JPS618802A - 架橋ポリエチレンケ−ブル - Google Patents
架橋ポリエチレンケ−ブルInfo
- Publication number
- JPS618802A JPS618802A JP12968284A JP12968284A JPS618802A JP S618802 A JPS618802 A JP S618802A JP 12968284 A JP12968284 A JP 12968284A JP 12968284 A JP12968284 A JP 12968284A JP S618802 A JPS618802 A JP S618802A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vinyl acetate
- cross
- mixture
- conducting layer
- linked polyethylene
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエ
チレンケーブルに関するものである。
チレンケーブルに関するものである。
従来、外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブル
において、その外部半導電層を架橋ポリエチレン絶縁層
から容易に剥離できるようなものとする場合には、外部
半導電層には、エチレン・酢酸ビニル共重合体(EVΔ
)とポリ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体又は塩素化ポ
リエチレンとの混合樹脂にカーボンブラック等の導電性
付与剤を配合した混合物が使用されてきた(例えば、特
公明49−19907号公報)。
において、その外部半導電層を架橋ポリエチレン絶縁層
から容易に剥離できるようなものとする場合には、外部
半導電層には、エチレン・酢酸ビニル共重合体(EVΔ
)とポリ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体又は塩素化ポ
リエチレンとの混合樹脂にカーボンブラック等の導電性
付与剤を配合した混合物が使用されてきた(例えば、特
公明49−19907号公報)。
(発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記の、従来の混和物を使用した外部半導電層
は、200℃以下の温度で架橋した場合には満足できる
剥離性を有するが、それ以上の温度例えば230℃以上
で架橋した場合には、満足できる剥離性を有していなか
った。その原因は明確ではないが、外部半導電層の材料
が熱分解により劣化し、その引張り破断力が剥離力に対
して相対的に低下するためと考えられている。
は、200℃以下の温度で架橋した場合には満足できる
剥離性を有するが、それ以上の温度例えば230℃以上
で架橋した場合には、満足できる剥離性を有していなか
った。その原因は明確ではないが、外部半導電層の材料
が熱分解により劣化し、その引張り破断力が剥離力に対
して相対的に低下するためと考えられている。
そのため架橋温度を230℃以上に高めて、製造速度を
上げることができず、生産性に限廉があつ lこ 。
上げることができず、生産性に限廉があつ lこ 。
本発明は、上記の現状に鑑みてなされたもので、200
℃以上の温度で架橋しても剥離容易な外部半導電層を有
する架橋ポリエチレンケーブルを提供することを目的と
する。
℃以上の温度で架橋しても剥離容易な外部半導電層を有
する架橋ポリエチレンケーブルを提供することを目的と
する。
本発明は、上記問題点を解決するための手段として、従
来技術の混合物叫おけるポリ塩化ビニル・酢酸ビニル共
重合体又は塩素化ポリエチレンをエチレン・酢酸ビニル
・アルキルアクリレートに替えたものである。
来技術の混合物叫おけるポリ塩化ビニル・酢酸ビニル共
重合体又は塩素化ポリエチレンをエチレン・酢酸ビニル
・アルキルアクリレートに替えたものである。
即ち、本発明は、架橋ポリエチレンケーブルの外部半S
N層に、 i、エチレン・酢酸ビニル・アルキルアクリレート
5〜95重吊部it 、酢酸ビニ
ル含量(以下rVAfiJという)が15〜70%のエ
チレン酢酸ビニル 95〜5重量部 よりなる混和物を主材樹脂とし、これに1s電性付与剤
を配合してなる半導電性混和物及び、更にこれに架橋剤
を配合した半導電性混和物を用いることにしたものであ
る。
N層に、 i、エチレン・酢酸ビニル・アルキルアクリレート
5〜95重吊部it 、酢酸ビニ
ル含量(以下rVAfiJという)が15〜70%のエ
チレン酢酸ビニル 95〜5重量部 よりなる混和物を主材樹脂とし、これに1s電性付与剤
を配合してなる半導電性混和物及び、更にこれに架橋剤
を配合した半導電性混和物を用いることにしたものであ
る。
上記主材樹脂を構成するエチレン・酢酸ビニル・アルキ
ルアクリレート(以下、E、VAAという。
ルアクリレート(以下、E、VAAという。
)は、エチレン酢酸ビニル共重合体に
〔式中、R+は水素又はメチル基を、R2は水素R2
