JPH0577632B2 - - Google Patents
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- JPH0577632B2 JPH0577632B2 JP1503867A JP50386789A JPH0577632B2 JP H0577632 B2 JPH0577632 B2 JP H0577632B2 JP 1503867 A JP1503867 A JP 1503867A JP 50386789 A JP50386789 A JP 50386789A JP H0577632 B2 JPH0577632 B2 JP H0577632B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
- C04B35/593—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride obtained by pressure sintering
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Description
請求の範囲
１ 約0.7〜8.6wt.％のストロンチウムカーボネー
ト並びに約1.8〜12.0％のイツトリウム酸化物と
をシリコン窒化物を混合して混合物を得る混合工
程と、混合物を成形したグリーン品に形成するグ
リーン品成形工程と、ストロンチウムカーボネー
トをグリーン品内で分解しストロンチウム酸化物
を形成する分解工程と、グリーン品を圧縮して製
品を形成する圧縮工程とを包有してなる圧縮され
たシリコン窒化物製品を製造するシリコン窒化物
の製造法。 ２ 混合工程には更に混合物に十分な量の有機結
合剤を加えてグリーン品の成形保持を助ける工程
が包有されてなる特許請求の範囲第１項記載のシ
リコン窒化物の製造法。 ３ グリーン品成形工程がイソスタチツク圧縮
法、ダイ圧縮法、射出成型法、圧縮成型法、押出
法、並びにスリツプ鋳造法からなる群から選択さ
れた一によつて行つてなる特許請求の範囲第１項
記載のシリコン窒化物の製造法。 ４ 分解工程には約３〜10時間、約1100〜1250℃
で且つ真空下においてグリーン品を加熱する工程
が包有されてなる特許請求の範囲第１項記載のシ
リコン窒化物の製造法。 ５ 圧縮工程には焼結しその後熱間イソスタチツ
ク圧縮する焼結工程が含有されてなる特許請求の
範囲第１項記載のシリコン窒化物の製造法。 ６ 焼結工程がシリコン窒化物、イツトリウム酸
化物、アルミニウム酸化物からなる群から選択さ
れた一の粉末の混合物内でグリーン品を焼結し、
２〜６時間約1800〜1900℃で且つ不活性雰囲気内
で混合物を加熱することにより実行してなる特許
請求の範囲第５項記載のシリコン窒化物の製造
法。 ７ 圧縮工程には真空封入しその後10〜200MPa
で１〜８時間、1600〜1900℃の温度で熱間イソス
タチツク圧縮する工程が包有されてなる特許請求
の範囲第１項記載のシリコン窒化物の製造法。 ８ 真空封入を金属カン内にグリーン品を封入す
ることにより実施してなる特許請求の範囲第７項
記載のシリコン窒化物の製造法。 ９ 真空封入をガラス層内にグリーン品を封入す
ることにより実施してなる特許請求の範囲第７項
記載のシリコン窒化物の製造法。 （技術分野） 本発明は新規な組成の、密度の高いシリコン窒
化物、特に未処理状態材料としてのストロンチウ
ムカーボネートとイツトリウム酸化物とを焼結剤
として使用して形成される広範囲に亙り高い強度
を有する密度の高いシリコン窒化物材料に関す
る。 （背景技術） 焼結シリコン窒化物材料は当業者には周知であ
るが、シリコン窒化物材料は通常高温（100℃以
上）環境下で使用されるとき強度を高くとれず、
また応力破断寿命が長くないので使用に制限を受
ける。焼結材の密度を増加し機械的強度を向上す
るために焼結剤を用いることも知られている。ま
たイツトリウム酸化物（Y2O3）と残部を最汎用
の焼結剤の１つとした焼結シリコン窒化物材料も
その特性が向上されることが知られている。更
に、焼結剤としてストロンチウム酸化物（SrO）
をシリコン窒化と共に用いることも知られている
