JPH0699191B2 - 窒化珪素質焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化珪素質焼結体の製造方法Info
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- JPH0699191B2 JPH0699191B2 JP59269618A JP26961884A JPH0699191B2 JP H0699191 B2 JPH0699191 B2 JP H0699191B2 JP 59269618 A JP59269618 A JP 59269618A JP 26961884 A JP26961884 A JP 26961884A JP H0699191 B2 JPH0699191 B2 JP H0699191B2
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、高温での耐酸化性及び高温での機械的強度に
優れた窒化珪素質焼結体の製造方法に関するものであ
る。
優れた窒化珪素質焼結体の製造方法に関するものであ
る。
(従来の技術及びその問題点) 高温高強度の窒化珪素質材料としては、希土類元素の酸
化物を添加したものが常用されており、その理由は希土
類元素の酸化物を添加することにより粒界に生成される
窒化珪素との化合物が高融点のものであるため、焼結体
は高温高強度のものとなることによる。
化物を添加したものが常用されており、その理由は希土
類元素の酸化物を添加することにより粒界に生成される
窒化珪素との化合物が高融点のものであるため、焼結体
は高温高強度のものとなることによる。
しかしながら、そのような希土類元素添加の窒化珪素質
焼結体は、高温において酸化雰囲気で長時間使用される
と酸化されて、例えばRE2SiO3O3N4→RE2Si2O7のような
反応により希土類のシリケートを生じ、該シリケートは
融点が高くガラス転移温度(Tg)が高いためにガラス状
層を形成せず粉状となってしまい、よって焼結体の表面
層を密閉する保護膜とはならない。
焼結体は、高温において酸化雰囲気で長時間使用される
と酸化されて、例えばRE2SiO3O3N4→RE2Si2O7のような
反応により希土類のシリケートを生じ、該シリケートは
融点が高くガラス転移温度(Tg)が高いためにガラス状
層を形成せず粉状となってしまい、よって焼結体の表面
層を密閉する保護膜とはならない。
それ故、焼結体の内部にまで酸化が進み、そうした窒化
珪素質焼結体は高温での耐酸化性に劣るものとなる。
珪素質焼結体は高温での耐酸化性に劣るものとなる。
これを解決すべく、希土類+アルミナ又は希土類+シリ
カ系などの添加が行なわれたが、十分な効果が達成でき
ず、さらに高温での強度が低下するなどの問題が生じて
いる。
カ系などの添加が行なわれたが、十分な効果が達成でき
ず、さらに高温での強度が低下するなどの問題が生じて
いる。
(問題点を解決するための手段及び作用) そこで本発明者は鋭意研究を進め、添加物としてアルミ
ナを用いず、窒化アルミニウムを使用することにより粒
界相の酸素イオンを少なくしてガラスの生成を抑制し、
さらに酸化クロムを添加して希土類との反応による高融
点粒界相の形成を図り、その結果、高温強度を犠牲にす
ることなく、耐酸化性を向上させることに成功した。
ナを用いず、窒化アルミニウムを使用することにより粒
界相の酸素イオンを少なくしてガラスの生成を抑制し、
さらに酸化クロムを添加して希土類との反応による高融
点粒界相の形成を図り、その結果、高温強度を犠牲にす
ることなく、耐酸化性を向上させることに成功した。
本発明はすなわち、窒化珪素(Si3N4)80重量%以上と
周期律表IIIa族元素の酸化物の少なくとも1種20重量%
未満と酸化クロム(Cr2O3)15重量%以下(但し周期律
表IIIa族元素の酸化物と酸化クロムの合量は20重量%以
下)とからなる混合物100重量部に、窒化アルミニウム
(AlN)0.5〜10重量部を配合してなる成形体を非酸化雰
囲気中で高温焼成することを特徴とする高温耐酸化性及
び高温強度の優れた窒化珪素質焼結体の製造方法であ
る。
周期律表IIIa族元素の酸化物の少なくとも1種20重量%
未満と酸化クロム(Cr2O3)15重量%以下(但し周期律
表IIIa族元素の酸化物と酸化クロムの合量は20重量%以
下)とからなる混合物100重量部に、窒化アルミニウム
(AlN)0.5〜10重量部を配合してなる成形体を非酸化雰
囲気中で高温焼成することを特徴とする高温耐酸化性及
び高温強度の優れた窒化珪素質焼結体の製造方法であ
る。
なお上記において、周期律表IIIa族元素は希土類元素で
あることは好ましく、周期律表IIIa族元素の酸化物と酸
化クロムの合量20重量%の内訳は周期律表IIIa族元素の
酸化物が20重量%未満、酸化クロムが15重量%以下であ
ることが好ましい。
あることは好ましく、周期律表IIIa族元素の酸化物と酸
化クロムの合量20重量%の内訳は周期律表IIIa族元素の
酸化物が20重量%未満、酸化クロムが15重量%以下であ
ることが好ましい。
上記本発明に係る配合において窒化珪素を80重量%以上
としたのは、それより少ないと得られる窒化珪素質焼結
体の高温での強度が不十分なものに低下するためであ
り、また窒化アルミニウムを0.5〜10重量部としたの
は、0.5重量部より少ないとガラスの生成抑制の効果が
