JPH06104545A - 両面プリント基板およびその製造方法 - Google Patents

両面プリント基板およびその製造方法

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JPH06104545A
JPH06104545A JP4252594A JP25259492A JPH06104545A JP H06104545 A JPH06104545 A JP H06104545A JP 4252594 A JP4252594 A JP 4252594A JP 25259492 A JP25259492 A JP 25259492A JP H06104545 A JPH06104545 A JP H06104545A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 スルーホールメッキ技術を用いることなく電
極層間のインナ・ヴァイア・ホール接続を行うことが可
能な両面プリント基板とその形成方法およびそれを用い
た多層基板を得ることを目的とする。 【構成】 積層基材と、導電粒子、および銅箔とからな
り、加熱加圧後の積層基材の厚みより直径の大きな導電
粒子が積層基材に開けた貫通孔に充填され、加熱加圧さ
れて、インナ・ヴァイア・ホール接続がなされている両
面プリント基板。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器を実装するため
の両面プリント基板とその製造方法およびそれを用いた
多層基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高性能化、小型化に伴
い、回路基板には高多層、高密度化が求められている。
回路基板において、従来は、層間の電気的接続はスルー
ホールメッキが一般的である。セラミック多層基板にお
いてはインナ・ヴァイア・ホール接続が可能であり、Ｉ
Ｃ間や部品間を最短距離で結合でき、高密度化が図れる
ことは知られていた。しかし、セラミックは価格が高
く、また、大きなサイズは製造が難しく樹脂基板（例え
ば、ガラスエポキシ基板）のように広く使用されるには
至っていない。スルーホールメッキによる接続は積層基
材に開けた貫通孔にメッキを施し、積層基材の両面の導
体（銅箔をパターン状に形成したもの）を電気的に接合
するものである。この方法では多層にした場合に、メッ
キ接続するために任意の層間でのブラインドビア接続は
出来ず、上から下まで貫通孔を開けなければならなかっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そのために複雑な回路
（ネット数の多いあるいは規模の大きい回路）を小型化
しようとする場合には、スルーホールが非常に多くな
り、小型化が出来なかった。
【０００４】セラミック基板の場合はこの問題は解決出
来ていたが、前述したように製造コストが高くつく問題
があった。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、インナ・ヴァイア・
ホールによる電極層間の電気的接続を容易に行うなうこ
とができる樹脂のプリント基板を得ることにあり、両面
プリント基板から多層プリント基板までを得ることにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するため、積層基材の孔部に導電性粒子が埋設され、
上下の導体と電気的接続されたインナ・ヴァイア・ホー
ル接続を実現しようとするものである。
【０００７】
【作用】本発明の上記した方法によれば、スルーホール
メッキを用いることなく銅箔間の電気的接続を行うこと
が可能であり、容易にインナ・ヴァイア・ホールを備え
た両面プリント基板及び多層プリント基板を形成するこ
とが可能である。なお、インナ・ヴァイア・ホールと
は、多層プリント基板の各層間を任意の位置で接続を得
る方法である。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例の両面プリント基板
およびその形成方法ならびにそれを用いた多層プリント
基板について図面に基づき詳細に説明する。
【０００９】図１は本発明の両面プリント基板の一実施
例の構造断面図である。両面プリント基板１０４は積層
基材１０１、銅箔１０２（図の場合は加工後の銅箔）、
導電粒子１０３とからなっている。本発明のポイントは
導電粒子の大きさ（直径）が加熱加圧された後の積層基
材の厚さより大きいことである。従って、導電粒子は加
熱加圧された後には、図１のように潰れている。積層基
