JPS618802A - 架橋ポリエチレンケ−ブル - Google Patents
架橋ポリエチレンケ−ブルInfo
- Publication number
- JPS618802A JPS618802A JP12968284A JP12968284A JPS618802A JP S618802 A JPS618802 A JP S618802A JP 12968284 A JP12968284 A JP 12968284A JP 12968284 A JP12968284 A JP 12968284A JP S618802 A JPS618802 A JP S618802A
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- Japan
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- vinyl acetate
- cross
- mixture
- conducting layer
- linked polyethylene
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエ
チレンケーブルに関するものである。
チレンケーブルに関するものである。
従来、外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブル
において、その外部半導電層を架橋ポリエチレン絶縁層
から容易に剥離できるようなものとする場合には、外部
半導電層には、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶΔ
）とポリ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体又は塩素化ポ
リエチレンとの混合樹脂にカーボンブラック等の導電性
付与剤を配合した混合物が使用されてきた（例えば、特
公明４９−１９９０７号公報）。
において、その外部半導電層を架橋ポリエチレン絶縁層
から容易に剥離できるようなものとする場合には、外部
半導電層には、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶΔ
）とポリ塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体又は塩素化ポ
リエチレンとの混合樹脂にカーボンブラック等の導電性
付与剤を配合した混合物が使用されてきた（例えば、特
公明４９−１９９０７号公報）。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかし、上記の、従来の混和物を使用した外部半導電層
は、２００℃以下の温度で架橋した場合には満足できる
剥離性を有するが、それ以上の温度例えば２３０℃以上
で架橋した場合には、満足できる剥離性を有していなか
った。その原因は明確ではないが、外部半導電層の材料
が熱分解により劣化し、その引張り破断力が剥離力に対
して相対的に低下するためと考えられている。
は、２００℃以下の温度で架橋した場合には満足できる
剥離性を有するが、それ以上の温度例えば２３０℃以上
で架橋した場合には、満足できる剥離性を有していなか
った。その原因は明確ではないが、外部半導電層の材料
が熱分解により劣化し、その引張り破断力が剥離力に対
して相対的に低下するためと考えられている。
そのため架橋温度を２３０℃以上に高めて、製造速度を
上げることができず、生産性に限廉があつ ｌこ 。
上げることができず、生産性に限廉があつ ｌこ 。
本発明は、上記の現状に鑑みてなされたもので、２００
℃以上の温度で架橋しても剥離容易な外部半導電層を有
する架橋ポリエチレンケーブルを提供することを目的と
する。
℃以上の温度で架橋しても剥離容易な外部半導電層を有
する架橋ポリエチレンケーブルを提供することを目的と
する。
本発明は、上記問題点を解決するための手段として、従
来技術の混合物叫おけるポリ塩化ビニル・酢酸ビニル共
重合体又は塩素化ポリエチレンをエチレン・酢酸ビニル
・アルキルアクリレートに替えたものである。
来技術の混合物叫おけるポリ塩化ビニル・酢酸ビニル共
重合体又は塩素化ポリエチレンをエチレン・酢酸ビニル
・アルキルアクリレートに替えたものである。
即ち、本発明は、架橋ポリエチレンケーブルの外部半Ｓ
Ｎ層に、 ｉ、エチレン・酢酸ビニル・アルキルアクリレート
５〜９５重吊部ｉｔ 、酢酸ビニ
ル含量（以下ｒＶＡｆｉＪという）が１５〜７０％のエ
チレン酢酸ビニル ９５〜５重量部 よりなる混和物を主材樹脂とし、これに１ｓ電性付与剤
を配合してなる半導電性混和物及び、更にこれに架橋剤
を配合した半導電性混和物を用いることにしたものであ
る。
Ｎ層に、 ｉ、エチレン・酢酸ビニル・アルキルアクリレート
５〜９５重吊部ｉｔ 、酢酸ビニ
ル含量（以下ｒＶＡｆｉＪという）が１５〜７０％のエ
チレン酢酸ビニル ９５〜５重量部 よりなる混和物を主材樹脂とし、これに１ｓ電性付与剤
を配合してなる半導電性混和物及び、更にこれに架橋剤
