JP2855128B2 - 酸化物超電導体 - Google Patents
酸化物超電導体Info
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Description
酸化物超電導体に関するものである。
90K)をもつ代表的な酸化物超電導体として3層ペロブ
スカイト型の結晶構造を有するRBa2Cu3O7(R=Y,希土
類元素)が知られている(Appl.Phys.Lett.Vol.51(198
7)P57)。ところが、この酸化物超電導体は酸素含有量
が熱処理条件で変化し、これにともなって正方晶−斜方
晶構造相転移を起こす。この相転移により超電導転移温
度は90Kから0K(絶縁体)まで大きく変化することが知
られている(Phys.Rev.B36(1987)P5719)。
充填し、これを冷間線引き加工で線状にした後、RBa2Cu
3O7粉末の焼結熱処理(800〜900℃)により、超電導線
材として実用化する場合に(銀シース線材法)、焼結処
理によって酸素が抜けてしまい、超電導特性が劣化して
しまうことを本発明者らは見いだした。
イト型の結晶構造のRBa2Cu4O8(第1図)は、850℃付近
まで酸素の出入りが見られず安定である。しかしなが
ら、本発明者らは、RBa2Cu4O8は焼結性が悪く高密度焼
結体が得られにくいことを見いだした。焼結体の密度が
低いと臨界電流密度が高くならないことは当然である。
ものである。
移温度を有し、高密度でかつ高温まで、酸素の吸収−放
出がなく安定性にすぐれた超電導体を提供することにあ
る。
は、RBa2(Cu1-xMx)4O8の組成を有し、RがY、Nd、S
m、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luのうちから選ばれ
た1種または2種以上の希土類元素(Yを含む)であ
り、MがAlあるいはGaであり、xが0.001≦x≦0.1の範
囲にあることを特徴とする。
8の超電導転移温度が80Kであり、しかもこの材料は難焼
結性であるのに対して、RBa2(Cu1-xMx)4O8の組成を有
し、RがHoであり、MがAl、xが0.1の試料は、超電導
転移温度が80K以上であり、焼結も容易になり本実施例
では焼結体の気孔率も10%まで低下することが認められ
た。さらに、熱重量分析の結果、本発明の超電導体は、
850℃付近まで酸素の出入りがなく安定に存在すること
が確認できた。
合、最終工程である焼結熱処理過程で、超電導特性を損
なうことなく安定で、しかも高密度に焼結した超電導線
材を作製することができる。
明する。
a2Cu4O8の基本構造を第1図に示し、比較するために従
来のRBa2Cu3O7の結晶構造を第2図に示す。第1図及び
第2図において、1は希土類元素R、2はBa、3はCu、
4は線分の交差点に配置されているOである。
(Cu1-xMx)4O8は、第2図に示すRBa2Cu3O7の結晶構造
の1重のCuO鎖を、2重のCuO鎖に置換し、さらにCuを部
分的にAlあるいはGaに置換したものである。この二重の
CuO鎖を有する構造において、一部CuをAlあるいはGaに
置換することが本発明の一つの特徴である。
明する。
粉末を化学式YBa2(Cu1-xAlx)4O8において、x=0、
0.01、0.02、0.04、0.06、0.08、0.10、015となるよう
に混合し、酸素中850℃で24時間仮焼を行った。仮焼
後、試料を粉砕し矩形に成形した。この成形体を酸素中
800℃で5時間予備焼結した。この予備焼結体を1000kg/
cm2・Ar80%−O220%のガス雰囲気下で熱処理を行っ
た。200℃/hで加熱して960℃で6時間保持し、そこから
さらに1050℃まで200℃/hで加熱して、その温度で6時
間保持した。冷却は200℃/hの速度で300℃まで行い、1
気圧まで減圧したあと試料を空気中に取り出した。この
試料を再び粉砕して成形した。この成形体を酸素ガス中
800℃で20時間焼結して所定の試料を得た。
の生成相を粉末X線回折を用いて確認した。得られた試
料の主成分はいずれもYBa2Cu4O8型の結晶構造を有する
ことを確認した。x=0.1の粉末X線回折図形を第3図
に示した。図中の数字はYB2Cu4O8型構造にもとづいたピ
ークの指数である。この試料は超電導相の単一相であ
る。試料の生成相を第1表にまとめて示した。xが0か
ら0.15の範囲ではYBa2(Cu1-xMx)4O8の単一相である。
その結果を第4図及び第1表に示した。なお、第1表乃
至第4表において、Tconは常電導状態から超電導転移を
開始する温度、TcR=0は抵抗0なるときの温度、ρ
300Kは300Kのときの抵抗率である。
第4図及び第1表からわかるように、Alの含有量が0≦
x≦0.1の範囲の試料はいずれも80K級の超電導転移温度
を示す。この超電導転移温度は、液体窒素の沸点(77
K)よりも高い温度である。試料の室温における抵抗値
を比較すると、Alの含有量xの増加とともに室温の抵抗
値が低下する。このように室温の抵抗値の低い試料に対
して高臨界電流密度が期待できる。室温の抵抗はxが0.
