JPS596242A - 熱変形耐性の熱可塑性半導体組成物 - Google Patents

熱変形耐性の熱可塑性半導体組成物

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JPS596242A
JPS596242A JP58106005A JP10600583A JPS596242A JP S596242 A JPS596242 A JP S596242A JP 58106005 A JP58106005 A JP 58106005A JP 10600583 A JP10600583 A JP 10600583A JP S596242 A JPS596242 A JP S596242A
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JP
Japan
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composition
copolymer
ethylene
weight
composition according
Prior art date
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Application number
JP58106005A
Other languages
English (en)
Inventor
アンソニ−・バ−ロウ
ロ−レンス・アラン・メ−クス
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Millennium Petrochemicals Inc
Original Assignee
National Destillers and Chemical Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by National Destillers and Chemical Corp filed Critical National Destillers and Chemical Corp
Publication of JPS596242A publication Critical patent/JPS596242A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/24Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/29Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
    • Y10T428/2913Rod, strand, filament or fiber
    • Y10T428/2933Coated or with bond, impregnation or core
    • Y10T428/294Coated or with bond, impregnation or core including metal or compound thereof [excluding glass, ceramic and asbestos]
    • Y10T428/2942Plural coatings
    • Y10T428/2947Synthetic resin or polymer in plural coatings, each of different type

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  • Conductive Materials (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は商?KR−,ケーブルの伝導性シールドとして
特に有用な半導体SL司りlIJ性オηl脂組成物特に
熱変形に対して耐性のある半導体樹脂組成物に関する。
高電圧の用途を意図した絶縁電気導体の+11.遺物は
商業技術ておいて周知である。周知の導体はふつう、1
例やアルミニウムなどの?lj導性の金属寸たは合金の
1本才たけそれ以j、のストランド、紀1.縁((料の
層およびこの絶、縁材料の上にある半・、環体絶縁シー
ルドの層を含む。
この憎、et 44科の層およびその−(二に−ある半
導体シールド層&jふつうツーバス操作と吋ばれるノブ
法によって父は実質的Ktp−パス操作によって作るこ