を配合した半導電性混和物を用いることにしたものであ
る。
上記主材樹脂を構成するエチレン・酢酸ビニル・アルキ
ルアクリレート（以下、Ｅ、ＶＡＡという。
ルアクリレート（以下、Ｅ、ＶＡＡという。
）は、エチレン酢酸ビニル共重合体に
〔式中、Ｒ＋は水素又はメチル基を、Ｒ２は水素Ｒ２
は４〈ｎ≦１３となる範囲の数である。〕で示される長
鎖アルキルアクリレート化合物が第３成分として共重合
又はグラフト重合されたものであり、例えば大日本イン
キ化学工業■製エバスレンがこれに当る。
鎖アルキルアクリレート化合物が第３成分として共重合
又はグラフト重合されたものであり、例えば大日本イン
キ化学工業■製エバスレンがこれに当る。
また、上記主材樹脂を構成するエチレン酢酸ビニル（以
下ＥＶＡという。）は、エチレンと酢酸ビニルとのラン
ダム共重合体で、ＶＡｆｆｉが１５〜７０％のものであ
る。ＥＶＡ中のｖＡ檗が１５％未満の場合には、２００
℃以上、例えば２３０℃で架橋した場合には、得られる
半導電層は架橋ポリエチレン絶縁層からの剥離が困難で
、直ぐ破断してしまい、剥離容易な半導電層を得ること
ができず、又７０％を越る場合には、伸びが２００％を
割ってしまいケーブルにした場合、屈曲性を考慮すると
使用できない。
下ＥＶＡという。）は、エチレンと酢酸ビニルとのラン
ダム共重合体で、ＶＡｆｆｉが１５〜７０％のものであ
る。ＥＶＡ中のｖＡ檗が１５％未満の場合には、２００
℃以上、例えば２３０℃で架橋した場合には、得られる
半導電層は架橋ポリエチレン絶縁層からの剥離が困難で
、直ぐ破断してしまい、剥離容易な半導電層を得ること
ができず、又７０％を越る場合には、伸びが２００％を
割ってしまいケーブルにした場合、屈曲性を考慮すると
使用できない。
ＶＡｆｆｉが１５〜７０％のものであれば、如何なる製
造業者のエチレン酢酸ビニルであっても、支障なく使用
し得る。一般市販品としては、例えば、三井ポリケミカ
ル社製エバフレックス４．５Ｘ（Ｖ△邑４５％）、エバ
フレックス４０ ’＜ ｖ Ａ墨４１％〉等を挙げるこ
とができる。
造業者のエチレン酢酸ビニルであっても、支障なく使用
し得る。一般市販品としては、例えば、三井ポリケミカ
ル社製エバフレックス４．５Ｘ（Ｖ△邑４５％）、エバ
フレックス４０ ’＜ ｖ Ａ墨４１％〉等を挙げるこ
とができる。
本発明の主材樹脂において、ＥＶＡＡが５重量部未満の
場合には、剥離が困難となり、また９５ｆｆｉ１部を越
えた場合には、押出加工性が悪くなり、いずれも好まし
くない。また、ＥＶＡが９５ｉＩｆ部を越る場合には剥
離が困難となり、また、５ｖ量部未満の場合には、伸び
が２００％を割ってしまい、ケーブルの屈曲性を考える
と、いずれの場合も好ましくない。
場合には、剥離が困難となり、また９５ｆｆｉ１部を越
えた場合には、押出加工性が悪くなり、いずれも好まし
くない。また、ＥＶＡが９５ｉＩｆ部を越る場合には剥
離が困難となり、また、５ｖ量部未満の場合には、伸び
が２００％を割ってしまい、ケーブルの屈曲性を考える
と、いずれの場合も好ましくない。
前記主材樹脂に配合されるＳ電性付与剤としては、金属
粉、グラフマイト、種々のカーボンブラック類等を挙げ
ることができるが、混和の容易性、経済性の点からｓ苛
性カーボンブラックが最も一般的に使用される。導電性
付与剤の配合量は、その種類にもよるが、架橋ポリエチ
レンケーブルの外部半Ｓ電層として必要な導電面を得る
には、例えば導電性カーボンブラックである場合には、
主材樹脂１００重石部に対し、１０〜１００重量部で足
る。
粉、グラフマイト、種々のカーボンブラック類等を挙げ
ることができるが、混和の容易性、経済性の点からｓ苛
性カーボンブラックが最も一般的に使用される。導電性
付与剤の配合量は、その種類にもよるが、架橋ポリエチ
レンケーブルの外部半Ｓ電層として必要な導電面を得る
には、例えば導電性カーボンブラックである場合には、
主材樹脂１００重石部に対し、１０〜１００重量部で足
る。
本発明による剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリ
エチレンケーブルは、導体の外側に、内部半導電層と未
架橋ボレエチレン組成物による絶縁層と本発明の前記半
導電性混和物による外部半導電層とをそれぞれ順次に又
はそれらの２層以上を同時に押出被覆したのち、２３０
℃以上に加熱することにより製造することができる。
エチレンケーブルは、導体の外側に、内部半導電層と未
架橋ボレエチレン組成物による絶縁層と本発明の前記半
導電性混和物による外部半導電層とをそれぞれ順次に又
はそれらの２層以上を同時に押出被覆したのち、２３０
℃以上に加熱することにより製造することができる。
なお、加熱雰囲気は、不活性ガス例えば窒素ガス雰囲気
であってもなくてもよい。また、加熱源は水蒸気、赤外
線、加熱シリコン油等であってもよい。
であってもなくてもよい。また、加熱源は水蒸気、赤外
線、加熱シリコン油等であってもよい。
次に、本発明に係る架橋ポリエチレンケーブルの構造を
第１図により説明する。
第１図により説明する。
第１図において、１は導体である。導体１は通シ
