KR20080084812A - 과전압 보호를 위해 전압 변환가능 재료를 포함하는 반도체디바이스 - Google Patents
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Abstract
반도체 디바이스는 과전압 보호를 위해서 전압 변환가능 재료를 채용하여 제공된다. 여러 가지 실행에서, 전압 변환가능 재료는 종래의 다이 부착 접착제, 언더필 층, 그리고 인캡슐런트를 대체한다.전압 변환가능 재료가 통상 유전체 재료로서 기능하는 한편, 과전압 이벤트 동안에 전압 변환가능 재료는 전기적으로 도체가 될 수 있고 그리고 접지에 전기를 통전한다. 따라서, 전압 변환가능 재료는 기판에서 접지된 트레이스, 또는 플립-칩 패키지에서 접지된 솔더 볼과 같은 접지에 패스(path)와 접촉한다.
반도체 디바이스, 다이 본딩 패드, 도체 트레이스, 유전체 기판, 다이 부착 접착제, 다이 접착 패드, 반도체 다이, 인캡슐런트, 접지용 본드 패드, 웨이퍼-스케일 팩키지
Description
본 출원은 2005년 11월 22일 출원된, 발명의 명칭이 "Over-Voltage Protection for Semiconductor Devices Using Voltage Swichable Dielectric Material as an Encapsulant or Underfill"인 미국특허출원 60/739,724호를 우선권 주장한다.
본 발명은 전기 디바이스의 분야에 관한 것이고, 더욱 상세히는 과전압 보호에 관한 것이다.
반도체 다이 또는 칩을 포함하는 반도체 디바이스는 과전압 이벤트에 의해 쉽게 영향을 받거나 또는 파괴된다. 과전압 이벤트의 실예는 정전 방전(ESD), 회선 과도, 및 낙뢰 등을 포함한다. 정전 방전은 통상 정전 전하를 이송하는 사람이 반도체 디바이스를 터치할 때 발생한다. 회선 과도는 AC 전원 회선에서 전원 서지를 포함하고, 그리고 모터를 시동 또는 스위치 닫음과 같은 이벤트에 의해 역시 야기될 수 있다.
비선형 저항 재료로 역시 알려진, 전압 변환가능 재료는 보통 유전체로서 거 동하는 재료이지만, 스위치 전압으로 알려진, 충분한 전압의 적용에 따라, 신속하게 전기적으로 도체가 된다. 부도체와 도체 상태 사이에서 변환되는 전압 변환가능 재료의 능력은 이들 재료가 과전압 보호 분야에서 잘 적응하게 한다.
종래 기술에서, 전압 변환가능 재료는 여러 가지 방식으로 과전압 보호를 위해 사용되어 왔다. 예를 들면, Behling et al.(US6,570,765)에서, 미세 갭은 접촉 부분들 사이에 형성되고 그리고 접지 바는 전압 변환가능 재료로 채워져 있다. Intrater(US6,433,394)는 접지면의 둘레 주변에 배치되고 그들 사이에 정밀한 갭을 가진 복수의 도체 패드, 그리고 집적회로 칩 상에 위치된 전압 변환가능 재료를 포함하고 있는 보호 디바이스를 가진 집접회로 칩을 개시하고 있다. Shrier et al.(US6,542,065)은 전압 변환가능 재료가 심어져 있는 보강층을 포함하는 가변 전압 보호 구성을 개시하고 있다. 그러므로, 종래기술에서, 전압 변환가능 재료를 통해서 과전압 보호를 달성하는 것은, 예를 들면 Behling et al.에서 미세 갭, Intrater에서 보호 디바이스, 그리고 Shrier et al.에서 보강층과 같은 추가적인 특징을 포함하도록 반도체 디바이스를 재설계할 필요가 있다.