とができる。ツーバス操作G」絶縁層をまず押し出し、
そしてバ「望ならば交差結合烙せ、次いでこのあらかじ
め押し出した絶縁層の十に半導体絶縁シールド層を押し
出す方法である。軸変形を防ぐために、゛¥−導体シー
ルド層を交差結合させることが商業技術においテ知うれ
ていた。11−1−パス操作(ξ・・線層およびその半
導体シールド層のみをいうときけ時とし7てクンデム押
し出しと呼ばれる)においては、絶縁層とその上の半導
体絶縁シールド層とが製〕制■ニ桿数を最小にするため
に単一操作で押し出さiLる。
半導体シールドDi r’J4+屯比ケーブルの効率ぼ
とって非常に重装である。)、、部鋒の市′、専体41
このような導体からの部分的なhk ”@’iが生ずる
場合(すなわら絶縁カバー中の不連続性において晃出さ
第1る気体がイオン化−4るときに生ずるコロナ効果が
起る一嚇合)よりも十分に低い屯J1−を曲すけれども
、高tifJJ−ケーブル、ワ什rなど0429体のl
力率を減少させるコロナ効果をなくすためVζ半導体シ
ールドをノL<−安とする。それ故、コロナ効i¥を減
少させるW−7果として、および一般に高′T1を圧c
ハ毒度をなくしうるようe(するためj/(’−1半、
iQ体シールドGJ非常に低い電気抵抗なもつべきであ
る。そのl−1これらの高電圧ケーブルは操業中に70
℃を越える渇IBIに到達−1−ることかあるので、半
導体シール日:IまたA’jl [よる変形に対し−(
酊VLであることが非常にIF要である。
また、半導体外層をもつ絶縁ケーブルの端部を接続およ
び々ル即してその場所での半導体層をある長さまでケー
ブルσ縁114iiltから剥きとるとき、′!!、冷
において脆くない半導体外層をもち、それによって高電
圧導体がジャンクションボックスのような11元気接続
着へa易に接続または連結されるようにすることが有利
である。
ミャウチらの米国時打第3,684,821号には、主
成分としての交差結合ポリエチレンホモポリマー捷たけ
コポリマーから作られた絶縁層と、9(1〜10重肘襲
のエチレン−酢酸ビニル−IH化ビニルターポリマーお
よび10〜90重階係のエチレン−酢酸ビニルコポリマ
ー(酢酸ビニル含1615〜55重歇%)から成る剥が
しつる半導体層をもつカバーを備えた絶縁?Ij気ケー
ブルが記載されている。この半導体層の樹脂組成物は、
とりわけて、交差結合剤としてのジ−o−7ミルーパー
オギサイド、伝4tE付与剤、ナラびに任意成分として
酸化防止剤および加工助剤と混合されている。
バーンズ ジュニア らの米国時♂「第4.150.1
93号には絶縁眠気導体用の剥がしうる半導体シールド
を与える加硫可能な半導体組成物が記載されており、そ
こでは第1次絶縁物は交差結合ポリオレフィンたとえば
交差結合ポリエチレンである。史に詳しくは、該米国特
許に記載されている加硫可能な半導体組成物は40〜9
0重19!:%のエチレン−酢酸ビニルコポリマー(該
コポリマーの全車財を基準にして27〜45重量%の酢
酸ビニルを含む)、6〜15重量%の低密度、低分子量
のポリエチレンホモポリマー、8〜45重川チの用−ボ
ンブラック、および02〜5重附チの有機パーオキザイ
ド交差結合剤を含む。
これらの米国特許のそれぞれにおいて、半導体シールド
層の樹脂組成物は熱変形に対する耐性を与えるために商
業技術において周知の方法により交差結合されている。
これらの特、f′l’ Kは接続操作中に容易に取扱い
うる高電圧導体用の絶縁カバーが記載されているけれど
も、交差結合の必要なしに、熱変形に対して高度に耐性
であり然も同時に低い1(f、気抵抗を保持する、高電
圧導体の絶縁に使用するだめの熱町9PJ性半導体を示
唆する記載は全く存在しない。その上、高い伝導性f:
達成するだめの良好な絶縁材料と少量の電導性成分の使
用を示唆する記載さえ全く存在しない。
それ故、本発明の目的lIH述の特徴ならびにその他の
特徴をもつ高電圧導体用の半導体シールド組成物を提供
することにある。。
本発明によれば、柔軟な、熱変形に対して剛性のある、
且つ低い電気抵抗を示す半導体熱可塑性シールド組成物
が提供される。更に詳j〜〈は、本発明の半導体シール
ド組成物は、すぐれた絶縁材料である線状低密度ポリエ
チレン(LLDPE)と高密度ポリエチレン(HDPE
)との混合物を通常の伝導性成分およびその他の成分の
他に含むエチレン−1「酸ビニルおよび/捷たはエチレ
ン−アクリル酸エステルを浩Hと−する樹脂である。こ
のLLDPE/HDPE混合物は組成物の全M所を基準