見られず、また10重量部を越えると高温強度が劣化する
ためである。
としたのは、それより少ないと得られる窒化珪素質焼結
体の高温での強度が不十分なものに低下するためであ
り、また窒化アルミニウムを0.5〜10重量部としたの
は、0.5重量部より少ないとガラスの生成抑制の効果が
見られず、また10重量部を越えると高温強度が劣化する
ためである。
なお、酸化クロムは、その量が多くなると、高温度でそ
の昇華が激しくなって焼結体に気孔等のボイドが多くな
るため機械強度が低下し、その量が少なくなると、耐酸
化性が劣化する。
の昇華が激しくなって焼結体に気孔等のボイドが多くな
るため機械強度が低下し、その量が少なくなると、耐酸
化性が劣化する。
(実施例) 次に実施例を挙げて本願発明を詳細に説明する。
まず、平均粒径0.6μmのα−Si3N4の窒化珪素を用い、
各配合成分を第1表に示す割合に秤量した後、秤量され
た各配合成分をエタノール媒体を用いウレタンボールを
入れて24時間分散混合した。
各配合成分を第1表に示す割合に秤量した後、秤量され
た各配合成分をエタノール媒体を用いウレタンボールを
入れて24時間分散混合した。
次いで、得られた混合粉体にバインダーとしてパラフィ
ンワックスを添加して造粒し、それぞれ成形圧1t/cm2で
金型成形を行った。
ンワックスを添加して造粒し、それぞれ成形圧1t/cm2で
金型成形を行った。
その後、得られた成形体を9.8気圧の窒素ガス雰囲気中
で1900℃、1時間保持して焼成し、窒化珪素質焼結体を
得た。
で1900℃、1時間保持して焼成し、窒化珪素質焼結体を
得た。
得られた窒化珪素質焼結体の高温強度の測定は、3×4
×40mmの寸法に研削された各試験片に0.3mmのC面処理
を行い、JISR−1601に規定される4点曲げ法によって実
施した。
×40mmの寸法に研削された各試験片に0.3mmのC面処理
を行い、JISR−1601に規定される4点曲げ法によって実
施した。
表1は、窒化珪素に各種希土類元素酸化物と酸化クロ
ム、さらに窒化アルミニウムの配合割合と得られた焼結
体についてのデータである。
ム、さらに窒化アルミニウムの配合割合と得られた焼結
体についてのデータである。
表1中、酸化重量増については、前記JIS抗折試験片を
大気中1300℃、100時間保持の結果の増量を試験片表面
積で割った値で表した。
大気中1300℃、100時間保持の結果の増量を試験片表面
積で割った値で表した。
表中、試料番号2〜5、10〜14,19,20のものは、本発明
に係る窒化珪素質焼結体の組成範囲のものであり、酸化
重量増(1300℃.100hrs)は0.1〜1.0mg/cm2の値であっ
て耐酸化性が優れており、高温強度も1300℃で80Kg/mm2
以上、1400℃で60Kg/mm2以上であって充分に優れてい
る。
に係る窒化珪素質焼結体の組成範囲のものであり、酸化
重量増(1300℃.100hrs)は0.1〜1.0mg/cm2の値であっ
て耐酸化性が優れており、高温強度も1300℃で80Kg/mm2
以上、1400℃で60Kg/mm2以上であって充分に優れてい
る。
試料番号1、6、7のものは、Si3N4が80重量%より少
なく、周期律表IIIa族元素酸化物とCr2O3の合量が20重
量%を越えており、酸化重量増は2.1mg/cm2以上、高温
強度も非常に低下している。
なく、周期律表IIIa族元素酸化物とCr2O3の合量が20重
量%を越えており、酸化重量増は2.1mg/cm2以上、高温
強度も非常に低下している。
試料番号8、9のものは、Si3N4が80重量%以上である
が、AlNが10重量部より多いか、0.5重量部より少なく、
両者共高温強度は低い。
が、AlNが10重量部より多いか、0.5重量部より少なく、
両者共高温強度は低い。
試料番号15〜18のものはSi3N4が80重量%を越えている
が、15はAlNを含有せず、16〜18はCr2O3を含有しておら
ず、高温強度が低いか又は酸化重量増が1mg/cm2を越え
ている。
が、15はAlNを含有せず、16〜18はCr2O3を含有しておら
ず、高温強度が低いか又は酸化重量増が1mg/cm2を越え
ている。
試料番号21のものは、Cr2O3の含有量が15重量%を越え
ており、高温強度が低くく、酸化重量増が1mg/cm2を越
えている。
ており、高温強度が低くく、酸化重量増が1mg/cm2を越
えている。
なお、実験の結果から、周期律表IIIa族元素の酸化物と
Cr2O3の含有量比は0.1〜10の範囲にあるものが優れた物
性を有していることが分かった。
Cr2O3の含有量比は0.1〜10の範囲にあるものが優れた物
性を有していることが分かった。
(発明の効果) 上記したごとく本発明の窒化珪素質焼結体の製造方法に
よれば、酸化重量増(1300℃.100hrs)が0.1〜1.0mg/cm
2、高温強度は1300℃で80Kg/mm2以上、1400℃で60Kg/mm
2以上を示す耐酸化性及び高温強度共に優れた窒化珪素
質焼結体が得られる。
よれば、酸化重量増(1300℃.100hrs)が0.1〜1.0mg/cm
2、高温強度は1300℃で80Kg/mm2以上、1400℃で60Kg/mm
2以上を示す耐酸化性及び高温強度共に優れた窒化珪素
質焼結体が得られる。
本発明によれば高温での強度を低下させることなしに、
高温耐酸化性の非常に優れた窒化珪素質焼結体を製造す
ることができるので、従来の窒化珪素質焼結体の使用範
