JPH0583486B2

JPH0583486B2 -

Info

Publication number: JPH0583486B2
Application number: JP62145988A
Authority: JP
Inventors: Hideo Ihara; Masayuki Hirabayashi; Norio Terada
Original assignee: Agency of Industrial Science and Technology
Current assignee: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Priority date: 1987-01-27
Filing date: 1987-06-11
Publication date: 1993-11-26
Also published as: CN88100338A; JPS649813A

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の超電導体と臨
界温度との関係を示す図、第２図は本発明の第１
の実施例のBa_xY_2-xCuO_4-yのｘ線回折図、第３
図はBa_xY_2-xCuO_4-yの電気抵抗と温度との関係
を示す図、第４図は各種超電導体の臨界温度と上
部臨界磁界との関係を示す図、第５図は本発明の
第２の実施例の超電導体と臨界温度との関係を示
す図、第６図は本発明の第２の実施例のBa_xY_1-x
CuO_3-yのｘ線回折図、第７図はBa_xY_1-xCuO_3-y
の電気抵抗と温度との関係を示す図、第８図は各
種超電導体の臨界温度と上部臨界磁界との関係を
示す図、第９図および第１０図はそれぞれ本発明
の第３の実施例の超電導体と臨界温度との関係を
示す図、第１１図は（Sr_1-zBa_z）_xLa_2-xCuO_4-yの
電気抵抗と温度との関係を示す図、第１２図は
（Sr_1-zCa_z）_xLa_2-xCuO_4-yの電気抵抗と温度との関
係を示す図、第１３図および第１４図はそれぞれ
各種超電導体の上部臨界磁界の温度依存性を示す
図、第１５図は本発明の第４の実施例の超電導体
と臨界温度との関係を示す図、第１６図は本発明
の第４の実施例のSr_xLa_2-xCuO_4-yのｘ線回折図、
第１７図はSr_xLa_2-xCuO_4-yの電気抵抗と温度と
の関係を示す図、第１８図は各種超電導体の上部
臨界磁界の温度依存性を示す図、第１９図は本発
明実施例の中間法で作製したBa_xY_1-xCuO_3-yの
ｘ線回折図、第２０図は従来の超電導体の電気抵
抗と温度との関係を示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】１組成式L_xY_2-xCuO_4-yで表され、ＬがSrおよ
びBaのいずれかであり、０＜ｘ＜２であること
を特徴とする超電導体。２組成式（Sr_1-zA_z）_xY_2-xCuO_4-yで表され、Ａ
はBaおよびCaの一種であり、０＜ｘ＜２，０≦
ｚ≦１であることを特徴とする超電導体。３組成式Ba_xY_1-xCuO_3-yで表され、０＜ｘ＜
１であることを特徴とする超電導体。４組成式L_xY_2-xCuO_4-yで表され、ＬがSrおよ
びBaのいずれかであり、０＜ｘ＜２である超電
導体、組成式（Sr_1-zA_z）_xY_2-xCuO_4-yで表され、
ＡはBaおよびCaの一種であり、かつ０＜ｘ＜
２，０≦ｚ≦１である超電導体および組成式 Ba_xY_1-xCuO_3-yで表され、０＜ｘ＜１である
超電導体のうちの一種を製造する方法であつて、前記超電導体を構成する銅および複数種の元素
の硝酸塩を前記組成式の組成となるように混合
し、その水溶液に酸を加えて、前記銅および複数