が、ストロンチウム酸化物は不安定であり、大気
と反応するため最終的なシリコン窒化物材料を形
成する前に劣化する。またストロンチウム酸化物
は安定なストロンチウムカーボネートより高価で
ある。 （発明の開示） 従つて本発明の目的は高温下でも機械的強度及
び応力破断寿命が向上され得る密度の高いシリコ
ン窒化物材料を形成することにある。 本発明の他の目的は開始焼結剤としてストロン
チウムカーボネートとイツトリウム酸化物を公的
に組み合わせて処理したシリコン窒化物材料を生
成することにある。 更に詳述するに、本発明によれば、最終組成と
して（）82.0〜97.5％のシリコン窒化物、（）
0.5〜6.0％のストロンチウム酸化物及び（）2.0
〜12.0％のイツトリウム酸化物からなる密度の高
いシリコン窒化物材料を提供する。シリコン窒化
物材料はシリコン窒化物とイツトリウム酸化物と
ストロンチウムカーボネート及び成形上必要なら
好適な有機結合剤を混合することにより生成し得
る。次にこの混合物は好適な方法、例えば熱間圧
縮、冷間イソスタチツク（isostatic）圧縮、射出
成型、押出、単軸ダイ圧縮（uiaxial die−
pressing）またはスリツプ鋳造（slip casting）
により成形する。その後成形品はストロンチウム
カーボネートを二酸化炭素またはストロンチウム
酸化物内に分解するために真空下で熱処理する。
次に真空下で室温まで冷却し、次に湿気の付着を
防止するデシケータ（dessicator）のような低湿
環境下で保存する。熱間イソスタチツク圧縮法に
含浸圧縮（densification）は、上述した処理品を
電子ビーム溶接あるいは他のカプセル封入法によ
り金属（例えばNb）缶内に真空封入し、不活性
雰囲気内で1600℃以上の温度まで加熱し、一方
192.9MPa（28ksi）まで加圧し（熱間イソスタチ
ツク圧縮）その後室温まで冷却し外気圧まで下げ
ることにより達成する。この処理品はまた、高温
ガラスフリツトシステムのような他の封入体を用
いて熱間イソスタチツク圧縮し得る。またこの処
理品は封入体を必要としない焼結／熱間イソスタ
チツク圧縮法により圧縮し得る。
ト並びに約1.8〜12.0％のイツトリウム酸化物と
をシリコン窒化物を混合して混合物を得る混合工
程と、混合物を成形したグリーン品に形成するグ
リーン品成形工程と、ストロンチウムカーボネー
トをグリーン品内で分解しストロンチウム酸化物
を形成する分解工程と、グリーン品を圧縮して製
品を形成する圧縮工程とを包有してなる圧縮され
たシリコン窒化物製品を製造するシリコン窒化物
の製造法。 ２ 混合工程には更に混合物に十分な量の有機結
合剤を加えてグリーン品の成形保持を助ける工程
が包有されてなる特許請求の範囲第１項記載のシ
リコン窒化物の製造法。 ３ グリーン品成形工程がイソスタチツク圧縮
法、ダイ圧縮法、射出成型法、圧縮成型法、押出
法、並びにスリツプ鋳造法からなる群から選択さ
れた一によつて行つてなる特許請求の範囲第１項
記載のシリコン窒化物の製造法。 ４ 分解工程には約３〜10時間、約1100〜1250℃
で且つ真空下においてグリーン品を加熱する工程
が包有されてなる特許請求の範囲第１項記載のシ
リコン窒化物の製造法。 ５ 圧縮工程には焼結しその後熱間イソスタチツ
ク圧縮する焼結工程が含有されてなる特許請求の
範囲第１項記載のシリコン窒化物の製造法。 ６ 焼結工程がシリコン窒化物、イツトリウム酸
化物、アルミニウム酸化物からなる群から選択さ
れた一の粉末の混合物内でグリーン品を焼結し、
２〜６時間約1800〜1900℃で且つ不活性雰囲気内
で混合物を加熱することにより実行してなる特許
請求の範囲第５項記載のシリコン窒化物の製造
法。 ７ 圧縮工程には真空封入しその後10〜200MPa
で１〜８時間、1600〜1900℃の温度で熱間イソス
タチツク圧縮する工程が包有されてなる特許請求
の範囲第１項記載のシリコン窒化物の製造法。 ８ 真空封入を金属カン内にグリーン品を封入す
ることにより実施してなる特許請求の範囲第７項
記載のシリコン窒化物の製造法。 ９ 真空封入をガラス層内にグリーン品を封入す
ることにより実施してなる特許請求の範囲第７項
記載のシリコン窒化物の製造法。 （技術分野） 本発明は新規な組成の、密度の高いシリコン窒