본 발명의 예시적인 반도체 디바이스는 유전체 기판과 반도체 다이를 포함하고 있다. 유전체 기판은 한면에 다이 본딩 패드 그리고 복수의 도체 트레이스를 포함한다. 반도체 다이는 제1 전압 변환가능 재료를 포함하는 다이 부착 접착제로 다이 접착 패드에 부착되어 있다. 다이 부착 접착제는 복수의 도체 트레이스 중에서 하나의 도체 트레이스와 접촉한다. 어떤 경우에는, 도체 트레이스와 접촉하기 위해서, 다이 부착 접착제는 다이 접착 패드를 넘어 뻗어있다. 다른 경우는, 도체 트레이스는 반도체 다이와 다이 접착 패드 사이에 뻗어있다. 다른 실시예에서, 반도체 디바이스는 제 1 전압 변환가능 재료와 동일할 수 있는 제 2 전압 변환가능 재료를 포함하고 있는 인캡슐런트를 포함하고 있다.
본 발명의 다른 예시적인 반도체 디바이스는 유전체 기판, 반도체 다이, 그리고 언더필 층(underfill layer)을 포함하고 있다. 유전체 기판은 접지용 접착 패드를 갖추고 있는 다이 접착 패드를 한면에 포함하고 있다. 반도체 다이는 복수의 솔더 볼(solder ball)에 의해 다이 접착 패드에 접착된 플립-칩(flip-chip)이다. 언더필 층은 제 1 전압 변환가능 재료를 포함하고 있고 그리고 다이 접착 패드와 반도체 다이 사이에 배치되어 있다. 언더필 층은 또한 복수의 솔더 볼들 중에서 하나의 솔더 볼과 접촉하고, 솔더 볼은 접지용 접착 패드에 연결된다. 다른 실시예에서, 반도체 디바이스는 제 1 전압 변환가능 재료와 동일할 수 있는 제 2 전압 변환가능 재료를 갖춘 인캡슐런트를 포함하고 있다.
본 발명의 다른 예시적인 반도체 디바이스는 유전체 기판, 반도체 다이, 그리고 인캡슐런트를 포함하고 있다. 유전체 기판은 한면에서, 다이 접착 패드와 복수의 도체 트레이스를 포함하고 있고, 그리고 반도체 다이는 다이 접착 패드에 부착된다. 인캡슐런트는 반도체 다이를 둘러싸는 제 1 전압 변환가능 재료를 포함하고 있다. 일부의 실시예에서, 반도체 다이는 다이 부착 접착제로 다이 접착 패드에 부착되고, 그리고 이들 실시예의 일부에서, 다이 부착 접착제는 제 2 전압 변환가능 재료를 포함하고 있다. 상기한 바와 같이, 제 1 및 제 2 전압 변환가능 재료는 동일할 수 있다.
다른 실시예에서, 반도체 다이는 다이 접착 패드에 접착된 플립-칩이고 그리고 반도체 디바이스는 다이 접착 패드와 반도체 다이 사이에 배치된 언더필 층을 더 포함한다. 언더필 층은 일부의 경우, 제 2 전압 변환가능 재료를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 반도체 디바이스는 기판의 표면에 배치되고 그리고 인캡슐런트와 접촉하는 접지 트레이스를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 본 발명의 반도체 디바이스는 한면에서 접지용 접착 패드를 포함하는 다이 접착 패드를 갖춘 유전체 기판을 포함하고 있다. 반도체 디바이스는 또한 복수의 솔더 볼에 의해서 다이 접착 패드에 접착된 반도체 다이 플립-칩을 포함한다. 반도체 디바이스는 또한 반도체 다이와 기판 사이에 배치되고 그리고 접지용 접착 패드와 접촉하는 제 1 전압 변환가능 재료로 형성된 볼을 포함하고 있다.
또 다른 실시예에서, 본 발명의 반도체 디바이스는 유전체 기판, 반도체 다이, 그리고 인캡슐런트를 포함하고 있다. 유전체 기판은 한면에서, 다이 접착 패드를 포함하고 있고, 그리고 반도체 다이는 다이 접착 패드에 부착된다. 인캡슐런트는 제 1 순응층 그리고 제 1 순응층에 겹쳐지는 제 2 층을 포함하고 있다. 제 1 순응층은 유전체 기판의 적어도 일부 그리고 반도체 다이에 맞는 제 1 전압 변환가능 재료를 포함한다.