は4〈n≦13となる範囲の数である。〕で示される長
鎖アルキルアクリレート化合物が第3成分として共重合
又はグラフト重合されたものであり、例えば大日本イン
キ化学工業■製エバスレンがこれに当る。
鎖アルキルアクリレート化合物が第3成分として共重合
又はグラフト重合されたものであり、例えば大日本イン
キ化学工業■製エバスレンがこれに当る。
また、上記主材樹脂を構成するエチレン酢酸ビニル(以
下EVAという。)は、エチレンと酢酸ビニルとのラン
ダム共重合体で、VAffiが15〜70%のものであ
る。EVA中のvA檗が15%未満の場合には、200
℃以上、例えば230℃で架橋した場合には、得られる
半導電層は架橋ポリエチレン絶縁層からの剥離が困難で
、直ぐ破断してしまい、剥離容易な半導電層を得ること
ができず、又70%を越る場合には、伸びが200%を
割ってしまいケーブルにした場合、屈曲性を考慮すると
使用できない。
下EVAという。)は、エチレンと酢酸ビニルとのラン
ダム共重合体で、VAffiが15〜70%のものであ
る。EVA中のvA檗が15%未満の場合には、200
℃以上、例えば230℃で架橋した場合には、得られる
半導電層は架橋ポリエチレン絶縁層からの剥離が困難で
、直ぐ破断してしまい、剥離容易な半導電層を得ること
ができず、又70%を越る場合には、伸びが200%を
割ってしまいケーブルにした場合、屈曲性を考慮すると
使用できない。
VAffiが15〜70%のものであれば、如何なる製
造業者のエチレン酢酸ビニルであっても、支障なく使用
し得る。一般市販品としては、例えば、三井ポリケミカ
ル社製エバフレックス4.5X(V△邑45%)、エバ
フレックス40 ’< v A墨41%〉等を挙げるこ
とができる。
造業者のエチレン酢酸ビニルであっても、支障なく使用
し得る。一般市販品としては、例えば、三井ポリケミカ
ル社製エバフレックス4.5X(V△邑45%)、エバ
フレックス40 ’< v A墨41%〉等を挙げるこ
とができる。
本発明の主材樹脂において、EVAAが5重量部未満の
場合には、剥離が困難となり、また95ffi1部を越
えた場合には、押出加工性が悪くなり、いずれも好まし
くない。また、EVAが95iIf部を越る場合には剥
離が困難となり、また、5v量部未満の場合には、伸び
が200%を割ってしまい、ケーブルの屈曲性を考える
と、いずれの場合も好ましくない。
場合には、剥離が困難となり、また95ffi1部を越
えた場合には、押出加工性が悪くなり、いずれも好まし
くない。また、EVAが95iIf部を越る場合には剥
離が困難となり、また、5v量部未満の場合には、伸び
が200%を割ってしまい、ケーブルの屈曲性を考える
と、いずれの場合も好ましくない。
前記主材樹脂に配合されるS電性付与剤としては、金属
粉、グラフマイト、種々のカーボンブラック類等を挙げ
ることができるが、混和の容易性、経済性の点からs苛
性カーボンブラックが最も一般的に使用される。導電性
付与剤の配合量は、その種類にもよるが、架橋ポリエチ
レンケーブルの外部半S電層として必要な導電面を得る
には、例えば導電性カーボンブラックである場合には、
主材樹脂100重石部に対し、10〜100重量部で足
る。
粉、グラフマイト、種々のカーボンブラック類等を挙げ
ることができるが、混和の容易性、経済性の点からs苛
性カーボンブラックが最も一般的に使用される。導電性
付与剤の配合量は、その種類にもよるが、架橋ポリエチ
レンケーブルの外部半S電層として必要な導電面を得る
には、例えば導電性カーボンブラックである場合には、
主材樹脂100重石部に対し、10〜100重量部で足
る。
本発明による剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリ
エチレンケーブルは、導体の外側に、内部半導電層と未
架橋ボレエチレン組成物による絶縁層と本発明の前記半
導電性混和物による外部半導電層とをそれぞれ順次に又
はそれらの2層以上を同時に押出被覆したのち、230
℃以上に加熱することにより製造することができる。
エチレンケーブルは、導体の外側に、内部半導電層と未
架橋ボレエチレン組成物による絶縁層と本発明の前記半
導電性混和物による外部半導電層とをそれぞれ順次に又
はそれらの2層以上を同時に押出被覆したのち、230
℃以上に加熱することにより製造することができる。
なお、加熱雰囲気は、不活性ガス例えば窒素ガス雰囲気
であってもなくてもよい。また、加熱源は水蒸気、赤外
線、加熱シリコン油等であってもよい。
であってもなくてもよい。また、加熱源は水蒸気、赤外
線、加熱シリコン油等であってもよい。
次に、本発明に係る架橋ポリエチレンケーブルの構造を
第1図により説明する。
第1図により説明する。
第1図において、1は導体である。導体1は通シ
常銅やアルミニウム又はこれらの合金製の素線の
複数本を撚り合せたものである。導体1の外側には、内
部半導電層2を介し又は介すことなく直接架橋ポリエチ
レン製の絶縁層3が設(プられている。
常銅やアルミニウム又はこれらの合金製の素線の