常銅やアルミニウム又はこれらの合金製の素線の
複数本を撚り合せたものである。導体１の外側には、内
部半導電層２を介し又は介すことなく直接架橋ポリエチ
レン製の絶縁層３が設（プられている。
常銅やアルミニウム又はこれらの合金製の素線の
複数本を撚り合せたものである。導体１の外側には、内
部半導電層２を介し又は介すことなく直接架橋ポリエチ
レン製の絶縁層３が設（プられている。
なお、上記内部半導電層２は、特に比較的高電圧（６Ｋ
Ｖ以上）に使用されるものに設けられる場合が多い。内
部半導電層２は従来から広く使用されている公知の半導
電性混和物により形成してもよいし、本発明に係る外部
半導電性混和物によっでもよい。
Ｖ以上）に使用されるものに設けられる場合が多い。内
部半導電層２は従来から広く使用されている公知の半導
電性混和物により形成してもよいし、本発明に係る外部
半導電性混和物によっでもよい。
まＩＣ１絶縁層３を構成する架橋ポリエチレンは、架橋
剤（例えばジクミルパーオキサイド０．５〜５重量部）
を配合したポリエチレン混和物を品温（通常１５０℃以
上）に加熱することにより得ることができる。
剤（例えばジクミルパーオキサイド０．５〜５重量部）
を配合したポリエチレン混和物を品温（通常１５０℃以
上）に加熱することにより得ることができる。
架橋ポリエチレン絶縁層３の外側には外部半導電層４が
設けられる。この外部半導電層４は本発明に係る半導電
性混和物により形成されなければならない。この半導電
性混和物には架橋剤（例えばジクミルパーオキサイド０
．３〜３重量部）を添加してもよい。
トず なお、通常、外部半Ｓ電層４の外側には、機械的、化学
的損障を防ぐため、必要に応じシース（保護被覆〉５を
設けることがある。
設けられる。この外部半導電層４は本発明に係る半導電
性混和物により形成されなければならない。この半導電
性混和物には架橋剤（例えばジクミルパーオキサイド０
．３〜３重量部）を添加してもよい。
トず なお、通常、外部半Ｓ電層４の外側には、機械的、化学
的損障を防ぐため、必要に応じシース（保護被覆〉５を
設けることがある。
下記の第１表に示した配合の半導電性混和物を厚さ１リ
ミのシートに成形し、別途用意した厚さ２・戸の未架橋
ポリエチレンシートにそれぞれ重ね合せて所定の架橋条
件（２００℃、２３０℃、２５０℃）で加熱して貼り合
せ試料としｌｃｏそれらについて、テンシロン試験機に
より引張速度５００ソミ／分で剥ｌ１ｌｌｔ力を測定し
た。なお、試料中は０．５ｉｎｃｈとした。
ミのシートに成形し、別途用意した厚さ２・戸の未架橋
ポリエチレンシートにそれぞれ重ね合せて所定の架橋条
件（２００℃、２３０℃、２５０℃）で加熱して貼り合
せ試料としｌｃｏそれらについて、テンシロン試験機に
より引張速度５００ソミ／分で剥ｌ１ｌｌｔ力を測定し
た。なお、試料中は０．５ｉｎｃｈとした。
第１表から明らかなように、エチレン・酢酸ビニル・ア
ルキルアクリレートとエチレン酢酸ビニルとを主材樹脂
とする本発明の半導電性混和物は、２００℃を越る高温
（例えば２３０℃以上）で架橋しても剥離容易であるが
、ポリ塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体や塩素化ポリエ
チレンを主材樹脂に使用したものは２００℃以上で架橋
すると、剥離の際破断し、剥離できない結果となった。
ルキルアクリレートとエチレン酢酸ビニルとを主材樹脂
とする本発明の半導電性混和物は、２００℃を越る高温
（例えば２３０℃以上）で架橋しても剥離容易であるが
、ポリ塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体や塩素化ポリエ
チレンを主材樹脂に使用したものは２００℃以上で架橋
すると、剥離の際破断し、剥離できない結果となった。
ま１ｃ、本発明を実施すれば、上記第２表に示すとおり
、従来よりも高い架橋温度〈２３０℃）以上で、剥離性
の優れた外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブ
ルを製造することができ、その温度の高いだけ製造速度
を上げることができ、工業的に有利となり、しかも、得
られるケーブルは、その接続部・終端部の作成も容易′
ｃＪ事１ｊシ率上も優れている。
、従来よりも高い架橋温度〈２３０℃）以上で、剥離性
の優れた外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブ
ルを製造することができ、その温度の高いだけ製造速度
を上げることができ、工業的に有利となり、しかも、得
られるケーブルは、その接続部・終端部の作成も容易′
ｃＪ事１ｊシ率上も優れている。
第１図は本発明に係る架橋ポリエチレンケーブルの断面
図である。 １・・・導体、２・・・内部半導電層、３・・・架橋ポ
リエチレン絶［！、４・・・外部半導電層、５・・・シ
ース。
図である。 １・・・導体、２・・・内部半導電層、３・・・架橋ポ
リエチレン絶［！、４・・・外部半導電層、５・・・シ
ース。
Claims (2)
- （１）、導体の外側に、内部半導電層を介して又は介さ
