JPH01208319A - 酸化物超伝導材料 - Google Patents
酸化物超伝導材料Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高い臨界電流、高い臨界磁場、および高い超
伝導転移温度を有する酸化物超伝導材料に関するもので
ある。
伝導転移温度を有する酸化物超伝導材料に関するもので
ある。
［従来の技術］
１９８７年ヒユーストン大学のＷｕとＣｈｕによりＹ、
２Ｂａ、８ＣｕＯδの組成で９３ＫからｘＯにの間で超
伝導へ転移する酸化物超伝導が報告された。しかしなが
ら、これらの組成は、超伝導を示す相の他に超伝導を示
さない相が混在していた。続いて、Ｂｅ１１研究所のＣ
ａｖａらは、超伝導はＹ：Ｂａ：Ｃｕ−１：２：３の組
成を有するＹＢａ２Ｃｕ、Ｏδ（δ＝ ６ｘＣｕ３−ｘ
Ｏ−７ｘＣｕ３−ｘＯ）であり、結晶構造は、斜方晶系
に属する酸素欠損ペロブスカイト構造であることを明ら
かにした。これとほぼ同時にＹをランタン系列の元素Ｌ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ。
２Ｂａ、８ＣｕＯδの組成で９３ＫからｘＯにの間で超
伝導へ転移する酸化物超伝導が報告された。しかしなが
ら、これらの組成は、超伝導を示す相の他に超伝導を示
さない相が混在していた。続いて、Ｂｅ１１研究所のＣ
ａｖａらは、超伝導はＹ：Ｂａ：Ｃｕ−１：２：３の組
成を有するＹＢａ２Ｃｕ、Ｏδ（δ＝ ６ｘＣｕ３−ｘ
Ｏ−７ｘＣｕ３−ｘＯ）であり、結晶構造は、斜方晶系
に属する酸素欠損ペロブスカイト構造であることを明ら
かにした。これとほぼ同時にＹをランタン系列の元素Ｌ
ａ、Ｎｄ、Ｓｍ。
Ｅｕ、Ｇｄ、 Ｄｙ、Ｈａ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕで
置換したＬｅａ２（：ｕ３０５（Ｌは、前述ランタン系
元素）でも、ｘＯ１４−９０にの超伝導転移温度を有す
ることが報告された。
置換したＬｅａ２（：ｕ３０５（Ｌは、前述ランタン系
元素）でも、ｘＯ１４−９０にの超伝導転移温度を有す
ることが報告された。
［発明が解決しようとする課題］
ＹＢａ２Ｃｕ３０δの単結晶、および単結晶薄膜が作製
さね高い臨界磁場や高い臨界電流を有することが示され
た。しかし、ＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結体を用いた測定
では、超伝導転移温度は高いが、ゼロ磁場中およびｔｉ
ｎ場中での臨界磁場を測定すると単結晶で測定された値
に比べ１〜２桁程度小さく、応用上重要な問題であるこ
とが明かとなった。
さね高い臨界磁場や高い臨界電流を有することが示され
た。しかし、ＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結体を用いた測定
では、超伝導転移温度は高いが、ゼロ磁場中およびｔｉ
ｎ場中での臨界磁場を測定すると単結晶で測定された値
に比べ１〜２桁程度小さく、応用上重要な問題であるこ
とが明かとなった。
ＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結体で臨界電流、臨界磁場が小
さいことの主たる原因は、ＹＢａ２Ｃｕ３０δの粒界に
存在する絶縁層であることが分かってきた。
さいことの主たる原因は、ＹＢａ２Ｃｕ３０δの粒界に
存在する絶縁層であることが分かってきた。
ＹＢａ２Ｃｕ３δは木質的に不安定で粒界においてＹＢ
ａ２Ｃｕ３０ δ−＊ ＹＢａＣｕＯδ＋ＢａＣｕＯ２
＋ＣｕＯと分解して絶縁層が生成する。
ａ２Ｃｕ３０ δ−＊ ＹＢａＣｕＯδ＋ＢａＣｕＯ２
＋ＣｕＯと分解して絶縁層が生成する。
このように、ＹＢａ２Ｃｕ３０δで臨界電流、臨界磁場
が小さいことは材料特性そのものに機差したものであり
、これを改善するのは粒界が存在する以上、困難な状況
であった。
が小さいことは材料特性そのものに機差したものであり
、これを改善するのは粒界が存在する以上、困難な状況
であった。
本発明は、これまでの高温超伝導体の低い臨界Ｍ、流、
臨界磁場特性を解決した単一相の高い臨界磁場、臨界磁
場を有する酸化物高温超伝導体を提供しようとするもの
であり、具体的にはＬａ−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物において
ＢａＣｕＯ２が粒界に析出しない組成領域を明確にし、
高い臨界電流、高い臨界磁場が得られる酸化物超伝導体
を得ることを目的とする。
臨界磁場特性を解決した単一相の高い臨界磁場、臨界磁
場を有する酸化物高温超伝導体を提供しようとするもの
であり、具体的にはＬａ−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物において
ＢａＣｕＯ２が粒界に析出しない組成領域を明確にし、
高い臨界電流、高い臨界磁場が得られる酸化物超伝導体
を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