材１０１としては、現在知られている積層基材が使え
る。例えば、ガラスエポキシ基材、アラミドエポキシ基
材、紙フェノール基材等が使える。加熱加圧する前はプ
リプレグといわれ、心材のガラスクロスあるいは不織布
に未硬化の樹脂を含浸してある。加熱加圧後は圧縮さ
れ、元の厚さより薄くなる。すなわち、導電粒子の直径
はこの最終の厚みより大きくなるように選ぶ。
【００１０】導電粒子としては、金、銀、銅、錫、鉛、
その他ほとんどのものが使用可能である。また、純粋な
金属だけでなく合金やあるいは、図５に示すような金属
あるいは絶縁性の核に導電性の材料で覆ったものも使用
可能である。図５において５０１は球形の核であり、５
０２は導電性材料であり核の表面を覆い導電性粒子とし
ての役割を果たす。
【００１１】図２は本発明の両面基板の形成方法の工程
図である。図２において積層基材２０１はプリプレグで
ある。このプリプレグに貫通孔を明ける。一般にはドリ
ルがよく使われるが、材料によってはレーザで加工する
ことも可能である。
【００１２】図２（ａ）は、プリプレグに開けた貫通孔
に加熱加圧後の積層基材の厚さ（図２（ｃ）の積層基材
１０１の厚さ）より直径の大きな導電粒子を充填した状
態を示している。図２（ｂ）は、図２（ａ）を銅箔２０
２ではさんだ状態を示している。図２（ｃ）は、図２
（ｂ）に加熱加圧を加えた後の状態を示している。
【００１３】プリプレグは圧縮されて厚みが薄くなり、
且、樹脂が硬化している。導電粒子２０３は押し潰され
た状態になっている。この状態の導電粒子１０３が上下
両面の電気的接続の役割を果たす。図２（ｄ）は表面の
銅箔２０２を加工（エッチング等）して配線パターンを
形成した後の状態を示している。加工後の銅箔１０２は
回路導体となる。実用に供せられるプリント基板はこの
後、半田レジストを塗布したり、文字や記号を印刷した
り、挿入部品要の穴を開けるなどの工程があるが、ここ
では本質ではないので省略する。
【００１４】図２（ａ）で導電粒子２０３の直径はプリ
プレグ２０１の厚さよりも小さく描いたが、必ずしもそ
のようである必要もない。図２（ａ）の段階で導電粒子
の頭がプリプレグの表面から出ていてもかまわない。
【００１５】図３は上記に述べた両面プリント基板の形
成方法を繰り返し用いて多層プリント基板を作る工程を
示している。図３（ａ）は芯になる両面プリント基板１
０４の両側（上下面）に図２（ａ）の貫通孔に導電粒子
を充填したものを配置し、更に銅箔２０２をおいた状態
を示している。この状態で、上下面から加熱加圧すれば
図３（ｂ）の多層プリント基板の仕掛り品が出来上が
る。すでにインナ・ヴァイア・ホール接続が出来上がっ
ている。上下面の銅箔をパターン状に加工すれば４層の
多層プリント基板が出来上がる。以後、この工程を繰り
返し、より多い多層プリント基板を作ることが出来る。
【００１６】図３の多層プリント基板の形成方法におい
て、芯の両面プリント基板は本発明の両面プリント基板
を用いたが、必ずしもその必要はなく、従来あるスルー
ホール両面プリント基板が使えることは容易にわかる。
この場合、スルーホールの貫通孔は前もって埋めておい
たほうがよい。スルーホール基板ばかり出なくセラミッ
クの基板等が使えることは言うまでもない。
【００１７】図４は多層プリント基板の他の形成方法を
示している。図４（ａ）においては、貫通孔に加熱加圧
後の積層基材の厚みより直径の大きな導電粒子２０３を
充填した加熱加圧前のプリプレグ２０１を２枚の両面プ
リント基板１０４ではさんでいる。この状態で加熱加圧
し、図４（ｂ）の４層の多層プリント基板を得ることが
出来る。４層ばかりでなく、複数枚の両面プリント基板
を用意し、前記の導電粒子を充填した加熱加圧前の積層
基材を各両面プリント基板の間に挟んで加熱加圧すれば
より多層の多層プリント基板を得ることが出来る。
【００１８】図４の多層プリント基板の形成方法におい
て、両面プリント基板は本発明の両面プリント基板を用
いたが、必ずしもその必要はなく、従来あるスルーホー
ル両面プリント基板が使えることは容易にわかる。この
場合、スルーホールの貫通孔は前もって埋めておいたほ
うがよい。スルーホール基板ばかり出なくセラミックの
基板等が使えることは言うまでもない。
【００１９】（実施例１）本発明の第１の実施例では図
１に示すようにプリプレグとしては２００μｍの厚みの
アラミド・エポキシシート（帝人（株）製ＴＡ−０１）
を使用し、ドリルを用いてこの基材に直径０．２ｍｍの
貫通孔を形成した。
【００２０】この貫通孔に導電粒子として直径０．１
５、０．２０ｍｍの金の粒子を充填した後、銅箔１０２
をプリプレグの上下面に張り合わせ、これを熱プレスを
