JPH0455992B2 - - Google Patents

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JPH0455992B2
JPH0455992B2 JP59178089A JP17808984A JPH0455992B2 JP H0455992 B2 JPH0455992 B2 JP H0455992B2 JP 59178089 A JP59178089 A JP 59178089A JP 17808984 A JP17808984 A JP 17808984A JP H0455992 B2 JPH0455992 B2 JP H0455992B2
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JP
Japan
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weight
silicon nitride
group
oxide
oxides
Prior art date
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JP59178089A
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JPS6158863A (ja
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Kyoshi Yokoyama
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、高温でのクリープ特性および機械的
特性が劣化することなく、かつ耐酸化性に優れた
窒化珪素質焼結体に関するものである。 背景技術 近時、高温熱機関用窒化珪素材料について、焼
結に際して第a族酸化物を添加することにより
高融点を有する窒化珪素との化合物を粒界に生成
させて、高温におけるクリープ特性および機械的
特性(抗折強度)の改善がなされている。しかし
ながら、これら焼結体においては高温酸化物性雰
囲気中で長期間使用されることにより酸化され、
クリープ特性、抗折強度、寸法精度および形状精
度などが大巾に劣化することが明らかとなつた。
酸化の原因は酸化時に生成するSiO2−第a族
酸化物のガラス転移温度(Tg)が高いことによ
り耐酸化性保護膜が形成されないことが判明し
た。 発明が解決しようとする問題点 本発明者は、上記の現状に鑑み鋭意研究の結
果、窒化珪素(Si3N4)に対し、第a族元素の
うち少なくとも酸化ランタン(La2O3)、酸化ネ
オジウム(Nb2O3)、および酸化イツテルビウム
(Yb2O3)の2種以上と、さらに第a族元素、
Al、Ti、Cr、ZrおよびSiの酸化物または窒化物
から選ばれる1種以上を添加し、焼結することに
より高温酸化性雰囲気中で長期間使用しても酸化
物が進み難いことを知見した。 したがつて、本発明においては高温での長期間
使用に対し耐酸化性に優れ、高温におけるクリー
プ特性および機械的特性(抗折強度)を向上させ
た窒化珪素質焼結体を提供することを目的とす
る。 問題点を解決するための手段 本発明によれば、窒化珪素(Si3N4)の80重量
%以上に、第a族元素酸化物から選ばれ、その
うち少なくとも酸化ランタン(La2O3)、酸化ネ
オジウム(Nd2O3)、酸化イツテルビウム
(Yb2O3)のいずれかの必ず2種以上を含む主成
分の100重量部に対して、第a族元素、Al、
Ti、Cr、Ga、ZrおよびSiの酸化物または窒化物
から選ばれる1種以上を、0.1〜5重量部添加し、
焼結してなる窒化珪素質焼結体が提供される。 窒化珪素(Si3N4)の80重量%以上に第a族
元素酸化物の適量を添加することにより、高温で
の強度劣化が少ない焼結体が得られるが、窒化珪
素(Si3N4)にさらに酸化ランタン(La2O3)、酸
化ネオジウム(Nb2O3)および酸化イツテルビウ
ム(Yb2O3)のうちから選ばれる2種以上を添加
することにより高温でのクリープ特性および抗折
強度が高い焼結体が得られる。これは窒化珪素質
焼結体の高温でのクリープ現象は粒界相のすべり
によつて起こるといわれているが、上記組成を添
加することにより粒界相が非常に高融点の化合物
で形成されているためと考えられる。特に、窒化
珪素(Si3N4)の含有量が90〜99重量%に前記酸
化ランタン(La2O3)、酸化ネオジウム(Nd2O3
および酸化イツテルビウム(Yb2O3)の少なくと
も2種以上(その他第a族元素酸化物を含んで
もよい)を1〜10重量%添加するのが好ましい。
窒化珪素(Si3N4)の含有量が増加するとクリー
プ特性が向上し、この含有量が80重量%より減少
すると急激にクリープ特性が劣化する。また、添
加剤として第a族元素、Al、Ti、Cr、Ga、Zr
およびSiの酸化物または窒化物を添加することに
より、複合希土類含有窒化珪素質焼結体が酸化し
て生じる粉状酸化物を緻密化する効果を与えるこ
とが可能となる。したがつて酸化により生成する
緻密な酸化膜が一旦表面に生成すると、それ以後
の酸素の内部への拡散と酸化反応とを抑制する保
護膜となり、耐酸化性が飛躍的に向上し、高温酸
化雰囲気中における材料の寿命が延長される。 前記第a族元素、Al、Ti、Cr、Ga、Zrおよ
びSiの酸化物または窒化物の1種以上の添加を
0.1〜5重量部の範囲とした理由は、これら添加
物が0.1重量部未満であると前記保護膜が充分生
成されず酸化度合が大きく、5重量部を越えると
高温におけるクリープ特性および抗折強度が劣化
するからである。 実施例 窒化珪素(Si3N4)に、第a族元素酸化物か
ら選ばれ、そのうち少なくとも酸化ランンタン
(La2O3)、酸化ネオジウム(Nb2O3)および酸化
イツテルビウム(Yb2O3)のいずれかを必ず2種
以上含む混合物に、第a族元素、Al、Ti、Cr、
Ga、ZrおよびSiの酸化物または窒化物を第1表
に示す割合に混合粉体をボールミルにて24時間混
合した。得られたスラリーを乾燥造粒した後、プ
レス成形して真空中で脱バインダ後、第1表に示
す焼結条件によりJISR1601に基づく坑折試験片
とし、また同様のものについて、厚み0.902mm×
幅4.01mm×長さ55mmの曲げクリープ試験片とした
試料1〜11までを得た。試料1〜8は通常の窒素
雰囲気焼結法によるものであり、試料9〜11のも
のは熱間静水圧プレス法によつて焼結たものであ
る。 得られた各試料について、上スパン19.1mm、下
スパン39.8mmの4点曲げで、1300℃で100時間高
温下および108MN/m2の曲げ応力を加えて高温
