JPS6311575A - 窒化アルミニウム焼結体の製造法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体の製造法

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JPS6311575A
JPS6311575A JP61152792A JP15279286A JPS6311575A JP S6311575 A JPS6311575 A JP S6311575A JP 61152792 A JP61152792 A JP 61152792A JP 15279286 A JP15279286 A JP 15279286A JP S6311575 A JPS6311575 A JP S6311575A
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JP
Japan
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aluminum nitride
sintering
nitride sintered
sintered body
elements
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JP61152792A
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一郎 林
恵一朗 鈴木
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AGC Inc
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Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、高い熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結
体の製造法に関する。
[従来の技術] 窒化アルミニウム焼結体は、理論的には高い熱伝導率を
有することが予測されていはいるが、窒化アルミニウム
粉末は一般に焼結が困難でもある。そこで、高密度・高
熱伝導率の窒化アルミニウム焼結体を得るだめの各種の
焼結助剤が提案されている。
その代表的なものは、CaO,SrO,BaO,Y2O
3,あるいは焼結時に容易にこうした酸化物となる炭酸
塩、硝酸塩である。しかし、このような酸化物系焼結助
剤を採用しても、通常焼結法によっては一般にBOW/
mK程度の熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体し
か得られない。酸化物系焼結助剤を用いて、さらに高い
熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体を特徴とする
特許特殊な原料窒化アルミニウム粉末を使用したり、第
二の焼結助剤を併用したり、特殊な焼結法を採用したり
する必要があった。
酸化物系以外の焼結助剤として、炭素、炭化物、アセチ
リド、窒化物、ハロゲン化物、水素化物なども提案され
ている。しかし、こうした焼結助剤の多くは、調製・取
扱い・安全性の点で問題があったり、酸化物系焼結助剤
の場合と同様に、原料窒化アルミニウム粉末や焼結条件
の選択に制約を伴うものであった。
[発明の解決すべき問題点] このように、従来から多用されている酸化物、炭酸塩、
硝酸塩などの酸化物系焼結助剤を用いる窒化アルミニウ
ム粉末の焼結によっては、いまだ充分に高い熱伝導率を
備える窒化アルミニウム焼結体が容易には得られないこ
とに鑑み、本発明は、新規にして、かつ、調製・取扱い
・安全性などの点でも簡便に使用できる焼結助剤を用い
ることにより、すぐれた熱伝導率を備える窒化アルミニ
ウム焼結体の製造法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] しかして、未発用の窒化アルミニウム焼結体の製法は、
IA族元素(ただしHを除く)、11A族元票、III
A族元素((ただしランタノイド元素およびアクチノイ
ド元素を含む) 、 Cu、 AgおよびZnから選ば
れる元素の一種以上の硫化物および/またはチオシアン
酸塩を総量で0.01〜10重量%配合されてなる窒化
アルミニウム粉末の成形体を焼結することを特徴とする
以下に本発明の詳細な説明する。
原料窒化アルミニウム粉末の純度、粒径については、こ
の分野で常用されるものであれば格別の制約なしに使用
できるが、純度としては95%以上のもの、平均粒径と
しては4μm以下のものが好ましい。高密度窒化アルミ
ニウム焼結体製造用窒化アルミニウム粉末に関しては、
不純物として混入し、あるいは粒子表面の酸化などによ
ってもたらされるSi含量、酸素含量の多寡が一般には
問題とされる9本発明においても原料窒化アルミニウム
粉末中のこうしたSi含量、酸素含量は小さい力が望ま
しいものの、これに制約されず、例えば酸素含量が2%
以上の窒化アルミニウム粉末であってもよく、この点も
本発明の利点の一つである・ 焼結助剤としてはIA族(ただしHを除く)、II A
族、mA族(ただしランタノイド元素およびアクチノイ
ド元素を含む) 、 Cu、 AgおよびZnから選ば
れる一種または二種以上の元素の硫化物および/または
チオシアン酸塩が採用される。
硫化物、ヂオシアン酪塩を構成する金属元素種としては
、Li、Ha、に、Mg、C:a、Sr、Ba、AI、
Y、La。
Ce、C:u、Ag、Znが実用的には好ましい、II
AIA族元素かでもMg、Ca、Sr、Baの硫化物お
よび/またはチオシアン酸塩が高い熱伝導率を得る点で
は望ましい、こうした硫化物、チオシアン酸塩は通常は
いずれか一種を使用するが、二挿具1を併用してもよい
、さらに本発明の目的・効果を損わない範囲で硫化物な
いしは千オシアン酸塩以外の焼結助剤を併用してもよい
焼結助剤としての前記した硫化物および/またはチオシ
アン酸塩はその合計量として、窒化アルミニウム粉末m
ff1に対し、内掛けで0.01〜10重量%配合され
る。配合量が0.01%より少ないと焼結助剤の効果が
充分に発現されないし、10%より多いと、かえって焼
結を阻害したり、熱伝導率などの特性を損なう、実験結
果によると、配合量を0.1〜5重量%とするのが特に
好ましい。
焼結助剤を所定量配合された窒化アルミニウム粉末はそ
のままで、あるいは適宜な成形バインダを添加された上
でコールドプレス、ラバープレス、ドクターブレード成
形法などにより所望形状に成形される。得られた成形体
は均等圧下の焼結あるいは一軸加圧下の焼結(いわゆる
ホットプレス焼結)などに供される。均等圧下の焼結に
あっては大気圧前後ないしは真空を含む減圧下で焼結す
る通常焼結法が筒便に採用されるが、たとえば2〜50
0気圧、特には5〜100気圧の均等加圧下の焼結法や
、これを上回ってさらに1000〜2000気圧といっ
たいわゆる熱間静水圧加圧焼結法を採用してもよい、焼
結時の雰囲気は窒素または水素などの非酸化性雰囲気が
採用され、焼結温度は焼結法にもよるが、通例は150
0〜2100℃が採用される。
[作用および効果] しかして、従来法の酸化物系焼結助剤を用いて通常焼結
した場合には得られた窒化アルミニウム焼結体の熱伝導
率はおおよそBOW/mK程度にとどまるのに対し、本
発明によれば、通常焼結法による焼結体であってもこれ
を上回って、例えば90〜130W/mKといった熱伝
導率を有し、かつ、高密度を備える。また、ホットプレ
ス焼結法による焼結体は、さらに180W/aKといっ
た高い熱伝導率を備えることも可能である。
本発明によって何故かかる高い熱伝導率を具備する窒化
アルミニウム焼結体が得られるかについては次のような
理由によるものと考えられる。すなわち、本発明に用い
られる上述の焼結助剤は、不純物として混入したり結晶
水などとして付随的に存在する分を除くと分子中に酸素
分がなく、したがって焼結中に単純に酸化物となるもの
ではない、これに対し、従来より公知の酸化物、炭酸塩
、硝酸塩、さらには特開昭5O−23411−t’例示
さレティルCa5Oa ナトの硫酸塩は、いずれも焼成
によって容易に安定な酸化物となって焼結体中に残存す
る。こうした酸化物は難焼結性である窒化アルミニウム
粉末の焼結助剤として効くと同時に、粒界相中に酸素分
が存在することともなって熱伝導率の向上を阻害する。
一方、上記した硫化物やチオシアン酸塩においては、S
は0と同様に2価の陰性元素として安定に存在するとと
もに、酸素に対しては還元剤として機能し、原料窒化ア
ルミニウム粉末、焼結助剤、雰囲気その他に由来する酸
素分と焼結過程で結合して、この酸素分を外部に排除す
る作用を有し、もって窒化アルミニウム焼結体中の熱伝
導率向上を阻害する粒界相の酸素の存在を抑制ないし1
ま防止するものと考えられる。その上2例えばアセチリ
ド、水素化物、炭素などと比べても調製・取扱い・安全
性の点ですぐれている。
本発明の製造法によれば高密度高強度にして、かつ高い
熱伝導率を有する窒化アルミニウム焼結体が簡便容易に
得られ、かつこの窒化アルミニウム焼結体の多くは透光
性をも有する。
[実′施例] 以下に実施例によって本発明を具体的に例示するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1 平均粒径1.5μ層、#票含有量2.5%の窒化アルミ
ニウム粉末に第1表に示す各種硫化物などの添加剤を所
定重量部添加して全体を100重量部とし、得られた混
合粉末を冷間静水圧プレス法によって成形体とした。な
お、結晶水を有する添加剤については結晶水の分を控除
した重量である。この成形体を大気圧の窒素雰囲気下に
て1900℃で2時間通常焼結して窒化アルミニウム焼
結体を得た。得られた窒化アルミニウム焼結体の密度と
熱伝導率を第1表に示す。
実施例2 モ均粒径1.5μ腸、酸素含有量1.8%の窒化アルミ
ニウム粉末に第2表に示す各種硫化物などの添加剤を所
定重量部添加して全体を100重量部とし、得られた混
合粉末を冷間静水圧プレス法によって成形体とした。な
お、結晶水を有する添加剤については結晶水の分を控除
した玉量である。この成形体を窒素雰囲気下にて300
kg/cm2の圧力にて1850℃、2時間ホットプレ
ス焼結して窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた窒
化アルミニウム焼結体の密度と熱伝導率を第2表に示す
なお、第1表および第2表において木印は比較例であり
、木木印は2種の添加剤を併用したものであり、各添加
剤の添加量は前者同士、後者同士が対応する。
第1表 第2表

