3 Ａｌとなる。したがって、形成されたＮｂ3 Ａｌ
層中には、未反応のアルミニウムが残存しにくい。な
お、ニオブ膜１１とアルミニウム膜１２との反応は、窒
素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中または真空中で行
う必要がある。反応雰囲気中に酸素が存在すると、アル
ミニウム層１２がアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）に酸化され、
Ｎｂ3 Ａｌが形成されなくなるためである。
【００１８】次に、図５に示すように、第１回路基板２
上に感光性ポリイミド樹脂ペースト１３をスピンコート
法により塗布する。そして、この樹脂ペーストをプレベ
イクして半硬化させる。その後、図６に示すように、半
硬化した感光性ポリイミド樹脂ペースト１３の所定位置
にフォトリソグラフィー法により第１回路基板２の表面
配線４と通じるスルーホール１４を形成する。その後、
半硬化したポリイミド樹脂を約４００℃に加熱してキュ
アすると、第１樹脂層５が形成される。なお、表面配線
４のＮｂ3 Ａｌ層４ｂは、ニオブそのものに比べて第１
樹脂層５との接着性が良好なため、第１樹脂層５は表面
配線４上に強固に結合する。
上に感光性ポリイミド樹脂ペースト１３をスピンコート
法により塗布する。そして、この樹脂ペーストをプレベ
イクして半硬化させる。その後、図６に示すように、半
硬化した感光性ポリイミド樹脂ペースト１３の所定位置
にフォトリソグラフィー法により第１回路基板２の表面
配線４と通じるスルーホール１４を形成する。その後、
半硬化したポリイミド樹脂を約４００℃に加熱してキュ
アすると、第１樹脂層５が形成される。なお、表面配線
４のＮｂ3 Ａｌ層４ｂは、ニオブそのものに比べて第１
樹脂層５との接着性が良好なため、第１樹脂層５は表面
配線４上に強固に結合する。
【００１９】次に、第１樹脂層５上に、表面配線４の場
合と同様の方法により所定のパターンの内部配線７を形
成する。そして、さらに第１樹脂層５上に同様の方法に
より第２樹脂層６及び表面配線８を順に形成すると、多
層回路基板１が得られる。なお、上述の説明では、ニオ
ブ膜１１とアルミニウム膜１２との積層体の加熱と、ポ
リイミド樹脂の加熱キュアとを別個に行っているが、積
層体の加熱はポリイミド樹脂の加熱キュア時の熱を利用
して行ってもよい。
合と同様の方法により所定のパターンの内部配線７を形
成する。そして、さらに第１樹脂層５上に同様の方法に
より第２樹脂層６及び表面配線８を順に形成すると、多
層回路基板１が得られる。なお、上述の説明では、ニオ
ブ膜１１とアルミニウム膜１２との積層体の加熱と、ポ
リイミド樹脂の加熱キュアとを別個に行っているが、積
層体の加熱はポリイミド樹脂の加熱キュア時の熱を利用
して行ってもよい。
【００２０】〔他の実施例〕 （ａ） 前記実施例では、第２回路基板３をポリイミド
樹脂により構成したが、、ポリイミド樹脂に代えてベン
ゾシクロブテンやテフロン等の有機絶縁材料、シリカ等
の無機絶縁材料が用いられてもよい。 （ｂ） 前記実施例では、本発明を多層回路基板に採用
したが、単層の回路基板についても本発明を同様に実施
できる。 （ｃ） 前記実施例では、表面配線４をニオブ層４ａ
と、それを覆うＮｂ3 Ａｌ層４ｂとの積層体により形成
したが、図７に示すように、ニオブ層４ａと第１回路基
板２との間にＮｂ3 Ａｌ層４ｃをさらに配置してもよ
い。この場合は、第１回路基板２からの酸素によるニオ
ブ層４ａの酸化も抑制できるので、ニオブ層４ａの超伝
導特性がより損なわれにくくなる。
樹脂により構成したが、、ポリイミド樹脂に代えてベン
ゾシクロブテンやテフロン等の有機絶縁材料、シリカ等
の無機絶縁材料が用いられてもよい。 （ｂ） 前記実施例では、本発明を多層回路基板に採用
したが、単層の回路基板についても本発明を同様に実施
できる。 （ｃ） 前記実施例では、表面配線４をニオブ層４ａ
と、それを覆うＮｂ3 Ａｌ層４ｂとの積層体により形成
したが、図７に示すように、ニオブ層４ａと第１回路基
板２との間にＮｂ3 Ａｌ層４ｃをさらに配置してもよ
い。この場合は、第１回路基板２からの酸素によるニオ
ブ層４ａの酸化も抑制できるので、ニオブ層４ａの超伝
導特性がより損なわれにくくなる。
【００２１】なお、表面配線８及び内部配線７も同様に
構成できる。
構成できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の回路基板では、上述のように回
路パターンをニオブ層と、それを被覆するＮｂ3 Ａｌ層
との積層体により構成したので、回路パターンの超伝導
特性が損なわれにくい。
路パターンをニオブ層と、それを被覆するＮｂ3 Ａｌ層
との積層体により構成したので、回路パターンの超伝導
特性が損なわれにくい。
【図１】本発明の一実施例の縦断面図。