化物、特に未処理状態材料としてのストロンチウ
ムカーボネートとイツトリウム酸化物とを焼結剤
として使用して形成される広範囲に亙り高い強度
を有する密度の高いシリコン窒化物材料に関す
る。 （背景技術） 焼結シリコン窒化物材料は当業者には周知であ
るが、シリコン窒化物材料は通常高温（100℃以
上）環境下で使用されるとき強度を高くとれず、
また応力破断寿命が長くないので使用に制限を受
ける。焼結材の密度を増加し機械的強度を向上す
るために焼結剤を用いることも知られている。ま
たイツトリウム酸化物（Y2O3）と残部を最汎用
の焼結剤の１つとした焼結シリコン窒化物材料も
その特性が向上されることが知られている。更
に、焼結剤としてストロンチウム酸化物（SrO）
をシリコン窒化と共に用いることも知られている
が、ストロンチウム酸化物は不安定であり、大気
と反応するため最終的なシリコン窒化物材料を形
成する前に劣化する。またストロンチウム酸化物
は安定なストロンチウムカーボネートより高価で
ある。 （発明の開示） 従つて本発明の目的は高温下でも機械的強度及
び応力破断寿命が向上され得る密度の高いシリコ
ン窒化物材料を形成することにある。 本発明の他の目的は開始焼結剤としてストロン
チウムカーボネートとイツトリウム酸化物を公的
に組み合わせて処理したシリコン窒化物材料を生
成することにある。 更に詳述するに、本発明によれば、最終組成と
して（）82.0〜97.5％のシリコン窒化物、（）
0.5〜6.0％のストロンチウム酸化物及び（）2.0
〜12.0％のイツトリウム酸化物からなる密度の高
いシリコン窒化物材料を提供する。シリコン窒化
物材料はシリコン窒化物とイツトリウム酸化物と
ストロンチウムカーボネート及び成形上必要なら
好適な有機結合剤を混合することにより生成し得
る。次にこの混合物は好適な方法、例えば熱間圧
縮、冷間イソスタチツク（isostatic）圧縮、射出
成型、押出、単軸ダイ圧縮（uiaxial die−
pressing）またはスリツプ鋳造（slip casting）
により成形する。その後成形品はストロンチウム
カーボネートを二酸化炭素またはストロンチウム
酸化物内に分解するために真空下で熱処理する。
次に真空下で室温まで冷却し、次に湿気の付着を
防止するデシケータ（dessicator）のような低湿
環境下で保存する。熱間イソスタチツク圧縮法に
含浸圧縮（densification）は、上述した処理品を
電子ビーム溶接あるいは他のカプセル封入法によ
り金属（例えばNb）缶内に真空封入し、不活性
雰囲気内で1600℃以上の温度まで加熱し、一方
192.9MPa（28ksi）まで加圧し（熱間イソスタチ
ツク圧縮）その後室温まで冷却し外気圧まで下げ
ることにより達成する。この処理品はまた、高温
ガラスフリツトシステムのような他の封入体を用
いて熱間イソスタチツク圧縮し得る。またこの処
理品は封入体を必要としない焼結／熱間イソスタ
チツク圧縮法により圧縮し得る。
第１図は本発明により得られたシリコン窒化物
材料の一（Nbによりカプセル封入された8wt.％
のY2O3、2wt.％のSrO及び90wt.％のSi3N4）と
従来技術による最新シリコン窒化物材料とに対す
る曲げ強度の比較グラフである。 （発明を実施するための最良の形態） 本発明によれば、一群の密度の高いシリコン窒
化物材料をシリコン窒化物、イツトリウム酸化物
及びストロンチウム酸化物の混合物から作成す
る。得られたシリコン窒化物材料の機械的特性
は、約0.5〜6.0wt.％のストロンチウム酸化物、
2.0〜12.0wt.％のイツトリウム酸化物及びシリコ
ン窒化物から作成され、向上される。また圧縮率
が高く高温下での機械的曲げ強度が向上される。
第１図に示すように、本発明のシリコン窒化物材
料の曲げ強度は高範囲の温度条件に亙り大幅に向
上される。
材料の一（Nbによりカプセル封入された8wt.％
のY2O3、2wt.％のSrO及び90wt.％のSi3N4）と
従来技術による最新シリコン窒化物材料とに対す
る曲げ強度の比較グラフである。 （発明を実施するための最良の形態） 本発明によれば、一群の密度の高いシリコン窒
化物材料をシリコン窒化物、イツトリウム酸化物