にして約10〜約45重は襲の:健で存在し、好ましく
は約15〜約65重¥゛飴の肘で存在する。LLDPE
/HDPE混合物の組成については、LLDPF、の比
率は混合物の全車喰を基準にして約40〜約75重肘で
ありうるが、好ましくけ約60〜約70重!t%であり
、混合物の残余の比率がII I) P Eに相当する
本発明の結果として、柔軟性で熱変形耐性の高い、打つ
電気抵抗の低い半導体熱可塑性シールドが提供される。
事実、本発明は所要の電気伝導性を保つに必東な伝導性
成分の量を予想外に減少させて製造コストの顕著な低減
KN献しくそれは伝導性成分が通常は半導体シールド材
料のうちの最も高価な成分の1つであるからである)、
然も同時にぞこに含井れる絶縁拐料の計を増大させる。
たとえば、110常商度に絶縁性のL L I) P 
Eを含む本発明の組成物中に伝導ゼI−成分として使用
されるカー封インフ゛シックのlτijj 10 %以
−ヒも減らすことができ、それでもなお置換I、1、D
PEなしの類イロの配合物と同じ伝導性を達成する。
カーホンブラックが高FWの補強(11であるという小
男を考慮するとき、本発明の組成物のt4能は咀に凡人
的ですらある。
frんとなれば熱変形をもとの値の!−9または届に減
少させながらカーボンブランクの充てんIn−を著るし
く減少させることができるからである。
本発明の熱可塑性半導体シールド組成物によってえられ
る他の利点は改良された低温脆性ならびに組成物加工に
必9?な作業エネルギーの些4(11な増加である。こ
の両者は線状低密度ポリエチレンの高い結晶性のために
全く予期しえないことである。その結果として、本発明
の生導体シールドを用いる旨tlj圧導体の製造コスト
のfl(減、うζえられる。それは屯気伝導性成分の必
’Qlが減少上l」、つたとえば押し出し甘たけその他
の物品成彩技術によって組成物を最終製品に加工するに
必I8Lなエネルギーの+71は一般に僅か(5係以下
)しか増加しt、cいからである。
その他のおよび更なる目的と共に本発明をより良く理解
するために、好ましい態様を以下に述べる。
本発明に使用し5うるエチレン−酢酸ビニルコポリマー
および/捷たはエチレン−アクリル酸エステルコポリマ
ーtcらびにその製造法は商業技術において周知である
。エチレン−酢酸ビニルコポリマーを使用するとき、こ
のコポリマーはその全布蹟を基準にして約7〜約45重
階−の、好まましくは約12〜約28重量%の、そして
最も好ましくは約17〜約19重量%の酢酸ビニルを含
むべきである。約45車厭チ以−にの酢酸ビニルを含む
コポリマーはその低融点のために配合が非當に困難であ
る。本発明の半導体絶縁シールド組成物中に存在するエ
チレン−酢酸ビニルコポリマーのh十は組成物の全重置
を基準にして約20〜約60重fl’ %の仲、囲であ
りうるが、好捷し7〈は約40〜約50重鍍係である。
組成物中にただ一棹のエチレン−酢酸ビニルコポリマー
を使用することが一般にθr寸17いけれども、本発明
の組成物はまた異なった量の酢酸ビニルを共重合させた
2種寸たけそれ以上のエチレン−酢酸ビニルコポリマー
の混合物を含むこともできることがもちろん理解される
べきである。有用なエチレン−酢酸ビニル樹脂は当州の
エチレンと置換する、エチレンおよび酢酸ビニルと共重
合しうる1神寸たけそれ以上のモノマーの小計たとえば
全重合物の約10重罎チまでの闇を含むことができるこ
とも更に理解されるべきである。
エチレン−アクリル酸エステルコポリマーを本発明にお
いて使用するとき、該コポリマーはEVAコポリマーと
同様に該コポリマーの全重置を基準にして約7〜約45
%の共重合したアクリル酸エステルを含むべきであり、
好ましくは約12〜約28爪iけチの、そして最も好ま
しくけ約17〜約19重FA′係のアクリル酸エステル
モノマーを含む。
本発明に使用するための好ましいエチレン−アクリル酸
エステルコポリマーはエチレン−アクリル酸エチルおよ
びエチレン−アクリル酸メチルであり、最も好ましいコ
ポリマーはエチレン−アクリル酸エチルである。
本発明の組成物に有用な高密度ポリエチレンは少なくと
も0.94 ? /cλの密度、約10 X 103〜
約12X+03の数平均分子計、および9〜11のメル
トインデックス(125℃においてASTM−D−12
38により測定)を一般にもつ。好適な高密度ポリエチ
レンおよびその製法は当業技術において周知であり、た
とえば酸化クロム促進シリカ触媒およびハロゲン化チタ
ン−アルミニウムアルキル触媒のような高度に構造化し