다른 실시예에서, 본 발명의 반도체 디바이스는 웨이퍼-스케일 패키지를 포함한다. 웨이퍼-스케일 팩키지는 한면에서 적어도 하나의 접착 패드가 접지용인 복수의 접착 패드를 갖추고 있는 반도체 다이를 포함하고 있다. 웨이퍼-스케일 팩키지는 또한 접착 패드에 배치된 솔더 볼, 그리고 솔더 볼이 인캡슐런트를 통해서 돌출하는, 반도체 다이를 둘러싸는 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 인캡슐런트를 더 포함하고 있다. 인캡슐런트는 접지용 접착 패드에 배치된 솔더 볼과 접촉한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이다.
도 4은 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이 다.
도 9는 본 발명의 다른 예시적인 실시예에 따른 반도체 디바이스의 단면도이다.
본 발명은 팩키지 반도체 다이와 같은, 반도체 디바이스에 과전압 보호를 제공한다. 팩키지 반도체 다이는 예를 들면, 칩-스캐일 팩키지(chip-scale package;CSP)에 접착된 플랩-칩 또는 통상의 와이어가 될 수 있다. 과전압 보호는 전압 변환가능 재료를 반도체 디바이스의 다른 재료로 대체하므로서 본 발명에서 달성된다. 여러 가지 실행에서, 전압 변환가능 재료는 유전체 재료를 대체하고 그리고 전기 접지와 접촉한다. 그러므로, 전압 변환가능 재료는 전체적으로 유전체 재료로서 작용하지만, 과전압 이벤트 동안은 전압 변환가능 재료는 전기 접지와 전기를 통하게 할 수 있다.
도 1은 집적회로와 같은, 본 발명의 예시적인 반도체 디바이스(100)의 단면도를 예시하고 있다. 반도체 디바이스(100)는 기판(120)에 부착된 반도체 다이 또는 칩(110)을 포함하고 있다. 본 실시예에서, 반도체 다이(110)는 다이 부착 접착제(130)로 기판(120)의 다이 접착 패드(도시 생략)에 부착되어 있는데, 이 접착제는 전압 변환가능 재료를 포함하고 있다. 기판(120)의 다이 접착 패드는 반도체 다이(110)를 위한 위치로서 할당된 단지 기판의 영역이다. 그러므로 다이 접착 패드는 일부의 실시예에서는 명확하게 형성되어 있지만, 디마크될 필요는 없다.
반도체 다이(110)는 반도체 다이(110)의 상부 면에서 접착 패드(도시 생략) 를 포함하고 있는데, 이것은 와이어(150)를 통해서 기판(120)에서 전기적으로 도체인 트레이스(140)에 전기적으로 연결되어 있다. 트레이스(140)의 두께는 도면에서 예시의 목적으로 확대 과장되어 있다. 트레이스(140)는 예를 들면, 기판(120)을 통해서 바이어스(vias;도시 생략) 솔더 볼(160)에 연결될 수 있다. 차례로, 솔더 볼(160)은 전원, 접지 그리고 신호로 유도되는 인쇄 배선 기판(도시 생략)에서 배선에 연결될 수 있다. 이러한 방식으로, 반도체 다이(110)는 전원 및 접지에 연결되고 그리고 신호를 송수신할 수 있다. 용어 "솔더 볼"은 솔더 범프를 포함하는 범용으로 여기에서 사용된다.
도 1에 예시된 실시예에서, 반도체 다이(110)의 하나의 접착 패드는 접지 트레이스(170)를 통해서 접지에 연결된다. 접지 트레이스(170)는 반도체 다이(110)와 다이 접착 패드 사이에서 뻗어 있어서 접지 트레이스(170)는 다이 부착 접착제(130)와 접촉한다. 다른 방식으로는, 접지 트레이스(170)는 다이 접착 패드 내로 뻗어 있다. 다이 부착 프로세스 동안에, 다이 부착 접착제(130)는 다이 접착 패드 상에 그리고 접지 트레이스(170)의 그 부분 상에 적용되어 다이 접착 패드 내로 뻗어 있다. 전형적인 반도체 다이(110)는 접지를 위한 멀티플 접착 패드를 포함할 것이고, 그리고 이들 접착 패드의 일부 또는 모두는 접지 트레이스(170)에 연결될 수 있다.
