JP2021506142A - 低温用途のための広帯域高速通信チャネル - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- RF信号相互接続デバイスであって:
第1表面、第2表面、第1端部及び第2端部を有する第1誘電体基板;
前記第1誘電体基板の前記第1表面上に設けられる複数の導電性トレースであって、各トレースが第1端部及び第2端部を有し、前記第1端部及び前記第2端部の各々が所定の形状を有する、複数の導電性トレース;
前記第1誘電体基板の前記第1表面上に配置される第2誘電体基板であって、前記第1誘電体基板の前記第1端部及び前記第2端部とそれぞれ整列した第1端部及び第2端部を有し、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部を覆わないように構成され、それにより、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部が露出される、第2誘電体基板;
前記第1誘電体基板及び前記第2誘電体基板の前記第1端部に結合された第1コネクタ;及び
前記第1コネクタ内に配置される第1の複数の導電性ピンアセンブリであり、各導電性ピンアセンブリは、前記導電性トレースが前記第2誘電体基板によって覆われていない導電性トレースのそれぞれの第1端部に結合される、導電性ピンアセンブリ;
を含み、
前記第1コネクタは、前記導電性トレースの前記第1端部の各々の周りにそれぞれの分離チャンバを画定するように構成されている、
RF信号相互接続デバイス。 - 請求項1に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記第1誘電体基板と前記第2誘電体基板との間に接着剤が設けられる、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項1に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記第1誘電体基板及び前記第2誘電体基板の各々がポリイミドを含む、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項1に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記第1コネクタは、各分離チャンバを画定するための複数の分割壁を備える、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項1に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部の各々は、前記第1誘電体基板の前記第1表面を露出させる部分を含む、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項5に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部を露出させる前記第2誘電体基板の一部が、概略V字形ノッチを備える、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項6に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記V字型ノッチの頂部が丸みを帯びている、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項1に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、さらに、
前記第2誘電体基板上に設けられた第1保護層;及び
前記第1誘電体基板の前記第2表面に設けられた第2保護層;
を含み、
前記第1保護層及び前記第2保護層の各々は、ニオブ膜又は銅箔のうちの1つを含む、
RF信号相互接続デバイス。 - 請求項8に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記第1保護層は、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部がアクセス可能であるところの前記第2誘電体基板を覆わない、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項1に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記導電性トレースの各々が、ニオブ、ニオブ−チタン合金、ニオブ−ゲルマニウム合金、ニオブ−スズ合金、タンタル、又は二ホウ化マグネシウムのうちの1つを含む、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項10に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記導電性トレースの各々が、スパッタリングにより前記第1誘電体基板の前記第1表面上に設けられる、RF信号相互接続デバイス。
- 信号伝送構造体及び第1コネクタを含むRF信号相互接続デバイスであって、
前記信号伝送構造体が:
第1表面及び第2表面を有する第1誘電体基板;
前記第1誘電体基板の前記第1表面上に設けられる複数の導電性トレースであって、各トレースが第1端部及び第2端部を有し、前記第1端部及び前記第2端部の各々が所定の形状を有する、複数の導電性トレース;
前記第1誘電体基板の前記第1表面上に配置される第2誘電体基板;
を含み、
前記第2誘電体基板は、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部を覆わないように構成され、それにより、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部が露出され、
前記第1コネクタが:
上部シェル部;
前記上部シェル部内に設けられ、複数のキャビティを画定する複数の分割壁;及び
第1の複数の導電性ピンアセンブリであり、各導電性ピンアセンブリは、前記キャビティのそれぞれに配置され、前記導電性トレースが前記第2誘電体基板を通して露出されたままであるところの前記導電性トレースの前記第1端部のそれぞれに結合された、導電性ピンアセンブリ;
を含み、
前記導電性トレースの前記第1端部の周りにそれぞれの分離チャンバが設けられる、
RF信号相互接続デバイス。 - 請求項12に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記信号伝送構造体がさらに、前記第1誘電体基板と前記第2誘電体基板との間に設けられた接着剤を含む、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項12に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記第1誘電体基板及び前記第2誘電体基板の各々がポリイミドを含む、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項12に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記信号伝送構造体がさらに、
前記第2誘電体基板上に設けられた第1保護層;及び
前記第1誘電体基板の前記第2表面に設けられた第2保護層;
を含み、
前記第1保護層及び前記第2保護層の各々は、ニオブ膜又は銅箔のうちの1つを含む、
RF信号相互接続デバイス。 - 請求項12に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部の各々は、前記第1誘電体基板の前記第1表面を露出させる部分を含む、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項16に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記導電性トレースの前記第1端部及び前記第2端部を露出させる前記第2誘電体基板の一部が、概略V字形ノッチを備える、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項17に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記V字型ノッチの頂部が丸みを帯びている、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項12に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記導電性トレースの各々が、ニオブ、ニオブ−チタン合金、ニオブ−ゲルマニウム合金、ニオブ−スズ合金、タンタル、又は二ホウ化マグネシウムのうちの1つを含む、RF信号相互接続デバイス。
- 請求項19に記載されたRF信号相互接続デバイスであって、前記導電性トレースの各々が、スパッタリングにより前記第1誘電体基板の前記第1表面上に設けられる、RF信号相互接続デバイス。
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