このような目的を達成するために、本発明は、ランタン
（Ｌａ） 、バリウム（Ｂａ）、銅（Ｃｕ）を含み、組
成式１、ａ、Ｂａ、、（：ｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδで表
される酸化物において、０．９５≦ｙ≦１ｘＣｕ３−ｘ
Ｏ５，０．２≦ｘ≦０．４，６．５≦δ≦７．１の組成
からなることを特徴とする。
（Ｌａ） 、バリウム（Ｂａ）、銅（Ｃｕ）を含み、組
成式１、ａ、Ｂａ、、（：ｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδで表
される酸化物において、０．９５≦ｙ≦１ｘＣｕ３−ｘ
Ｏ５，０．２≦ｘ≦０．４，６．５≦δ≦７．１の組成
からなることを特徴とする。
本発明はサマリウム（Ｓｍ） 、バリウム（Ｂａ）、銅
（Ｃｕ）を含み、組成式ＳｍｙＢａ２−．［：ｕ、−Ｘ
Ｏδで表される酸化物において、０．９５≦ｙ≦１ｘＣ
ｕ３−ｘＯ５，０．２≦ｘ≦０．５゜６．５≦δ≦７．
１の組成からなることを特徴とする。
（Ｃｕ）を含み、組成式ＳｍｙＢａ２−．［：ｕ、−Ｘ
Ｏδで表される酸化物において、０．９５≦ｙ≦１ｘＣ
ｕ３−ｘＯ５，０．２≦ｘ≦０．５゜６．５≦δ≦７．
１の組成からなることを特徴とする。
本発明はユーロピウム（Ｅｕ） 、バリウム（Ｄａ）
、銅（Ｃｕ）を含み、組成式ＥｕｙＢａ２−、虐」３−
ｘＣｕ３−ｘＯδで表される酸化物において、０．９５
≦ｙ≦１ｘＣｕ３−ｘＯ５，０．２≦ｘ≦０．５゜６．
５≦６≦７，１の組成からなることを特徴とする。
、銅（Ｃｕ）を含み、組成式ＥｕｙＢａ２−、虐」３−
ｘＣｕ３−ｘＯδで表される酸化物において、０．９５
≦ｙ≦１ｘＣｕ３−ｘＯ５，０．２≦ｘ≦０．５゜６．
５≦６≦７，１の組成からなることを特徴とする。
さらに本発明はガドリニウム（Ｇｄ） 、バリウム（Ｂ
ａ） 、銅（Ｃｕ）を含み、組成式Ｇｄｙ［１ａ２−ｘ
（：１１３−ｘＯδで表される酸化物において、０．９
５≦ｙ≦１ｘＣｕ３−ｘＯ５，０．２≦ｘ≦０．５．６
．５≦６≦７．１の組成からなることを特徴とする。
ａ） 、銅（Ｃｕ）を含み、組成式Ｇｄｙ［１ａ２−ｘ
（：１１３−ｘＯδで表される酸化物において、０．９
５≦ｙ≦１ｘＣｕ３−ｘＯ５，０．２≦ｘ≦０．５．６
．５≦６≦７．１の組成からなることを特徴とする。
これら４種の酸化物において、δはＸおよびｙの選択に
よって決まる値である。
よって決まる値である。
〔作 用］
ＬａＢａ２Ｃｕ３０δ、 ＳｍＢａ２ＣＬＩ３０δ、
ＥｕＢａ２Ｃｕ３０δ、およびＧｄＢａ２（：ｕ３０δ
はＹＢａ２（：ｕ３０δと異なり、組成範囲の広い固溶
体を形成する。このために、上記の各酸化物は、粒界に
おいて、それぞれ次のような反応を起こして分解する。
ＥｕＢａ２Ｃｕ３０δ、およびＧｄＢａ２（：ｕ３０δ
はＹＢａ２（：ｕ３０δと異なり、組成範囲の広い固溶
体を形成する。このために、上記の各酸化物は、粒界に
おいて、それぞれ次のような反応を起こして分解する。
ＬａＢａ２Ｃｕ３０δ−ＬａＢａ２−ｘｃｕ３−ｘＯδ
＋ｘＢａ２Ｃｕｂ２ＳｍＢａ２（：ｕ３０δ＝ ＳｍＢ
ａ２−ｙｃｕ３−ｘＯδ＋ｘＢａ２ＣｕＯ２ＥｕＢａ２
Ｃｕ３０δ−ＥｕＢａ２−ｘ（：ｕ３−ｘｏδ＋ｘＢａ
２ＣｕＯ２ＧｄＢａ２Ｃｕ３０δ→ ＧｄＢａ２−、Ｃ
ｕ３−Ｘｏδ＋ｘＢａ２Ｃｕ０２この結果から明かなよ
うに、これらの酸化物はＢａＣｕＯ，を分離して、より
安定なＬａＢａ２−、Ｃｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδを形成
する。このため、 ＬａＢａ２−ｘｃｕ３−ｘＯδ。
＋ｘＢａ２Ｃｕｂ２ＳｍＢａ２（：ｕ３０δ＝ ＳｍＢ
ａ２−ｙｃｕ３−ｘＯδ＋ｘＢａ２ＣｕＯ２ＥｕＢａ２
Ｃｕ３０δ−ＥｕＢａ２−ｘ（：ｕ３−ｘｏδ＋ｘＢａ
２ＣｕＯ２ＧｄＢａ２Ｃｕ３０δ→ ＧｄＢａ２−、Ｃ
ｕ３−Ｘｏδ＋ｘＢａ２Ｃｕ０２この結果から明かなよ
うに、これらの酸化物はＢａＣｕＯ，を分離して、より
安定なＬａＢａ２−、Ｃｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδを形成
する。このため、 ＬａＢａ２−ｘｃｕ３−ｘＯδ。
ＳｍＢａ２−、Ｃｕ、−，０δ、ＥｕＢａ２−、Ｃｕ３
−ｘＣｕ３−ｘＯδまたはＧｄＢａ２−、Ｃｕ３−ｘＣ
ｕ３−ｘＯδを作製すれば、ＢａＣｕＯ２が分離しない
酸化物超伝導が得られる。
−ｘＣｕ３−ｘＯδまたはＧｄＢａ２−、Ｃｕ３−ｘＣ
ｕ３−ｘＯδを作製すれば、ＢａＣｕＯ２が分離しない
酸化物超伝導が得られる。
［実施例］
以下に実施例によって本発明の詳細な説明する。
実３１ （Ｗｉ上
表１にＬａＢａ、ｘＣｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδ系酸化物
超伝導体でｘ＝Ｏ〜０．７０までの試料の臨界温度およ
び臨界電流を示す。試料は９５０℃の温度で１２時間、
酸素雰囲気中で仮焼きを行った後、３トン／ｃｍ２の圧
力で圧粉成形し、再度、 ９５０℃、１２時間、酸素雰