複数本を撚り合せたものである。導体1の外側には、内
部半導電層2を介し又は介すことなく直接架橋ポリエチ
レン製の絶縁層3が設(プられている。
なお、上記内部半導電層2は、特に比較的高電圧(6K
V以上)に使用されるものに設けられる場合が多い。内
部半導電層2は従来から広く使用されている公知の半導
電性混和物により形成してもよいし、本発明に係る外部
半導電性混和物によっでもよい。
V以上)に使用されるものに設けられる場合が多い。内
部半導電層2は従来から広く使用されている公知の半導
電性混和物により形成してもよいし、本発明に係る外部
半導電性混和物によっでもよい。
まIC1絶縁層3を構成する架橋ポリエチレンは、架橋
剤(例えばジクミルパーオキサイド0.5〜5重量部)
を配合したポリエチレン混和物を品温(通常150℃以
上)に加熱することにより得ることができる。
剤(例えばジクミルパーオキサイド0.5〜5重量部)
を配合したポリエチレン混和物を品温(通常150℃以
上)に加熱することにより得ることができる。
架橋ポリエチレン絶縁層3の外側には外部半導電層4が
設けられる。この外部半導電層4は本発明に係る半導電
性混和物により形成されなければならない。この半導電
性混和物には架橋剤(例えばジクミルパーオキサイド0
.3〜3重量部)を添加してもよい。
トず なお、通常、外部半S電層4の外側には、機械的、化学
的損障を防ぐため、必要に応じシース(保護被覆〉5を
設けることがある。
設けられる。この外部半導電層4は本発明に係る半導電
性混和物により形成されなければならない。この半導電
性混和物には架橋剤(例えばジクミルパーオキサイド0
.3〜3重量部)を添加してもよい。
トず なお、通常、外部半S電層4の外側には、機械的、化学
的損障を防ぐため、必要に応じシース(保護被覆〉5を
設けることがある。
下記の第1表に示した配合の半導電性混和物を厚さ1リ
ミのシートに成形し、別途用意した厚さ2・戸の未架橋
ポリエチレンシートにそれぞれ重ね合せて所定の架橋条
件(200℃、230℃、250℃)で加熱して貼り合
せ試料としlcoそれらについて、テンシロン試験機に
より引張速度500ソミ/分で剥l1llt力を測定し
た。なお、試料中は0.5inchとした。
ミのシートに成形し、別途用意した厚さ2・戸の未架橋
ポリエチレンシートにそれぞれ重ね合せて所定の架橋条
件(200℃、230℃、250℃)で加熱して貼り合
せ試料としlcoそれらについて、テンシロン試験機に
より引張速度500ソミ/分で剥l1llt力を測定し
た。なお、試料中は0.5inchとした。
第1表から明らかなように、エチレン・酢酸ビニル・ア
ルキルアクリレートとエチレン酢酸ビニルとを主材樹脂
とする本発明の半導電性混和物は、200℃を越る高温
(例えば230℃以上)で架橋しても剥離容易であるが
、ポリ塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体や塩素化ポリエ
チレンを主材樹脂に使用したものは200℃以上で架橋
すると、剥離の際破断し、剥離できない結果となった。
ルキルアクリレートとエチレン酢酸ビニルとを主材樹脂
とする本発明の半導電性混和物は、200℃を越る高温
(例えば230℃以上)で架橋しても剥離容易であるが
、ポリ塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体や塩素化ポリエ
チレンを主材樹脂に使用したものは200℃以上で架橋
すると、剥離の際破断し、剥離できない結果となった。
ま1c、本発明を実施すれば、上記第2表に示すとおり
、従来よりも高い架橋温度〈230℃)以上で、剥離性
の優れた外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブ
ルを製造することができ、その温度の高いだけ製造速度
を上げることができ、工業的に有利となり、しかも、得
られるケーブルは、その接続部・終端部の作成も容易′
cJ事1jシ率上も優れている。
、従来よりも高い架橋温度〈230℃)以上で、剥離性
の優れた外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブ
ルを製造することができ、その温度の高いだけ製造速度
を上げることができ、工業的に有利となり、しかも、得
られるケーブルは、その接続部・終端部の作成も容易′
cJ事1jシ率上も優れている。
第1図は本発明に係る架橋ポリエチレンケーブルの断面
図である。 1・・・導体、2・・・内部半導電層、3・・・架橋ポ
リエチレン絶[!、4・・・外部半導電層、5・・・シ
ース。
図である。 1・・・導体、2・・・内部半導電層、3・・・架橋ポ
リエチレン絶[!、4・・・外部半導電層、5・・・シ
ース。
Claims (2)
- (1)、導体の外側に、内部半導電層を介して又は介さ
ず直接架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層を順次設
けてなる架橋ポリエチレンケーブルにおいて、上記外部