及びストロンチウム酸化物の混合物から作成す
る。得られたシリコン窒化物材料の機械的特性
は、約0.5〜6.0wt.％のストロンチウム酸化物、
2.0〜12.0wt.％のイツトリウム酸化物及びシリコ
ン窒化物から作成され、向上される。また圧縮率
が高く高温下での機械的曲げ強度が向上される。
第１図に示すように、本発明のシリコン窒化物材
料の曲げ強度は高範囲の温度条件に亙り大幅に向
上される。
【表】
【表】
表は13個の異なる圧縮組成品と対応する圧縮
特性の結果を示している。これらの圧縮組成品は
全てNbカプセル封入法及びHIP法により圧縮し
た。個々の圧縮組成品は0.5〜6.0wt.％（ストロン
チウムカーボネートから分解後）のストロンチウ
ム酸化物、1.8〜12.0wt.％のイツトリウム酸化物
及び残りがシリコン窒化物の未処理（green−
body）品を用いて作成された。ストロンチウム
酸化物の開始材は0.7〜8.6wt.％のストロンチウム
カーボネートである。ストロンチウムカーボネー
トはグリーン形成段で焼結剤を安定化して最終シ
リコン窒化物材料全体に亙り均一な一体性質を与
えるのに用いる。
特性の結果を示している。これらの圧縮組成品は
全てNbカプセル封入法及びHIP法により圧縮し
た。個々の圧縮組成品は0.5〜6.0wt.％（ストロン
チウムカーボネートから分解後）のストロンチウ
ム酸化物、1.8〜12.0wt.％のイツトリウム酸化物
及び残りがシリコン窒化物の未処理（green−
body）品を用いて作成された。ストロンチウム
酸化物の開始材は0.7〜8.6wt.％のストロンチウム
カーボネートである。ストロンチウムカーボネー
トはグリーン形成段で焼結剤を安定化して最終シ
リコン窒化物材料全体に亙り均一な一体性質を与
えるのに用いる。
【表】
＊：得られなかつた。
表に示す成分の未処理（green−body）品は
以下に説明する２方法の一で圧縮処理する。第１
の圧縮処理法は封入体を必要とし、第２の圧縮処
理法は実質的に成形時に使用できる。 第１の圧縮処理法はカプセル封入／熱間イソス
タチツク圧縮（HIP）法と呼ばれ、ミリングある
いは他の方法により所望の粒径を有した３成分を
混合する工程が包有される。得られた混合材料は
冷間イソスタチツク圧縮法、単軸ダイ圧縮、射出
成型、圧縮成型、押出、またはスリツプ鋳造によ
り所望の形状に成形される。冷間イソスタチツク
圧縮法、ミリングにより粉砕されたセラミツク粉
末はゴムダイ（またはポリマーエンベロツプ）内
に置かれ、室温で275.6〜413.4MPa（40〜60ksi）
の圧力を受ける。射出成型、圧縮成型または押出
法の場合、好適な割合の有機結合剤をセラミツク
粉末と混合して成型材料（成型混合物）を作成
し、次に射出成型機、圧縮成型機または押出機を
用いて所望の形状に成型する。含まれた有機結合
剤は好適な熱サイクルにより除去する。スリツプ
鋳造法の場合、ミリングにより粉砕したセラミツ
ク粉末を分散機により水中内に分散して低粘度の
スラリすなわちスリツプを作成する。このスリツ
プは次の型内に注ぎ込み所望の形状にして乾燥す
る。このようにして得られた成型品（green
body）を３〜10時間の間100〜1250℃の温度で真
空下で加熱する。この加熱工程の結果、ストロン
チウムカーボネートがストロンチウム酸化物に対
し分解される。その後、湿気の付着を防止するた
めこの成型品を真空下で室温まで冷却する。この
成型品は次に封入体（金属製カンやガラス）内に
真空を維持したまま封入する。一度封入体内に封
入すると、成型品は約1600〜1900℃の温度と10.3
〜206.7MPa（1.5〜30ksi）の圧力を１〜８時間、
不活性雰囲気内にさらされる。その後、この圧縮
品は室温まで冷却される。 表、には、ンカプセル封入／HIP法により
圧縮した所定の範囲内の13の組成物の曲げ強度が
示されている。13の組成物の１つ（8wt.％のY2
O3、2wt.％のSrO及び90wt.％のSi3N4）もまたニ
アネツトシエイプ（near−net−shape）法であ
るガラス封入／HIP法により圧縮した。この組成
物の強度はNbカプセル封入／HIP法により圧縮
した強度に相当する（表参照）。表にはガラ
