JPS60189805A - 剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブルの製造方法 - Google Patents
剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブルの製造方法Info
- Publication number
- JPS60189805A JPS60189805A JP4608184A JP4608184A JPS60189805A JP S60189805 A JPS60189805 A JP S60189805A JP 4608184 A JP4608184 A JP 4608184A JP 4608184 A JP4608184 A JP 4608184A JP S60189805 A JPS60189805 A JP S60189805A
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- JP
- Japan
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- crosslinked polyethylene
- vinyl acetate
- layer
- polyethylene cable
- semiconductive layer
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- Conductive Materials (AREA)
- Insulated Conductors (AREA)
- Processes Specially Adapted For Manufacturing Cables (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明は、剥頗り容易な外部半導電層を有する架橋ポリ
エチレンケーブル及びその製造方法に関するものである
。
エチレンケーブル及びその製造方法に関するものである
。
〈発明の背景〉
従来、外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブル
において、その外部半導電層を架橋ポリエチレン絶縁層
から容易に剥Ｗｉｔ″ｃきるようなものとする場合には
、外部半導電層として、ポリ塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、塩素化ポリエチレン−酢酸ビニル共重合体等に
カーボンブラック等の導電性付与剤を配合した混和物が
使用てれ−Ｃき九。
において、その外部半導電層を架橋ポリエチレン絶縁層
から容易に剥Ｗｉｔ″ｃきるようなものとする場合には
、外部半導電層として、ポリ塩化ビニル−酢酸ビニル共
重合体、塩素化ポリエチレン−酢酸ビニル共重合体等に
カーボンブラック等の導電性付与剤を配合した混和物が
使用てれ−Ｃき九。
しかし、上記従来の混和物を使用した外部半導電層は、
２００℃以下の温度で架橋した場合には満足できる剥離
性を有するが、それ以上の温度例えば２３０℃以上で架
橋した場合！ｌｃは満足できる剥離性を有していなかっ
た。その原因は８Ａ確ではないが、外部半導電層の材料
が熱分解により劣化し、その引す１）り破断力が剥６；
を力に対して相対的に低下するためと考乙られている。
２００℃以下の温度で架橋した場合には満足できる剥離
性を有するが、それ以上の温度例えば２３０℃以上で架
橋した場合！ｌｃは満足できる剥離性を有していなかっ
た。その原因は８Ａ確ではないが、外部半導電層の材料
が熱分解により劣化し、その引す１）り破断力が剥６；
を力に対して相対的に低下するためと考乙られている。
そのため架橋温度を２３０℃以上に高め゛〔、ＩＢ造速
度を上げることができず、生産性に限度があった。
度を上げることができず、生産性に限度があった。
〈発明の目的及び構成〉
本発明ンよ、上記の現状に鑑みてなされたもので、２０
０℃以上の温度で架橋しても剥離容易な外部半導電層を
有する架橋ポリエチレンケーブル及びその製造方法を提
供することを目的とする。
０℃以上の温度で架橋しても剥離容易な外部半導電層を
有する架橋ポリエチレンケーブル及びその製造方法を提
供することを目的とする。
その目的は、外部半導１￥層に、酢酸ビニル含ｉα４０
’ｌＳ以上５５％未満のエチレン酢酸ビニル共重合体を
主体とする樹脂忙導電性伺与剤を配合してなる半導電性