다이 부착 접착제(130)를 위한 적절한 전압 변환가능 재료는 특정 도체와 혼합된 매트릭스 재료를 포함한다. 다이 부착 접착제(130)의 목적을 위해서, 매트릭스 재료는 종래의 다이 부착 접착제와 유사할 수 있고 그리고 에폭시, 폴리이미드, 실리콘, 그리고 그 조합을 포함할 수 있다. 따라서, 다이 부착 접착제(130)는 종래의 기술에 의해 적용될 수 있다. 적절한 전압 변환가능 재료는 예를 들면, shi et al.(US3,685,026) 및 Shrier(US4,977,357)에 개시되어 있다.
추가적으로 적절한 전압 변환가능 재료는 약 30% 내지 80%의 유전체 재료 체적, 약 0.1% 내지 70%의 전기 도체 체적, 그리고 약 0% 내지 70%의 반도체 재료의 체적을 포함한다. 유전체 재료의 예는 실리콘 폴리머, 에폭시, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 산화 폴리페닐렌, 폴리설폰, 솔겔 재료, 세라머, 이산화 규소, 산화 알루미늄, 산화 지르코늄, 그리고 다른 금속 산화물 절연체를 포함하는데, 여기에 한정하는 것은 아니다. 전기적으로 도체인 재료의 예시는 구리, 알루미늄, 니켈, 그리고 스테인리스 스틸과 같은 금속을 포함하지만, 여기에 한정하는 것은 아니다. 반도체 재료의 예시는 유기 및 무기 반도체 양자를 포함한다. 적절한 무기 반도체는 실리콘, 탄화 규소, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 산화 니켈, 산화 아연, 그리고 황화 아연을 포함하고 있다. 적절한 유기 반도체는 폴리-3-헥실티오펜, 펜타센, 페릴렌, 탄소 나노튜브, 및 C60 플러린을 포함하고 있다.
도 2는 본 발명의 다른 예시적인 반도체 디바이스(200)의 단면도를 예시하고 있다. 본 실시예에서, 다이 부착 접착제(210)는 적어도 부분적으로 접지 트레이스(220)와 겹쳐져 있다. 다이 부착 접착제(210)는 접지 트레이스(220)와 접촉하기 위해서 다이 접착 패드를 넘어 뻗어있다. 일부의 실시예에서, 접지 트레이스(220)는 다이 접착 패드 쪽으로 뻗어 있어서 접지 트레이스(220)에 도달하는데 필요한 여분의 다이 부착 접착제(210)의 양을 최소화한다. 이전 실시예와 유사하게, 다이 부착 프로세스 동안에, 다이 부착 접착제(210)는 다이 접착 패드상에 그리고 접지 트레이스(220)의 적어도 일부 상에 적용된다. 여기에서 그리고 이전에 설명한 실시예에서, 다이 부착 접착제(210,130)는 유전체 재료로서 통상 작용하지만, 과전압 이벤트 동안에 접지 트레이스(220,170)에 그리고 접지에 전기 연결된다. 여기에서 그리고 이전의 실시예에서, 다이 부착 접착제(210,130)는 종래의 다이 부착 접착제를 바르는데 사용되는 동일한 장비로 바를 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 예시적인 반도체 디바이스(300)의 단면도를 예시하고 있다. 본 실시예에서, 반도체 다이(310)는 기판(320)에 플립-칩 접착되어 있다. 플립-칩 접착에서, 반도체 다이(310)는 역전되어(이전의 2개의 실시예의 방향에 대하여)반도체 다이(310)에서 접착 패드는 다이 접착 패드 내에서 기판(320)에서 접착 패드의 매칭 세트에 직접 연결된다. 플립-칩 접착에서 접착 패드의 대향 쌍 사이의 연결은 솔더 볼(330)로 이루어진다.