たポリエチレン結晶の生長を生ぜしめる触媒によって一
般に製造されるものである。HDPEを製造するこのよ
うな方法は述べた文献は多数あり、個々の製造法は本発
明の目的にとって重安ではない。L L D PE/H
i) P E混合物中に存在するH D P Eの着は
該混合物の全重量を基準にして60〜25重針係の範囲
でありうる。
]、LDPE/H1)PE混合物の夏(I) P E部
分は組成物の全重量を基9敗して約27〜約4重量%の
占める。
本発明の半導体樹脂組成物の線状低密度ポリエチレン成
分は約091〜約0.94 ? /crAの密度、約2
0×103〜約3〔1×同3の数平均分子糾、および1
〜3のメルトインデックス(125℃においてASTM
−D−1238により測定)をもつものとして記述され
る。一般に低圧法にょって製造されるこの神のポリエチ
レンは、高圧法によって製造される低密度ポリエチレン
(L I) P E )とは、LLDPEがLDPEよ
り本高い融点、高い引張り強兜、高い曲げモジュラス、
艮好な伸び、および良好な応力亀裂抵抗を示すという点
において異なる。
1968年vcフィリップスペトロリウムカンパニーに
よってLLDPEの商業的規模での製造が開始されて以
来、L L I) P Eの数朽1の製造法が開発され
た。たとえd:、qs% IpJ炭化水素中でのスラリ
重合、ヘキサン中でのスラリ重合、溶液重合、および気
相重合などである。米国時W「第4.011,382号
;同第4.OOS、712号;同第3.922゜322
号;同第3.965.083号;同第3,971,76
8号:同第4.129.701号:および同第5,97
0,611号参照。然しながら、LLDPE資源は本発
明の効果に関係がないので、本発明の熱可塑性半導体組
成物に使用するL L D P gの製造法は重要では
なく、それ故に決して限定と考えるべきではない。
半導体絶縁シールド組成物にカーボンブラックを使用す
ること(,1当業技術において周知であり、任意のij
f適な形体の)J−ボンノ゛ラックにCらひにそれらの
混合物を本発明において使用イーることかでき、それら
にはチャンネルブラックまたはアセチレンブラックも包
合される。本発明の加硫町nl:な半導体絶縁シールド
に[1成物に存(rするカーボンブラックの;辻は少な
くとも所望の最小水イV′−の云洒件を与えるに十分で
なければf、cらず、組成′吻の全11貧困を基準にし
て一般にC;[約20〜約60市に係好寸しくは約25
〜約35重量%でありうる。旨電圧伝導体用の半導体カ
バーがふつうに必戟とする伝導性の水準(たとえ1.1
:室温において5 X 10’オーツ、・mより低い抵
抗によって一般に特徴づけられる)は本発明の組成物の
使用によるカーボンブラックの減少量によって達成され
る。これは非常な利点である。゛なんとなれば、カーボ
ンブラックは半導体シールド組成′狡中の1ぐも高側な
成分の1つだからである。
本発明の半導体絶縁シールド組成物は任意の周知の方法
凍たけ通常の方法により製造することができ、そして所
望ならばふつうの層で半導体組成物にふつうに使用され
る1種捷たけそれ以上の他の添加物を含むことができる
ということを理解すべきである。このような添加物の例
として老化防止剤、加工助剤、安定剤、酸化防止剤、交
差結合抑制剤、顔料、充てん剤、潤滑剤、抗ブロツギン
グ削、難燃剤などをあげることができる。一般にふつう
にfjJj用されるこのような添加剤の合計量は絶縁シ
ールド組成物の全重量を基準にして約005〜約3取針
チ以下である。たとえば、絶縁シールド組成物の全重量
を基準にして約02〜約1重量%の酸化防止剤(たとえ
ば4.4′−チオビス−6−第3級ブチル−メタクレゾ
ール)および約001〜約05重量係の旧滑剤(たとえ
ばステアリン酸カルシウム)を使用スるのが多くの場合
好ましい。
熱可rH+性ポリオレフィン捷たは交差結合ポリオレフ
ィンは旨電圧間気伝導体の第1次絶縁材であり、半導体
組成物はこの絶縁相の外部の半導体シールドである。そ
れ故、本発明の好ましい具体例は第1次絶縁材として熱
可塑性ポリオレフィン−1だけ交差結合ポリオレフィン
を含み、この絶縁(′(の外部の半2N体シールドとL
7で前述の本発明の半導体絶縁シールド組成物を含む絶
縁電気伝導体カバーとしてより具体的に記述することが
できる。
ここに使用する“交差結合ポリオレフィン゛なる用語は
、交差結合可能なポリエチレンホモポリマー棟たけ交差
結合6丁能なポリエチレンコポリマー(たとえばエチレ