囲気中で本焼結したものである。Ｘの増加と共に臨界温
度は少し低下するが液体窒素温度（７７に）における臨
界電流はＸ≧０．２で大幅に改善されることがわかる。
超伝導体でｘ＝Ｏ〜０．７０までの試料の臨界温度およ
び臨界電流を示す。試料は９５０℃の温度で１２時間、
酸素雰囲気中で仮焼きを行った後、３トン／ｃｍ２の圧
力で圧粉成形し、再度、 ９５０℃、１２時間、酸素雰
囲気中で本焼結したものである。Ｘの増加と共に臨界温
度は少し低下するが液体窒素温度（７７に）における臨
界電流はＸ≧０．２で大幅に改善されることがわかる。
これはＸ≧０．２で粒界において、Ｂａ（：ｕ０２の析
出が抑制されたことによる。このことは、第１図に示す
ようにＸ線解析の結果からも確認できる。Ｘの増加と共
に、矢印で示すＢａ（：ｕ０２のピークが減少しＸ≧０
．２で消えてしまうことが分かる。
出が抑制されたことによる。このことは、第１図に示す
ようにＸ線解析の結果からも確認できる。Ｘの増加と共
に、矢印で示すＢａ（：ｕ０２のピークが減少しＸ≧０
．２で消えてしまうことが分かる。
また、 ＬａＢａ２−ｘｃｕ３−ｘｏ ５が０≦ｘ≦０
．７の組成範囲で単相で存在していることも確認できる
。Ｘ〉０．４以上では臨界温度が液体窒素温度以下に低
下するため高温超伝導体としての利点が損なわれる。ま
た、Ｌａは原子比で０．９５〜１ｘＣｕ３−ｘＯ５でな
いと酸素欠損ペロブスカイト相以外の相が出現し、臨界
温度および臨界電流が低下する。この様子は表１に併せ
て示した。
．７の組成範囲で単相で存在していることも確認できる
。Ｘ〉０．４以上では臨界温度が液体窒素温度以下に低
下するため高温超伝導体としての利点が損なわれる。ま
た、Ｌａは原子比で０．９５〜１ｘＣｕ３−ｘＯ５でな
いと酸素欠損ペロブスカイト相以外の相が出現し、臨界
温度および臨界電流が低下する。この様子は表１に併せ
て示した。
以上の結果からあぎらかのように、従来のＹＢａ２（：
ｕ３０δの焼結体に比べ、大きい臨界電流が得られる。
ｕ３０δの焼結体に比べ、大きい臨界電流が得られる。
実施例２
ＬａＢａａ−ｘｃｕ、−、ｏ ５において、ｘ＝０〜０
．５の組成の試料について磁場を与えない状態と１テス
ラの磁場を与えた状態における温度に対する電気抵抗の
変化を第２図に示す。比較のために、ＹＢａ２Ｃｕ３０
δに対する測定結果も併せて示す。ここで、縦軸は電気
抵抗、横軸は絶対温度である。
．５の組成の試料について磁場を与えない状態と１テス
ラの磁場を与えた状態における温度に対する電気抵抗の
変化を第２図に示す。比較のために、ＹＢａ２Ｃｕ３０
δに対する測定結果も併せて示す。ここで、縦軸は電気
抵抗、横軸は絶対温度である。
ｘ ＝ ０ｘＣｕ３−ｘＯ．１の試料およびＹＢａ２Ｃ
ｕ３０δは粒界にＢａＣｕＯ２が析出しており、電流の
伝導バスの面積が小さく容易に磁場が侵入できる。この
ため磁場により簡単に超伝導パスが破壊される。この結
果、第２図に見られるように１テスラの磁場により６０
に付近まで超伝導を示さない。これに対し、ｘ ＝ ０
．２〜０．５の試料はＢａＣｕＯ２の析出がないため、
１テスラの磁場が与えられても超伝導の転移点が数に低
下するだけでそれほど大きな影習を受けない。以上の結
果から明かのように、従来のＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結
体に比べ、磁場に対して臨界温度が低下しない。
ｕ３０δは粒界にＢａＣｕＯ２が析出しており、電流の
伝導バスの面積が小さく容易に磁場が侵入できる。この
ため磁場により簡単に超伝導パスが破壊される。この結
果、第２図に見られるように１テスラの磁場により６０
に付近まで超伝導を示さない。これに対し、ｘ ＝ ０
．２〜０．５の試料はＢａＣｕＯ２の析出がないため、
１テスラの磁場が与えられても超伝導の転移点が数に低
下するだけでそれほど大きな影習を受けない。以上の結
果から明かのように、従来のＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結
体に比べ、磁場に対して臨界温度が低下しない。
表 １
ＬａＢａ２−ＸＣＬＩ３−ＸＯδの臨界温度および臨界
電流Ｘ値 組 成 臨界温度 臨界電流（に）
（Ａ／ｃｍ２） ０、ＯＬａＢａ２Ｃｕ３０ Ｂ ９０
４３１０、Ｉ ＬａＢａ＋９Ｃｕ２９０δ ８９
４３００．２ Ｌａｕａｎ、、Ｃｕ２，６０δ
８７ ２０３００．３ ＬａＢａ＋、Ｃｕ２７
０δ ８３ ４２０００．４ ＬａＢａ１，６
［：ｕ２，６０δ” ｘＯ ３５０００．５
ＬａＢａ１． ｓＣｕ、 ５０ δ７５０．６ Ｌ
ａＢａ１４Ｃｕ２．ａＯδ ７００．７ ＬａＢａ１
３Ｃｕ２３０δ ６０Ｌａｏ９５Ｂａ２Ｃｕ、０δ ８
２ １１００Ｌａｏ、ｇ Ｂａ２Ｃｕ、０δ ７
２ Ｌａ、 ｏ５Ｂａ２Ｃｕ３０δ ８５ １１２０
ＬａＩ、 １ Ｂａ２Ｃｕ３０δ ７５実施例３ 表２に ＳｍＢａ２−ＸＣｕ３−ｘＯδ系酸化物超伝導
体でｘ＝Ｏ〜０．７０までの試料の臨界温度および臨界
電流を示す。試料は９５０℃の温度で１２時間、酸素雰