ず直接架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層を順次設
けてなる架橋ポリエチレンケーブルにおいて、上記外部
半導電層に、 ｉ、エチレン・酢酸ビニル・アルキルアクリレート ５
〜９５重量部 ｉｉ、酢酸ビニル含量１５〜７０％のエチレン酢酸ビニ
ル ９５〜５重量部 よりなる混和物を主材樹脂とし、これに導電性付与剤な
る半導電性混和物を用いることを特徴とする架橋ポリエ
チレンケーブル。 - （２）、導体の外側に、内部半導電層を介して又は介さ
ず直接架橋ポリエチレン絶縁層、外部半導電層を順次設
けてなる架橋ポリエチレンケーブルにおいて、上記外部
半導電層に、 ｉ、エチレン・酢酸ビニル・アルキルアクリレート ５
〜９５重量部 ｉｉ、酢酸ビニル含量１５〜７０％のエチレン酢酸ビニ
ル ９５〜５重量部 よりなる混和物を主材樹脂とし、これに導電性付与剤及
び架橋剤を配合してなる半導電性混和物を用いたことを
特徴とする架橋ポリエチレンケーブル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12968284A JPS618802A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 架橋ポリエチレンケ−ブル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12968284A JPS618802A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 架橋ポリエチレンケ−ブル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618802A true JPS618802A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=15015565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12968284A Pending JPS618802A (ja) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | 架橋ポリエチレンケ−ブル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618802A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55116613A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-08 | Tokuyama Soda Co Ltd | Silicic acid hydrate and manufacture thereof |
| JPH05201719A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-08-10 | Rhone Poulenc Chim | 沈降シリカの新規な調製方法、新規な沈降シリカ及びエラストマー強化におけるその使用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56103801A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-19 | Dainippon Ink & Chemicals | Semiconductive resin composition |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP12968284A patent/JPS618802A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56103801A (en) * | 1980-01-24 | 1981-08-19 | Dainippon Ink & Chemicals | Semiconductive resin composition |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55116613A (en) * | 1979-02-28 | 1980-09-08 | Tokuyama Soda Co Ltd | Silicic acid hydrate and manufacture thereof |
| JPH0116768B2 (ja) * | 1979-02-28 | 1989-03-27 | Tokuyama Soda Kk | |
| JPH05201719A (ja) * | 1991-06-26 | 1993-08-10 | Rhone Poulenc Chim | 沈降シリカの新規な調製方法、新規な沈降シリカ及びエラストマー強化におけるその使用 |
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