におけるクリープ試験を行ない、各試料の歪量
(ε)を下記に示す第1式により求めた。 ε(歪量)=4hd/L2 …(1) 但し第1式においてh=試料の厚さ、L=上ス
パン、d=たわみ量である。また、前記抗折試験
片とした試料1〜11について常温および1300℃に
おける4点曲げ抗折強度試験と、1300℃で1000時
間経過後における重量増(mg/cm2)による焼結体
の酸化度合をそれぞれ調べて高温における耐酸化
性試験を行なつた。
【表】 *印を付した試料番号のものは本発明の範囲外のもの
である。
試料1〜5,8〜11のものは本発明の範囲内の
ものであり、窒化珪素(Si3N4)の80重量%以上
に、第a族酸化物から選ばれ、そのうち少なく
とも酸化ランタン(La2O3)、酸化ネオジウム
(Nd2O3)および酸化イツテルビウム(Yb2O3
のいずれかを必ず2種以上とを含んで主成分と
し、その主成分の100重量部に対して第a族元
素、Al、Ti、Cr、Ga、ZrおよびSiの酸化物また
は窒化物から選ばれる1種以上を0.1〜5重量部
添加したものを、それぞれ焼結条件により得られ
た焼結体は1300℃における抗折強度が最低が64
Kg/mm2であり、それ以上を確保でき、耐酸化性試
験における重量増が0.72mg/cm2以下とすぐれてい
る。通常この重量増で1.0mg/cm2以下であること
は耐酸化性保護膜が充分形成されていることを意
味するものと解される。また試料1〜5,8〜11
のものは、クリープ試験において歪量(ε)は
8.0×10-4m/m以下であり、クリープ特性が優
れていることが理解される。これに対し、本発明
の範囲の試料6,7のものは常温もしくは高温に
おける抗折強度、耐酸化性およびクリープ特性が
劣化していることが理解される。即ち、試料6の
ものは、窒化珪素(SiN3N4)が75重量%と本発
明の範囲外であり、この場合常温における抗折強
度は59Kg/mm2、1300℃における抗折強度は38Kg/
mm2、耐酸化増量は2.41mg/cm2、歪量(ε)は15.2
×10-4m/mであり、いずれも本発明の範囲内の
試料1〜5,8〜11のものより特性が劣化してい
ることが理解される。また試料7のものは、窒化
珪素(Si3N4)が90重量%および第a族元素酸
化物が10重量%の主成分100重量部に対して、添
加物としてAl2O3の7重量部を添加したものであ
り、Al2O3の組成割合が本発明の範囲外のもので
ある。この場合1300℃における抗折強度が著しく
劣化するとともに耐酸化性試験における焼結体の
重量増は3.92mg/cm2と非常に値が大きく、またク
リープ試験における歪量(ε)も13.3×10-4m/
mと大きいことが理解される。 発明の効果 以上のように本発明によれば、窒化珪素
(Si3N4)の80重量%以上に、第a族元素酸化
物から選ばれ、そのうち酸化ランタン(La2O3)、
酸化ネオジウム(Nd2O3)および酸化イツテルビ
ウム(Yb2O3)のいずれかの必ず2種以上を混合
して主成分とし、その主成分の100重量部に対し
て第a族元素、Al、Ti、Cr、Ga、ZrおよびSi
の酸化物または窒化物から選ばれる1種以上を、
0.1〜5重量部添加し、焼結して成る焼結体は常
温および1300℃における抗折強度を向上させるこ
とができ、また耐酸化性試験における重量増が
0.72mg/cm2以下と優れており、さらにクリープ特
性における歪量は8.0×10-4m/m以下と優れて
いる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 窒化珪素(Si3N4)の80重量%以上に、 第a族元素酸化物から選ばれ、そのうち少な
    くとも酸化ランタン(La2O3)、酸化ネオジウム
    (Nd2O3)および酸化イツテルビウム(Yb2O3
    のいずれかの必ず2種以上を混合して主成分と
    し、 その主成分の100重量部に対して第a族元素、
    Al、Ti、Cr、Ga、ZrおよびSiの酸化物または窒
    化物から選ばれる1種以上を0.1〜5重量部添加
    し焼結して成ることを特徴とする窒化珪素質焼結
    体。
JP59178089A 1984-03-06 1984-08-25 窒化珪素質焼結体 Granted JPS6158863A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59178089A JPS6158863A (ja) 1984-08-25 1984-08-25 窒化珪素質焼結体
US06/708,349 US4628039A (en) 1984-03-06 1985-03-05 Sintered silicon nitride body

Applications Claiming Priority (1)

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JP59178089A JPS6158863A (ja) 1984-08-25 1984-08-25 窒化珪素質焼結体

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Publication Number Publication Date
JPS6158863A JPS6158863A (ja) 1986-03-26
JPH0455992B2 true JPH0455992B2 (ja) 1992-09-07

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JP59178089A Granted JPS6158863A (ja) 1984-03-06 1984-08-25 窒化珪素質焼結体

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US4795724A (en) * 1986-06-12 1989-01-03 Ngk Insulators, Ltd. Silicon nitride sintered bodies and process for manufacturing the same
JP4812545B2 (ja) * 2006-06-28 2011-11-09 京セラ株式会社 ホットチャンバダイカストマシン

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JPS6158863A (ja) 1986-03-26

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