JPH0566337B2 - - Google Patents
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- JPH0566337B2 JPH0566337B2 JP59043575A JP4357584A JPH0566337B2 JP H0566337 B2 JPH0566337 B2 JP H0566337B2 JP 59043575 A JP59043575 A JP 59043575A JP 4357584 A JP4357584 A JP 4357584A JP H0566337 B2 JPH0566337 B2 JP H0566337B2
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- Ceramic Products (AREA)
Description
本発明は高温での機械的特性が劣化することな
く、かつ耐酸化性に優れた窒化珪素質焼結体に関
するものである。 近時、高温熱機関用窒化珪素材料について、焼
結に際して第a族酸化物を添加することにより
高融点を有する窒化珪素との化合物を粒界に生成
させ、高温における機械的特性(抗折強度など)
の改善がなされている。しかしながら、これらの
焼結体に於いては高温酸化性雰囲気中で長期間使
用されることにより酸化され、寸法精度、形状精
度、抗折強度などが大巾に劣化することが明らか
となつた。酸化の原因は酸化時に生成するSiO2
−第a族酸化物化合物のガラス転移温度(Tg)
が高いことにより耐酸性保護膜が形成されないこ
とが判明した。 本発明はSi3N4に2種以上の第a族酸化物の
適量を含む主成分に対して第a族元素及び、
Al、Ti、Cr、Ga、Zr、Siの酸化物・窒化物の中
より選ばれる1種以上を添加することにより得ら
れる組成物を焼成すると高温における抗折強度を
劣化させることなく、かつ耐酸化性に優れた焼結
体が得られることを知見した。 即ち、本発明の窒化珪素質焼結体によれば、
Si3N480〜96mol%と、1mol%以上の第a族酸
化物を2種以上含み、それらの合計が4〜20mol
%の割合からなる主成分100重量部に対して、第
a族元素、Al、Ti、Cr、Ga、ZrおよびSiの酸
化物又は窒化物の中から選ばれる1種以上を0.1
〜5重量部添加することにより、完全緻密化が達
成されるとともに、その表面に耐酸化性保護膜を
生成することができる。 主成分に対して添加される第a族元素、Al、
Ti、Cr、Ga、ZrおよびSiの酸化物又は窒化物
は、第a族酸化物を含む窒化珪素質混合組成を
緻密化する効果を与えることが可能となる。ま
た、上記組成系によれば、上記組成における窒化
珪素以外の成分により形成されるガラスの転移点
(Tg)が低いことから、酸化により焼結体の表面
に耐酸化性保護膜が形成され、一旦酸化被膜が生
成すると、それ以後の酸素の内部への拡散と酸化
反応とを抑制する保護膜となり耐酸化性が飛躍的
に向上し、高温酸化雰囲気中における材料の寿命
が延長される。 前記第a族及びAl、Ti、Cr、Ga、Zr、Siの
酸化物又は窒化物の1種以上の添加をSi3N4に
a族酸化物の適量を含む主成分100重量部に対し、
0.5〜5重量部の範囲とした理由は、これらの添
加物が0.5重量部未満であると前記保護膜が充分
生成されないため、酸化度合が大きく、5重量部
を超えると高温における抗折強度が劣化する。 また、本発明の主成分は、Si3N4を80〜96mol
%の割合で含み、さらに1mol%以上の第a族
酸化物を2種以上含み、それらの合計が4〜
20mol%の割合からなる。Si3N4が上記範囲外の
とき高温強度が著しく劣化すると共に、耐酸化性
特性も若干劣化する。また、第a族酸化物を2
種以上とすることにより該第a族酸化物相互の
反応により液相の生成温度が単独系に比較して低
くなるために焼結性を促進させることができ、前
記第a族元素、Al、Cr、Zr、Siの酸化物や窒
化物との反応により高温酸化雰囲気中での酸化膜
の形成を容易にし耐酸化性を向上させることがで
きる。しかし、添加された第a族酸化物のそれ
ぞれの割合が1mol%以上より少ないと上記効果
は不十分となり、優れた耐酸化性は望めない。 さらに、これら第a族酸化物の2種以上の合
計が4mol%未満の場合、緻密化せず強度が劣化
すると共に嵩比重が低下して気孔率が多くなり、
20mol%を超えると高温における抗折強度が著し
く劣化すると共に、耐酸化特性も劣る。 以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。 Si3N4に第a族酸化物の中から少なくとも2
種以上を添加した混合物に、第a族及びAl、
Ti、Cr、Ga、Zr、Siの酸化物を第1表に示す割
合に添加した混合粉体をボールミルにて24時間混
合した。得られたスラリーを乾燥造粒した後、プ
レス成形し、真空中で脱バインダ後第1表に示し
焼成条件により試料No.1〜38までを得た。試料No.