1の試料が一番低く、xが0.15ではx=0.1の場合よりも
高くなる。
観察から求めた。これらの値を第1表にまとめて示し
た。この結果を見ると、xの増加とともに気孔率が低下
し、x=0.1の試料でほぼ5%になる。しかし、これ以
上xが増加しても気孔率は変化しない。
率、気孔率の測定結果を考慮すると、xの増加にともな
う試料の室温の抵抗率の低下は、YBa2Cu4O8のCuサイト
にAlが固溶することによる効果によるものと考えられ
る。したがってxの望ましい範囲としては、0.001≦x
≦0.1である。
試料の熱重量分析の結果、常温から850℃付近まで重量
変化を示さず、850〜900℃で重量の減少を示すことか
ら、850℃という高温に至るまでの酸素の出入りもなく
安定に存在することが確認できた。ところが従来の超電
導体YBa2Cu3O7では、第5図の(b)に示すように、400
〜800℃で大きく酸素が放出してしまう。
材となる超電導体YBa2Cu4O8は難焼結性であり、そのた
めの焼結体の気孔率が30%以上であるのに対して、YBa2
(Cu1-Alx)4O8の組成を有し、xが0.001≦x≦0.1の範
囲にある試料は、いずれも超電導転移温度が80K以上で
あり、焼結体の気孔率も10%以下である。さらに、これ
らの試料は室温の電気抵抗率も低く、熱分析では850℃
付近まで、酸素の出入りがなく安定に存在することが確
認できた。
材化する場合、最終工程である焼結熱処理工程で、超電
導特性を損なうことなく安定で、しかも易焼結性である
のでそれぞれの粒子が高密度に焼結した臨界電流密度の
高い超電導線材を作製することができる。
料を実施例1と同様の方法で作製した。この結果を第2
表にまとめて示した。この表からGaもAlと同様の効果が
あることがわかった。
粉末を化学組成式HoBa2(Cu1-xMx)4O8において、x=
0、0.01、0.02、0.04、0.06、0.08、0.1、0.15となる
ように混合し、酸素中850℃で24時間仮焼を行った。仮
焼後、試料を粉砕し矩形に成形した。この成形体を酸素
中800℃で5時間予備焼結した。この予備焼結体を1000k
g/cm2・Ar80%−O220%のガス雰囲気下で熱処理を行っ
た。200℃/hで加熱して900℃で6時間保持し、そこから
さらに1020℃まで200℃/hで加熱して、その温度で6時
間保持した。冷却は200℃/hの速度で300℃まで行い、1
気圧まで減圧したあと試料を空気中に取り出した。この
試料を再び粉砕し、成形した。この成形体を酸素中800
℃で20時間焼結して所定の試料を得た。
の生成相を粉末X線回折を用いて確認した。得られた試
料の主成分はいずれもRBa2Cu4O8型の結晶構造を有する
ことを確認した。x=0.04の試料の粉末X線回折図形を
第6図に示した。図中の数字はYBa2Cu4O8型構造にもと
づいたピークの指数である。この試料は、超電導相の単
一相であった。試料の生成相を第3表にまとめて示し
た。xが0から0.15の範囲では、HoBa2(Cu1-xAlx)4O8
の単一相である。
その結果を第7図及び第3表に示した。
図及び第1表からわかるように、Alの含有量が0≦x≦
0.1の範囲の試料は、いずれも80K級の超電導転移温度を
示す。この超電導転移温度は、液体窒素の沸点(77K)
よりも高い温度である。試料の室温における抵抗値を比
較すると、Alの含有量xの増加とともに室温の抵抗値が
低下する。このように室温の抵抗値の低い試料にたいし
て高臨界電流密度が期待できる。室温の抵抗はxが0.1
の試料が一番低い。
観察から求めた。これらの値を第1表にまとめて示し
た。この結果を見ると、xの増加とともに気孔率が低下
し、x=0.1の試料でほぼ5%になる。しかし、これ以
上xが増加しても気孔率はほとんど変化しない。
結果を考慮すると、xの増加にともなう試料の室温の抵
抗率の低下は、HoBa2Cu4O8のCuのサイトにAlが固溶する
ことによる効果と考えられる。したがってxの望ましい
範囲としては、0.001≦x≦0.1である。
試料の熱重量分析の結果、常温から850℃付近まで重量
変化を示さず、850〜900℃で重量の減少を示すことか
ら、850℃という高温に至るまで酸素の出入りもなく安
定に存在することが確認できた。ところが従来の超電導
体HoBa2Cu3O7では、第8図の(b)に示すように、400
〜800℃で大きく酸素が放出してしまう。
母材となる超電導体HoBa2Cu4O8の超電導転移温度が80K
で、しかも難焼結性であり、そのため焼結体の気孔率が
30%以上であるのに対して、HoBa2(Cu1-xAlx)4O8の組
成を有し、xが0.001≦x≦0.1の範囲にある試料は、い
ずれも超電導転移温度が80K以上であり、焼結体の気孔
率も20%以下である。さらに、これらの試料は室温の電
気抵抗率も低く、熱分析では850℃付近まで、酸素の出
入りがなく安定に存在することが確認できた。
実施例1と同様の方法で試料を作製し、同様の方法で超
電導特性を評価した。その結果を第4表に示した。この