種の元素の酸化物を共沈させ、該共沈によつて生
成した沈殿物を焼結した後に酸化することを特徴
とする超電導体の製造方法。５組成式L_xY_2-xCuO_4-yで表され、ＬがSrおよ
びBaのいずれかであり、０＜ｘ＜２である超電
導体、組成式（Sr_1-zA_z）_xY_2-xCuO_4-yで表され、
ＡはBaおよびCaの一種であり、０＜ｘ＜２，０
≦ｚ≦１である超電導体および組成式Ba_xY_1-x
CuO_3-yで表され、０＜ｘ＜１である超電導体の
うちの一種を製造する方法であつて、前記超電導
体を構成する銅および複数種の元素の化合物の粉
末を前記組成式の組成となるように混合し、該混
合粉末を焼結した後に酸化することを特徴とする
超電導体の製造方法。６組成式L_xY_2-xCuO_4-yで表され、ＬがSrおよ
びBaのいずれかであり、０＜ｘ＜２である超伝
導体、組成式（Sr_1-zA_z）_xY_2-xCuO_4-yで表され、
ＡはBaおよびCaの一種であり、０＜ｘ＜２，０
≦ｚ≦１である超電導体および組成式Ba_xY_1-x
CuO_3-yで表され、０＜ｘ＜１である超電導体の
うちの一種を製造する方法であつて、前記超電導
体を構成する銅の化合物粉末と前記複数種の元素
のうちの少なくとも一種の元素の化合物粉末を混
合して固相反応させて第１の中間体を作製し、前
記銅の化合物粉末と前記複数種の元素のうちの残
りの元素の化合物粉末を混合して固相反応させて
第２の中間体を作製し、前記第１および第２の中
間体を混合して固相反応させることを特徴とする
超電導体の製造方法。【特許請求の範囲】［産業上の利用分野］本発明は、超電導性を利用する超電導体および
その製造方法に関するものである。［従来の技術］極低温度において電気抵抗がゼロになる超電導
体としては、Nb₃Ge，Nb₃Snなどニオブ（Nb）
系合金が最も多く用いられている。しかしこれら
Nb合金の臨界温度は20K付近であり、液体ヘリ
ウムで冷却しなければ使用できないという欠点が
ある。比較的高い臨界温度を持つ物質としてBa
−La−Cu−Ｏ系が知られている。第２０図はBa−La−Cu−Ｏ系の超電導体の電
気抵抗の温度変化を示している（Z.Phys.B；J.G.
Bednorz and K.A.Muller，64，189，1986）。こ
の物質系では、臨界温度が35Kであり、また臨界
磁界は60Tである。［発明が解決しようとする問題点］しかしながら、上述のBa−La−Cu−Ｏ系の超
電導体における臨界温度35Kおよび上部臨界磁界
60Tは低い値なので液体水素や液体ネオンを用い
て冷却しながら超電導体を使用するには、困難で
あるという問題点があつた。本発明の目的は上述の問題点を解決し、臨界温
度および臨界磁界の高い超電導体およびその製造
方法を提供することにある。［問題点を解決するための手段］かかる目的を達成するために本発明の超電導体
は、組成式L_xY_2-xCuO_4-yで表され、ＬがSrおよ
びBaのいずれかであり、０＜ｘ＜２であること
を特徴とする。また、組成式（Sr_1-zA_z）_xY_2-xCuO_4-yで表さ
れ、ＡはBaおよびCaの一種であり、０＜ｘ＜
２，０≦ｚ≦１であることを特徴とする。また、組成式Ba_xY_1-xCuO_3-yで表され、０＜
ｘ＜１であることを特徴とする。本発明による方法は、上記組成の超電導体の製
造方法において、銅および複数種の元素の硝酸塩
混合水溶液に酸を加えて、銅および複数種の元素
の酸化物を共沈させ、共沈によつて生成した沈殿
物を焼結した後に酸化することを特徴とする。また、上記組成の超電導体の製造方法におい
て、銅および複数種の元素の化合物混合粉末を焼
結した後に酸化することを特徴とする。さらに、銅および複数種の元素を含む酸化物か
らなる超電導体の製造方法において、銅の化合物
粉末と複数種の元素のうちの少なくとも１種の元