솔더 볼(330)이 반도체 다이(310)와 기판(320) 사이에서 기계적인 연결을 제공하는 한편, 전압 변환가능 재료를 포함하는 언더필 층(340)은 플립-칩 접착의 탄성을 증가시키기 위해 구비되어 있다. 이전의 2개의 실시예와 같이, 본 실시예의 반도체 다이(310)는 접지를 위해 하나 이상의 접착 패드를 가지고 있는데, 각각 솔더 볼(330)에 의해서 기판(320)에서 접착 패드(도시 생략)에 연결되어 있다. 언더필 층(340) 내에서, 접지에 연결된 이들 솔더 볼(330)의 각각은 과전압 이벤트 동안에 접지 단자로서 작용한다. 유리하게, 언더필 층(340)을 형성하는데 사용되는 전압 변환가능 재료는 종래의 언더필 재료를 주사하는데 사용되는 것과 동일한 장비로 반도체 다이(310)와 기판(320) 사이에 주사할 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 2개의 다른 예시적인 반도체 디바이스(400,500)의 단면도를 예시하고 있다. 도 4의 반도체 디바이스(400)는 일부의 실시예에서 전압 변환가능 재료를 포함하고 있는 다이 부착 접착제(430)로 기판(420)에 부착된 반도체 다이(410)를 포함하고 있다. 반도체 디바이스(400)는 또한 전압 변환가능 재료를 갖추고 있고 그리고 반도체 다이(410)를 둘러싸는 인캡슐런트(440)를 포함하고 있다.
도 5의 반도체 디바이스(500)는 기판(520)에 플립-칩 접착된 반도체 다이(510) 그리고 일부의 실시예에서 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 언더필 층(530)을 포함하고 있다. 반도체 디바이스(500)는 또한 전압 변환가능 재료를 갖추고 있고 그리고 반도체 다이(510)를 둘러싸는 인캡슐런트(540)를 포함하고 있다. 도 4 및 도 5에 예시된 실시예에서, 인캡슐런트(440,540)는 통상 유전체이지만, 과전압 이벤트 동안에 가까이 위치해 있는 접지에 전기를 통하는 작용을 한다. 인캡슐런트(440,540)는 몰딩 그리고 스크린 프린팅과 같은 종래의 방법으로 적용할 수 있다.
도 4의 실시예에서, 인캡슐런트(440)와 접촉하는 임의의 접지 트레이스(450)는 과전압 이벤트 동안에 접지로서 작용할 수 있다. 본 실시예에서, 또한 다이 부착 접착제(430)가 전압 변환가능 재료를 포함하고 있으면, 인캡슐런트(440)의 전압 변환가능 재료는 동일한 또는 다른 전압 변환가능 재료가 될 수 있다.
도 5의 실시예에서, 접지 트레이스(550)가 역시 제공되어 있다. 접지 트레이스(550)는 일부의 실시예에서, 접지된 솔더 볼(560)과 전기 연통되어 있다. 언더필 층(530)이 또한 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 이들 실시예에서, 접지 트레이스(550)는 접지된 솔더 볼(560)이 과전압 이벤트 동안에 접지로서 작용할 수 있으므로 선택적이다. 또한, 도 5의 실시예에서, 언더필 층(530)이 전압 변환가능 재료를 포함하고 있으면, 인캡슐런트(540)의 전압 변환가능 재료는 동일한 또는 다른 전압 변환가능 재료가 될 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 예시적인 반도체 디바이스(600)의 단면도를 예시하고 있다. 본 실시예에서, 반도체 다이(620)를 가진 기판(610)은 인쇄 배선 기판(630)에 장착되어 있다. 솔더 볼(640)은 기판(610)과 인쇄 배선 기판(630) 사이에 전기 연결을 제공한다. 상기한 바와 같이, 이들 연결의 일부는 전기 접지를 제공한다. 반도체 디바이스(600)는 또한 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 언더필 층(650)을 포함하고 있다. 언더필 층(650)은 도 3에 대하여 상기 설명한 언더필 층(340)과 유사하게 과전압 보호를 제공한다. 도 6에 도시된 실시예가 기판(610)에 와이어 접착된 반도체 다이(620)를 포함하고 있지만, 반도체 다이(620)는 기판(610)에 플립-칩 접착될 수 있다. 추가적으로, 일부의 실시예에서, 인캡슐런트(660) 및/또는 다이 부착 접착제(670)는 또한 전압 변환가능 재료를 포함할 수 있다. 플립-칩 접착을 위해서, 다이 부착 접착제(670)는 또한 전압 변환가능 재료를 포함할 수 있는 다른 언더필 층으로 대체될 수 있다.