半導電層に、 i、エチレン・酢酸ビニル・アルキルアクリレート 5
〜95重量部 ii、酢酸ビニル含量15〜70%のエチレン酢酸ビニ
ル 95〜5重量部 よりなる混和物を主材樹脂とし、これに導電性付与剤な
る半導電性混和物を用いることを特徴とする架橋ポリエ
チレンケーブル。 - (2)、導体の外側に、内部半導電層を介して又は介さ
ず直接架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層を順次設
けてなる架橋ポリエチレンケーブルにおいて、上記外部
半導電層に、 i、エチレン・酢酸ビニル・アルキルアクリレート 5
〜95重量部 ii、酢酸ビニル含量15〜70%のエチレン酢酸ビニ
ル 95〜5重量部 よりなる混和物を主材樹脂とし、これに導電性付与剤及
び架橋剤を配合してなる半導電性混和物を用いたことを
特徴とする架橋ポリエチレンケーブル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12968284A JPS618802A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 架橋ポリエチレンケ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12968284A JPS618802A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 架橋ポリエチレンケ−ブル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS618802A true JPS618802A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15015565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12968284A Pending JPS618802A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 架橋ポリエチレンケ−ブル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS618802A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55116613A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-08 | Tokuyama Soda Co Ltd | Silicic acid hydrate and manufacture thereof |
JPH05201719A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-08-10 | Rhone Poulenc Chim | 沈降シリカの新規な調製方法、新規な沈降シリカ及びエラストマー強化におけるその使用 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56103801A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-19 | Dainippon Ink & Chemicals | Semiconductive resin composition |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP12968284A patent/JPS618802A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56103801A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-19 | Dainippon Ink & Chemicals | Semiconductive resin composition |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55116613A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-08 | Tokuyama Soda Co Ltd | Silicic acid hydrate and manufacture thereof |
JPH0116768B2 (ja) * | 1979-02-28 | 1989-03-27 | Tokuyama Soda Kk | |
JPH05201719A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-08-10 | Rhone Poulenc Chim | 沈降シリカの新規な調製方法、新規な沈降シリカ及びエラストマー強化におけるその使用 |
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