スカプセル封入／HIP法による組成物の曲げ強度
及び他の特性が示される。
表に示す成分の未処理（green−body）品は
以下に説明する２方法の一で圧縮処理する。第１
の圧縮処理法は封入体を必要とし、第２の圧縮処
理法は実質的に成形時に使用できる。 第１の圧縮処理法はカプセル封入／熱間イソス
タチツク圧縮（HIP）法と呼ばれ、ミリングある
いは他の方法により所望の粒径を有した３成分を
混合する工程が包有される。得られた混合材料は
冷間イソスタチツク圧縮法、単軸ダイ圧縮、射出
成型、圧縮成型、押出、またはスリツプ鋳造によ
り所望の形状に成形される。冷間イソスタチツク
圧縮法、ミリングにより粉砕されたセラミツク粉
末はゴムダイ（またはポリマーエンベロツプ）内
に置かれ、室温で275.6〜413.4MPa（40〜60ksi）
の圧力を受ける。射出成型、圧縮成型または押出
法の場合、好適な割合の有機結合剤をセラミツク
粉末と混合して成型材料（成型混合物）を作成
し、次に射出成型機、圧縮成型機または押出機を
用いて所望の形状に成型する。含まれた有機結合
剤は好適な熱サイクルにより除去する。スリツプ
鋳造法の場合、ミリングにより粉砕したセラミツ
ク粉末を分散機により水中内に分散して低粘度の
スラリすなわちスリツプを作成する。このスリツ
プは次の型内に注ぎ込み所望の形状にして乾燥す
る。このようにして得られた成型品（green
body）を３〜10時間の間100〜1250℃の温度で真
空下で加熱する。この加熱工程の結果、ストロン
チウムカーボネートがストロンチウム酸化物に対
し分解される。その後、湿気の付着を防止するた
めこの成型品を真空下で室温まで冷却する。この
成型品は次に封入体（金属製カンやガラス）内に
真空を維持したまま封入する。一度封入体内に封
入すると、成型品は約1600〜1900℃の温度と10.3
〜206.7MPa（1.5〜30ksi）の圧力を１〜８時間、
不活性雰囲気内にさらされる。その後、この圧縮
品は室温まで冷却される。 表、には、ンカプセル封入／HIP法により
圧縮した所定の範囲内の13の組成物の曲げ強度が
示されている。13の組成物の１つ（8wt.％のY2
O3、2wt.％のSrO及び90wt.％のSi3N4）もまたニ
アネツトシエイプ（near−net−shape）法であ
るガラス封入／HIP法により圧縮した。この組成
物の強度はNbカプセル封入／HIP法により圧縮
した強度に相当する（表参照）。表にはガラ
スカプセル封入／HIP法による組成物の曲げ強度
及び他の特性が示される。
【表】
第２の圧縮法は焼結／熱間イソスタチツク圧縮
（焼結／HIP）法と呼ばれ、この方法は上述した
ように封入体を必要としないので経済的でありニ
アネツトシエイプ品の形成に好適である。且つこ
の圧縮法では、成型されたグリーンボデイを上述
した方法、即ちスリツプ鋳造、射出成型、圧縮成
型、冷間イソスタチツク圧縮法等により形成し、
真空熱処理してストロンチウムカーボネートをス
トロンチウム酸化物に対し分解し二酸化炭素を除
去する。 次にこれをるつぼあるいは容器内に置き、シリ
コン窒化物（Si3N4）、イツトリウム酸化物（Y2
O3）、アルミニウム酸化物（Al2O3）並びに硼素
（BN）の粉末混合物内で焼結する。このるつぼ
を炉内に置き1800〜1900℃の範囲内の温度並びに
約0.7〜2.1MPa（100〜300psi）の範囲内の圧力で
２〜６時間の間窒素雰囲気内で加熱される。その
後圧力は１〜８時間の間約10.3〜206.7MPa（1.5
〜30ksi）の範囲内のレベルにまで上昇される。
この焼結／HIP法の後、大気条件にさらして冷却
する。 表には各種のグリーン形成法（green−
forming process）、即ちスリツプ鋳造、射出成
型、または冷間イソスタチツク圧縮法により形成
し、カプセル封入／HIP法と焼結／HIP法のいず
れかの方法を用いて圧縮したニアネツトシエイプ
品が示される。既述したように多様な、最終的な
作成材料としてのニアネツトシエイプ品は簡単な
ビレツトから断面積が広範囲に亙る複雑な形状の
ターボチヤージヤ用ロータまでに及ぶ。
（焼結／HIP）法と呼ばれ、この方法は上述した
ように封入体を必要としないので経済的でありニ