도 7에서 단면도로 도시된, 또 다른 예시적인 반도체 디바이스(700)에서, 반 도체 다이(710)는 기판(720)에 플립-칩 접착되어 있다. 본 실시예에서, 솔더 볼(730)의 일부는 전압 변환가능 재료를 포함하고 있는 볼(740)로 대체된다. 본 실시예에서, 볼(740)은 반도체 다이(710)에서 접착 패드와 접지용 기판(720) 사이에 배치된다. 솔더 볼(730)과 같이, 볼(740)은 스크린 프린팅과 같은 종래의 프로세스에 의해 플립-칩 접착 전에 반도체 다이(710)에 형성될 수 있다. 추가적으로, 일부의 실시예에서, 인캡슐런트(750) 및/또는 언더필 층(760)은 또한 전압 변환가능 재료를 포함할 수 있다.
도 8에서 단면도로 도시된, 또 다른 예시적인 반도체 디바이스(800)에서, 반도체 다이(810)는 기판(820)에 다이 부착 접착제(830)에 의해 접착되어 있다. 본 실시예에서, 인캡슐런트(840)는 2개의 층을 포함하고 있는데, 전압 변환가능 재료를 포함하고 있는 확인 층(850), 그리고 확인 층(850) 상에 배치된 종래의 인캡슐런트의 제 2 층(860)이다. 도 4 및 도 5의 더 두꺼운 인캡슐런트(440,540) 대신에 얇은 확인 층(850)을 사용하는 것은 동일한 과전압 보호를 제공하지만, 반도체 디바이스(800) 마다 더 작은 전압 변환가능 재료를 사용하게 한다.
확인 층(850)은 기판(820)에서 접지 트레이스(870) 상에 그리고 반도체 다이(810) 상에 배치되어 있다. 이러한 방식으로, 확인 층(850)은 접지 소스와 접촉한다. 일부의 실시예에서, 확인 층(850)은 50밀리 정도의 두께이다. 확인 층(850)은 예를 들면, 잉크제트 프린팅, 스크린 프린팅, 또는 페인팅에 의해 형성될 수 있다. 종래의 인캡슐런트의 제 2 층(860)은 예를 들면, 몰딩 및 스크린 프린팅과 같은 종래의 방법으로 형성될 수 있다. 반도체 다이(810)는 또한 기 판(820)에 플립-칩 접착될 수 있다. 상기한 바와 같이, 플립-칩 접착의 경우에 언더필 층 또는 다이 부착 접착제(830)는 또한 전압 변환가능 재료를 포함할 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 예시적인 반도체 디바이스(900)의 단면도를 예시하고 있다. 반도체 디바이스(900)는 웨이퍼-스캐일 패키지를 포함하고 있다. 반도체 디바이스(900)는 반도체 다이(910)를 감싸도록 형성된 인캡슐런트(930) 그리고 접착 패드(도시 생략) 상에 배치된 솔더 볼(920)을 가진 반도체 다이(910)를 포함하고 있다. 솔더 볼(920)만 인캡슐런트(930)를 통해서 돌출해 있다. 인캡슐런트(930)는전압 변환가능 재료를 포함하고 있고 그리고 접지용 접착 패드에 배치된 적어도 하나의 솔더 볼(920)과 접촉하고 있다.
상기 설명에서, 본 발명은 특정 실시예를 참조하여 설명하였지만, 당업자라면 본 발명은 여기에 한정되지않는다는 것을 알것이다. 상기 설명한 본 발명의 여러 가지 특징 및 구성은 개별적으로 또는 결합하여 사용될 수 있다. 더욱이, 본 발명은 본 명세서의 더 넓은 사상 및 범위에서 벗어나지 않고 여기에서 설명된 것을 넘어 임의의 수의 환경 및 적용분야에서 이용될 수 있다. 따라서, 본 명세서 및 도면은 제한하려는 것이 아니고 예시적인 것으로 간주되어야 한다. 여기에서 설명된 "포함하는", "구성하는", 그리고 "갖춘" 등의 용어는 제한이 없는 것으로 의도된 것이다.