囲気中で仮焼きを行った後、３トン／ｃｍ２の圧力で圧
粉成形し、再度、９５０℃、１２時間、酸素雰囲気中で
本焼結したものである。Ｘの増加と共に臨界温度は少し
低下するが液体窒素温度（７７Ｋ）における臨界電流は
Ｘ≧０．２で大幅に改善されることがわかる。これはＸ
≧０．２で粒界において、ＢａＣｕＯ２の析出が抑制さ
れたことによる。このことは、第３図に示すようにＸ線
解析の結果からも確認できる。Ｘの増加と共に、矢印で
示すＢａＣｕＯ２のピークが減少しｘ＞０．２で消えて
しまうことが分かる。
電流Ｘ値 組 成 臨界温度 臨界電流（に）
（Ａ／ｃｍ２） ０、ＯＬａＢａ２Ｃｕ３０ Ｂ ９０
４３１０、Ｉ ＬａＢａ＋９Ｃｕ２９０δ ８９
４３００．２ Ｌａｕａｎ、、Ｃｕ２，６０δ
８７ ２０３００．３ ＬａＢａ＋、Ｃｕ２７
０δ ８３ ４２０００．４ ＬａＢａ１，６
［：ｕ２，６０δ” ｘＯ ３５０００．５
ＬａＢａ１． ｓＣｕ、 ５０ δ７５０．６ Ｌ
ａＢａ１４Ｃｕ２．ａＯδ ７００．７ ＬａＢａ１
３Ｃｕ２３０δ ６０Ｌａｏ９５Ｂａ２Ｃｕ、０δ ８
２ １１００Ｌａｏ、ｇ Ｂａ２Ｃｕ、０δ ７
２ Ｌａ、 ｏ５Ｂａ２Ｃｕ３０δ ８５ １１２０
ＬａＩ、 １ Ｂａ２Ｃｕ３０δ ７５実施例３ 表２に ＳｍＢａ２−ＸＣｕ３−ｘＯδ系酸化物超伝導
体でｘ＝Ｏ〜０．７０までの試料の臨界温度および臨界
電流を示す。試料は９５０℃の温度で１２時間、酸素雰
囲気中で仮焼きを行った後、３トン／ｃｍ２の圧力で圧
粉成形し、再度、９５０℃、１２時間、酸素雰囲気中で
本焼結したものである。Ｘの増加と共に臨界温度は少し
低下するが液体窒素温度（７７Ｋ）における臨界電流は
Ｘ≧０．２で大幅に改善されることがわかる。これはＸ
≧０．２で粒界において、ＢａＣｕＯ２の析出が抑制さ
れたことによる。このことは、第３図に示すようにＸ線
解析の結果からも確認できる。Ｘの増加と共に、矢印で
示すＢａＣｕＯ２のピークが減少しｘ＞０．２で消えて
しまうことが分かる。
また、ＳｍＢａ２−ＸＣｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδがＯ≦
ｘ≦０．７の組成範囲で単相で存在していることも確認
できる。Ｘ＞０．５以上では臨界温度が液体窒素温度以
下に低下するため高温超伝導体としての利点が損なわれ
る。また、Ｓｍは原子比で０．９５〜１ｘＣｕ３−ｘＯ
５でないと酸素欠損ペロブスカイト相以外の相が出現し
、臨界温度および臨界電流が低下する。この様子は表２
に併せて示した。
ｘ≦０．７の組成範囲で単相で存在していることも確認
できる。Ｘ＞０．５以上では臨界温度が液体窒素温度以
下に低下するため高温超伝導体としての利点が損なわれ
る。また、Ｓｍは原子比で０．９５〜１ｘＣｕ３−ｘＯ
５でないと酸素欠損ペロブスカイト相以外の相が出現し
、臨界温度および臨界電流が低下する。この様子は表２
に併せて示した。
以上の結果からあきらかのように、従来のＹＢａ２Ｃｕ
３．ＯＯδの焼結体に比べ、大ぎい臨界電流が得られる
。
３．ＯＯδの焼結体に比べ、大ぎい臨界電流が得られる
。
実施例４
ＳｒＱＢａ２−ＸＣｕ３−ＸＯδにおいて、ｘ＝ｏ〜０
．５の組成の試料について磁場を与えない状態と１テス
ラの磁場を与えた状態における温度に対する電気抵抗の
変化を第４図に示す。比較のために、ＹＢａ２Ｃ：ｕ３
０δに対する測定結果も併せて示す。ここで、縦軸は電
気抵抗、横軸は絶対温度である。
．５の組成の試料について磁場を与えない状態と１テス
ラの磁場を与えた状態における温度に対する電気抵抗の
変化を第４図に示す。比較のために、ＹＢａ２Ｃ：ｕ３
０δに対する測定結果も併せて示す。ここで、縦軸は電
気抵抗、横軸は絶対温度である。
ｘ ＝ ０ｘＣｕ３−ｘＯ．１の試料およびＹＢａ２Ｃ
ｕ、０δは粒界にＢａＣｕＯ２が析出しており、電流の
伝導バスの面積が小さく容易に磁場が侵入できる。この
ため磁場により簡単に超伝導バスが破壊される。この結
果、第４図に見られるように１テスラの磁場により６０
に付近まで超伝導を示さない。これに対し、ｘ ＝ ０
．２〜０．５の試料はＢａＣｕＯ２の析出がないため、
１テスラの磁場が与えられても超伝導の転移点が数に低
下するだけでそれほど大きな影テを受けない。以上の結
果から明かのように、従来のＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結
体に比べ、磁場に対して臨界温度が低下しない。
ｕ、０δは粒界にＢａＣｕＯ２が析出しており、電流の
伝導バスの面積が小さく容易に磁場が侵入できる。この
ため磁場により簡単に超伝導バスが破壊される。この結
果、第４図に見られるように１テスラの磁場により６０
に付近まで超伝導を示さない。これに対し、ｘ ＝ ０
．２〜０．５の試料はＢａＣｕＯ２の析出がないため、
１テスラの磁場が与えられても超伝導の転移点が数に低
下するだけでそれほど大きな影テを受けない。以上の結
果から明かのように、従来のＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結