素の化合物粉末を混合して固相反応させて第１の
中間体を作製し、銅の化合物粉末と複数種の元素
のうちの残りの元素の化合物粉末を混合して固相
反応させて第２の中間体を作製し、第１および第
２の中間体を混合して固相反応させることを特徴
とする。［作用］本発明の超電導体は新規の組成を有し、そのた
めに臨界温度は少なくとも開始温度で54K以上、
上部臨界磁界は少なくとも78T以上を得ることが
できる。超電導体の組成によつては、臨界温度は
開始温度で134K以上、上部臨界磁界は240T以上
を得ることができる。［実施例］以下、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。まず、本発明の超電導体の製造法について説明
する。製造法は共沈法、粉末法および中間体法に
分けられる。共沈法および粉末法においては、結
晶を焼結する際に酸素の含有量を調整する。製造法共沈法 (1) Ba_xY_2-xCuO_4-yの製造法 Ba，Ｙ，Cuが所定のモル比となるよう
に、それぞれの硝酸塩を定量して水に溶か
す。この硝酸塩の水溶液にシユウ酸を加えて
Ba，Ｙ，Cuの酸化物を共沈させた後、沈殿
物を乾燥させる。乾燥させた沈殿物を900℃前後で仮焼する。仮焼した沈殿物を粉末状に砕き、プレスで
成形した後、900℃前後で焼結する。この焼結体を、圧力0.01〜100000Torr（最
適圧力は組成に依存する）の酸素ガス中にお
いて、900℃前後で焼鈍する。 (2) （Sr_1-ZBa_z）_xLa_2-xCuO_4-yおよび（Sr_1-zCa_z）
_xLa_2-xCuO_4-yの製造法 Sr，Ba，La，CuまたはSr，Ca，La，Cu
が所定のモル比となるように、それぞれの硝
酸塩を定量して水に溶かす。この硝酸塩の水
溶液にシユウ酸を加えてSr，Ba，La，Cuの
酸化物またはSr，Ca，La，Cuの酸化物を共
沈させた後、沈殿物を乾燥させる。乾燥させた沈殿物を900℃前後で仮焼する。仮焼した沈殿物を粉末状に砕き、プレスで
成形した後、900℃前後で焼結する。この焼結体を、圧力0.05〜780Torrの酸素
ガス中において、900℃前後で焼鈍する。 (3) Sr_xLa_2-xCuO_4-yの製造法 Sr，La，Cuが所定のモル比となるよう
に、それぞれの硝酸塩を定量して水に溶か
す。この硝酸塩の水溶液にシユウ酸を加えて
Sr，La，Cuの酸化物を共沈させた後、沈殿
物を乾燥させる。乾燥させた沈殿物を900℃前後で仮焼する。仮焼した沈殿物を粉末状に砕き、プレスで
成形した後、900℃前後で焼結する。この焼結体を、圧力0.05〜50Torr（最適圧
力0.5Torr）の酸素ガス中において、850〜
900℃で焼鈍する。粉末法 (1) Ba_xY_2-xCuO_4-yの製造法 Ba，Ｙ，Cuが所定のモル比となるよう
に、それぞれの酸化物あるいは炭酸塩あるい
は硝酸塩粉末、または酸化物と炭酸塩粉末あ
るいは酸化物と硝酸塩粉末の混合を900℃前
後で仮焼する。仮焼きした混合物を粉末状に砕き、プレス
で成形した後、900℃前後で焼結する。この焼結体を、圧力0.01〜100000Torr（最
適圧力は組成に依存する）の酸素ガス中にお
いて、900℃前後で焼鈍する。 (2) （Sr_1-zBa_z）_xLa_2-xCuO_4-yおよび（Sr_1-zCa_z）
_xLa_2-xCuO_4-yの製造法 Sr，Ba，La，CuまたはSr，Ca，La，Cu
が所定のモル比となるように、それぞれの酸
化物あるいは炭酸塩粉末、または酸化物と炭
酸塩粉末の混合を900℃前後で仮焼する。仮焼きした混合物を粉末状に砕き、プレス
で成形した後、900℃前後で焼結する。この焼結体を、圧力0.05〜10⁴Torrの酸素