混和物を用いるとと忙より達成される。
’ｌＳ以上５５％未満のエチレン酢酸ビニル共重合体を
主体とする樹脂忙導電性伺与剤を配合してなる半導電性
混和物を用いるとと忙より達成される。
上記半４Ｔ′１．性混和物中のエチレン酢酸ビニルの酢
酸ビニル含量ｃ以下酢ビ含景）は４０％以上５５チ未渦
の範＋ｊｌｌでなければならない。酢ビ含液が４０−未
満では２００℃以上例えば２３０℃で架橋した場合には
イ（ｔられる半４電屑は架ホｉ′杵ポリエチレン絶縁層
からのｆＩ：ＩＩ ＩＩ１［が回軸′８で、直ぐ破１！
：ｌ？ してしまい、剥＋＞；ｒｐ容易な外部半導電層
を得ることができず、′まだ５５％以上では半導（ａ層
の伸び２１−、が２００％以下となって、ケーブルの屈
曲（二Ｆ：を考広すると使用することに危険がある。
酸ビニル含量ｃ以下酢ビ含景）は４０％以上５５チ未渦
の範＋ｊｌｌでなければならない。酢ビ含液が４０−未
満では２００℃以上例えば２３０℃で架橋した場合には
イ（ｔられる半４電屑は架ホｉ′杵ポリエチレン絶縁層
からのｆＩ：ＩＩ ＩＩ１［が回軸′８で、直ぐ破１！
：ｌ？ してしまい、剥＋＞；ｒｐ容易な外部半導電層
を得ることができず、′まだ５５％以上では半導（ａ層
の伸び２１−、が２００％以下となって、ケーブルの屈
曲（二Ｆ：を考広すると使用することに危険がある。
なお、エチレン酢酸ビニル共重体には、その／ｌ”Ｙ性
を損なわない範囲で他の樹脂例えばポリエチレンやポリ
プロピレン等１０チ未満全配合することかできる。
を損なわない範囲で他の樹脂例えばポリエチレンやポリ
プロピレン等１０チ未満全配合することかできる。
前記半導電性混和物に配合される導電性付与剤としては
、金属粉、グラファイト、種々のカーボンブラック等を
挙げることができるが、混和の容易性、経済性の点から
導電性カーボンブラックが最も一般的に使用される。こ
の導電性付与剤の配合蓋は、その種類にもよるが、架橋
ポリエチレンケーブルの外部半導電層として必要な電導
威を得る虻は、例えば導電性カーボンブラックの場合に
は樹脂分１００重量部に対し、１０〜１００重＋１一部
の範囲で足る。
、金属粉、グラファイト、種々のカーボンブラック等を
挙げることができるが、混和の容易性、経済性の点から
導電性カーボンブラックが最も一般的に使用される。こ
の導電性付与剤の配合蓋は、その種類にもよるが、架橋
ポリエチレンケーブルの外部半導電層として必要な電導
威を得る虻は、例えば導電性カーボンブラックの場合に
は樹脂分１００重量部に対し、１０〜１００重＋１一部
の範囲で足る。
本発明に係る架橋ポリエチレンケーブルの構造を第１図
により説明する。
により説明する。
）１″５ＩＥ−Ｊにｊ、−い−Ｃ，１はシ、７体である
。導体１は通常鋼やアルミニウム又はこれらの合金製の
；（５線の桓気、３本を４Ｓ、”：り合せたものである
。
。導体１は通常鋼やアルミニウム又はこれらの合金製の
；（５線の桓気、３本を４Ｓ、”：り合せたものである
。
この導体１の外σ１ｌＪＫは、内部半導ｉｉ？、）Ｕ
２ ’ｘ介し−叉ｔよ介することなく！ＩＩ接架橋ポリ
エチレン製の絶縁Ｊ、″１３が設けられている。なお、
上記内部半導１１１、層２は、特に比軟的高電圧（□Ｋ
Ｖ以上）に便Ｌｌもれるものに設けられる場合が多い。
２ ’ｘ介し−叉ｔよ介することなく！ＩＩ接架橋ポリ
エチレン製の絶縁Ｊ、″１３が設けられている。なお、
上記内部半導１１１、層２は、特に比軟的高電圧（□Ｋ
Ｖ以上）に便Ｌｌもれるものに設けられる場合が多い。
内部半導電Ｊ：ｉ２＃′ｉ従来から広く使用されている
公知の半導電性混和物で形成してもよいし、或いは、本
発明に（１゛、る外部単心ｔｉｔ、）、１５用の混和物
によって彬成してもよい。
公知の半導電性混和物で形成してもよいし、或いは、本
発明に（１゛、る外部単心ｔｉｔ、）、１５用の混和物
によって彬成してもよい。
また、絶縁ＩＦＪ３を４’：’ｊ成する架橋ポリエチレ
ンは、架’Ｍ’ｊ剤（例えばジクばルバーオキサイド０
．５〜５′Ｓ、置部）′ｆｃ配合したポリエチレン力も
和物を高温（通常１５０６−２００℃）に加熱すること
により得ることができる。
ンは、架’Ｍ’ｊ剤（例えばジクばルバーオキサイド０
．５〜５′Ｓ、置部）′ｆｃ配合したポリエチレン力も
和物を高温（通常１５０６−２００℃）に加熱すること
により得ることができる。
との架橋ポリエチレン絶縁層３の外側には、外（＃ｌ１
Ｍｔａ二ｆｆ１５１′ｒ、−！ｊ、ＪＰ？！ＩＬＬＪ−
ｒＪｔ）＝＞ｎｚノＡｆｏｒキｕｓシトＲ１ｇｊは本発
