JPH053691B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

＜発明の技術分野＞ 本発明は、剥離容易な外部半導電層を有する架
橋ポリエチレンケーブルの製造方法に関するもの
である。 ＜発明の背景＞ 従来、外部半導電層を有する架橋ポリエチレン
ケーブルにおいて、その外部半導電層を架橋ポリ
エチレン絶縁層から容易に剥離できるようなもの
とする場合には、外部半導電層として、ポリ塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩素化ポリエチレ
ン−酢酸ビニル共重合体等にカーボンブラツク等
の導電性付与剤を配合した混和物が使用されてき
た。 しかし、上記従来の混和物を使用した外部半導
電層は、200℃以下の温度で架橋した場合には満
足できる剥離性を有するが、それ以上の温度例え
ば230℃以上で架橋した場合には満足できる剥離
性を有していなかつた。その原因は明確ではない
が、外部半導電層の材料が熱分解により劣化し、
その引張り破断力が剥離力に対して相対的に低下
するためと考えられている。そのため架橋温度を
230℃以上に高めて、製造速度を上げることがで
きず、生産性に限度があつた。 ＜発明の目的及び構成＞ 本発明は、上記の現状に鑑みてなされたもの
で、200℃以上の温度で架橋しても剥離容易な外
部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブルの
製造方法を提供することを目的とする。 その目的は、外部半導電層に、酢酸ビニル含量
40％以上55％未満のエチレン酢酸ビニル共重合体
を主体とする樹脂に導電性付与剤を配合してなる
半導電性混和物を用いることにより達成される。 上記半導電性混和物中のエチレン酢酸ビニルの
酢酸ビニル含量（以下酢ビ含量）は40％以上55％
未満の範囲でなければならない。酢ビ含量が40％
未満では200℃以上例えば230℃で架橋した場合に
は得られる半導電層は架橋ポリエチレン絶縁層か
らの剥離が困難で、直ぐ破断してしまい、剥離容
易な外部半導電層を得ることができず、また55％
以上では半導電層の伸び率が200％以下となつて、
ケーブルの屈曲性を考慮すると使用することに危
険がある。 なお、エチレン酢酸ビニル共重体には、その特
性を損なわない範囲で他の樹脂例えばポリエチレ
ンやポリプロピレン等10％未満を配合することが
できる。 前記半導電性混和物に配合される導電性付与剤
としては、金属粉、グラフアイト、種々のカーボ
ンブラツク等を挙げることができるが、混和の容
易性、経済性の点から導電性カーボンブラツクが
最も一般的に使用される。その導電性付与剤の配
合量は、その種類にもよるが、架橋ポリエチレン
ケーブルの外部半導電層として必要な電導度を得
るには、例えば導電性カーボンブラツクの場合に
は樹脂分100重量部に対し、10〜100重量部の範囲
で足る。 本発明な係る架橋ポリエチレンケーブルの構造
を第１図により説明する。 第１図において、１は導体である。導体１は通
常銅やアルミニウム又はこれらの合金製の素線の
複数本を撚り合せたものである。 この導体１の外側には、内部半導電層２を介し
又は介することなく直接架橋ポリエチレン製の絶
縁層３が設けられている。なお、上記内部半導電
層２は、特に比較的高電圧（6KV以上）に使用
されるものに設けられる場合が多い。内部半導電
層２は従来から広く使用されている公知の半導電
性混和物で形成してもよいし、或いは、本発明に
係る外部半導電層用の混和物によつて形成しても
よい。 また、絶縁層３を構成する架橋ポリエチレン
は、架橋剤（例えばジクミルパーオキサイド0.5
〜５重量部）を配合したポリエチレン混和物を高
温（通常150°−200℃）に加熱することにより得
ることができる。 この架橋ポリエチレン絶縁層３の外側には、外
部半導電層４が設けられる。この外部半導電層４
は本発明に係る半導電性混和物により形成されな
ければならない。この半導電性混和物には架橋剤
（例えばジクミルパーオキサイド）を添加しても
よい。架橋剤を添加した場合はその製造上都合が
良い場合が多い。 通常、外部半導電層４の外側には、機械的、化
学的損障を防ぐため必要に応じシース（保護被
覆）５を設けることがある。 本発明の架橋ポリエチレンケーブルを製造する
場合には、まず導体１の外側に内部半導電層２と
未架橋ポリエチレン混和物による絶縁層３と前記
半導電性混和物による外部半導電層４とをそれぞ
れ順次に又はそれらの２層以上を同時に押出被覆
し、それを230℃以上に加熱する。この場合、加
熱雰囲気は不活性ガス例えば窒素ガス雰囲気であ
つてもよく、また加熱源は水蒸気、輻射線（例え
ば赤外線）、加熱シリコン油等の単独又は２以上
の組合せであつてもよい。 ＜実施例＞ 下記の第１表を示す配合の半導電性混和物を厚
さ１mmのシートに形成し、これを別途用意した厚
さ２mmの未架橋ポリエチレンシートに重ね合せて
所定の架橋条件（200℃、230℃、250℃）で加熱
して貼り合せ資料とした。 次にこれらの資料について、テンシロン試験機
により引張速度500mm／分で剥離力を測定した。
なお、試料巾は12.5mmとした。

【表】 ＜発明の効果＞ 第１表（剥離力の欄）から明らかなように酢ビ
量が40％以上55％未満のエチレン酢酸ビニル共重
合体よりなる半導電性混和物は、200℃を越える
高温（例えば230℃以上）で架橋しても、破断す
ることなく容易に剥離する。しかし、酢ビ量が40
％未満55％以上の範囲のものを主材樹脂としたも
のは230℃以上で架橋すると剥離の際破断して剥
離できない結果となつた。

【表】 また、本発明に係る方法を実施すれば、上記第
２表に示すとおり、従来よりも高い架橋温度
（230℃）以上で、剥離性の優れた外部半導電層を
有する架橋ポリエチレンケーブルを、その温度の
高い分だけ製造速度を大きくして製造することが
でき、生産性が向上した。 また、得られるケーブルは端末処理、接続処理
も容易で、工事能率上もきわめてよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る架橋ポリエチレンケーブ
ルの断面図である。 １……導体、２……内部半導電層、３……架橋
ポリエチレン絶縁層、４……外部半導電層、５…
…シース。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 導体の外側に、未架橋ポリエチレン組成物に
   よる絶縁層及び外部半導電層を順次に又は同時に
   押出し被覆したのち、架橋加熱する架橋ポリエチ
   レンケーブルの製造方法において、上記外部半導
   電層に、酢酸ビニル含量40％以上55％未満のエチ
   レン酢酸ビニル共重合体100重量部に導電性付与
   剤10〜100重量部および前記エチレン酢酸ビニル
   共重合体の10％未満のポリエチレンあるいはポリ
   プロピレンを配合した半導電性混和物を用い、か
   つ架橋剤0.5〜５重量部を添加して、上記加熱架
   橋として230℃以上に加熱する剥離容易な外部半
   導電層を有する架橋ポリエチレンケーブルの製造
   方法。