ス中において、900℃前後で焼鈍する。 (3) Sr_xLa_2-xCuO_4-yの製造法 Sr，La，Cuが所定のモル比となるよう
に、それぞれの酸化物あるいは炭酸塩粉末、
または酸化物と炭酸塩粉末の混合を900℃前
後で仮焼する。仮焼きした混合物を粉末状に砕き、プレス
で成形した後、900℃前後で焼結する。この焼結体を、圧力0.05〜10⁴Torr（最適圧
力1Torr）の酸素ガス中において、850〜900
℃で焼鈍する。中間体法 (1) Ba_xY_1-xCuO_3-yの製造法 BaおよびCuが所定のモル比となるよう
に、炭酸バリウム粉末および酸化銅粉末を混
合して、温度600〜900℃で、２〜３時間固相
反応させ、中間体を作製する。また、Ｙおよ
びCuが所定のモル比となるように、炭酸イ
ツトリウム粉末および酸化銅粉末を混合し
て、BaおよびCuの場合と同様に温度600〜
900℃で、２〜３時間固相反応させ、中間体
を作製する。これらの中間体を混合し、さらに固相反応
させる。反応温度および時間は中間体作製の
場合と同様である。上述の固相反応の際の化学反応式は、中間体の
場合はそれぞれ次のように示される。 BaCO₃＋CuO→BaCuO₂＋CO Y₂（CO₃）₃＋CuO→Y₂CuO₄＋3CO₂ これらの中間体の混合の固相反応の場合は次の
ように示される。２／3BaCuO₃＋１／6Y₂CuO₄＋１／6CuO→
Ba_2/3Y_1/3CuO_17/6 中間体法は、反応温度が低く、反応時間も短
く、また組成のコントロールが容易であるという
特徴を持つ。以上、超電導体製造の３つの方法について説明
したが、例としてあげた物質についてだけではな
く、本発明のすべての超電導体についてこれらの
製造方法が適用できる。次に、超電導体を薄膜状に加工する、スパツタ
薄膜作製法について述べる。スパツタ薄膜作製法 (1) Ba_xY_2-xCuO_4-yの薄膜作製法 Ba_xY_2-xCuO_4-yの、上述の共沈法、粉末法ま
たは中間体法で作製された焼結体をターゲツトと
して、アルゴンと酸素の混合ガス中でスパツタし
て薄膜を作製する。このときのアルゴンガス分圧
は0.01Torr前後、基板温度は800℃前後とする。 (2) （Sr_1-zBa_z）_xLa_2-xCuO_4-yおよび（Sr_1-zGa_z）
_xLa_2-xCuO_4-yの作製法（Sr_1-zBa_z）_xLa_2-xCuO_4-yまたは（Sr_1-zCa_z）_x
La_2-xCuO_4-yの、上述の共沈法、粉末法または中
間体法で作製された焼結体をターゲツトとして、
アルゴンと酸素の混合ガス中でスパツタして薄膜
を作製する。このときのアルゴンと酸素の混合ガ
ス圧は、0.01Torr前後、基板温度は800℃前後と
する。 (3) Sr_xLa_2-xCuO_4-yの作製法 Sr_xLa_2-xCuO_4-yの、上述の共沈法、粉末法ま
たは中間体法で作製された焼結体をターゲツトと
して、アルゴンと酸素の混合ガス中でスパツタし
て薄膜を作製する。このときの酸素ガス分圧は１
×10^-3〜1Torr（最適圧力0.01Torr）、基板温度は
500〜900℃（最適温度800℃）とする。以上は超電導体の製造方法の説明であるが、以
下に本発明の超電導体の特性について説明する。第１図は本発明の第１の実施例の超電導体の組
成と臨界温度との関係を示す図である。本図にお
いて横軸はBa_xY_2-xCuO_4-yのｘの値であり、縦
軸は臨界開始温度Tcである。ｘの値が変化して
も、臨界開始温度Tcはほぼｘ＝0.8で最高値134K
程度をとる。第２図は本発明の第１の実施例のBa_xY_2-x
CuO_4-y（ｘ＝１）のＸ線回折図である。ｘ＝１の
場合、BaYCuO_4-yとなるが、K₂NiF₄構造のＸ線
回折図と同じである。また、Ｘ線回折図の基本構
造はK₂NiF₄構造であり、ｘの値により斜方晶か