用いてプレス温度１７０℃、積層基材の圧縮量を変える
ために圧力１０〜１００Ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加
圧して両面銅張板を形成した。
【００２１】以上のような方法を用いて形成した両面銅
張板を公知のエッチング技術を用いて電極パターンを形
成した。
【００２２】図６に直径０．１５、０．２０ｍｍの金の
粒子を用いたときの、インナ・ヴァイア・ホールの接続
抵抗値と、積層基材の圧縮率の関係を示す。
【００２３】積層基材が圧縮されてその厚みが導体粒子
の直径以下になると上下の銅箔と導体粒子が接触し電気
的接続がなされる。加熱加圧して圧縮された積層基材の
厚みが導体粒子の直径以上では、電気的接続は得られな
かった。
【００２４】図７に図６の積層基材の圧縮率を、導電粒
子の圧縮率に再プロットしたときの関係を示す。導電粒
子が圧縮されるに従って接続抵抗が低下し、特に導電粒
子の圧縮率が３０％以上でほぼ一定の低いインナ・ヴァ
イア・ホール接続となる。
【００２５】また、圧縮率が７０％を越えると、導体粒
子の横への拡がりが大きくなり実用上問題となる。
【００２６】図８に金の粒子の圧縮率を変えた本発明の
両面プリント基板のヒートサイクル試験（−５５℃〜１
２５℃）による接続抵抗値の変化について示す。ヒート
サイクル試験で１０００サイクル試験後においても抵抗
値の増大が少なく安定したインナ・ヴァイア・ホール接
続が実現している。特に導体の圧縮率が３０％以上で
は、ヒートサイクル試験後においても接続抵抗値の増加
は見られない。
【００２７】（実施例２）第１の実施例と同様に、第２
の実施例では、直径０．２ｍｍの貫通孔を形成したプリ
プレグに、導電粒子として直径０．１５、０．２ｍｍの
半田の粒子を充填した後、銅箔を積層基材の上下面に張
り合わせ、これを熱プレスを用いてプレス温度１７０
℃、圧力１０〜１００Ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧
して両面銅張板を形成した。
【００２８】以上のような方法を用いて形成した両面銅
張板は公知のエッチング技術を用いて電極パターンを形
成した。
【００２９】図９に直径０．１５、０．２０ｍｍの半田
の粒子を用いたときの、インナ・ヴァイア・ホールの接
続抵抗値と、積層基材の圧縮率の関係を示す。半田の粒
子を用いたときも、実施例１の金の粒子を用いた時と同
等の小さい接続抵抗値であり、また、ヒートサイクル試
験に関しても、１０００サイクル後においても接続抵抗
値の変化は少なかった。特に、半田粒子の圧縮率が３０
％以上では、実施例１と同様に、接続抵抗値の変化は認
められなかった。
【００３０】（実施例３）第１、２の実施例と同様に、
第３の実施例では、直径０．２０ｍｍの貫通孔を形成し
たプリプレグに、導電粒子として、核となる直径０．２
０ｍｍの銅粒子およびポリプロピレン製の球状粒子の表
面に、５μｍの貴金属（銀）メッキを施した粒子を充填
した後、銅箔を積層基材の上下面に張り合わせ、これを
熱プレスを用いてプレス温度１７０℃、圧力１０〜１０
０Ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧して両面銅張板を形
成した。
【００３１】以上のような方法を用いて形成した両面銅
張板は公知のエッチング技術を用いて電極パターンを形
成した。
【００３２】図１０に、銅およびポリプロピレンの核の
表面に銀メッキを施した導電粒子を用いたときの、イン
ナ・ヴァイア・ホールの接続抵抗値と、積層基材の圧縮
率の関係を示す。メッキした粒子を用いたときも、接続
抵抗値は、核に銅粒子を用いたものは、実施例１と同様
に小さい値を示した。核にポリプロピレンを用いたもの
は、粒子の固有抵抗値が大きいことから、接続抵抗値は
実施例１に比べて大きいが、その値は０．１Ω以下であ
り実用的には問題がない。
【００３３】また、、ヒートサイクル試験に関しても、
１０００サイクル後においても接続抵抗値の変化は少な
かった。特に、粒子の圧縮率が３０％以上では、接続抵
抗値の変化は認められなかった。
【００３４】（実施例４）接続抵抗を測定するためのパ
ターンが形成されている実施例１のアラミド・エポキシ
両面基板２枚の間に、電極の位置に直径０．２ｍｍの金
の粒子を充填したアラミド−エポキシプレプレグをはさ
み、これを熱プレスを用いてプレス温度１７０℃、圧力
６０Ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧して４層プリント
基板を形成した。
【００３５】４層基板の２，３層間に形成されたインナ
