JPH054849B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH054849B2 JPH054849B2 JP62062339A JP6233987A JPH054849B2 JP H054849 B2 JPH054849 B2 JP H054849B2 JP 62062339 A JP62062339 A JP 62062339A JP 6233987 A JP6233987 A JP 6233987A JP H054849 B2 JPH054849 B2 JP H054849B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- mosfet
- voltage
- switch
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パワーMOSFETと、このパワー
MOSFETのソースと第１の端子との間にある誘
導性負荷とを備えると共に、パワーMOSFETの
ドレインと接続された第２の端子を備え、その際
第１の端子と第２の端子の間に運転電圧が印加さ
れる回路装置に関する。
MOSFETのソースと第１の端子との間にある誘
導性負荷とを備えると共に、パワーMOSFETの
ドレインと接続された第２の端子を備え、その際
第１の端子と第２の端子の間に運転電圧が印加さ
れる回路装置に関する。
このような回路装置は、例えば雑誌「エレクト
ロニク・インドウストリー（Electronic
industrie）」４−1985の第32〜38頁から知られて
いる。第２図にその回路装置の簡単化された表示
を示す。ここでは、誘導性負荷の遮断時に生ずる
負の電圧スパイクを制限する問題は、一般的に普
通におこなわれているやり方で、パワー
MOSFET Ｔ１のソース側に直列接続されてい
る誘電性負荷ＬにダイオードDiを並列接続する
ことによつて解決されている。
ロニク・インドウストリー（Electronic
industrie）」４−1985の第32〜38頁から知られて
いる。第２図にその回路装置の簡単化された表示
を示す。ここでは、誘導性負荷の遮断時に生ずる
負の電圧スパイクを制限する問題は、一般的に普
通におこなわれているやり方で、パワー
MOSFET Ｔ１のソース側に直列接続されてい
る誘電性負荷ＬにダイオードDiを並列接続する
ことによつて解決されている。
それにより、確かに誘導性負荷の遮断時に生じ
る負の電圧スパイクはダイオードの導通電圧に制
限されるが、しかし負荷Ｌに蓄積されたエネルギ
ーは駆動逆電圧が僅かであることから非常に緩や
かにしか減衰させられない。
る負の電圧スパイクはダイオードの導通電圧に制
限されるが、しかし負荷Ｌに蓄積されたエネルギ
ーは駆動逆電圧が僅かであることから非常に緩や
かにしか減衰させられない。
本発明の目的は冒頭に定義した如き回路装置を
次の如く改善すること、すなわち駆動逆電圧を高
い値に設定できて且つパワーMOSFETにとつて
危険のない値に制限できるように改善することに
ある。
次の如く改善すること、すなわち駆動逆電圧を高
い値に設定できて且つパワーMOSFETにとつて
危険のない値に制限できるように改善することに
ある。
上記の目的は、本発明によれば、次の構成によ
つて達成される。すなわち、パワーMOSFETの
ゲートと第１の端子との間に、スイツチとツエナ
ーダイオードとの直列回路が接続され、そのツエ
ナーダイオードは、前記スイツチおよび誘電性負
荷と共にパワーMOSFETのゲート・ソース間静
電容量のための放電回路を形成するように極性付
けられていることである。
つて達成される。すなわち、パワーMOSFETの
ゲートと第１の端子との間に、スイツチとツエナ
ーダイオードとの直列回路が接続され、そのツエ
ナーダイオードは、前記スイツチおよび誘電性負
荷と共にパワーMOSFETのゲート・ソース間静
電容量のための放電回路を形成するように極性付
けられていることである。
以下、第１図を参照しながら本発明を実施例に
ついて更に詳細に説明する。
ついて更に詳細に説明する。
第１図による回路装置は、ソース側に誘導性負
荷Ｌを直列接続されたパワーMOSFET Ｔ１を
持つ。誘電性負荷ＬのＴ１のソースＳとは反対側
の端子は第１の端子１と接続されている。Ｔ１の
ドレインＤは第２の端子２に接続されている。端
子１は、例えば基準電位に置かれる。端子１，２
には運転電圧＋UBが印加される。Ｔ１のゲート
Ｇと第１の端子１との間にスイツチとツエナーダ
イオードＺとの直列接続が接続されている。この
スイツチは、特にＴ１と同じチヤネル型の
MOSFET Ｔ３であるとよい。ツエナーダイオ
ードＺは、Ｔ１のゲート・ソース間静電容量GGS
がMOSFET Ｔ３、ツエナーダイオードＺおよ
び誘導性負荷Ｌを介して放電されることができる
ように極性付けられている。したがつて、CGSの
放電電流はツエナーダイオードを順方向に通過す
る。
荷Ｌを直列接続されたパワーMOSFET Ｔ１を
持つ。誘電性負荷ＬのＴ１のソースＳとは反対側
の端子は第１の端子１と接続されている。Ｔ１の
ドレインＤは第２の端子２に接続されている。端
子１は、例えば基準電位に置かれる。端子１，２
には運転電圧＋UBが印加される。Ｔ１のゲート
Ｇと第１の端子１との間にスイツチとツエナーダ
イオードＺとの直列接続が接続されている。この
スイツチは、特にＴ１と同じチヤネル型の
MOSFET Ｔ３であるとよい。ツエナーダイオ
ードＺは、Ｔ１のゲート・ソース間静電容量GGS
がMOSFET Ｔ３、ツエナーダイオードＺおよ
び誘導性負荷Ｌを介して放電されることができる
ように極性付けられている。したがつて、CGSの
放電電流はツエナーダイオードを順方向に通過す
る。
動作説明のためにパワーMOSFET Ｔ１の導
通状態から出発する。その際に入力端子４には運
転電圧＋UBよりも大きい電圧が加わつている。
Ｔ１のソース電位は＋UBの僅か下にある。端子
２から端子１へ電流が流れる。Ｔ１が遮断される
と、端子４の電圧は零となり、MOSFET Ｔ３