【図２】前記実施例を製造するための一工程を示す縦断
面部分図。
面部分図。
【図３】前記実施例を製造するための他の一工程を示す
縦断面部分図。
縦断面部分図。
【図４】前記実施例を製造するためのさらに他の一工程
を示す縦断面部分図。
を示す縦断面部分図。
【図５】前記実施例を製造をするためのさらに他の一工
程を示す縦断面部分図。
程を示す縦断面部分図。
【図６】前記実施例を製造するためのさらに他の一工程
を示す縦断面部分図。
を示す縦断面部分図。
【図７】他の実施例の縦断面部分図。
【符号の説明】 １ 多層回路基板 ２ 第１回路基板 ３ 第２回路基板 ４，８ 表面配線 ７ 内部配線 ４ａ，７ａ，８ａ ニオブ層 ４ｂ，４ｃ，７ｂ，８ｂ Ｎｂ3 Ａｌ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 進 茨城県つくば市梅園１丁目１番４ 電子技 術総合研究所内 (72)発明者 仲川 博 茨城県つくば市梅園１丁目１番４ 電子技 術総合研究所内 (72)発明者 青柳 昌宏 茨城県つくば市梅園１丁目１番４ 電子技 術総合研究所内 (72)発明者 黒沢 格 茨城県つくば市梅園１丁目１番４ 電子技 術総合研究所内 (72)発明者 棚橋 成夫 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内 (72)発明者 川畑 和弘 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内
Claims (2)
- 【請求項１】基板と、前記基板に設けられた回路パター
ンとを備えた回路基板において、 前記回路パターンは、ニオブ層と、前記ニオブ層を被覆
するＮｂ3 Ａｌ層とを含む積層体からなることを特徴と
する回路基板。 - 【請求項２】前記積層体は、前記基板と前記ニオブ層と
の間に配置されたＮｂ3 Ａｌ層をさらに備えている、請
求項１に記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29130492A JP2752305B2 (ja) | 1991-10-29 | 1992-10-29 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28271791 | 1991-10-29 | ||
| JP3-282717 | 1991-10-29 | ||
| JP29130492A JP2752305B2 (ja) | 1991-10-29 | 1992-10-29 | 回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224477A true JPH06224477A (ja) | 1994-08-12 |
| JP2752305B2 JP2752305B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=26554728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29130492A Expired - Lifetime JP2752305B2 (ja) | 1991-10-29 | 1992-10-29 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2752305B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6316738B1 (en) * | 1996-01-11 | 2001-11-13 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and manufacturing method thereof |
| JP2004128437A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-04-22 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 超伝導集積回路及びその作製方法 |
| JP2021506142A (ja) * | 2018-02-22 | 2021-02-18 | レイセオン カンパニー | 低温用途のための広帯域高速通信チャネル |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP29130492A patent/JP2752305B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2752305B2 (ja) | 1998-05-18 |
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