7−7’ 。
ピレンゴムまたはエチレン−プロピレン−ジエンゴムの
ような電気伝導体用絶縁相)から誘導される組成物を包
含すると吉を理解すべきである。通常、好ましい交差結
合ポリオレフィン絶蘇利は交差結合可能なポリエチレン
ホモポリマーから誘導される。交差結合ポリオレフィン
基*(たとえば第1次絶縁層)を製造するために使用す
る交差結合可能なポリオレフィンは少なくとも約+ s
、 o o oから4o、oootたはそれ以上までの
数平均分子(献および約02〜約20のメルトインデッ
クス(190℃If(おいてASTM D1238によ
り測定)をもつことができ、従ってこれらGJ*発明の
エチレン−酢酸ビニル組成物の線状低密度低分子オポリ
エチリンホモボリマー添加物と同一ではなくこれと混合
すべきでないことも理解すべきである。。
交差結合ポリオレフィンノル質に直接結合するシールド
を含む製造物品の使用ならびにそれらの製造技術は商業
技術において周知である。たとえば、本発明の半導体シ
ールド組成1イリO,t##Ii′IJうy1ゼ1.ボ
11オレフィンの晧′1qの1−に、あるいは寸だ任A
′1に、硬化した(交差結合した)ポリオレフィン糸り
′1の1に、聞し山すことができる。1司(子に、ポリ
エチレン絶H組成物(19腎3ならば通常の添加′吻た
とえば充てん、削、老化防11−1削、タルク、情」二
、炭1′段力ルシウl、およびその他の加[:助剤をコ
「6常の交差結合剤々共に含むことができる)は当箔技
11:rにおいて周知である。本発’lJi 5〜〈み
人ノまた絶縁電気イパ導体は、絶縁1%を十斗体絶縁シ
ールド組成物と接醜但尤る611に硬fISさ、量トる
前述の通常の方法によって製造するこノーができる。一
般に、絶!+組成物にその硬化前に予備群rマするの全
一;1けるのがvf丼しいと考えられる。なX7となれ
tJj、このようtc予f、jg混合は2層の界面を横
切る相互交差結合による2層間の接着に交差結合剤がそ
の影響を及ぼすことを51能にするからである。
この熱可塑性半導体組成物の使用によって製造される絶
縁高電圧伝導体も本発明の幀囲内にあると考えらJする
次の実施例は本発明を説明するプζめのものであって、
本発明の範囲に限定するものとみなすべきではない。こ
れらの実施例に記載のすべての部、チおよび割合は他に
特別の記載のないj沢り小計基準である。
実施例 半導体熱6J朔性樹脂組成物を、通常の方法によりブレ
ンドすることによって、表1に示す配合A、により工業
的規模で製造した 別の配合Bの組成物全同様にして本
発明により工業的規模で製造した(この配合物はエチレ
ン−#酸ビニルコポリマーの1部をL L I) P 
Eで置換し、伝導性成分であるカーボンブラックの肘を
減少させたものを示す)1、表 1 1 [JE  630−[月      88.24  5
7.6  66.18 45.30Ll・X22−  
−  22.06 15.10LS 60631 +、
76  7.7  41.76 8θ5XC−72’ 
          52.07  34.0   4
5.00  30.81Santonox50.77 
 0.5  0,77  0.53ステアリA資   
     0.3+    0.2   0.31  
 0.21ツノルシウム(M滑剤) 1 エチレン−酢酸ビニル(EVA)コホリマー;酢酸
ビニル18重t%含有。U、S  インダストリアル 
ケミカルズ カンパニー(ナショナル デイステイラー
ズ アンド ケミカル コーポレーションのディビジョ
ン)から市販されているもの。
2 線状低密度ポリエチレン(エクソンから市販)の商
標名。
3、高密度ポリエチレン(密度0.96 ? /rm3
)。U、 S。
インダストリアル ケミカルズ カンパニーから市販さ
れているもの。
4 カーボンブラック(カボット コーポレーションか
ら市販)の商標名。
5、酸化防止剤(モンサント カンパニーから市販)。
上記の配合Aおよび配合Bにより製造したバッチのサン
プ/LについてIll、気菌および機械的な一連の試験
を行ない、その結果を表IIに7Jeした。これらの結
果から、本発明により製造し7穎゛リンゲルが配合Aに
より製造したものよりも著るしく低い熱変形しか示さず
、然も同時に伝導抵抗を僅がしか」1゛v人させないこ
とがflJらかである。抵抗増大の僅かなことは〕1&
用にあプζって半導体7一ルド層は50X103オーム
・m以トの容量抵抗を示すという事実によって強調され
る3、そのに、この匹敵するコンダクタンスは組成′物