7及び9はホツトプレスにより、試料No.8、32〜
35は窒素雰囲気中の2.0MPaにおいて1800℃で予
備焼成した後、第1表に示す焼成条件において
HIP処理したものである。他の試料は通常の雰囲
気焼成である。上記各試料No.1〜38を夫々常温及
び1300℃におけるJISR1601の4点曲げ抗折強度
(σb4)と、1300℃の酸化雰囲気中で1000時間経過
後における重量増(mg/cm2)による焼結体の酸化
の度合いを夫々調べて高温における耐酸化性テス
トとした。
く、かつ耐酸化性に優れた窒化珪素質焼結体に関
するものである。 近時、高温熱機関用窒化珪素材料について、焼
結に際して第a族酸化物を添加することにより
高融点を有する窒化珪素との化合物を粒界に生成
させ、高温における機械的特性(抗折強度など)
の改善がなされている。しかしながら、これらの
焼結体に於いては高温酸化性雰囲気中で長期間使
用されることにより酸化され、寸法精度、形状精
度、抗折強度などが大巾に劣化することが明らか
となつた。酸化の原因は酸化時に生成するSiO2
−第a族酸化物化合物のガラス転移温度(Tg)
が高いことにより耐酸性保護膜が形成されないこ
とが判明した。 本発明はSi3N4に2種以上の第a族酸化物の
適量を含む主成分に対して第a族元素及び、
Al、Ti、Cr、Ga、Zr、Siの酸化物・窒化物の中
より選ばれる1種以上を添加することにより得ら
れる組成物を焼成すると高温における抗折強度を
劣化させることなく、かつ耐酸化性に優れた焼結
体が得られることを知見した。 即ち、本発明の窒化珪素質焼結体によれば、
Si3N480〜96mol%と、1mol%以上の第a族酸
化物を2種以上含み、それらの合計が4〜20mol
%の割合からなる主成分100重量部に対して、第
a族元素、Al、Ti、Cr、Ga、ZrおよびSiの酸
化物又は窒化物の中から選ばれる1種以上を0.1
〜5重量部添加することにより、完全緻密化が達
成されるとともに、その表面に耐酸化性保護膜を
生成することができる。 主成分に対して添加される第a族元素、Al、
Ti、Cr、Ga、ZrおよびSiの酸化物又は窒化物
は、第a族酸化物を含む窒化珪素質混合組成を
緻密化する効果を与えることが可能となる。ま
た、上記組成系によれば、上記組成における窒化
珪素以外の成分により形成されるガラスの転移点
(Tg)が低いことから、酸化により焼結体の表面
に耐酸化性保護膜が形成され、一旦酸化被膜が生
成すると、それ以後の酸素の内部への拡散と酸化
反応とを抑制する保護膜となり耐酸化性が飛躍的
に向上し、高温酸化雰囲気中における材料の寿命
が延長される。 前記第a族及びAl、Ti、Cr、Ga、Zr、Siの
酸化物又は窒化物の1種以上の添加をSi3N4に
a族酸化物の適量を含む主成分100重量部に対し、
0.5〜5重量部の範囲とした理由は、これらの添
加物が0.5重量部未満であると前記保護膜が充分
生成されないため、酸化度合が大きく、5重量部
を超えると高温における抗折強度が劣化する。 また、本発明の主成分は、Si3N4を80〜96mol
%の割合で含み、さらに1mol%以上の第a族
酸化物を2種以上含み、それらの合計が4〜
20mol%の割合からなる。Si3N4が上記範囲外の
とき高温強度が著しく劣化すると共に、耐酸化性
特性も若干劣化する。また、第a族酸化物を2
種以上とすることにより該第a族酸化物相互の
反応により液相の生成温度が単独系に比較して低
くなるために焼結性を促進させることができ、前
記第a族元素、Al、Cr、Zr、Siの酸化物や窒
化物との反応により高温酸化雰囲気中での酸化膜
の形成を容易にし耐酸化性を向上させることがで
きる。しかし、添加された第a族酸化物のそれ
ぞれの割合が1mol%以上より少ないと上記効果
は不十分となり、優れた耐酸化性は望めない。 さらに、これら第a族酸化物の2種以上の合
計が4mol%未満の場合、緻密化せず強度が劣化
すると共に嵩比重が低下して気孔率が多くなり、
20mol%を超えると高温における抗折強度が著し
く劣化すると共に、耐酸化特性も劣る。 以下に本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。 Si3N4に第a族酸化物の中から少なくとも2
種以上を添加した混合物に、第a族及びAl、
Ti、Cr、Ga、Zr、Siの酸化物を第1表に示す割
合に添加した混合粉体をボールミルにて24時間混
合した。得られたスラリーを乾燥造粒した後、プ
レス成形し、真空中で脱バインダ後第1表に示し
焼成条件により試料No.1〜38までを得た。試料No.