体に比べ、磁場に対して臨界温度が低下しない。
表 ２
５ｍＢａ２−ＸＣｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδの臨界温度お
よび臨界電流Ｘ値 組 成 臨界温度 臨界電
流（に） （Ａ／ＣＱＩ２）０、ＯＳｍＢａ２Ｃ
ｕ、０ δ９３ ６２１０、Ｉ Ｓｎ＋Ｂａ
＋、 ｇＣｕ２． ｇｏ δ９１ ７５１０．
２ ＳｍＢａ、、、Ｃｕ２，６０δ ８９
４８３００．３ ＳｍＢａ、、、Ｃｕ２．、Ｏδ
８７ １１３０００．４ ＳｍＢａ１，６Ｇ
ｕ２，６０δ ８４ １０２０００．５ Ｓ
ｎ＋Ｂａｌ、５Ｃｕ２，５０δ ７８ ２１
０００．６ ＳｍＢａ１４ｃｕ２４０δ ６９０．
７ ＳｍＢａ１３ｃｕ２３０δ ６０δｍｏ９ｓＢ
ａ２ｃＵ３０δ ８１ １１２０Ｓｍｏ９Ｂ
ａ２［：ｕ３０δ ７１ ５ｍ＋、 ｏｓＢａ２ｃｕ３０δ ８４ ２
１１０Ｓｍｌ、 Ｉ Ｂａ２Ｃｕ３０δ ７３実施例
５ 表３にＥｕＢａ、、Ｃｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδ系酸化物
超伝導体でＸ＝０〜０．７０までの試料の臨界温度およ
び臨界電流を示す。試料は９５０℃の温度で１２時間、
酸素７囲気中で仮焼きを行った後、３トン／ｃｍ２の圧
力で圧粉成形し、再度、 ９５０℃、１２時間、酸素；
囲気中て本焼結したものである。Ｘの増加と共に臨界温
度は少し低下するが液体窒素温度（７７Ｋ）における臨
界電流はｘ＞０．２で大幅に改善されることがわかる。
よび臨界電流Ｘ値 組 成 臨界温度 臨界電
流（に） （Ａ／ＣＱＩ２）０、ＯＳｍＢａ２Ｃ
ｕ、０ δ９３ ６２１０、Ｉ Ｓｎ＋Ｂａ
＋、 ｇＣｕ２． ｇｏ δ９１ ７５１０．
２ ＳｍＢａ、、、Ｃｕ２，６０δ ８９
４８３００．３ ＳｍＢａ、、、Ｃｕ２．、Ｏδ
８７ １１３０００．４ ＳｍＢａ１，６Ｇ
ｕ２，６０δ ８４ １０２０００．５ Ｓ
ｎ＋Ｂａｌ、５Ｃｕ２，５０δ ７８ ２１
０００．６ ＳｍＢａ１４ｃｕ２４０δ ６９０．
７ ＳｍＢａ１３ｃｕ２３０δ ６０δｍｏ９ｓＢ
ａ２ｃＵ３０δ ８１ １１２０Ｓｍｏ９Ｂ
ａ２［：ｕ３０δ ７１ ５ｍ＋、 ｏｓＢａ２ｃｕ３０δ ８４ ２
１１０Ｓｍｌ、 Ｉ Ｂａ２Ｃｕ３０δ ７３実施例
５ 表３にＥｕＢａ、、Ｃｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδ系酸化物
超伝導体でＸ＝０〜０．７０までの試料の臨界温度およ
び臨界電流を示す。試料は９５０℃の温度で１２時間、
酸素７囲気中で仮焼きを行った後、３トン／ｃｍ２の圧
力で圧粉成形し、再度、 ９５０℃、１２時間、酸素；
囲気中て本焼結したものである。Ｘの増加と共に臨界温
度は少し低下するが液体窒素温度（７７Ｋ）における臨
界電流はｘ＞０．２で大幅に改善されることがわかる。
これはＸ≧０．２で粒界において、Ｂａ（：ｕｏ２の析
出が抑制されたことによる。このことは、第５図に示す
ようにＸ線解析の結果からも確認できる。Ｘの増加と共
に、矢印で示すＢａＣｕＯ２のピークが減少しＸ≧０．
２で消えてしまうことが分かる。
出が抑制されたことによる。このことは、第５図に示す
ようにＸ線解析の結果からも確認できる。Ｘの増加と共
に、矢印で示すＢａＣｕＯ２のピークが減少しＸ≧０．
２で消えてしまうことが分かる。
また、 ＥｕＢａ２−、Ｃｕ＋−ｘｏδがＯ≦ｘ≦０．
７の組成範囲で単相で存在していることも確認できる。
７の組成範囲で単相で存在していることも確認できる。
Ｘ〉０．５以上では臨界温度が液体窒素温度以下に低下
するため高温超伝導体としての利点が損なわれる。また
、Ｅｕは原子比で０．９５〜１ｘＣｕ３−ｘＯ５でない
と酸素欠損ペロブスカイト相以外の相が出現し、臨界温
度および臨界電流が低下する。この様子は表３に併せて
示した。
するため高温超伝導体としての利点が損なわれる。また
、Ｅｕは原子比で０．９５〜１ｘＣｕ３−ｘＯ５でない
と酸素欠損ペロブスカイト相以外の相が出現し、臨界温
度および臨界電流が低下する。この様子は表３に併せて
示した。
以上の結果からあぎらかのように、従来のＹＢａ２Ｃｕ
、ｏＯδの焼結体に比べ、大きい臨界電流が得られる。
、ｏＯδの焼結体に比べ、大きい臨界電流が得られる。
実施例６
ＥｕＢａ２−ｘｃｕ３−１１ｏδにおいて、ｘ＝０〜０
．５の組成の試料について磁場を与えない状態と１テス
ラの磁場を与えた状態における温度に対する電気抵抗の
変化を第６図に示す。比較のために、ＹＢａ２（：ｕ３
０δに対する測定結果も併せて示す。ここで、縦軸は電
気抵抗、横軸は絶対温度である。Ｘ＝ ０ｘＣｕ３−ｘ
Ｏ．１の試料およびＹＢａ２Ｃｕ３０δは粒界にＢａＣ
ｕＯ２が析出しており、電流の伝導パスの面積が小さく
容易に磁場が侵入できる。このため磁場により簡単に超
伝導パスが破壊される。この結果、第６図に見られるよ
うに１テスラの磁場により６０に付近まで超伝導を示さ
ない。これに対し、ｘ＝０．２〜０．５の試料はＢａＣ
ｕＯ２の析出がないため、１テスラの磁場が与えられて