が基準電位に対して正の電圧によつて投入され
る。その際、Ｔ１のゲート・ソース間静電容量
CGSが放電し、Ｔ１がターンオフし始める。減衰
する電流に誘導性負荷ＬはソースＳにおける負電
圧によつて反対作用をする。したがつて、負荷Ｌ
は定電流源として作用し、端子１、運転電源、端
子２およびＴ１を介する電流をとりあえず維持す
る。ソースＳに現れる負電圧は容量結合を介して
ゲートＧにおける負電圧も生じさせる。この電圧
がツエナーダイオードＺのツエナー電圧、例えば
−6Vに達すると、ツエナーダイオードは降伏す
る。それにより、ゲートＧにおける電位はＴ３の
導通電圧を除くツエナー電圧に制限される。すな
わち、ソースＳにおける負の電圧はＴ１に生じた
ゲート・ソース電圧を加えたゲート電位に制限さ
れる。この電圧が例えば3Vであれば、ソースＳ
における最大電圧は基準電位に対して約−9Vで
ある。この電圧は相応の電圧クラスにおけるＴ１
にとつて危険でない。更に、負荷Ｌにおけるエネ
ルギー減衰を駆り立てる逆電圧は従来の解決策に
比べて遥かに大きい。したがつて、スイツチは例
えば150Hzの比較的高い周波数で15mHの誘導性
負荷において運転することができる。
通状態から出発する。その際に入力端子４には運
転電圧＋UBよりも大きい電圧が加わつている。
Ｔ１のソース電位は＋UBの僅か下にある。端子
２から端子１へ電流が流れる。Ｔ１が遮断される
と、端子４の電圧は零となり、MOSFET Ｔ３
が基準電位に対して正の電圧によつて投入され
る。その際、Ｔ１のゲート・ソース間静電容量
CGSが放電し、Ｔ１がターンオフし始める。減衰
する電流に誘導性負荷ＬはソースＳにおける負電
圧によつて反対作用をする。したがつて、負荷Ｌ
は定電流源として作用し、端子１、運転電源、端
子２およびＴ１を介する電流をとりあえず維持す
る。ソースＳに現れる負電圧は容量結合を介して
ゲートＧにおける負電圧も生じさせる。この電圧
がツエナーダイオードＺのツエナー電圧、例えば
−6Vに達すると、ツエナーダイオードは降伏す
る。それにより、ゲートＧにおける電位はＴ３の
導通電圧を除くツエナー電圧に制限される。すな
わち、ソースＳにおける負の電圧はＴ１に生じた
ゲート・ソース電圧を加えたゲート電位に制限さ
れる。この電圧が例えば3Vであれば、ソースＳ
における最大電圧は基準電位に対して約−9Vで
ある。この電圧は相応の電圧クラスにおけるＴ１
にとつて危険でない。更に、負荷Ｌにおけるエネ
ルギー減衰を駆り立てる逆電圧は従来の解決策に
比べて遥かに大きい。したがつて、スイツチは例
えば150Hzの比較的高い周波数で15mHの誘導性
負荷において運転することができる。
パワーMOSFET Ｔ１を投入する端子４にお
ける電圧は、例えば刊行物「シーメンス・コンポ
ーネンツ（Siemens Components）」４／84の第
169〜170頁に記載されているような倍圧回路によ
り生じさせることができる。それにより運転電圧
＋UBからコンデンサの段階的充電によつて＋UB
よりも高い電圧が得られる。Ｔ１のゲートＧと端
子２との間にＴ１とは反対のチヤネル型の別の
MOSFET Ｔ２を接続すれば、投入経過を加速
することができる。Ｔ２が入力端子３における信
号によつてターンオンされると、容量CGSおよび
上述のコンデンサが運転電圧まで速やかに放電さ
せられるので、上述のコンデンサはＴ１の良好な
投入にとつて必要な例えば7Vの電圧だけさらに
充電されさえすればよい。
ける電圧は、例えば刊行物「シーメンス・コンポ
ーネンツ（Siemens Components）」４／84の第
169〜170頁に記載されているような倍圧回路によ
り生じさせることができる。それにより運転電圧
＋UBからコンデンサの段階的充電によつて＋UB
よりも高い電圧が得られる。Ｔ１のゲートＧと端
子２との間にＴ１とは反対のチヤネル型の別の
MOSFET Ｔ２を接続すれば、投入経過を加速
することができる。Ｔ２が入力端子３における信
号によつてターンオンされると、容量CGSおよび
上述のコンデンサが運転電圧まで速やかに放電さ
せられるので、上述のコンデンサはＴ１の良好な
投入にとつて必要な例えば7Vの電圧だけさらに
充電されさえすればよい。
以上では本発明を正の電圧で運転される回路装
置について説明した。基準電位との負の電圧との
間運転される回路装置についてはそれぞれ反対の
チヤネル型のMOSFETが使用される。その際に
は、対応させてツエナーダイオードの極性も逆に
すべきである。
置について説明した。基準電位との負の電圧との
間運転される回路装置についてはそれぞれ反対の
チヤネル型のMOSFETが使用される。その際に
は、対応させてツエナーダイオードの極性も逆に
すべきである。
以上のように、本発明によれば、パワー
MOSFETのゲートと第１の端子との間に、スイ
ツチとツエナーダイオードとの直列回路が接続さ
れ、ツエナーダイオードは、前記スイツチおよび
誘性負荷と共にパワーMOSFETのゲート・ソー
ス間静電容量のための放電回路を形成するように
極性付けられていることにより、駆動逆電圧が高
い値に設定できて且つパワーMOSFETにとつて
危険のない値に制限できる。
MOSFETのゲートと第１の端子との間に、スイ
ツチとツエナーダイオードとの直列回路が接続さ
れ、ツエナーダイオードは、前記スイツチおよび
誘性負荷と共にパワーMOSFETのゲート・ソー
ス間静電容量のための放電回路を形成するように
極性付けられていることにより、駆動逆電圧が高
い値に設定できて且つパワーMOSFETにとつて
危険のない値に制限できる。
第１図は本発明による回路装置、第２図は従来
の回路装置の一例を示す結線図である。 １…第１の端子、２…第２の端子、３，４，５
…入力端子、Ｔ１…パワーMOSFET、Ｔ２，Ｔ
３…MOSFET、Ｌ…誘導性負荷、Ｚ…ツエナー
ダイオード。
の回路装置の一例を示す結線図である。 １…第１の端子、２…第２の端子、３，４，５
…入力端子、Ｔ１…パワーMOSFET、Ｔ２，Ｔ
３…MOSFET、Ｌ…誘導性負荷、Ｚ…ツエナー
ダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パワーMOSFET Ｔ１と、このパワー
MOSFETのソースと第１の端子１との間にある
誘導性負荷Ｌを備えると共に、パワーMOSFET
のドレインＤと接続された第２の端子２を備え、
その際前記第１の端子１および第２の端子２の間
に運転電圧が印加される回路装置において、パワ
ーMOSFET Ｔ１のゲートＧと第１の端子１と
の間に、スイツチとツエナーダイオードＺとの直
列回路が接続され、そのツエナーダイオードは、
前記スイツチおよび誘導性負荷Ｌと共にパワー
MOSFETのゲート・ソース間静電容量GGSのた
めの放電回路を形成するように極性付けられてい
ることを特徴とするMOSFETスイツチ。 ２ 前記スイツチはパワーMOSFET Ｔ１と同
じチヤネル型のMOSFET Ｔ３であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路装置。 ３ パワーMOSFET Ｔ１のゲートＧと第２の
端子２との間に別のスイツチが接続されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路
装置。 ４ 別のスイツチはパワーMOSFET Ｔ１とは
反対のチヤネル型のMOSFET Ｔ２であること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の回路装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3609235 | 1986-03-19 | ||
| DE3609235.5 | 1986-03-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62227213A JPS62227213A (ja) | 1987-10-06 |
| JPH054849B2 true JPH054849B2 (ja) | 1993-01-21 |
Family
ID=6296764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62062339A Granted JPS62227213A (ja) | 1986-03-19 | 1987-03-16 | パワ−ｍｏｓｆｅｔと誘導性負荷を備える回路装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4728826A (ja) |
| EP (1) | EP0239861B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62227213A (ja) |
| DE (1) | DE3763353D1 (ja) |
Families Citing this family (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3712784A1 (de) * | 1987-04-15 | 1988-11-03 | Philips Patentverwaltung | Schaltungsanordnung zur begrenzung der einschaltstromspitzen bei einem schalttransistor |
| JPH0748652B2 (ja) * | 1987-07-23 | 1995-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体回路装置の入力保護装置 |
| JP2560380B2 (ja) * | 1988-01-31 | 1996-12-04 | 日本電気株式会社 | 出力過電流制限回路 |
| IT1226557B (it) * | 1988-07-29 | 1991-01-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito di controllo della tensione di bloccaggio di un carico induttivo pilotato con un dispositivo di potenza in configurazione "high side driver" |
| FR2644651B1 (fr) * | 1989-03-15 | 1991-07-05 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de commande de transistor mos de puissance sur charge inductive |
| NL8901033A (nl) * | 1989-04-25 | 1990-11-16 | Philips Nv | Stuurschakeling voor ten minste een klokelektrode van een geintegreerd circuit. |
| JPH031532A (ja) * | 1989-05-29 | 1991-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| FR2649841B1 (fr) * | 1989-07-17 | 1994-10-14 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de commande de grille d'un transistor mos |
| DE3928195C2 (de) * | 1989-08-25 | 2001-10-25 | Thomson Brandt Gmbh | Schaltungsanordnung zum schnellen Abschalten eines Leistungsschalters |
| JPH0773202B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1995-08-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路 |