ら正方晶に変化する。本図において符号Ｏで示されたピークはOrtho
−Y₂CuO₄のピークである。符号Ｃで示されたピ
ークはCubic−Perovskiteのピークである。本図
において上方に描かれているのが焼鈍前のＸ線回
折図であり、下方に描かれているのが焼鈍後のＸ
線回折図である。第３図はBa_xY_2-xCuO_4-yの電気抵抗の温度に
よる変化を示す図である。本図において、●でプ
ロツトされた曲線はBa_1.0Y_1.0CuO_4-y（ｘ＝1.0）
についての測定値である。■および○でプロツト
された曲線はBa_0.8Y_1.2CuO_4-y（ｘ＝0.8）および
Ba_0.6Y_1.4CuO_4-y（ｘ＝0.6）についての測定値の
一例である。 Tcは臨界温度の開始点を示す。超電導体のこ
こでいう臨界温度とは臨界温度の開始点Tcのこ
とである。Ba_1.0Y_1.0CuO_4-yの臨界温度は215Kで
あり、Ba_0.8Y_1.2CuO_4-yは134K、Ba_0.6Y_1.4CuO_4-y
は120Kである。第４図は各種超電導体の上部臨界磁場の温度依
存性を示す図である。本図において実線で示され
た曲線はBa_xY_2-xCuO_4-yにおいてｘ＝0.8、すな
わちBa_0.8Y_1.2CuO_4-yの関係図である。本図において、Ba_xY_2-xCuO_4-y以外の超電導
体は従来の超電導体である。これらと比較すると
本発明の上部臨界磁場が高く、しかも液体ヘリウ
ム温度をこえる温度でも高い磁界磁場が保たれて
いることがわかる。第５図は本発明の第２の実施例の超電導体の組
成と臨界温度との関係を示す図である。本図にお
いて横軸はBa_xY_1-xCuO_3-yの値であり、縦軸は
臨界温度Tcである。ｘの値が変化しても、臨界
温度Tcはほぼｘ＝２／３で最高値125K程度をと
る。第６図は本発明の第２の実施例のBa_xY_1-x
CuO_3-y（ｘ＝２／３）のＸ線回折図である。ｘ＝
２／３の場合、Ba_2/3Y_1/3CuO_3-yとなるが、酸素
欠損型ペロブスカイトBa₃La₃Cu₆O_14+y構造のＸ
線回折図と同じである。また、ｘの値により斜方
晶から正方晶に変化する。第７図はBa_xY_1-xCuO_3-yの電気抵抗の温度に
よる変化を示す図である。本図において、●でプ
ロツトされた曲線はBa_0.5Y_0.5CuO_3-y（ｘ＝0.5）
についての測定値である。■および○でプロツト
された曲線はBa_2/3Y_1/3CuO_3-y（ｘ＝２／３）およ
びBa_0.6Y_0.4CuO_3-y（ｘ＝0.6）についての測定値
の一例である。 Tcは臨界温度の開始点を示す。超電導体のこ
こでいう臨界温度とは臨界温度の開始点Tcのこ
とである。Ba_0.5Y_0.5CuO_3-yの臨界温度は120Kで
あり、Ba_2/3Y_1/3CuO_3-yは125K、Ba_0.6Y_0.4CuO_3-y
は123Kである。第８図は各種超電導体の上部臨界磁場の温度依
存性を示す図である。本図において実線で示され
た曲線はBa_xY_1-xCuO_3-yにおいてｘ＝２／３、
すなわちBa_2/3Y_1/3CuO_3-yの関係図である。本図において、Ba_xY_1-xCuO_3-y以外の超電導
体は従来の超電導体である。これらと比較すると
本発明の上部臨界磁場が高く、しかも液体ヘリウ
ム温度をこえる温度でも高い磁界磁場が保たれて
いることがわかる。第９図および第１０図は、それぞれ本発明の第
３の実施例の超電導体の組成と臨界温度との関係
を示す図である。第９図において横軸は（Sr_1-z
Ba_z）_xLa_2-xCuO_4-yのｚの値であり、縦軸は臨界
温度Tcである。第１０図において横軸は（Sr_1-z
Ca_z）_xLa_2-xCuO_4-yのｚの値であり、縦軸は臨界
温度Tcである。それぞれの場合においても、ｚ