・ヴァイア・ホールの接続抵抗は、実施例１と同様に、
積層基材が圧縮されて導体粒子の直径以下になると、上
下の銅箔と導体粒子が接触し電気的接続がなされた。実
施例１と同様に導体粒子が圧縮されるに従いインナ・ヴ
ァイア・ホールの接続抵抗低下し、特に導体粒子の圧縮
率が３０％以上でほぼ一定の低い接続抵抗となった。ま
た、信頼性に関してヒートサイクル試験で１０００サイ
クル後においても、抵抗値変化はなく安定した接続が得
られた。特に導体の圧縮率が３０％以上の接続では、接
続抵抗値の増加は見られなかった。
【００３６】パターンが形成されている実施例１のアラ
ミド・エポキシ両面基板３枚の間に、電極の位置に直径
０．２ｍｍの金の粒子を充填したアラミド−エポキシプ
レプレグ２枚をはさみ、これを熱プレスにて上記条件で
加熱加圧して６層プリント基板を形成した。６層プリン
ト基板においても、４層と同じ接続抵抗値で、同様の信
頼性が得られた。
【００３７】（実施例５）接続抵抗を測定するためのパ
ターンが形成されている実施例１のアラミド・エポキシ
両面基板の両側に、電極の位置に直径０．２ｍｍの金の
粒子を充填したアラミド−エポキシプレプレグをはさ
み、さらに銅箔はさんだものを熱プレスを用いてプレス
温度１７０℃、圧力６０Ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加
圧して銅張４層プリント基板を形成した。銅張４層プリ
ント基板の両側の銅箔を公知のエッチング技術を用いて
電極パターンを形成した。
【００３８】４層基板の１，２および３，４層間に形成
されたインナ・ヴァイア・ホールの接続抵抗は、実施例
１と同様に、積層基材が圧縮されて導体粒子の直径以下
になると、上下の銅箔と導体粒子が接触し電気的接続が
なされた。実施例１と同様に導体粒子が圧縮されるに従
いインナ・ヴァイア・ホールの接続抵抗が低下し、特に
導体粒子の圧縮率が３０％以上でほぼ一定の低い接続抵
抗となった。また、信頼性に関してヒートサイクル試験
で１０００サイクル後においても、抵抗値変化はなく安
定した接続が得られた。特に導体の圧縮率が３０％以上
の接続では、接続抵抗値の増加は見られなかった。
【００３９】（実施例６）接続抵抗を測定するためのパ
ターンが形成されているガラスエポキシ製スルーホール
両面プリント基板２枚の間に、電極の位置に直径０．２
ｍｍの金の粒子を充填したアラミド−エポキシ積層基材
をはさみ、これを熱プレスを用いてプレス温度１７０
℃、圧力６０Ｋｇ／ｃｍ2で６０分間加熱加圧して４層
プリント基板を形成した。
【００４０】４層基板の２，３層間に形成されたインナ
・ヴァイア・ホールの接続抵抗は、実施例１と同様の理
由により、積層基材が圧縮されて導体粒子の直径以下に
なると、上下の銅箔と導体粒子が接触し電気的接続がな
された。実施例１と同様に導体粒子が圧縮されるに従い
インナ・ヴァイア・ホールの接続抵抗が低下し、特に導
体粒子の圧縮率が３０％以上でほぼ一定の低い接続抵抗
となった。また、信頼性に関してヒートサイクル試験
（−５５℃〜１２５℃）による接続抵抗値の変化につい
ても、２００サイクル後の抵抗値変化があまりなく安定
した接続が実現している。特に導体の圧縮率が３０％以
上の接続では、接続抵抗値の増加は見られなかった。
【００４１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の両面プ
リント基板とその形成方法およびそれを用いた多層基板
によればスルーホールメッキ技術を用いることなく簡便
にインナ・ヴァイア・ホールを備えた両面プリント基板
を実現することができ、その多層化も容易に実現するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における両面プリント基板を示
す構造断面図
【図２】同実施例における両面プリント基板の形成方法
の工程図
【図３】同実施例における多層プリント基板の形成方法
の工程図
【図４】同実施例における多層プリント基板の他の形成
方法の工程図
【図５】同実施例におけるプリント基板に用いた導電性
粒子の構造図
【図６】同実施例におけるプリント基板に金の粒子を用
いたときの、インナ・ヴァイア・ホールの接続抵抗値
と、積層基材の圧縮率の関係を示す図
【図７】同実施例におけるプリント基板に金の粒子を用
いたときの、インナ・ヴァイア・ホールの接続抵抗値
と、導電粒子の圧縮率の関係を示す図
【図８】同実施例におけるプリント基板に金の粒子を用
いたときの、インナ・ヴァイア・ホールのヒートサイク
ル試験結果を示す図
【図９】同実施例におけるプリント基板に半田の粒子を