囲を拡張することが可能となり、特に本願発明に係る窒
化珪素質焼結体はガスタービン、エンジン部品などに好
適に用いることができる。
高温耐酸化性の非常に優れた窒化珪素質焼結体を製造す
ることができるので、従来の窒化珪素質焼結体の使用範
囲を拡張することが可能となり、特に本願発明に係る窒
化珪素質焼結体はガスタービン、エンジン部品などに好
適に用いることができる。
Claims (2)
- 【請求項1】窒化珪素(Si3N4)80重量%以上と周期律
表IIIa族元素の酸化物の少なくとも1種20重量%未満と
酸化クロム(Cr2O3)15重量%以下(但し周期律表IIIa
族元素の酸化物と酸化クロムの合量は20重量%以下)と
からなる混合物100重量部に、窒化アルミニウム(AlN)
0.5〜10重量部を配合してなる成形体を非酸化雰囲気中
で高温焼成することを特徴とする高温耐酸化性及び高温
強度の優れた窒化珪素質焼結体の製造方法。 - 【請求項2】周期律表IIIa族元素の酸化物が希土類元素
の酸化物である特許請求の範囲第1項記載の窒化珪素質
焼結体の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59269618A JPH0699191B2 (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
US06/841,552 US4746636A (en) | 1984-12-22 | 1986-03-20 | Silicon nitride sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59269618A JPH0699191B2 (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61151066A JPS61151066A (ja) | 1986-07-09 |
JPH0699191B2 true JPH0699191B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=17474855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59269618A Expired - Fee Related JPH0699191B2 (ja) | 1984-12-22 | 1984-12-22 | 窒化珪素質焼結体の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPH0699191B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
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US4820665A (en) * | 1986-12-16 | 1989-04-11 | Ngk Insulators, Ltd. | Ceramic sintered bodies and a process for manufacturing the same |
JPH0774103B2 (ja) * | 1986-12-27 | 1995-08-09 | 日本碍子株式会社 | 高硬度窒化珪素焼結体 |
JPS63218584A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-12 | 株式会社東芝 | セラミツクス焼結体 |
JPS63248773A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-17 | 京セラ株式会社 | 黒色系窒化けい素質焼結体 |
US5187127A (en) * | 1987-09-18 | 1993-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Fiber-reinforced silicon nitride ceramic |
JP2512061B2 (ja) * | 1987-11-26 | 1996-07-03 | 日本碍子株式会社 | 均質窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
KR890012910A (ko) * | 1988-02-29 | 1989-09-20 | 원본미기재 | 질화 실리콘 기재의 세라믹으로 형성된 성형품 및 그의 제조방법 |
US4870036A (en) * | 1988-03-08 | 1989-09-26 | Allied-Signal Inc. | High strength silicon nitride |
US4994219A (en) * | 1988-03-08 | 1991-02-19 | Allied-Signal Inc. | Method for forming a high strength silicon nitride |
US5238882A (en) * | 1989-05-10 | 1993-08-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing silicon nitride sintered bodies |