表の結果からRBa2Cu4O8に対してGaはAlと同様の効果を
有することがわかる。
d、Dy、Er、Tm、Yb、Luにして、x=0.04に固定して実
施例1と同様のプロセスで試料を作製した。また、実施
例1と同様の評価を行い、その結果を第5表に示した。
この表を見ると、希土類元素RをHoからNd、Sm、Eu、G
d、Dy、Er、Tm、Yb、Luのうちのどれにかえても同様の
効果が得られることがわかった。
のMをAlにし、x=0.04に固定し、RとしてY、Hoを使
用したものである。すなわち、(Y1-yHoy)Ba2(Cu0.96
Al0.04)4O8のyの値を変えて、Y1-yHoyの混合比率を変
化させ、実施例1と同様のプロセスで試料を作製した。
また、実施例1と同様の評価を行い、その結果を第6表
に示した。
記Rのうちの2種(Y、Hoの混合比を変化させたもの)
にかえても同様の効果が得られることがわかった。
種以上を混合したものを使用しても同様の効果が得られ
るであろうことがわかった。
材化する場合、最終工程である焼結熱処理工程で、超電
導特性を損なうことなく安定で、しかも易焼結性である
のでそれぞれの粒子が高密度に焼結した臨界電流密度の
高い超電導線材を作製することができる。
う場合、バインダーの使用で高密度成形が可能である。
すなわち、従来の超電導体RBa2Cu3O7は、400℃以上でバ
インダー除去はできないが、本発明の超電導体の場合に
は、850℃以下でバインダー除去は可能である。これに
より、高密度成形ができるので、さらに超電導電流密度
を向上させることができる。
め、常温・空気中でも超電導特性が劣化していたが、本
発明による酸化物超電導体の薄膜は、RBa2Cu3O7の薄膜
に比較すると環境安定性が高く、超電導転移温度が安定
している。
本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その主
旨を逸脱しない範囲において種々変更可能なことは言う
までもない。
気遮蔽等に用いることができるのは、勿論である。
沸点よりも高い超電導転移温度を有し、易焼結性で、か
つ高温までの酸素の出入りがなく安定な超電導体を提供
できる。
説明するための図、 第2図は、従来のRBa2Cu3O7の構造を説明するための
図、 第3図は、本実施例に係るR=Y、x=0.04の試料の粉
末X線回折図形、 第4図は、本実施例のYBa2(Cu1-xAlx)4O8の抵抗−温
度特性図、 第5図は、本実施例のR=Y、x=0.04の試料の熱重量
分析の結果を示す図、 第6図は、本実施例に係るR=Ho、M=Al、x=0.04の
試料の粉末X線回折図形、 第7図は、本実施例のHoBa2(Cu1-xAlx)4O8の抵抗−温
度特性図、 第8図は、本実施例のR=Ho、M=Al、x=0.04の試料
の熱重量分析の結果を示す図である。 図中、1……R、2……Ba、3……Cu、4……Oであ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】RBa2(Cu1-xMx)4O8の化学組成式で表され
る酸化物超電導体であって、RがY、Nd、Sm、Eu、Gd、
Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luのうちから選ばれた1種の希土
類元素(Yを含む)であり、MがAlあるいはGaであり、
xが0.001≦x≦0.1の範囲にあることを特徴とする酸化
物超電導体。 - 【請求項2】RBa2(Cu1-xMx)4O8の化学組成式で表され
る酸化物超電導体であって、RがY、Nd、Sm、Eu、Gd、
Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luのうちから選ばれた2種以上の
希土類元素(Yを含む)であり、MがAlあるいはGaであ
り、xが0.001≦x≦0.1の範囲にあることを特徴とする
酸化物超電導体。
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JPH0380114A JPH0380114A (ja) | 1991-04-04 |
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JP1213729A Expired - Lifetime JP2855128B2 (ja) | 1989-08-18 | 1989-08-18 | 酸化物超電導体 |
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JP (1) | JP2855128B2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-18 JP JP1213729A patent/JP2855128B2/ja not_active Expired - Lifetime
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