も超伝導の転移点が数に低下するだけでそれほど大きな
影響を受けない。以上の結果から明かのように、従来の
ＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結体に比べ、磁場に対して臨界
温度が低下しない。
．５の組成の試料について磁場を与えない状態と１テス
ラの磁場を与えた状態における温度に対する電気抵抗の
変化を第６図に示す。比較のために、ＹＢａ２（：ｕ３
０δに対する測定結果も併せて示す。ここで、縦軸は電
気抵抗、横軸は絶対温度である。Ｘ＝ ０ｘＣｕ３−ｘ
Ｏ．１の試料およびＹＢａ２Ｃｕ３０δは粒界にＢａＣ
ｕＯ２が析出しており、電流の伝導パスの面積が小さく
容易に磁場が侵入できる。このため磁場により簡単に超
伝導パスが破壊される。この結果、第６図に見られるよ
うに１テスラの磁場により６０に付近まで超伝導を示さ
ない。これに対し、ｘ＝０．２〜０．５の試料はＢａＣ
ｕＯ２の析出がないため、１テスラの磁場が与えられて
も超伝導の転移点が数に低下するだけでそれほど大きな
影響を受けない。以上の結果から明かのように、従来の
ＹＢａ２Ｃｕ３０δの焼結体に比べ、磁場に対して臨界
温度が低下しない。
表 ３
ＥｕＢａ２−ｘｃｕ３−Ｘｏδの臨界温度および臨界電
流Ｘ値 組 成 臨界温度 臨界電流（Ｋ）
（Ａ／ｃｍ２） ０、ＯＥｕＢａ２（：ｕ３０５ ９３ ６
３１０、Ｉ ＥｕＢａ、、、Ｃｕ２．ｘＣｕ３−ｘＯ
δ ９１ ７７１０．２ ＥｕＢａ１，６Ｃ
ｕ２、ａＯδ８９ ４９８Ｇ０．３ ＥｕＢ
ａ１７ＣＵ２７０δ ８７ １２４０００．４
ＥＬＩＢａ＋、 ａＣｕ２．６ｏ Ｂａ４ １
２３０００．５ ＥｕＢａ１．５Ｃｕ２． Ｓｏ δ
７８ ３１０００．６ ＥＬＩＢａｔ４Ｃｕ
２．４０δ ６９０．７ ＥｕＢａ＋、ｓ（：ｕ２．
ｓＯδ ６゜Ｅｕ（、、ｇ５Ｂａ２ｃｕ３０δ ８１
１５５０ＥｕＯ，ｇ Ｂａ２（：ｕ３０δ ７
１Ｅｕｌ、 ｏｓＢａｚｃｕ３０δ ８４ ２
６４０Ｅｕ１． Ｂａ２Ｃｕ３０δ ７３ 実施例７ 表４にＧｄＢａ２−ｘｃｕ３−ｘＯδ系酸化物超伝導体
でＸ＝０〜０．７０までの試料の臨界温度および臨界電
流を示す。試料は９５０℃の温度で１２時間、酸素雰囲
気中で仮焼きを行った後、３トン／ｃｍ”の圧力で圧粉
成形し、再度、９５０℃、１２時間、酸素雰囲気中で本
焼結したものである。Ｘの増加と共に臨界温度は少し低
下するが液体窒素温度（７７Ｋ）における臨界電流はＸ
≧０．２で大幅に改善されることがわかる。これはＸ≧
０．２で粒界において、ＢａＣｕＯ２の析出が抑制され
たことによる。このことは、第７図に示すようにＸ線解
析の結果からも確認できる。Ｘの増加と共に、矢印で示
すＢａＣｕＯ２のピークが減少しＸ≧０．２で消えてし
まうことが分かる。
流Ｘ値 組 成 臨界温度 臨界電流（Ｋ）
（Ａ／ｃｍ２） ０、ＯＥｕＢａ２（：ｕ３０５ ９３ ６
３１０、Ｉ ＥｕＢａ、、、Ｃｕ２．ｘＣｕ３−ｘＯ
δ ９１ ７７１０．２ ＥｕＢａ１，６Ｃ
ｕ２、ａＯδ８９ ４９８Ｇ０．３ ＥｕＢ
ａ１７ＣＵ２７０δ ８７ １２４０００．４
ＥＬＩＢａ＋、 ａＣｕ２．６ｏ Ｂａ４ １
２３０００．５ ＥｕＢａ１．５Ｃｕ２． Ｓｏ δ
７８ ３１０００．６ ＥＬＩＢａｔ４Ｃｕ
２．４０δ ６９０．７ ＥｕＢａ＋、ｓ（：ｕ２．
ｓＯδ ６゜Ｅｕ（、、ｇ５Ｂａ２ｃｕ３０δ ８１
１５５０ＥｕＯ，ｇ Ｂａ２（：ｕ３０δ ７
１Ｅｕｌ、 ｏｓＢａｚｃｕ３０δ ８４ ２
６４０Ｅｕ１． Ｂａ２Ｃｕ３０δ ７３ 実施例７ 表４にＧｄＢａ２−ｘｃｕ３−ｘＯδ系酸化物超伝導体
でＸ＝０〜０．７０までの試料の臨界温度および臨界電
流を示す。試料は９５０℃の温度で１２時間、酸素雰囲
気中で仮焼きを行った後、３トン／ｃｍ”の圧力で圧粉
成形し、再度、９５０℃、１２時間、酸素雰囲気中で本
焼結したものである。Ｘの増加と共に臨界温度は少し低
下するが液体窒素温度（７７Ｋ）における臨界電流はＸ
≧０．２で大幅に改善されることがわかる。これはＸ≧
０．２で粒界において、ＢａＣｕＯ２の析出が抑制され
たことによる。このことは、第７図に示すようにＸ線解
析の結果からも確認できる。Ｘの増加と共に、矢印で示
すＢａＣｕＯ２のピークが減少しＸ≧０．２で消えてし
まうことが分かる。
また、ＧｄＢａ２−ＸＣｕ３−ＸＯδがＯ≦ｘ≦０．７
の組成範囲で単相で存在していることも確認できる。Ｘ
〉０．５以上では臨界温度が液体窒素温度以下に低下す
るため高温超伝導体としての利点が損なわれる。また、
Ｇｄは原子比で０．９５〜１ｘＣｕ３−ｘＯ５でないと
酸素欠損ペロブスカイト相以外の相が出現し、臨界温度
および臨界電流が低下する。この様子は表４に併せて示
した。
の組成範囲で単相で存在していることも確認できる。Ｘ
〉０．５以上では臨界温度が液体窒素温度以下に低下す
るため高温超伝導体としての利点が損なわれる。また、
Ｇｄは原子比で０．９５〜１ｘＣｕ３−ｘＯ５でないと
酸素欠損ペロブスカイト相以外の相が出現し、臨界温度
および臨界電流が低下する。この様子は表４に併せて示
した。
以上の結果からあぎらかのように、従来のＹ３３．Ｃｕ