| EP0489935B1 (de) * | 1990-11-09 | 1995-11-02 | Siemens Aktiengesellschaft | MOSFET-Schalter für eine induktive Last |
| JPH04364784A (ja) * | 1991-06-12 | 1992-12-17 | Fuji Electric Co Ltd | Ｍｏｓ型半導体素子駆動回路 |
| US5347169A (en) * | 1992-09-08 | 1994-09-13 | Preslar Donald R | Inductive load dump circuit |
| SE502435C2 (sv) * | 1994-02-09 | 1995-10-16 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande och anordning i en halvledarkrets |
| US5481219A (en) * | 1994-07-20 | 1996-01-02 | At&T Corp. | Apparatus and method for generting negative bias for isolated MOSFET gate-drive circuits |
| GB9424666D0 (en) * | 1994-12-07 | 1995-02-01 | Philips Electronics Uk Ltd | A protected switch |
| JPH09321586A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Toshiba Microelectron Corp | レベル比較器 |
| US5822199A (en) * | 1996-12-18 | 1998-10-13 | Lucent Technologies Inc. | Controller for a power switch and method of operation thereof |
| US6930473B2 (en) | 2001-08-23 | 2005-08-16 | Fairchild Semiconductor Corporation | Method and circuit for reducing losses in DC-DC converters |
| FR2821215B1 (fr) * | 2001-02-20 | 2004-12-24 | Michel Jean Marie Agostini | Dispositif de commande d'un commutateur/interrupteur a grille isolee, de fort courant, de tres fort courant, et commutateur/interrupteur d'impulsions |
| US7514978B2 (en) * | 2006-05-08 | 2009-04-07 | Mellanox Technologies Ltd. | Terminated input buffer with offset cancellation circuit |
| JP5041760B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-10-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| US7915643B2 (en) | 2007-09-17 | 2011-03-29 | Transphorm Inc. | Enhancement mode gallium nitride power devices |
| US20090072269A1 (en) * | 2007-09-17 | 2009-03-19 | Chang Soo Suh | Gallium nitride diodes and integrated components |
| US7965126B2 (en) | 2008-02-12 | 2011-06-21 | Transphorm Inc. | Bridge circuits and their components |
| US8519438B2 (en) | 2008-04-23 | 2013-08-27 | Transphorm Inc. | Enhancement mode III-N HEMTs |
| US8289065B2 (en) * | 2008-09-23 | 2012-10-16 | Transphorm Inc. | Inductive load power switching circuits |
| US7898004B2 (en) | 2008-12-10 | 2011-03-01 | Transphorm Inc. | Semiconductor heterostructure diodes |
| US8742459B2 (en) * | 2009-05-14 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | High voltage III-nitride semiconductor devices |
| US8183892B2 (en) | 2009-06-05 | 2012-05-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Monolithic low impedance dual gate current sense MOSFET |
| DE102009024160A1 (de) * | 2009-06-08 | 2010-12-30 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Elektronische Vorrichtung und Verfahren zur DC-DC-Umwandlung |
| US8390000B2 (en) | 2009-08-28 | 2013-03-05 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with field plates |
| US8138529B2 (en) | 2009-11-02 | 2012-03-20 | Transphorm Inc. | Package configurations for low EMI circuits |
| US8389977B2 (en) * | 2009-12-10 | 2013-03-05 | Transphorm Inc. | Reverse side engineered III-nitride devices |
| US8816497B2 (en) | 2010-01-08 | 2014-08-26 | Transphorm Inc. | Electronic devices and components for high efficiency power circuits |
| US8624662B2 (en) * | 2010-02-05 | 2014-01-07 | Transphorm Inc. | Semiconductor electronic components and circuits |
| US8742460B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-06-03 | Transphorm Inc. | Transistors with isolation regions |
| US8643062B2 (en) | 2011-02-02 | 2014-02-04 | Transphorm Inc. | III-N device structures and methods |
| US8786327B2 (en) | 2011-02-28 | 2014-07-22 | Transphorm Inc. | Electronic components with reactive filters |
| US8716141B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-05-06 | Transphorm Inc. | Electrode configurations for semiconductor devices |
| US8772842B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-07-08 | Transphorm, Inc. | Semiconductor diodes with low reverse bias currents |
| US8901604B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-12-02 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with guard rings |
| US9257547B2 (en) | 2011-09-13 | 2016-02-09 | Transphorm Inc. | III-N device structures having a non-insulating substrate |
| US8598937B2 (en) | 2011-10-07 | 2013-12-03 | Transphorm Inc. | High power semiconductor electronic components with increased reliability |
| US9209176B2 (en) | 2011-12-07 | 2015-12-08 | Transphorm Inc. | Semiconductor modules and methods of forming the same |
| US9165766B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-10-20 | Transphorm Inc. | Buffer layer structures suited for III-nitride devices with foreign substrates |
| US8648643B2 (en) | 2012-02-24 | 2014-02-11 | Transphorm Inc. | Semiconductor power modules and devices |
| WO2013155108A1 (en) | 2012-04-09 | 2013-10-17 | Transphorm Inc. | N-polar iii-nitride transistors |
| US9184275B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-11-10 | Transphorm Inc. | Semiconductor devices with integrated hole collectors |
| US8803246B2 (en) | 2012-07-16 | 2014-08-12 | Transphorm Inc. | Semiconductor electronic components with integrated current limiters |
| CN105164811B (zh) | 2013-02-15 | 2018-08-31 | 创世舫电子有限公司 | 半导体器件的电极及其形成方法 |
| US9087718B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-07-21 | Transphorm Inc. | Enhancement-mode III-nitride devices |
| US9245993B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-01-26 | Transphorm Inc. | Carbon doping semiconductor devices |
| US9059076B2 (en) | 2013-04-01 | 2015-06-16 | Transphorm Inc. | Gate drivers for circuits based on semiconductor devices |
| US9537425B2 (en) | 2013-07-09 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Multilevel inverters and their components |
| WO2015009514A1 (en) | 2013-07-19 | 2015-01-22 | Transphorm Inc. | Iii-nitride transistor including a p-type depleting layer |
| US9543940B2 (en) | 2014-07-03 | 2017-01-10 | Transphorm Inc. | Switching circuits having ferrite beads |
| US9590494B1 (en) | 2014-07-17 | 2017-03-07 | Transphorm Inc. | Bridgeless power factor correction circuits |
| US9318593B2 (en) | 2014-07-21 | 2016-04-19 | Transphorm Inc. | Forming enhancement mode III-nitride devices |
| US9536966B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Gate structures for III-N devices |
| US9536967B2 (en) | 2014-12-16 | 2017-01-03 | Transphorm Inc. | Recessed ohmic contacts in a III-N device |
| US10200030B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-02-05 | Transphorm Inc. | Paralleling of switching devices for high power circuits |
| JP6888013B2 (ja) | 2016-01-15 | 2021-06-16 | トランスフォーム テクノロジー，インコーポレーテッド | ＡＬ（１−ｘ）Ｓｉ（ｘ）Ｏゲート絶縁体を有するエンハンスメントモードＩＩＩ族窒化物デバイス |
| TWI813243B (zh) | 2016-05-31 | 2023-08-21 | 美商創世舫科技有限公司 | 包含漸變空乏層的三族氮化物裝置 |
| US10319648B2 (en) | 2017-04-17 | 2019-06-11 | Transphorm Inc. | Conditions for burn-in of high power semiconductors |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631227A (en) * | 1979-08-22 | 1981-03-30 | Fujitsu Ltd | Analogue gate circuit |
| US4445055A (en) * | 1981-03-05 | 1984-04-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit arrangement for controlling a power field-effect switching transistor |
| JPS61182324A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−ト駆動装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3740581A (en) * | 1972-03-08 | 1973-06-19 | Hughes Aircraft Co | Precision switching circuit for analog signals |
| DE2311340C2 (de) * | 1973-03-07 | 1974-04-04 | Claude 8000 Muenchen Frantz | Schaltung zur Verkürzung der Einschaltzeit von induktiven Verbrauchern |
| US3848108A (en) * | 1973-11-01 | 1974-11-12 | Amsted Ind Inc | Servo feed control for electrical discharge machining |
| US4020365A (en) * | 1976-03-22 | 1977-04-26 | Intersil Incorporated | Integrated field-effect transistor switch |
| JPS5585135A (en) * | 1978-12-21 | 1980-06-26 | Sony Corp | Mos-fet switching circuit |
| US4492883A (en) * | 1982-06-21 | 1985-01-08 | Eaton Corporation | Unpowered fast gate turn-off FET |
| JPS6011324A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-21 | Matsushita Electric Works Ltd | 成形金型 |
| DE3405936A1 (de) * | 1984-02-18 | 1985-08-22 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Einrichtung zur ansteuerung eines leistungs-feldeffekt-schalttransistors |
-
1986
- 1986-07-16 US US06/886,576 patent/US4728826A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-03-16 JP JP62062339A patent/JPS62227213A/ja active Granted
- 1987-03-17 EP EP87103848A patent/EP0239861B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-03-17 DE DE8787103848T patent/DE3763353D1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5631227A (en) * | 1979-08-22 | 1981-03-30 | Fujitsu Ltd | Analogue gate circuit |
| US4445055A (en) * | 1981-03-05 | 1984-04-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Circuit arrangement for controlling a power field-effect switching transistor |
| JPS61182324A (ja) * | 1985-02-08 | 1986-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | ゲ−ト駆動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4728826A (en) | 1988-03-01 |
| EP0239861A1 (de) | 1987-10-07 |
| JPS62227213A (ja) | 1987-10-06 |
| EP0239861B1 (de) | 1990-06-20 |
| DE3763353D1 (de) | 1990-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH054849B2 (ja) | ||
| KR960038970A (ko) | 고측부 스위치용 전하 펌프 회로 | |
| KR20040045459A (ko) | 게이트 드라이버 장치, 에너지 복원 방법 및 에너지 복원회로 | |
| JPH03117211A (ja) | 半導体素子の駆動回路 | |
| US5635867A (en) | High performance drive structure for MOSFET power switches | |
| KR840004835A (ko) | 집적가능 반도체계 전기용 회로 | |
| KR940025400A (ko) | 고주파수 전류로 방전 램프를 동작시키는 회로장치 | |
| US5272398A (en) | Driver for power field-controlled switches with refreshed power supply providing stable on/off switching | |
| US10998887B2 (en) | Power device driving apparatus | |
| JP3314473B2 (ja) | パワーｍｏｓｆｅｔの制御装置 | |
| EP0334644A2 (en) | DC-to-DC voltage-increasing power source | |
| US5684681A (en) | Drive circiut of switching element for switching mode power supply device | |
| JP2998768B2 (ja) | Ｍｏｓｆｅｔ駆動回路 | |
| JPH07111446A (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置 | |
| JP2001156606A (ja) | スイッチに対する制御装置 | |
| EP1264402B1 (en) | Drive circuit and method for mosfet | |
| JP2998767B2 (ja) | 共振形駆動回路 | |
| JPH05207730A (ja) | 零電圧スイッチング方式駆動回路 | |
| RU94044397A (ru) | Транзисторный ключ | |
| JPH0287818A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3333504B2 (ja) | 共振型電力変換回路の駆動手段、共振型電力変換回路の駆動制御手段、及び、共振型電力変換回路 | |
| JP3345163B2 (ja) | Ｆｅｔのゲート駆動回路 | |
| JPH0633714Y2 (ja) | 絶縁ゲート型電力用半導体素子の高周波駆動回路 | |
| JPH05244764A (ja) | 絶縁ゲート型電力用半導体素子の駆動回路 | |
| KR940019072A (ko) | 전류 불연속모드의 타려식 스위칭전원의 소프트 스위칭회로 |