Claims (20)
- 반도체 디바이스에 있어서,한면에 다이 본딩 패드 그리고 복수의 도체 트레이스를 포함하는 유전체 기판; 그리고제1 전압 변환가능 재료를 포함하고, 복수의 도체 트레이스중에서 하나의 도체 트레이스와 접촉하는 다이 부착 접착제를 가지고 있는 다이 접착 패드에 부착된 반도체 다이;를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 다이 부착 접착제는 적어도 부분적으로 도체 트레이스에 겹쳐지는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 도체 트레이스는 반도체 다이와 다이 접착 패드 사이에 뻗어있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 다이 부착 접착제는 도체 트레이스와 접촉하기 위해서 다이 접착 패드를 넘어서 뻗어있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 1 항에 있어서, 제 2 전압 변환가능 재료를 포함하고 있는 인캡슐런트를 더 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 5 항에 있어서, 제 1 및 제 2 전압 변환가능 재료는 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,한면에 다이 본딩 패드 그리고 복수의 도체 트레이스를 포함하는 유전체 기판;다이 접착 패드에 부착된 반도체 다이; 그리고유전체 기판의 적어도 일부분 그리고 반도체 다이에 겹쳐지는 제 1 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 인캡슐런트;를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서, 반도체 다이는 다이 부착 접착제로 다이 접착 패드에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 8 항에 있어서, 다이 부착 접착제는 제 2 전압 변환가능 재료를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 9 항에 있어서, 제 1 및 제 2 전압 변환가능 재료는 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 7 항에 있어서, 반도체 다이는 다이 접착 패드에 접착된 플립-칩이고 그리고 반도체 디바이스는 다이 접착 패드와 반도체 다이 사이에 배치된 언더필 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 11 항에 있어서, 기판의 표면에 배치되고 그리고 인캡슐런트와 접촉하는 접지 트레이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 11 항에 있어서, 언더필 층은 제 2 전압 변환가능 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 13 항에 있어서, 제 1 및 제 2 전압 변환가능 재료는 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,한면에 접지용 본드 패드를 갖춘 다이 본딩 패드를 포함하는 유전체 기판;복수의 솔더 볼에 의해 다이 접착 패드에 플립-칩 접착된 반도체 다이; 그리고반도체 다이와 기판 사이에 배치되고, 그리고 접지용 접착 패드와 접촉하는 제 1 전압 변환가능 재료로 형성된 볼;를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도 체 디바이스.
- 제 15 항에 있어서, 제 2 전압 변환가능 재료를 포함하고 있는 인캡슐런트를 더 가지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스에 있어서,한면에 다이 본딩 패드를 포함하는 유전체 기판;다이 접착 패드에 부착된 반도체 다이; 그리고유전체 기판의 적어도 일부분 그리고 반도체 다이에 맞는 제 1 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 제 1 순응층, 그리고 제 1 순응층과 겹쳐지는 제 2 층으로 구성된 인캡슐런트;를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 17 항에 있어서, 반도체 다이는 제 2 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 다이 부착 접착제로 다이 접착 패드에 부착되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제 17 항에 있어서, 반도체 다이는 다이 접착 패드에 접착된 플립-칩이고 그리고 반도체 디바이스는 다이 접착 패드와 반도체 다이 사이에 배치된 제 2 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 언더필 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 웨이퍼-스케일 팩키지에 있어서,한면에 적어도 하나의 접착 패드는 접지용인 복수의 접착 패드를 갖추고 있는 반도체 다이;접착 패드에 배치된 솔더 볼; 그리고인캡슐런트를 통해서 돌출하고 접지용 접착 패드에 배치된 솔더 볼과 접촉하며, 그리고 반도체 다이를 둘러싸는 전압 변환가능 재료를 갖추고 있는 인캡슐런트;를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼-스케일 팩키지.
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