用いたときの、インナ・ヴァイア・ホールの接続抵抗値
と、積層基材の圧縮率の関係を示す図
【図１０】同実施例におけるプリント基板に銅およびポ
リプロピレンの核の表面に銀のメッキを施した粒子を用
いたときの、インナ・ヴァイア・ホールの接続抵抗値
と、積層基材の圧縮率の関係を示す図
【符号の説明】
１０１ 積層基材 １０２ 加工後の銅箔 １０３ 潰れた導電粒子 １０４ 両面プリント基板 ２０１ 加熱加圧前の積層基材 ２０２ 銅箔 ２０３ 直径が加熱加圧後の積層基材の厚みより大きい
導電粒子 ５０１ 核 ５０２ 導電性材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中谷 誠一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 畠山 秋仁 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (41)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】積層基材の一つの孔部に一つの導電性粒子
    が埋設され、上下の導体と電気的接続されたことを特徴
    とする両面プリント基板。
  2. 【請求項２】積層基材が芳香族ポリアミド繊維と熱硬化
    性樹脂の複合材であることを特徴とする請求項１記載の
    両面プリント基板。
  3. 【請求項３】積層基材がアラミド・エポキシシートであ
    ることを特徴とする請求項１記載の両面プリント基板。
  4. 【請求項４】導電性粒子が粒状の金属であることを特徴
    とする請求項１記載の両面プリント基板。
  5. 【請求項５】導電性粒子が粒状の金属でその材質が金、
    銀、銅、ニッケル、パラジウム、鉛、錫を含むことを特
    徴とする請求項１記載の両面プリント基板。
  6. 【請求項６】導電性粒子が核とその外側の導電性材料で
    構成させていることを特徴とする請求項１記載の両面プ
    リント基板。
  7. 【請求項７】核が粒状の金属で、その外側を導電性材料
    を金属の被着により形成したことを特徴とする請求項６
    記載の両面プリント基板。
  8. 【請求項８】核が樹脂で、その外側を導電性材料を金属
    の被着により形成したことを特徴とする請求項６記載の
    両面プリント基板。
  9. 【請求項９】複数の両面プリント基板に対抗して配置さ
    れた積層基材の一つの孔部に一つ導電性粒子が埋設さ
    れ、導電性粒子を通して各層の導体間が電気的接続され
    ていることを特徴とする多層プリント基板。
  10. 【請求項１０】積層基材が芳香族ポリアミド繊維と熱硬
    化性樹脂の複合材であることを特徴とする請求項９記載
    の多層プリント基板。
  11. 【請求項１１】積層基材がアラミド・エポキシシートで
    あることを特徴とする請求項９記載の多層プリント基
    板。
  12. 【請求項１２】導電性粒子が粒状の金属であることを特
    徴とする請求項９記載の多層プリント基板。
  13. 【請求項１３】導電性粒子が粒状の金属でその材質が
    金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、鉛、錫を含むこと
    を特徴とする請求項９記載の多層プリント基板。
  14. 【請求項１４】導電性粒子が核とその外側の導電性材料
    で構成させていることを特徴とする請求項９記載の多層
    プリント基板。
  15. 【請求項１５】核が粒状の金属で、その外側を導電性材
    料を金属の被着により形成したことを特徴とする請求項
    １４記載の多層プリント基板。
  16. 【請求項１６】核が樹脂で、その外側を導電性材料を金
    属の被着により形成したことを特徴とする請求項１４記
    載の多層プリント基板。
  17. 【請求項１７】積層基材の一つの孔部に一つ導電性粒子
    が埋設され、これを加熱加圧し圧縮して上下の導体間を
    電気的に接続した両面プリント基板の製造方法。
  18. 【請求項１８】導電性粒子が、加熱加圧後の積層基材の
    厚みより大きいことを特徴とする請求項１７記載の両面
    プリント基板の製造方法。
  19. 【請求項１９】積層基材が芳香族ポリアミド繊維と熱硬
    化性樹脂の複合材であることを特徴とする請求項１７記
    載の両面プリント基板の製造方法。
  20. 【請求項２０】積層基材がアラミド・エポキシシートで