7及び9はホツトプレスにより、試料No.8、32〜
35は窒素雰囲気中の2.0MPaにおいて1800℃で予
備焼成した後、第1表に示す焼成条件において
HIP処理したものである。他の試料は通常の雰囲
気焼成である。上記各試料No.1〜38を夫々常温及
び1300℃におけるJISR1601の4点曲げ抗折強度
(σb4)と、1300℃の酸化雰囲気中で1000時間経過
後における重量増(mg/cm2)による焼結体の酸化
の度合いを夫々調べて高温における耐酸化性テス
トとした。
【表】
【表】
【表】
【表】
*印は本発明の範囲外の試料を示す。
試料No.1〜9及び15〜35は本発明の範囲内のも
のであり、Si3N4の80〜96mol%に対し、第a
族酸化物の2種以上を4〜20mol%を添加した主
成分100重量部に対して第a族及びAl、Ti、
Cr、Ga、Zr、Siの酸化物又は窒化物の中より選
ばれる1種以上を0.1〜5重量部の範囲で添加し
たものを、夫々の焼結条件により得られた焼結体
は1300℃における抗折強度が最低53Kg/mm2で、そ
れ以上を確保でき、酸化性テストにおける重量増
が1.0mg/cm2以下と優れている。通常この重量増
で1.0mg/cm2以下であることは耐酸化性保護膜が
充分形成されていることを意味するものと解され
ている。 これに対し、本発明の範囲外の試料No.10〜14、
36〜38は常温若しくは高温における抗折強度、及
び耐酸化性が劣化していることが理解される。即
ち、試料No.10、及び11は第a族、Al、Ti、Cr、
Ga、Zr、Siの酸化物又は窒化物が無添加であり、
この場合耐酸化性テストにおける焼結体の重量増
は15.5mg/cm2と非常に酸化度合が大きいか又は中
央部まで酸化されており、耐酸化性が悪いことが
理解される。試料No.12はa族酸化物がY2O3の
1種のみでかつ添加量が2mol%と本発明の範囲
外であると共に、a、Al、Ti、Cr、Ga、Zr、
Siの酸化物又は窒化物が無添加であり、この場合
は焼結が進行せず密度が低いために常温若しくは
高温における抗折強度が劣化して気孔率13%以上
となり使用に耐えない。 また、試料No.13はSi3N4が75mol%及びa族
酸化物が25mol%の主成分100重量部に対して添
加物としてAl2O3を7重量部としたもので全ての
組成が本発明の範囲外のものである。この場合、
高温における抗折強度が著しく劣化すると共に、
酸化性テスト後も焼結体の重量増が1.3mg/cm2と
やや大きくなりすぎる。さらに、試料No.14は
Si3N4と第a族酸化物との主成分は本発明の範
囲内であるが、第a族、Al、Ti、Cr、Ga、
Zr、Siの酸化物又は窒化物が7重量部と多すぎ、
高温における抗折強度が極度に劣化すると共に、
耐酸化性テストも焼結体の重量増が1.2mg/cm2と
やや大きくなりすぎる。 また、試料No.36は第a族酸化物の合計量が
3mol%と少ないために焼結性が低下し、嵩比重
も本発明品と比較して低く、耐酸化性も劣るもの
であつた。試料No.37は、2種類の第a族酸化物
を添加しているもののその片方の量が0.5mol%
と少ないために複合添加による効果が小さく、ま
た、試料No.38は、AINを添加しているものの、
第a族酸化物が1種類のみの添加であり、いず
れも焼結性および耐酸化性の点で不十分であつ
た。 叙上の如く、Si3N4に第a族酸化物の適量を
含む主成分100重量部に対して、第a族、Al、
Ti、Cr、Ga、Zr、Siの酸化物又は窒化物の中よ
り選ばれる1種以上を0.1〜5重量部添加した組
成物からなる焼結体は1300℃における抗折強度が
53Kg/mm2以上と充分であり、また、耐酸化性テス
トにおける重量増が1.0mg/cm2以下と優れている
ことが理解される。
試料No.1〜9及び15〜35は本発明の範囲内のも
のであり、Si3N4の80〜96mol%に対し、第a
族酸化物の2種以上を4〜20mol%を添加した主
成分100重量部に対して第a族及びAl、Ti、
Cr、Ga、Zr、Siの酸化物又は窒化物の中より選
ばれる1種以上を0.1〜5重量部の範囲で添加し
たものを、夫々の焼結条件により得られた焼結体
は1300℃における抗折強度が最低53Kg/mm2で、そ
れ以上を確保でき、酸化性テストにおける重量増
が1.0mg/cm2以下と優れている。通常この重量増
で1.0mg/cm2以下であることは耐酸化性保護膜が
充分形成されていることを意味するものと解され
ている。 これに対し、本発明の範囲外の試料No.10〜14、
36〜38は常温若しくは高温における抗折強度、及
び耐酸化性が劣化していることが理解される。即
ち、試料No.10、及び11は第a族、Al、Ti、Cr、
Ga、Zr、Siの酸化物又は窒化物が無添加であり、
この場合耐酸化性テストにおける焼結体の重量増
は15.5mg/cm2と非常に酸化度合が大きいか又は中
央部まで酸化されており、耐酸化性が悪いことが
理解される。試料No.12はa族酸化物がY2O3の
1種のみでかつ添加量が2mol%と本発明の範囲
外であると共に、a、Al、Ti、Cr、Ga、Zr、
Siの酸化物又は窒化物が無添加であり、この場合
は焼結が進行せず密度が低いために常温若しくは
高温における抗折強度が劣化して気孔率13%以上
となり使用に耐えない。 また、試料No.13はSi3N4が75mol%及びa族
酸化物が25mol%の主成分100重量部に対して添
加物としてAl2O3を7重量部としたもので全ての
組成が本発明の範囲外のものである。この場合、
高温における抗折強度が著しく劣化すると共に、