３ｏＱδの焼結体に比べ、大きい臨界電流が得られる。
３ｏＱδの焼結体に比べ、大きい臨界電流が得られる。
実施例８
ＧｄＢａ２−、Ｃｕ３−Ｘｏδにおいて、ｘ＝０〜０．
５の組成の試料について磁場を与えない状態と１テスラ
の磁場を与えた状態における温度に対する電気抵抗の変
化を第８図に示す、比較のために、ＹＢａ２Ｃｕ３０δ
に対する測定結果も併せて示す。ここで、縦軸は電気抵
抗、横軸は絶対温度である。Ｘ＝ ０ｘＣｕ３−ｘＯ．
１の試料およびＹＢａ２Ｃｕ３０δは粒界にＢａＣｕＯ
２が析出しており、電流の伝導パスの面積が小さく容易
に磁場が侵入できる。このため磁場により簡単に超伝導
パスが破壊される。この結果、第８図に見られるように
１テスラの磁場により６０に付近まで超伝導を示さない
。これに対し、ｘ＝０．２〜０．５の試料はＢａＣｕＯ
２の析出がないため、１テスラの磁場が与えられても超
伝導の転移点が数に低下するだけでそれほど大きな影響
を受けない。以上の結果から明かのように、従来のＹＢ
ａ２Ｃｕ３０δの焼結体に比べ、磁場に対して臨界温度
が低下しない。
５の組成の試料について磁場を与えない状態と１テスラ
の磁場を与えた状態における温度に対する電気抵抗の変
化を第８図に示す、比較のために、ＹＢａ２Ｃｕ３０δ
に対する測定結果も併せて示す。ここで、縦軸は電気抵
抗、横軸は絶対温度である。Ｘ＝ ０ｘＣｕ３−ｘＯ．
１の試料およびＹＢａ２Ｃｕ３０δは粒界にＢａＣｕＯ
２が析出しており、電流の伝導パスの面積が小さく容易
に磁場が侵入できる。このため磁場により簡単に超伝導
パスが破壊される。この結果、第８図に見られるように
１テスラの磁場により６０に付近まで超伝導を示さない
。これに対し、ｘ＝０．２〜０．５の試料はＢａＣｕＯ
２の析出がないため、１テスラの磁場が与えられても超
伝導の転移点が数に低下するだけでそれほど大きな影響
を受けない。以上の結果から明かのように、従来のＹＢ
ａ２Ｃｕ３０δの焼結体に比べ、磁場に対して臨界温度
が低下しない。
表 ４
ＧｄＢａ２−、Ｃｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδの臨界温度お
よび臨界電流Ｘ値 組 成 臨界温度 臨界電
流（Ｋ） （Ａ／ｃｎ＋２）０、ＯＧｄＢａ２Ｃ
ｕ３０δ ９４ ７５１０、Ｉ Ｇｄ
Ｂａ、、−、ｆ：ｕ２．ｘＣｕ３−ｘＯδ ９２
８５００．２ ＧｄＢａ、、、Ｃｕ２ｘＯδ
９０ ５０９１０．３ ＧｄＢａ＋７ｃｕ
２．７０ δ８８ １２ｘＯ００．４ ＧｄＢ
ａ１．、Ｃｕ２６０δ ８５ １１９０００．
５ ＧｄＢａ、、、（：ｕ２５０δ ７９
２５０００．６ ＧｄＢａ、４Ｃｕ２４０δ ７
００．７ ＧｄＢａ、３Ｃｕ２３０５ ６０Ｇｄｏ、
ｅｓＢａｚｃｕ３０δ ８２ １６００Ｇ
ｄｏ９Ｂａ２（、ｕ３０δ ７２Ｇｄ、、 ｇ５Ｂａ
２ｃｕ３０５ ８５ ２７００Ｇｄｌ、 １
Ｂａ２Ｃｕ、０５ ７５［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による各酸化物超伝導体は
粒界にＢａＣｕＯ２が析出せずかつ単相で存在するため
７７Ｋにおける臨界電流、臨界磁場が犬ぎいという利点
がある。
よび臨界電流Ｘ値 組 成 臨界温度 臨界電
流（Ｋ） （Ａ／ｃｎ＋２）０、ＯＧｄＢａ２Ｃ
ｕ３０δ ９４ ７５１０、Ｉ Ｇｄ
Ｂａ、、−、ｆ：ｕ２．ｘＣｕ３−ｘＯδ ９２
８５００．２ ＧｄＢａ、、、Ｃｕ２ｘＯδ
９０ ５０９１０．３ ＧｄＢａ＋７ｃｕ
２．７０ δ８８ １２ｘＯ００．４ ＧｄＢ
ａ１．、Ｃｕ２６０δ ８５ １１９０００．
５ ＧｄＢａ、、、（：ｕ２５０δ ７９
２５０００．６ ＧｄＢａ、４Ｃｕ２４０δ ７
００．７ ＧｄＢａ、３Ｃｕ２３０５ ６０Ｇｄｏ、
ｅｓＢａｚｃｕ３０δ ８２ １６００Ｇ
ｄｏ９Ｂａ２（、ｕ３０δ ７２Ｇｄ、、 ｇ５Ｂａ
２ｃｕ３０５ ８５ ２７００Ｇｄｌ、 １
Ｂａ２Ｃｕ、０５ ７５［発明の効果］ 以上説明したように、本発明による各酸化物超伝導体は
粒界にＢａＣｕＯ２が析出せずかつ単相で存在するため
７７Ｋにおける臨界電流、臨界磁場が犬ぎいという利点
がある。
第１図はＬａＢａ、ｘＣｕ３ｘＯδのＸ線回折像を示す
図、 第２図は電気抵抗の温度変化を示す図、第３図は５ＩＩ
ＩＢａ２−、Ｃｕ、−，０δのＸ線回折像を示す図、 第４図は電気抵抗の温度変化を示す図、第５図はＥｕＢ
ａ、、［：ｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδのＸ線回折像を示す
図、 第６図は電気抵抗の温度変化を示す図、第７図はＧｄＢ
ａ２−ｘＣｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδのＸ線回折像を示す
図、 第８図は電気抵抗の温度変化を示す図である。 ＲＲＲ（電気捲托） 、ＲＲＲ（電気本ａ） リー ＲＲＲ（電ルホ植）） ＲＲＲ（電＼花花）
図、 第２図は電気抵抗の温度変化を示す図、第３図は５ＩＩ
ＩＢａ２−、Ｃｕ、−，０δのＸ線回折像を示す図、 第４図は電気抵抗の温度変化を示す図、第５図はＥｕＢ