    あることを特徴とする請求項１７記載の両面プリント基
    板の製造方法。
  21. 【請求項２１】加熱加圧により積層基材を厚み方向に４
    ０〜７０％に圧縮したことを特徴とする請求項１７記載
    の両面プリント基板の製造方法。
  22. 【請求項２２】導電性粒子が粒状の金属であることを特
    徴とする請求項１７記載の両面プリント基板の製造方
    法。
  23. 【請求項２３】導電性粒子が粒状の金属でその材質が
    金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、鉛、錫を含むこと
    を特徴とする請求項１７記載の両面プリント基板の製造
    方法。
  24. 【請求項２４】導電性粒子が核とその外側の導電性材料
    で構成させている請求項１７記載の両面プリント基板の
    製造方法。
  25. 【請求項２５】核が粒状の金属で、その外側を導電性材
    料を金属の被着により形成した請求項２４記載の両面プ
    リント基板の製造方法。
  26. 【請求項２６】核が樹脂で、その外側を導電性材料を金
    属の被着により形成した請求項２４記載の両面プリント
    基板の製造方法。
  27. 【請求項２７】加熱加圧により導電粒子を厚み方向に３
    ０〜７０％に圧縮したことを特徴とする請求項１７記載
    の両面プリント基板の製造方法。
  28. 【請求項２８】加熱加圧により積層基材を厚み方向に４
    ０〜７０％に、かつ導電粒子を厚み方向に３０〜７０％
    圧縮したことを特徴とする請求項１７記載の両面プリン
    ト基板の製造方法。
  29. 【請求項２９】複数の両面プリント基板に対抗して配置
    された積層基材の一つの孔部に一つ導電性粒子が埋設さ
    れ、これを加熱加圧し圧縮して導電性粒子を通して各層
    の導体間が電気的接続されていることを特徴とする多層
    プリント基板の製造方法。
  30. 【請求項３０】両面プリント基板の上下面に配置された
    積層基材の一つの孔部に一つの導電性粒子が充填され、
    さらにその最外面に配置された導体箔とともに加熱加圧
    し圧縮して上下の導体間を電気的に接続した多層プリン
    ト基板の製造方法。
  31. 【請求項３１】導電性粒子が、加熱加圧後の積層基材の
    厚みより大きいことを特徴とする請求項２９または３０
    記載の多層プリント基板の製造方法。
  32. 【請求項３２】積層基材が芳香族ポリアミド繊維と熱硬
    化性樹脂の複合材であることを特徴とする請求項２９ま
    たは３０記載の多層プリント基板の製造方法。
  33. 【請求項３３】積層基材がアラミド・エポキシシートで
    あることを特徴とする請求項２９または３０記載の多層
    プリント基板の製造方法。
  34. 【請求項３４】加熱加圧により積層基材を厚み方向に４
    ０〜７０％に圧縮したことを特徴とする請求項２９また
    は３０記載の多層プリント基板の製造方法。
  35. 【請求項３５】導電性粒子が粒状の金属であることを特
    徴とする請求項２９または３０記載の多層プリント基板
    の製造方法。
  36. 【請求項３６】導電性粒子が粒状の金属でその材質が
    金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、鉛、錫を含むこと
    を特徴とする請求項２９または３０記載の両面プリント
    基板の製造方法。
  37. 【請求項３７】導電性粒子が核とその外側の導電性材料
    で構成させている請求項２９または３０記載の多層プリ
    ント基板の製造方法。
  38. 【請求項３８】核が粒状の金属で、その外側を導電性材
    料を金属の被着により形成した請求項３７記載の多層プ
    リント基板の製造方法。
  39. 【請求項３９】核が樹脂で、その外側を導電性材料を金
    属の被着により形成した請求項３７記載の多層プリント
    基板の製造方法。
  40. 【請求項４０】加熱加圧により導電粒子を厚み方向に３
    ０〜７０％に圧縮したことを特徴とする請求項２９また
    は３０記載の多層プリント基板の製造方法。
  41. 【請求項４１】加熱加圧により積層基材を厚み方向に４
    ０〜７０％に、かつ導電粒子を厚み方向に３０〜７０％
    圧縮したことを特徴とする請求項２９または３０記載の
    多層プリント基板の製造方法。
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