酸化性テスト後も焼結体の重量増が1.3mg/cm2と
やや大きくなりすぎる。さらに、試料No.14は
Si3N4と第a族酸化物との主成分は本発明の範
囲内であるが、第a族、Al、Ti、Cr、Ga、
Zr、Siの酸化物又は窒化物が7重量部と多すぎ、
高温における抗折強度が極度に劣化すると共に、
耐酸化性テストも焼結体の重量増が1.2mg/cm2と
やや大きくなりすぎる。 また、試料No.36は第a族酸化物の合計量が
3mol%と少ないために焼結性が低下し、嵩比重
も本発明品と比較して低く、耐酸化性も劣るもの
であつた。試料No.37は、2種類の第a族酸化物
を添加しているもののその片方の量が0.5mol%
と少ないために複合添加による効果が小さく、ま
た、試料No.38は、AINを添加しているものの、
第a族酸化物が1種類のみの添加であり、いず
れも焼結性および耐酸化性の点で不十分であつ
た。 叙上の如く、Si3N4に第a族酸化物の適量を
含む主成分100重量部に対して、第a族、Al、
Ti、Cr、Ga、Zr、Siの酸化物又は窒化物の中よ
り選ばれる1種以上を0.1〜5重量部添加した組
成物からなる焼結体は1300℃における抗折強度が
53Kg/mm2以上と充分であり、また、耐酸化性テス
トにおける重量増が1.0mg/cm2以下と優れている
ことが理解される。
Claims (1)
- 1 Si3N480〜96mol%と、1mol%以上の第a
族酸化物を2種以上含み、それらの合計が4〜
20mol%の割合からなる主成分100重量部に対し
て、第a族元素及びAl、Ti、Cr、Ga、Zr、Si
の酸化物又は窒化物の中より選ばれる1種以上を
0.1〜5重量部添加したことを特徴とする窒化珪
素質焼結体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59043575A JPS60191063A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 窒化珪素質焼結体 |
US06/708,349 US4628039A (en) | 1984-03-06 | 1985-03-05 | Sintered silicon nitride body |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59043575A JPS60191063A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 窒化珪素質焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60191063A JPS60191063A (ja) | 1985-09-28 |
JPH0566337B2 true JPH0566337B2 (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12667548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59043575A Granted JPS60191063A (ja) | 1984-03-06 | 1984-03-06 | 窒化珪素質焼結体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60191063A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0772106B2 (ja) * | 1985-11-20 | 1995-08-02 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体およびその製造方法 |
JPS62153170A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-08 | 株式会社東芝 | 窒化ケイ素セラミツクス焼結体およびその製造方法 |
JP2505179B2 (ja) * | 1986-12-16 | 1996-06-05 | 日本碍子株式会社 | 高強度常圧焼結窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
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JPS553397A (en) * | 1978-06-15 | 1980-01-11 | Gte Laboratories Inc | Si3n4 having high temperature strength and its manufacture |
JPS5826077A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-16 | 株式会社東芝 | セラミツクス焼結体及びその製造方法 |
JPS5895659A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 高耐食性窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
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-
1984
- 1984-03-06 JP JP59043575A patent/JPS60191063A/ja active Granted
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