ａ、、［：ｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδのＸ線回折像を示す
図、 第６図は電気抵抗の温度変化を示す図、第７図はＧｄＢ
ａ２−ｘＣｕ３−ｘＣｕ３−ｘＯδのＸ線回折像を示す
図、 第８図は電気抵抗の温度変化を示す図である。 ＲＲＲ（電気捲托） 、ＲＲＲ（電気本ａ） リー ＲＲＲ（電ルホ植）） ＲＲＲ（電＼花花）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ランタン（Ｌａ），バリウム（Ｂａ），銅（Ｃｕ）
を含み、組成式Ｌａ＿ｙＢａ＿２＿−＿ｘＣｕ＿３＿−
＿ｘＯ＿δで表される酸化物において、０．９５≦ｙ≦
１．０５，０．２≦ｘ≦０．４，６．５≦δ≦７．１の
組成からなることを特徴とする酸化物超伝導材料。 ２）サマリウム（Ｓｍ），バリウム（Ｂａ），銅（Ｃｕ
）を含み、組成式Ｓｍ＿ｙＢａ＿２＿−＿ｘＣｕ＿３＿
−＿ｘＯ＿δで表される酸化物において、０．９５≦ｙ
≦１．０５，０．２≦ｘ≦０．５，６．５≦δ≦７．１
の組成からなることを特徴とする酸化物超伝導材料。 ３）ユーロピウム（Ｅｕ），バリウム（８ａ），銅（Ｃ
ｕ）を含み、組成式Ｅｕ＿ｙＢａ＿２＿−＿ｘＣｕ＿３
＿ｘＯ＿δで表される酸化物において、０．９５≦ｙ≦
１．０５，０．２≦ｘ≦０．５，６．５≦δ≦７．１の
組成からなることを特徴とする酸化物超伝導材料。 ４）ガドリニウム（Ｇｄ），バリウム（Ｂａ），銅（Ｃ
ｕ）を含み、組成式Ｇｄ＿ｙＢａ＿２＿−＿ｘＣｕ＿３
＿−＿ｘＯ＿δで表される酸化物において、０．９５≦
ｙ≦１．０５，０．２≦ｘ≦０．５，６．５≦δ≦７．
１の組成からなることを特徴とする酸化物超伝導材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028837A JPH01208319A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 酸化物超伝導材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63028837A JPH01208319A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 酸化物超伝導材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01208319A true JPH01208319A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12259485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63028837A Pending JPH01208319A (ja) | 1988-02-12 | 1988-02-12 | 酸化物超伝導材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01208319A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115592A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Internatl Superconductivity Technology Center | 臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体とその製造方法 |
| WO2014069481A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜 |
-
1988
- 1988-02-12 JP JP63028837A patent/JPH01208319A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007115592A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Internatl Superconductivity Technology Center | 臨界電流密度特性に優れたＲＥ―Ｂａ―Ｃｕ系酸化物超電導長尺体とその製造方法 |
| WO2014069481A1 (ja) * | 2012-11-02 | 2014-05-08 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜 |
| US9812233B2 (en) | 2012-11-02 | 2017-11-07 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Superconducting oxide thin film |
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