JPS6112738A - 半導電層用混和物 - Google Patents

半導電層用混和物

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Publication number
JPS6112738A
JPS6112738A JP59132626A JP13262684A JPS6112738A JP S6112738 A JPS6112738 A JP S6112738A JP 59132626 A JP59132626 A JP 59132626A JP 13262684 A JP13262684 A JP 13262684A JP S6112738 A JPS6112738 A JP S6112738A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mixture
parts
weight
density polyethylene
base polymer
Prior art date
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Pending
Application number
JP59132626A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumihito Ito
伊藤 文仁
Toshio Niwa
利夫 丹羽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6112738A publication Critical patent/JPS6112738A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明社架橋ポリエチレン絶縁ケーブルなどのケーブ
ルの半導電層に好適く用いられる半導電層用混和物に関
する。
〔従来技術とその問題点〕
従来、架橋ポリエチレン絶縁ケーブルなどの半導′8L
r@を形成する半導電性材料としては、例えばエチレン
酢酸ビニル共重合体(EVA)あるいはエチレンエチル
アクリレート共重合体(EEA)60〜90重量部と低
密度ポリエチレン10〜40重量部とからなるベースポ
リマーに、カーボンブラック40〜60重を部を配合し
てなる導電性混和物が用いられている。
しかしながら、この種の混和物よりなる半導電層を持つ
ケーブルを架橋筒にて加熱し、ケーブルの絶縁体をなす
未架橋ポリエチレン組成物を架橋させる際、半導電層が
架橋温度(180〜250℃)において過度に軟化して
流動化し、撚線導体の撚り目に落ち込み、ケーブルの接
続時等の端末処理作業が面倒になるなどの不都合があっ
た。
〔発明の目的〕
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、架橋時
等の高温下に置かれても輪過度の流動化が防止でき、導
体の撚シ目に落ち込むような不都合が生じない半導電層
を形成することのできる半導電層用混和物全提供するこ
とを目的とするものである。
〔構 成〕
この発明の半導電層用混和物は、エチレ/系共重合体7
0〜95重量部と直鎖状低密度ポリエチレン5〜30重
量部とからなるベースポリマー100重量部に導電性カ
ーボンブラック40〜100重量部を配合してなるもの
である。
上記ペースポリマーの一方の成分であるエチレン系共重
合体としては、エチレン酢酸ビニル共重合体(EVA)
やエチレンエチルアクリレート共重合体(EEA)など
が挙げられ、これらを単独または二種以上適宜の割合で
混合して使用きれる。
エチレン酢酸ビニル共重合体としては、酢酸ビニル含有
量が10〜50wt%の一般品種が主に用いられるが、
特にこの範囲に限定されるものでない。また、エチレン
エチルアクリレート共重合体としては、エチルアクリレ
ート含有量が10〜3゜wt%のものが主に用いられる
が、同様にこの範囲に限定これるものではない。
ベースポリマーの他方の成分に、直鎖状低密度ポリエチ
レン(L−LDPE)が使用される。このポリエチレン
は、いわゆる中低圧重合法によって得られた分子の分岐
の少ない、はぼ直鎖状のポリエチレンで、かつ密度が(
L915〜α940g/C111の範囲のものである。
分子の分岐数は炭素原子1000個中に3〜30ケの範
囲にあり、通常の低密度ポリエチレンでは5重ケ以上、
高密度ポリエチレンで#′i8ヶ以下である。このポリ
エチレンは、高温度での流動性が従来の低密度ポリエチ
レンよりも低く<、溶融粘度が高いものであシ、ここで
使用するものとしてはメルトインデックス(M、I)が