中に含イれる伝A件成分の1.tを減少させて達H,v
、さi]−r−いるのである。
納品+14−の少さなE V Aの一部を高い結晶性の
線状低密度ポリエチレンで1rイ模することによって、
低温におけるより大きな脆弱1り[および加−]朋:に
対するより小さな汽献すなゎら貧弱なメルトフロー特V
1:と(7て通帛は特徴づけられ、るより剛性な樹脂組
成物が予期される。然しなから、データをみると、ズラ
ベンダーの読みで示されるように、本発明のザンプルを
加工するのに必要とする仕事@は比1咬ザンブルを加工
するのに必9ンとする仕事量に匹敵する。本発明のこの
予想外の特徴は押し出し又はその他の手段しζよって半
導体組成物を加工するのに小さなエネルギーしか兵曹と
し7:cいという点において、高電圧ケーブル最P製品
の製造業者にとって非常に重要なことである。
その−ヒ、本発明の組成物は低温脆弱性において配合A
のザンプルのそれに対して有利に比較される。本発明の
組成物について伸びのごく僅かな減少のみが認められフ
ンシこすぎず、これも寸だ予想外のことである。なんと
なれば、比較的高い結晶性のL L D P Eを一部
包含させるときに起る通常の変形減少がふつうには予想
されるからである。
表 11 ブラベンダー測定 2分後    2700メートル・クラム   227
5メートル・クラム5分n      24C1[Jメ
ートル・クラム   2040メートル・クラム20分
後     2175メートル・クラA    488
0メートル・クラム引張り強o1 引張りpsi       i、740       
 1.670100℃で7日間熟成   109   
      i +8(イン:1−Tチ) 伸び裂         730        24
 [11(J IJ℃で7日間を21成    959
2(保持%) 低温脆弱性 ℃−25−34 芥肘抵抗(オーム・cm)     3.7     
    4.8表11(つづき) オーモノ熟威容駁抵抗 \ 室温にて        5688 121℃、1時間    28       5212
1ζ24時間    1933 室ン晶               7      
    12121℃、1時間    3051 室温          81(1 シヨア■)初期     57      571〔]
秒後後   5454 f期変形係 110ζ50ミルホツト     99       
   41NOL、7rlミルホツト    + 1.
8           2.4121℃、50ミルホ
ツト    22.1           7.91
21風 70ミルホツト    25.5      
     7.5表11に示す配合C,D、およびEに
より実験室的規模において更にザンプルを央1造した。
配合Eにおいて2206部のL L I) P Fmを
配合り中のEVAの同にの代りに使用したり汐)【;l
配合りおよびEは全く同じである。配合Cはまだ配合I
)およびEと同様であるが、1代気伝導性成分すなわち
カーボンブラック(XC−72)の量が配合りおよびE
において減ルさせである。
/ 7、/ / 表■ UE63[]−0288,2457,688,2460
,466,1845,3PX−22 −−−−22,[]615.1 LS606 11.767.711,768.I N、
768.1XC−7252,0734,045,003
n、s 45.[1θ3[1,85antonox  
O,770,50,770,50,770,5ステアリ
ン酸   0.3+   0.2  0.31   C
1,:l!   0.31  0.21 エチレン−酢
酸ビニル(EVA)コポリマー;酢酸ヒ=ル+ 8 f
fi昭:%含有。U、 S、インダストリアル ヶミカ
ルズ カンパニー(ナショナル ディスティラーズ ア
ンド ケミカル コーポレーションのディビジヨン)か
ら市1仮さf’1.?いるもの。
2.  &4i!伏低密度ポリエチレン(エクソンから
市販)の商(T名。
ろ 1冒iW?113ポリエブ−リン(”/4・jrQ
 [1,96f 7cm3) 。IL S。
インダストリアル り−ミカルズ カンパニーから市販
さえ1ているもの。
4 ツノ−ポンプラック(カボノ1 コーポレーション
から市販)の1′侑票名。
5 酸化防止剤(モンザント カンパニーから市販)、
配合C,I)、Eからとったサンプルについて行なった
試験の結果は表IVF/C示すとおりであるが、これら
の結果は第1に、本発明の組成物のJJI+王に必要な