の値が変化すると、臨界温度Tcは54Kから35Kお
よび54Kから18Kに変化する。第１１図は（Sr_1-zBa_z）_xLa_2-xCuO_4-yの電気抵
抗の温度による変化を示す図である。本図におい
て、■でプロツトされた曲線はSr_1.0La_1.0CuO_4-y
（ｘ＝1.0，ｚ＝0.0）についての測定値の一例で
ある。○でプロツトされた曲線はSr_0.9Ba_0.1La_1.0
CuO_4-y（ｘ＝1.0，ｚ＝0.1）についての測定値の
一例である。●でプロツトされた曲線はSr_0.8
Ba_0.2La_1.0CuO_4-y（ｘ＝1.0，ｚ＝0.2）についての
測定値の一例である。第１２図は（Sr_1-zCa_z）_xLa_2-xCu_4-yの電気抵抗
の温度による変化を示す図である。本図において
■でプロツトされた曲線は第１１図と同様であ
る。○，■でプロツトされた曲線は、第１１図に
示す同記号を付した曲線のBaをCaに置き換えた
物質についての測定値の一例である。第１１図および第１２図において、Tcは臨界
温度の開始点、T_CMは臨界温度の中間点、Tceは
臨界温度の終了点を示す。Sr_1.0La_1.0CuO_4-yの臨
界温度は54.0Kである。Sr_0.9Ba_0.1La_1.0CuO_4-yお
よびSr_0.9Ca_0.1La_1.0CuO_4-yの臨界温度はそれぞれ
53.0K，52.5Kである。また、Sr_0.8Ca_0.2La_1.0
CuO_4-yおよびSr_0.8Ca_0.2La_1.0CuO_4-yの臨界温度は
それぞれ52.0K，50.0Kである。第１３図および第１４図は、それぞれ各種超電
導体の上部臨界磁場の温度依存性を示す図であ
る。第１３図および第１４図において実線、破線、
一点鎖線で示された曲線は、それぞれ、（Sr_1-z
Ba_z）_xLa_2-xCuO_4-yおよび（Sr_1-zCa_z）_xLa_2-x
CuO_4-yにおいてｘ＝1.0，ｚ＝0.0すなわちSr_1.0
La_1.0CuO_4-yの関係図である。また、二点鎖線お
よび三点鎖線で示された曲線はｘ＝1.0 ｚ＝0.2
すなわち第１３図においてはSr_0.8Ba_0.2La_1.0
CuO_4-yの、第１４図においてはSr_0.8Ca_0.2La_1.0
CuO_4-yの上部臨界磁場と温度との関係を示して
いる。このときのｙの値は、どちらの場合もｙ＝
0.8〜1.2である。第１３図および第１４図において、（Sr_1-zBa_z）
_xLa_2-xCuO_4-yおよび（Sr_1-zCa_z）_xLa_2-xCuO_4-y以
外の超電導体は従来の超電導体である。これらと
比較すると本発明の超電導体は、上部臨界磁場が
114Tから130Tと高く、しかも液体水素温度をこ
える温度でも高い磁界磁場が保たれていることが
わかる。以上は（Sr_1-zBa_z）_xLa_2-xCuO_4-yおよび（Sr_1-z
Ca_z）_xLa_2-xCuO_4-yにおける実施例についての説
明であるが、（Sr_1-zBa_z）_xLa_1-xCuO_3-yおよび
（Sr_1-zCa_z）_xLa_1-xCuO_3-yについても同様の効果を
得ることはいうまでもない。第１５図は本発明の第４の実施例の超電導体の
組成と臨界温度との関係を示す図である、本図に
おいて横軸はSr_xLa_2-xCuO_4-yのｘの値であり、
縦軸は臨界温度Tcである。ｘの値が変化しても、
臨界温度Tcはほぼ54Kで安定している。第１６図は本発明の第４のSr_xLa_2-xCuO_4-y（ｘ
＝１）のＸ線回折図である。ｘ＝１の場合、
SrLaCuO_4-yとなるが、SrとLaのイオン半径はほ
ぼ等しいのでLa₂CuO_4-yのＸ線回折図と同じであ
る。また、Ｘ線回折図の基本構造はK₂NiF₄構造