5〜12程度のものが上記目的を達するうえで好ましい
そして、エチレン系共重合体と直鎖状低密度ポリエチレ
ンとの混合割合は、エチレン系共重合体70〜95重量
部に対し直鎖状低密度ポリエチレン5〜30重量部とさ
れる。直鎖状低密度ポリエチレンが30重量部を超える
と、ペースポリマー全体の溶融粘度が高くなりすぎ、押
出被覆加工時の加工性が悪化して不都合であり、5重を
部未満であれば、目的とする半導電層の落ち込み防止効
果を得ることは不可能である。
このベースポリマーに導電性を付与するために添加され
る導電性カーボンブラックとしては、アセチレンブラッ
ク、7アーネスブラツク等の周知のカーボンブラックが
使用fする。導電性カーボンブラックのベースポリマー
に対する混合量は半導電層忙要求ばれる導電性を考慮し
て定められ、ペースポリマー100重量部に対して40
〜100重量部の範囲で定められる。
また、上記ベースポリマーとカーボンブラックとの混合
物よりなる半導電層用混和物には、必要に応じて架橋剤
、架橋助剤、老化防止剤等を加えることができる。架橋
剤としては、ジクミルパーオキサイド(DCP)、2,
5−ジプチル−2゜5−ジ(1−ブチルパーオキシ)ヘ
キシン−3等の通常の過酸化物架橋剤が好適に使用でき
る。架橋剤の配合量はベースポIJ−r−100重量部
に対しα5〜10重量部程度とされる。また、架橋助剤
としては、トリアリルイソシアヌレート、トリアリルシ
アヌレ−)、m−フェニレンビスマレイミド等が使用で
き、ベースポリマー100重量部に対しα5〜10重量
部程度配合できる。これらの架橋剤および架橋助剤は両
者を併用するが、まえはいずれかが単独で使用される。
また、老化防止剤としては、4. 4’−チオビス(6
−t−ブチル−3−メチルフェノール)等が使用できる
そして、このような組成の混和物を用いて半導電層を形
成するには、従来方法と同様に押出被覆法を適用して行
うことができる。
このような半導電層用混和物よりなる半導電層を有する
ケーブルにあっては、その絶縁体等を架橋する際、高温
下に曝されても、半導電層がさほど流動化せず、導体の
撚り目的に落ち込むようなことがなho 〔実験例〕 以下、実験例を示し、この発明の作用効果を明確にする
「実験例1」 第1表に示す配合を有する半導電層用混和物を混線し、
押出機にて押出温度150’Cでシート状に押出した。
このシート片について、j8D”(:での加熱下におけ
るショアーA硬度を測定し、高温時の流動性を評価した
。その結果′jk第1表に併せて示す。
第1表の結果から明らかなように、この発明の混和物t
i180℃での硬度が従来のものに比べて高く、軟化(
流動化)の程度が小さいことがわかり、導体への落ち込
みが少ないことが予想される。
「実験例2」 第1表の配合′例5. 5. 7. 8. 10.  
ilの混合物を用いて架橋ポリエチレン絶縁ケーブルの
内部半導電層上形成した。断面、l’J(100−の軟
銅撚線導体上に、押出温度120℃で被覆厚さ1mmに
押出被覆して内部半導電層を設けた。この内部半導電層
上に低密度ポリエチレン100重量部とジクミルパーオ
キサイド2.5重量部とからなる混和物を厚さ15關に
押出被覆して絶縁体を設けてケーブルとした。このケー
ブルを連続架橋筒内に導入し、温度200℃で連続架橋
した。架橋後、ケーブルの一部の絶縁体を剥離し、内部
半導m層の導体への落ち込みの有無を検討したところ、
配合例S、  5. 7. 8では落ち込みはなかった
が、配合例10.11は落ち込みがあり、内部半導電層
の皮剥が大変面倒であった。
〔発明の効果〕
以上の実験例の結果から明らかなように、本発明の半導
電層用混和物は、架橋ポリエチレン絶縁ケーブルなどの
ケーブルの半導電層用として好適であり、この混和物よ
りなる半導′tt層を有するケーブルにあっては、絶縁
体を架橋する際などの高温下に置かれても半導電層がむ
やみに軟化、流動化せず、撚り合せ導体の撚り口中に半
導電層が落ち込むようなことがなく、端末処理作業が容
易に行うことができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. エチレン系共重合体70〜95重量部と直鎖状低密度ポ
    リエチレン5〜30重量部とからなるベースポリマー1
    00重量部に対し、導電性カーボンブラック40〜10
    0重量部を配合してなる半導電層用混和物。
JP59132626A 1984-06-27 1984-06-27 半導電層用混和物 Pending JPS6112738A (ja)

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