作業エネルギーの増加が1吊かなものであるとと:第2
に改良された低湛脆弱性、L L I) P Eのない
組成物(配合D)よりもすぐれた伝導性の増大、および
犬tiニーの′上気伝導性成分を含む組成物に匹敵する
伝i、tiゼイ:がもたらさiLること;そし2て最後
(こ本発明の結果として配合Cおよび1)の向背の比’
Pシを越えて熱変形係の劇的な減少がえられること;を
7Iマシている。配合C中の市気云導性成分ず7′Cわ
らカーボンブラックの多量の含量は作業エネルギーを1
2φ以上増大させ然も配合I)に比べて熱変形耐性にG
1ごく僅かな改良しか示さず、こねに対し7て本発明に
よる配合Eは作業はを驚異的に減少させ然も適切な伝導
性および改良された熱変形耐性を付与する、ということ
に注目するのは興味あることである。
表■ ブラベンダー測定 2分後(メートル・クラム)   2550   22
50   22755分後(メートル・クラム)   
2575   2050   207520分後(メー
トル・クラム)   2225   19so    
1950引張り強f店 引り長り psi         4780  19
70  1980100℃で7日間熟成    107
   100    99(保持%) 1中び チ              290   
 340    310低温脆弱tjl+(Fso)’
C−43−42−45谷t(J41に抗(オーム・Cm
)       8    14    10オーブン
熟hV、容購抵抗 121℃、1時間      33   99   6
6表■(つづき) オーブン熟成谷嗣抵抗 121℃、24時間     22   52   4
4室温      8  18  13 121℃、+N1f41    106   96  
 67室温      8  22  14 シヨア D初期      58   58    /
)110秒後     55   54   57熱変
形襲 110’Q7[]ミルホット      19,2  
  20.0     5.7121℃、70ミルボツ
1    28,2    29.9     3.5
最後に、第v表r(示す配合F、GおよびIIにより組
成物ヶ実験室的規模で製造した。これらは、基材樹脂が
エチレンー酢酸ビニルコポリマーでなくてエチレン−ア
クリル酸ニブルf l−: l−: A )コポリマー
である点をll′r、イテ配合C,Dおよびト〕とj、
自1.11、である。
rそ ■ 1)Fl)A 518ノ1)88.2457.6 88
.24611.4 66AB 45.31、、PX−2
−−−−−−22す615.ILS  6[16N、7
6 7.7  +1.#、  f(,111768,1
XC7’!       52.07 34.0  4
5.00 3[1,845,0030,8Sanlan
oxIj   O,770,5[1,770,50,7
70,5ステアリン酸    Q、31  0.2  
0.3+   0.2  0,31  0.2ツノルシ
ウム 合旧 153.15  M6.0+−+  14S、0
8(+)  エチレンー−アクリル酸エチル(EEA 
)コポリマー;アクリル酸エチル約18車垢チ含有。ユ
ニオンカーバイド コーポレーションから市販されてい
るもの。
配合F、GおよびHl’fmもとづく組成物からとった
ザンプルについて行なっだ表■に示す試験結果は、EV
A基(・4樹脂組成物を用いたときに匹敵するエチレン
−アクリル酸エチルエステル七の組合せで1リリ1jす
るときの本発明のイ]効性を実証している。
表■ グラベンダー1111定 2分後(メートル・クラム)   2650  237
5  25505分後(メートル・クラム)   24
25  2175  228020分後(メートル中ク
ラム)   2275  20ろ0  2170表■(
つづき) 引張り強/8’ 引張り psi       181υ  173υ 
  177゜ioo℃で7団)i1熟成   105 
  400   102(保持%) 1申び チ             240    
510     315100℃で7EI間熟成   
120   420    92(保持%) 低温脆弱性(Fso)U    −45−4553′谷
M抵抗(オーム・cm)      6     +2
    14オ一ブン熟成芥M抵抗 121℃、1時間     48  107   10
2121℃、24時間    30   56    
61室温   8 17 15 121℃、1時間     49  104   10