明に係る牛尋’＋ｋｉ性混和物により形成されなければ
ならない。この半導電性混和物には架橋剤（例えばジク
ミルパーオキサイド＞を添加し−Ｃもよい。架（１冶剤
を添加した場合はその製造上都合が良い場合が多い。
Ｍｔａ二ｆｆ１５１′ｒ、−！ｊ、ＪＰ？！ＩＬＬＪ−
ｒＪｔ）＝＞ｎｚノＡｆｏｒキｕｓシトＲ１ｇｊは本発
明に係る牛尋’＋ｋｉ性混和物により形成されなければ
ならない。この半導電性混和物には架橋剤（例えばジク
ミルパーオキサイド＞を添加し−Ｃもよい。架（１冶剤
を添加した場合はその製造上都合が良い場合が多い。
通常、外部半導電層４の外側には、（鳥イノ１（的、化
学的損障を防ぐため必要に応じシース（１呆農被（μ）
５を設けることがある。
学的損障を防ぐため必要に応じシース（１呆農被（μ）
５を設けることがある。
本発明の架橋ポリエチレンケーブルを製造する場合には
、まず導体１の外側に内部単心電層２と未架橋ポリエチ
レン混和物による絶縁層３と本発明忙係る前記半導電性
混和物による外部半導電層４とをそれぞれ順次に叉はそ
れらの２〜以上を同時に押出被覆し、それを２３０℃以
上に加熱する。
、まず導体１の外側に内部単心電層２と未架橋ポリエチ
レン混和物による絶縁層３と本発明忙係る前記半導電性
混和物による外部半導電層４とをそれぞれ順次に叉はそ
れらの２〜以上を同時に押出被覆し、それを２３０℃以
上に加熱する。
この場合、加熱雰囲気は不活性ガス例えば窄素ガス雰囲
気であってもよく、また加熱源は水蒸気、輻射線（例え
ば赤外線）、加熱シリコン油等の早秋又は２以上の組合
せであってもよい。
気であってもよく、また加熱源は水蒸気、輻射線（例え
ば赤外線）、加熱シリコン油等の早秋又は２以上の組合
せであってもよい。
〈実施例〉
下記の第り表に示す配合の半導電性混和物な厚さ１ ｔ
ｙ、ｘのシートにノに成し、これを別途用意した厚さ２
πかの末架倍ポリエチＶンシートに重ね合せて所定の架
イ１′δ県件（２００℃、２３０℃、２５０ ’Ｃ）で
加熱して貼り合せ資料とした。
ｙ、ｘのシートにノに成し、これを別途用意した厚さ２
πかの末架倍ポリエチＶンシートに重ね合せて所定の架
イ１′δ県件（２００℃、２３０℃、２５０ ’Ｃ）で
加熱して貼り合せ資料とした。
次にこれらの資料について、テンシロン試験機により引
張速度５００ｒな７分で剥離力を測定した。
張速度５００ｒな７分で剥離力を測定した。
なお、試料巾打１．１２．５ｍｍとした。
〈発明の効呆〉
第１表（Ｎ１１酩力のＲ）からりｊらかなように酢ビ幻
°が４０−以上５５−未７ｄ−のエチレン酢酸ビニル共
重合体よりなる本発明に係る半導′＃）ε性Ｆｊｉ’＋
和物は、２００℃を越える高ｆ（例えば２３０℃以上）
で架橋し−Ｃも、扱断することなく容易にこ豹１１’ｉ
’ｉＬする。
°が４０−以上５５−未７ｄ−のエチレン酢酸ビニル共
重合体よりなる本発明に係る半導′＃）ε性Ｆｊｉ’＋
和物は、２００℃を越える高ｆ（例えば２３０℃以上）
で架橋し−Ｃも、扱断することなく容易にこ豹１１’ｉ
’ｉＬする。
しかし、酢と尺が４０％未１１す５５−以上のｌ’ｕ
Ｉ！ｉｌのものを主材樹脂としたものは２３０３以上で
架（、・１すると剥１罹の況破断してガ・１１離できな
い結果となった。
Ｉ！ｉｌのものを主材樹脂としたものは２３０３以上で
架（、・１すると剥１罹の況破断してガ・１１離できな
い結果となった。
第２表
また、本発明に係る方法を実施すれば、上記第２表に示
すとおり、従来よりも高い架（，１１渦Ｉｔ（２３０℃
）以上で、削離性の優れた外部半々ｚ砥ル１を有する架
４１９．ポリエチレンケーブルを、その温りの高い分だ
け製造速度を大きくして製造することができ、生産性が
向上した。
すとおり、従来よりも高い架（，１１渦Ｉｔ（２３０℃
）以上で、削離性の優れた外部半々ｚ砥ル１を有する架
４１９．ポリエチレンケーブルを、その温りの高い分だ
け製造速度を大きくして製造することができ、生産性が
向上した。
また、得られるケーブルは端末処理、接９ん処理も容易
で、工事能率上もきわめ゛てよ込。
で、工事能率上もきわめ゛てよ込。
第１図は本発明に係る架研ポリエチレンケーブルの断面
図である。 １・ψ・導体、２・ｅ・内部中４電層、３会・・架橋ポ
リエチレン絶縁ＫＪ、４”・外部半導電層、５１１・・
シース。
図である。 １・ψ・導体、２・ｅ・内部中４電層、３会・・架橋ポ
リエチレン絶縁ＫＪ、４”・外部半導電層、５１１・・
シース。
Claims (2)