アネツトシエイプ品の形成に好適である。且つこ
の圧縮法では、成型されたグリーンボデイを上述
した方法、即ちスリツプ鋳造、射出成型、圧縮成
型、冷間イソスタチツク圧縮法等により形成し、
真空熱処理してストロンチウムカーボネートをス
トロンチウム酸化物に対し分解し二酸化炭素を除
去する。 次にこれをるつぼあるいは容器内に置き、シリ
コン窒化物（Si3N4）、イツトリウム酸化物（Y2
O3）、アルミニウム酸化物（Al2O3）並びに硼素
（BN）の粉末混合物内で焼結する。このるつぼ
を炉内に置き1800〜1900℃の範囲内の温度並びに
約0.7〜2.1MPa（100〜300psi）の範囲内の圧力で
２〜６時間の間窒素雰囲気内で加熱される。その
後圧力は１〜８時間の間約10.3〜206.7MPa（1.5
〜30ksi）の範囲内のレベルにまで上昇される。
この焼結／HIP法の後、大気条件にさらして冷却
する。 表には各種のグリーン形成法（green−
forming process）、即ちスリツプ鋳造、射出成
型、または冷間イソスタチツク圧縮法により形成
し、カプセル封入／HIP法と焼結／HIP法のいず
れかの方法を用いて圧縮したニアネツトシエイプ
品が示される。既述したように多様な、最終的な
作成材料としてのニアネツトシエイプ品は簡単な
ビレツトから断面積が広範囲に亙る複雑な形状の
ターボチヤージヤ用ロータまでに及ぶ。
【表】
ここに使用した材料、即ちシリコン窒化物、イ
ツトリウム酸化物、及びストロンチウム酸化物に
還元されたストロンチウムカーボネートを所定の
割合で混合し、上述の方法で圧縮せしめ、曲げ強
度及びシリコン窒化物グレインに対する接着性の
優れたグレイン境界組成物を作成すると現在考え
られている。特に、81〜91wt.％のイツトリウム
酸化物、７〜10wt.％のイツトリウム酸化物、及
び１〜3wt.％のストロンチウム酸化物の混合物を
処理すると嵩曲げ強度が1400℃で560〜662MPa
が観察された。 多くのテスト組成物、処理法、ニアネツトシエ
イプ品を上述したが、これらは単に挙例したに過
ぎず、特許請求の範囲に含まれる他の各種の設計
変更お包有されることは理解されよう。
ツトリウム酸化物、及びストロンチウム酸化物に
還元されたストロンチウムカーボネートを所定の
割合で混合し、上述の方法で圧縮せしめ、曲げ強
度及びシリコン窒化物グレインに対する接着性の
優れたグレイン境界組成物を作成すると現在考え
られている。特に、81〜91wt.％のイツトリウム
酸化物、７〜10wt.％のイツトリウム酸化物、及
び１〜3wt.％のストロンチウム酸化物の混合物を
処理すると嵩曲げ強度が1400℃で560〜662MPa
が観察された。 多くのテスト組成物、処理法、ニアネツトシエ
イプ品を上述したが、これらは単に挙例したに過
ぎず、特許請求の範囲に含まれる他の各種の設計
変更お包有されることは理解されよう。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US165,659 | 1988-03-08 | ||
| US07/165,659 US4870036A (en) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | High strength silicon nitride |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02504385A JPH02504385A (ja) | 1990-12-13 |
| JPH0577632B2 true JPH0577632B2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=22599890
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|---|---|---|---|
| JP1503867A Granted JPH02504385A (ja) | 1988-03-08 | 1989-03-03 | 高強度を有するシリコン窒化物 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4870036A (ja) |