1室  温           9    20  
   16表■(つづき) ショア D 初期    60   58   611
0秒後    56   54   57熱変形チ 110℃、70ミルホツト&4    12.9   
  3.7121℃、70ミル ホット    10,
2    20.9     5.1特許出願人 ナシ
ョナル ディスティラーズ1″1 ′″″′″+:*#
m″4健)十 kヅト 補 正 屓1 (方式) 11+引+5s+h=7月12日 4’+i4斤長信若杉第11大殿 l111 +4の表示 昭ス(158年」で才(枦1・冴・1060(15号2
発明の名称 熱f形l1ii性の熱uj甲性坐うjイ体組成物3袖正
をする者 11件との関係  朱・許出へ1人 名a  ナショナル テイステイラーズ アンドケミカ
ル コーポレーション

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、エチレン−酢酸ビニルコポリマーおよび/またはエ
    チレン−アクリル酸エステルコポリマーからえらばれた
    コポリマー、高密度ポリエチレンと線状低密度ポリエチ
    レンとの混合物および伝導性成分から成る熱変形耐性の
    熱可塑性半導体組成物。 2、高密度ポリエチレンと線状低密度ポリエチレンとの
    混合物カー1成物の全重量を基準にして約10〜約45
    重計チのM−で存在し、伝導性成分が約25〜約35重
    量%の計で組成物中に存在するカーボンブラックである
    特許請求の範囲第1項記載の組成物。 3、該混合物が全組成物の約15〜約35重量係の量で
    存在する特許u+!!求のイ・1x囲第2項記載の組成
    物。 4、該コポリマーが該コポリマーの全重量を基準にして
    約7〜約45重量係の階の酢酸ビニルモノマーを含むエ
    チレン−酢酸ビニルコポリマーである4’!jWr請求
    のφIX囲第1項〜第3項のいづれかpコ、、、4載の
    組成物。 5、該コポリマーが該コポリマーの全重量を基準にして
    約7〜約45重喰係の量のアクリル酸エステルモノマー
    を含むエチレン−アクリル酸エステルコポリマーである
    9寺π[請求の範囲第1項〜第6項のいづれかに記載の
    組成物。 6、該モノマーの晴が該コポリマーの全重量を基準にし
    て約12〜約28重晴チである特許請求の範囲第4項ま
    たは第5項に記載の組成物。 7、 エチレン酢酸ビニルコポリマーがエチレンおよび
    酢酸ビニルと共重合しうる1押またはそれ以上の他のモ
    ノマーの少量を更に含む特許請求の範囲第1項〜第6項
    のいづれかにバ己小にの井11成物。 8 アクリル自りエステルモノマーがアクリル酸エチル
    またc1アクリル酸メチルである特πi−稍求のイ11
    1.囲第7項記載の組成物。 9 線伏低′酊度ポリエチレンが尚密度ポリエチレンと
    線状低密度ポリエチレンとの混合物の全■[惜を基準に
    して約40〜約75重肘チの量で存在する特許請求の範
    囲第[Ji〜第8項のいづれかに記載の組成物。 10 組成物の全車(什を基準にして約02〜約10重
    祉チのi技の酸化’HI)’)止へ11を史に含む特W
    f請求のl+q>、間第1項〜第9項のい−)ノ9−か
    Kg[’、載の組成物。 11、酪化防止剤が4.4′−チオビス−6−第3級ブ
    チル−メタクレゾールである特πF請求のdiii、間
    第10項記載の組成物。 12 組成物の全車M−を法帖にし1約01〜約0.5
    重旨チの1、(の潤滑剤を史に含む特許請求の範囲第1
    項〜第11項のいづれかに記載の組成′吻。 13、潤滑剤がステアリン醇カルシウムである’I”f
    #’lJ求の範囲第12項記載の組成物。 14市気伝導性のコア、該コアの且わりを直接とり捷く
    絶縁材料の層、および該絶縁利料の層肴膜:り寸〈l持
    n’[j〆j求の中11囲第1項〜第13項のいづれか
    のλ;11成物から成る半導体シールドからl jj7
    i成される絶縁された電気導体。 15 該コアが尚屯JE伝i4%体であり、該絶縁(A
    第1の層が交差結合ポリエチレンである特許Mr−i求
    のイ11Σ囲第11項記載の41本。
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