US5114888A (en) * | 1989-11-21 | 1992-05-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Silicon nitride sintered body and method for producing same |
US5145620A (en) * | 1990-02-09 | 1992-09-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing a silicon nitride sintered body |
US5096859A (en) * | 1990-02-09 | 1992-03-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered body and method of producing the same |
US5637540A (en) * | 1991-06-17 | 1997-06-10 | Alliedsignal Inc. | Sintered silicon nitride of high toughness, strength and reliability |
CA2068979A1 (en) * | 1991-06-24 | 1992-12-25 | Allan B. Rosenthal | Silicon nitride ceramics containing a dispersed pentamolybdenum trisilicide base |
JP2804393B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1998-09-24 | 京セラ株式会社 | セラミックヒータ |
JPH06151084A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Asahi Glass Co Ltd | 帯電除去用セラミックスおよびその製造用組成物 |
US5928768A (en) * | 1995-03-20 | 1999-07-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit board |
JP2000128654A (ja) * | 1998-10-28 | 2000-05-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ケイ素複合基板 |
JP2022122132A (ja) * | 2021-02-09 | 2022-08-22 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物、電子部品および積層電子部品 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4134947A (en) * | 1975-04-07 | 1979-01-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Sintered silicon nitride body and a method of producing the same |
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JPS57200266A (en) * | 1981-06-04 | 1982-12-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ceramic sintered body and manufacture |
JPS5864268A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-16 | 住友電気工業株式会社 | 窒化けい素焼結体およびその製造方法 |
JPS59146981A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-23 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
CA1223013A (en) * | 1983-04-22 | 1987-06-16 | Mikio Fukuhara | Silicon nitride sintered body and method for preparing the same |
JPH0566337A (ja) * | 1991-09-10 | 1993-03-19 | Canon Inc | カメラ用レンズのモ−タ制御装置 |
-
1984
- 1984-12-22 JP JP59269618A patent/JPH0699191B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-03-20 US US06/841,552 patent/US4746636A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61151066A (ja) | 1986-07-09 |
US4746636A (en) | 1988-05-24 |
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