- （１）、導体の外側に内部半導電層を介し又は介さずし
て直接に未架橋ポリエチレン絶縁ル；ｊ１外部半導電層
を順次設けてなる架橋ポリエチレンケーブルにおいて、
上記外部半導電層に酢酸ビニル金石（４〇−以上５５％
未満のエチレン酢酸ビニル共重合体に導電性付与剤を配
合した半導電性混和物を用いた架橋ポリエチレンケーブ
ル。 - （２）、導体の外側忙、未架橋ポリエチレン組成物によ
る絶縁層及び外部半導電層を順次に又は同時に押出し被
覆したのち、架橋加熱する架橋ポリエチレンケーブルの
製造方法において、上記外部半導電層に、石ｊ−酸ビニ
ル含量４０チ以上５５−％未沼のエチレン酢酸ビニル共
重合体に導電性付与剤を配合した半導７Ｆｉ性混和物を
用い、上記架橋加熱Ｉ １７ ＾ ＾ ６〜Ｍ ｌ＋ｌ
ｌ−ｔｆ 輌へ熾１島１．Ｊ−’ｌ ４ｎｖ ４Ｊａ
」ＪＩＩ ｗ 、ｃ慣ト、ｌ ＋ ＋ノケーブルの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608184A JPS60189805A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4608184A JPS60189805A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189805A true JPS60189805A (ja) | 1985-09-27 |
| JPH053691B2 JPH053691B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=12737034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4608184A Granted JPS60189805A (ja) | 1984-03-10 | 1984-03-10 | 剥離容易な外部半導電層を有する架橋ポリエチレンケーブルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60189805A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5576508A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-09 | Sumitomo Electric Industries | Method of fabricating crosslinked polyethylene cable |
| JPS5667109A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-06 | Fujikura Ltd | High voltage power cable |
| JPS5846517A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-18 | 日立電線株式会社 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブル |
-
1984
- 1984-03-10 JP JP4608184A patent/JPS60189805A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5576508A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-09 | Sumitomo Electric Industries | Method of fabricating crosslinked polyethylene cable |
| JPS5667109A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-06 | Fujikura Ltd | High voltage power cable |
| JPS5846517A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-18 | 日立電線株式会社 | 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053691B2 (ja) | 1993-01-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |