JPH0548001A - 半導体集積回路の実装方法 - Google Patents

半導体集積回路の実装方法

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JPH0548001A
JPH0548001A JP3206656A JP20665691A JPH0548001A JP H0548001 A JPH0548001 A JP H0548001A JP 3206656 A JP3206656 A JP 3206656A JP 20665691 A JP20665691 A JP 20665691A JP H0548001 A JPH0548001 A JP H0548001A
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Shigeru Okamura
茂 岡村
Norishige Hisatsugu
徳重 久継
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ＩＣの実装方法に関し、ＩＣチップ間
の配線距離を可能な限り縮小することを目的とする。 【構成】 ＩＣチップの電極端子ピッチに等しいピッチ
で複数の貫通電極が形成されており、また、必要とする
貫通電極と接続する外部接続電極を備えて形成されてい
る配線シートの表裏面にＩＣチップを向い合せて装着し
てモジールを作り、このモジールを構成単位として配線
基板に装着することを特徴として半導体集積回路の実装
方法を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＣチップ相互間の配線
接続距離を短縮した半導体集積回路の実装方法に関す
る。
【０００２】高性能の電子装置を実現するには集積回路
（ＩＣ）の集積度の向上と高性能化が最も必要である
が、ＩＣ相互間の配線距離を短くして信号の伝播遅延時
間を少なくすることも重要である。
【０００３】
【従来の技術】配線基板へのＩＣの装着法としてハーメ
チックシールしたセラミックパッケージまたは樹脂モー
ルドパッケージを用い、プリント配線基板に装着して用
いられている。
【０００４】然し、 装置の小形化と信号の高速化を特
に必要とする用途に対してはセラミックスよりなる配線
基板上にチップの形で複数個搭載し、これを取替え単位
として実装することも行われている。
【０００５】このようにすることによってＩＣチップ間
の距離が短縮し、装置の小形化に成功している。然し、
信号の高速化を達成するには更にＩＣチップ間の距離を
短くして信号の伝播遅延時間を短縮する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】大量の情報を高速に処
理するため情報処理装置はこの装置の主体を構成する半
導体装置の集積度の向上が行われており、ＬＳＩやＶＬ
ＳＩが実用化されているが、これと共にこれらＩＣ間の
配線距離を短縮して信号の遅延をできる限り少なくする
ことが必要である。
【０００７】そこで、この実装法の開発が課題である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題はＩＣチップ
の電極端子ピッチに等しいピッチで複数の貫通電極が形
成されており、また必要とする貫通電極と接続する外部
接続電極を備えて形成されている配線シートの表裏面に
ＩＣチップを向い合せて装着してモジールを作り、この
モジールを構成単位として配線基板に装着することを特
徴として半導体集積回路の実装方法を構成することによ
り解決することができる。
【０００９】
【作用】本発明はＩＣチップの電極端子ピッチと等しい
ピッチで多数の貫通電極が形成されており、また必要と
する貫通電極と接続する導体線路を備えて形成されてい
る配線シートを用い、フリップチップタイプのＩＣを向
かい合わせに装着するものである。
【００１０】図２は配線シート１の斜視図（Ａ）と断面
図（Ｂ）を示している。こゝで、配線シート１はポリイ
ミドのような耐熱性有機化合物または窒化硅素（Si3N4)
や炭化硅素(SiC) など耐熱性無機化合物よりなり、厚さ
が10〜500 μmの絶縁薄膜で、これにＩＣチップの電極
端子ピッチと等しいピッチで直径が10〜50μm の孔が開
いており、これに金(Au), ニッケル(Ni), 銅(Cu)などの
金属がメッキ法などにより埋め込み成長して貫通電極２
が形成されている。
【００１１】こゝで、このような微細孔の形成と金属の
成長は例えばＸ線リソグラフィ（蝕刻技術）とメッキ技
術を使用するＬＩＧＡ（Lithography and Galvano-form
ing)プロセスにより作ることができる。
【００１２】また、貫通電極２と連絡する外部接続電極
３は真空蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術と写真
蝕刻技術（フォトリソグラフィ）により形成することが
できる。
【００１３】本発明はかゝる配線シート１を使用し、Ｉ
Ｃを上下より向かい合わせて装着してモジールを作り、
これを構成単位として実装を行うものである。図１は本
発明の原理図であって、配線シート１に設けてある貫通
電極２の突起部にフリップチップタイプＩＣ４，５の半
田ボール端子６を加熱融着してモジール７を作り、この
モジール７を回路基板８の上に形成されている導体線路
（例えばバンプ）９に当接して融着するか、あるいは導
体線路（例えばパッド）10とワイヤボンディング接続を
行うものである。
【００１４】なお、図１は配線シート１の上下に一個づ
つ同種のＩＣを装着した場合であるが、複数個を装着し
てもよく、また、配線シートに設けてある貫通電極の配
線を変えて異種のＩＣを装着してもよい。
【００１５】また、ＩＣの上にこの配線シートを置き、
ＲＯＭや論理回路などの副ＩＣを搭載し、このＩＣを従
来のように実装することもできる。このように本発明は
配線シートを用いて半導体モジールを作り、これを用い
て実装を行うもので、従来に較べ導体線路の長さを格段
に短くできるために信号伝播遅延時間を減少することが
できる。
【００１６】
【実施例】実施例１：（主ＩＣの上に副ＩＣを搭載して
複合ＩＣを形成した例） 図３は主ＩＣ12の上に配線シート13を介して副ＩＣ14を
装着して複合ＩＣ15を作り、これをセラミックパッケー
ジ16に装着した状態を示す断面図である。こゝで、副Ｉ
Ｃ14は例えばＲＯＭや論理回路などであり、今まで、特
定目的のＩＣ（ＡＳＩＣ）については目的に合わせて集
積回路全体を設計し、製作していたが、この実施例は基
本回路を製作しておき、これに目的に合った集積回路を
添加するもので、この方法を使用することにより各種の
機能をもつ集積回路を実現することができる。
【００１７】また、副ＩＣ14の代わりに薄膜ＩＣやハイ
ブリッドＩＣなど他の機能部品や回路を搭載することも
可能である。 実施例２：（配線シートを用いて複雑な回路構成を行う
例） 図４は配線シートの貫通電極間を用途により複雑に回路
接続した例であり、同図（Ａ）は側面図、また同図
（Ｂ）は平面図を示している。
【００１８】すなわち、配線シート17には多数の貫通電
極18が設けられているが、その総てがＩＣ19,20 と接続
している訳ではなく、遊び電極を設けると共に、配線シ
ート17の上で貫通電極間の回路接続を行うものである。
【００１９】このような方法をとることにより複雑な回
路構成が可能となる。 実施例３：（三次元構成例） 図５はＬＩＧＡプロセスを用いて形成した配線シートを
組合せて断面がコの字形の配線シート21を作り、この配
線シート21の上下にＩＣ22,23 を装着した後、この配線
シート21を従来構造をした配線シート24に装着すること
によりＩＣの三次元構成とする例である。 実施例４：（配線シートの貫通電極を用いて回路接続を
行う例） 図６は配線シートの貫通電極を用いて回路接続を行う例
であって、ＩＣを上下に装着した配線シート26を配線基
板( 例えばセラミックパッケージの基板)27 の導体線路
28に回路接続する場合に、導体線路28に対応する位置に
ある貫通電極29にまで導体線路30をパターン形成してお
くもので、この貫通電極29を用いて配線基板27の導体線
路28と回路接続を行うものである。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明はＩＣの電極端子ピ
ッチに合わせて多数の貫通電極を設けてある配線シート
を介して上下にＩＣの装着を行うもので、本発明の使用
により導体線路長を格段に減少することができ、これに
より信号の伝播遅延時間を減少することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理図である。
【図２】配線シートの構成を示す斜視図と断面図であ
る。
【図３】主ＩＣの上に副ＩＣを装着した複合ＩＣの実装
例である。
【図４】配線シートを用いて複雑な回路構成を行う例で
ある。
【図５】ＩＣの三次元構成例である。
【図６】配線シートの貫通電極を用いて回路接続を行う
例である。
【符号の説明】
１，13,17,21,24,26 配線シート ２，18,29 貫通電極 ３ 外部接続電極 ４，５，19,20,22,23 ＩＣ ７ モジール ９，10,28,30 導体線路

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＩＣチップの電極端子ピッチに等しいピ
    ッチで複数の貫通電極が形成されており、また必要とす
    る貫通電極と接続する外部接続電極を備えて形成されて
    いる配線シートの表裏面にＩＣチップを向い合せて装着
    してモジールを作り、該モジールを構成単位として配線
    基板に装着することを特徴とする半導体集積回路の実装
    方法。
  2. 【請求項２】 前記モジールの配線基板への装着が配線
    シートに設けた外部接続電極と配線基板の導体線路との
    直接接合によるか、或いはワイヤボンディングにより行
    うことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の実
    装方法。
  3. 【請求項３】 前記モジールが主ＩＣチップの上に前記
    配線シートを介して副ＩＣチップが向い合せに装着され
    ており、前記主ＩＣチップが配線基板に装着されている
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の実装
    方法。
  4. 【請求項４】 前記配線シートに形成されている貫通電
    極の中の複数個が相互に回路接続されて構成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の実装
    方法。
  5. 【請求項５】 前記モジールの配線基板への装着がＩＣ
    チップの電極端子を装着した貫通電極と配線基板装着位
    置にある貫通電極とを導体線路で接続し、前記配線基板
    装着位置にある貫通電極を用いて行うことを特徴とする
    請求項１記載の半導体集積回路の実装方法。
JP3206656A 1991-08-19 1991-08-19 半導体集積回路の実装方法 Withdrawn JPH0548001A (ja)

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