なので、ｙがいかなる値をとつてもＸ線回折図は
基本的に変化しない。本図において符号Ｏで示されたピークはOrtho
−La₂CuO₄のピークである。符号Ｃで示されたピ
ークはCubic−Perovskiteのピークである。本図
において上方に描かれているのが焼鈍前のＸ線回
折図であり、下方に描かれているのが焼鈍後のＸ
線回折図である。焼鈍前には物質中に含まれてい
たCubic−Perovskiteが焼鈍後にはなくなつて、
ほぼ完全なOrtho−La₂CuO_4-yの焼結体が作製さ
れたことがわかる。第１７図はSr_xLa_2-xCuO_4-yの電気抵抗の温度
による変化を示す図である。本図において、●で
プロツトされた曲線はSr_1.0La_1.0CuO_4-y（ｘ＝１）
についての測定値である。■および○でプロツト
された曲線はSr_0.8La_1.2CuO_4-y（ｘ＝0.8）につい
ての測定値の一例であり、２つの曲線の差異は試
料によるばらつきを表わすものである。 Tcは臨界温度の開始点、T_CMは臨界温度の中
間点、Tceは臨界温度の終了点を示す。Sr_1.0La_1.0
CuO_4-yの臨界温度は54.0Kであり、Sr_0.8La_1.2
CuO_4-yは２つの試料についてそれぞれ42.3Kと
42.0Kである。第１８図は各種超電導体の上部臨界磁場の温度
依存性を示す図である。本図において実線で示さ
れた曲線はSr_xLa_2-xCuO_4-yにおいてｘ＝0.8すな
わちSr_0.8La_1.2CuO_4-yの関係図である。また、破
線で示された曲線はｘ＝1.0すなわちSr_1.0La_1.0
CuO_4-yの上部臨界磁場と温度の関係を示してい
る。一点鎖線で示された曲線はｘ＝0.8すなわち
Sr_0.8La_1.2CuO_4-yの焼鈍温度を変えた場合の上部
臨界磁界と温度の関係を示している。このときの
ｙの値は、どちらの場合もｙ＝0.8〜1.2である。本図において、Sr_xLa_2-xCuO_4-y以外の超電導
体は従来の超電導体である。これらと比較すると
本発明の上部臨界磁場が高く、しかも液体ヘリウ
ム温度をこえる温度でも高い磁界磁場が保たれて
いることがわかる。以上はSr_xLa_2-xCuO_4-yにおける実施例につい
ての説明であるが、Sr_xLa_1-xCuO_3-yについても
同様の効果を得ることはいうまでもない。第１９図は本発明の中間体法で作製したBa_x
Y_1-xCuO_3-y（ｘ＝0.6）のｘ線回折図である。本
図において符号Ｄで示されたピークは酸素欠損ペ
ロブスカイトのピークである。中間体法は、反応温度が低く、また反応時間も
短いことが利点である。また、組成のコントロー
ルも容易にできるので目的とする物質を確実に得
ることができる。さらに、イオンサイズの影響を
受けにくいので、目的物質を確実に得ることがで
きる。以上はBa_xY_1-xCuO_3-yにおける実施例につい
ての説明であるが、Ba_xY_2-xCuO_4-yについても
同様の効果を得ることはいうまでもない。以上の実施例においては、第Ａ族元素として
Ca，Sr，Baを、第族元素としてLa，Sc，Ｙを
用いた酸化物を示した。しかし本発明は第Ａ族
元素、第族元素と銅を含む酸化物超電導体に広
く適用することができる。ただし、Raは放射性
元素であるために利用する可能性がほとんどない
ので適用範囲から除いた。また、アクチノイド元
素は放射性元素であるために除いた。［発明の効果］以上説明したように、本発明の超電導体では、
従来の超電導体においては不可能であつた臨界温
度が少なくとも54K以上、組成によつては134K
以上、上部臨界磁界が少なくとも78T以上、組成
によつては240T以上が実現できる。このことに
より、従来は不可能であつた液体水素あるいは液
体窒素冷却による超電導機器の利用も可能とな
る。