| EP (1) | EP0400090B1 (ja) |
| JP (1) | JPH02504385A (ja) |
| CA (1) | CA1322269C (ja) |
| WO (1) | WO1989008625A1 (ja) |
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| US5120328A (en) * | 1988-01-27 | 1992-06-09 | The Dow Chemical Company | Dense, self-reinforced silicon nitride ceramic prepared by pressureless or low pressure gas sintering |
| US5118645A (en) * | 1988-01-27 | 1992-06-02 | The Dow Chemical Company | Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same |
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| EP0603787B1 (de) * | 1992-12-23 | 1998-03-25 | Hoechst Aktiengesellschaft | Hochtemperaturfeste Siliziumnitridkeramik und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE4312251C1 (de) * | 1993-04-15 | 1995-01-05 | Hoechst Ceram Tec Ag | Keramisches Bauteil aus hochfestem Siliziumnitrid für den Motoren-, Maschinen- und Gerätebau und Verwendung des Bauteils |
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| US6977233B2 (en) * | 2003-07-15 | 2005-12-20 | Honeywell International, Inc. | Sintered silicon nitride |
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1988
- 1988-03-08 US US07/165,659 patent/US4870036A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-02-28 CA CA000592256A patent/CA1322269C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-03 WO PCT/US1989/000870 patent/WO1989008625A1/en active IP Right Grant
- 1989-03-03 EP EP89904389A patent/EP0400090B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-03 JP JP1503867A patent/JPH02504385A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4870036A (en) | 1989-09-26 |
| JPH02504385A (ja) | 1990-12-13 |
| EP0400090A1 (en) | 1990-12-05 |
| CA1322269C (en) | 1993-09-21 |
| WO1989008625A1 (en) | 1989-09-21 |
| EP0400090B1 (en) | 1993-01-13 |
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