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、 I A族元素(ただしHを除く)、IIA族元素、II
    IA族元素(ただしランタノイド元素およびアクチノイ
    ド元素を含む)、Cu、AgおよびZnから選ばれる元
    素の一種以上の硫化物および/またはチオシアン酸塩を
    総量で0.01〜10重量%配合されてなる窒化アルミ
    ニウム粉末の成形体を焼結することを特徴とする窒化ア
    ルミニウム焼結体の製造法。 2、前記硫化物および/またはチオシアン酸塩はIIA族
    元素の硫化物および/またはチオシアン酸塩である特許
    請求の範囲第1項記載の窒化アルミニウム焼結体の製造
    法。 3、前記硫化物および/またはチオシアン酸塩を総量で
    0.1〜5重量%配合されてなる特許請求の範囲第1項
    または第2項記載の窒化アルミニウム焼結体の製造法。
JP61152792A 1986-07-01 1986-07-01 窒化アルミニウム焼結体の製造法 Pending JPS6311575A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0372910A2 (en) * 1988-12-07 1990-06-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for production of aluminium nitride sintered body
US6861165B2 (en) 2000-02-24 2005-03-01 Ibiden Co., Ltd. Aluminum nitride sintered compact, ceramic substrate, ceramic heater and electrostatic chuck
US6888236B2 (en) 2000-03-07 2005-05-03 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for manufacture/inspection of semiconductor

Cited By (4)

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EP0372910A2 (en) * 1988-12-07 1990-06-13 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for production of aluminium nitride sintered body
US6861165B2 (en) 2000-02-24 2005-03-01 Ibiden Co., Ltd. Aluminum nitride sintered compact, ceramic substrate, ceramic heater and electrostatic chuck
US6929874B2 (en) 2000-02-24 2005-08-16 Ibiden Co., Ltd. Aluminum nitride sintered body, ceramic substrate, ceramic heater and electrostatic chuck
US6888236B2 (en) 2000-03-07 2005-05-03 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for manufacture/inspection of semiconductor

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