JPH05275768A - 磁気抵抗素子およびその製造方法 - Google Patents

磁気抵抗素子およびその製造方法

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JPH05275768A
JPH05275768A JP4314847A JP31484792A JPH05275768A JP H05275768 A JPH05275768 A JP H05275768A JP 4314847 A JP4314847 A JP 4314847A JP 31484792 A JP31484792 A JP 31484792A JP H05275768 A JPH05275768 A JP H05275768A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 表面保護膜の形成に伴う磁気抵抗素子薄膜と
配線金属との接合抵抗の増加を抑制することができる磁
気抵抗素子の製造方法を提供することにある。 【構成】 P型半導体基板1の主表面にシリコン酸化膜
4を形成し、その上にアルミ配線金属9をパターニング
する。そして、アルミ配線金属9の上に強磁性磁気抵抗
素子薄膜10を形成してアルミ配線金属9と強磁性磁気
抵抗素子薄膜10とを電気的に接続する。その後に、3
50〜450℃の温度,10-2Torr 以下の真空度の条
件で、真空熱処理(真空アニール)を行う。この真空熱
処理によりアルミ配線金属9と強磁性磁気抵抗素子薄膜
10との接続部にはNi−Al系合金13が形成され
る。次に、プラズマCVD法を用いて強磁性磁気抵抗素
子薄膜10をシリコンナイトライドよりなる表面保護膜
11にて覆うが、Ni−Al系合金13により接続部に
おけるアルミ配線金属9表面の窒化が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気抵抗素子および
その製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば特開平1−125882号
公報に示されるように、磁気センサ等に磁気抵抗素子が
使用されている。
【0003】一般に、磁気抵抗素子薄膜を用いた磁気セ
ンサは、図16に示すように、回路素子を有する単結晶
シリコン基板19上に絶縁膜20を形成し、その絶縁膜
20上にアルミ配線金属21を形成し、そのアルミ配線
金属21の上にNi−Fe,Ni−Co等の磁気抵抗素
子薄膜22を形成している。ここで、アルミ配線金属2
1の上に磁気抵抗素子薄膜22が配置されるのは、磁気
抵抗素子薄膜22を先に形成した場合にはアルミ配線金
属21のパターニングが後工程となり、その際磁気抵抗
素子薄膜22のエッチングが懸念されるためである。
【0004】そして、Ni−Fe,Ni−Co等の薄膜
は非常に活性であるために酸化され易く、又、傷が付き
易いものである。そのために、低温にて成膜できるシリ
コンナイトライドよりなる表面保護膜23を磁気抵抗素
子薄膜22上に形成するようにしている。これは、例え
ば被推積物である単結晶シリコン基板19を真空容器に
入れ、200〜400℃程度の温度において、原料ガス
(モノシラン,窒素,アンモニウム等)を流し、高周波
電源によりプラズマを励起させシリコンナイトライド膜
(表面保護膜23)を堆積させる。このようにすること
により、磁気抵抗素子薄膜22を酸化させることなく表
面保護膜が成膜でき、しかも、表面保護膜としてピンホ
ール等の欠陥の少ないシリコンナイトライド膜が形成で
きる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、表面保護膜
23として耐湿性に優れるシリコンナイトライド膜を推
積すると、磁気抵抗素子薄膜22とアルミ配線金属21
との接合抵抗(コンタクト抵抗)が通常1Ω程度である
が、シリコンナイトライド堆積後に数10〜1MΩに変
化してしまうことが判明した。
【0006】そこで、この発明の目的は、表面保護膜の
形成に伴う磁気抵抗素子薄膜と配線金属との接合抵抗の
増加を抑制することができる磁気抵抗素子の製造方法を
提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、アルミ系配
線金属の上に磁気抵抗素子薄膜を形成してアルミ系配線
金属と磁気抵抗素子薄膜とを電気的に接続し、その後
に、前記磁気抵抗素子薄膜を窒化物よりなる表面保護膜
にて覆うようにした磁気抵抗素子の製造方法において、
前記表面保護膜を形成する前に熱処理を施すようにした
磁気抵抗素子の製造方法をその要旨とするものである。
【0008】
【作用】アルミ系配線金属の上に磁気抵抗素子薄膜が形
成されてアルミ系配線金属と磁気抵抗素子薄膜とが電気
的に接続され、さらに、アルミ系配線金属と磁気抵抗素
子薄膜とが熱処理される。このとき、アルミ系配線金属
の中へ磁気抵抗素子薄膜が拡散していきアルミ系配線金
属と磁気抵抗素子薄膜との合金層が形成される。その後
に、磁気抵抗素子薄膜が窒化物よりなる表面保護膜にて
覆われる。このとき、アルミ系配線金属と磁気抵抗素子
薄膜との接続部には前述の熱処理によりアルミ系配線金
属と磁気抵抗素子薄膜との合金層が形成されており、表
面保護膜を形成する際の窒素を含んだガス雰囲気下にお
いて、該合金層が窒素の透過を防止し、磁気抵抗素子薄
膜とアルミ系配線金属との接続部で絶縁性の窒化アルミ
ニウムを形成することは抑制される。
【0009】
【実施例】以下、この発明を磁気センサに具体化した一
実施例を図面に従って説明する。図1は磁気センサの断
面図であり、強磁性磁気抵抗素子薄膜10と信号処理回
路とが同一基板内に集積化されている。又、図2には図
1のA部の拡大図を示す。
【0010】図3〜図6には、その製造工程を示す。ま
ず、図3に示すように、P型半導体基板(単結晶シリコ
ン基板)1の主表面に、公知の半導体加工技術を用いて
縦形NPNバイポーラトランジスタを形成する。つま
り、P型半導体基板1の主表面上に、N+ 型埋込層2,
- 型エピタキシャル層3を形成する。そして、N-
エピタキシャル層3の主表面上にシリコン酸化膜4をC
VD装置を用いて形成し、シリコン酸化膜4を所望の回
路パターンによりホトエッチングし、不純物の拡散にて
+ 型素子分離領域5,P+ 型拡散領域6,N+ 型拡散
領域7,8を形成する。即ち、N+ ならばリンを、P+
ならばボロンをイオン注入法もしくは拡散法により選択
的に拡散して形成する。このようにして、縦形NPNバ
イポーラトランジスタがN+ 型埋込層2,N- 型エピタ
キシャル層3,P+ 型拡散領域6,及びN+ 型拡散領域
7,8にて構成され、このトランジスタは後述する強磁
性磁気抵抗素子薄膜10からの信号を増幅する。
【0011】次に、シリコン酸化膜4にフォトリソグラ
フィを用いて選択的に開口部4aを開け、コンタクト部
を形成する。そして、図4に示すように、P型半導体基
板1の主表面上に薄膜のアルミ配線金属9を蒸着すると
ともに、このアルミ配線金属9をフォトエッチングによ
りパターニングする。この際、アルミ配線金属9の端部
に対し、その断面を斜状(テーパ状)に加工する(図に
おいて斜状部を9aで示す)。つまり、湿式テーパーエ
ッチング処理を施すことにより、斜状部9aの傾斜角θ
を78度以下の例えば50度にする。尚、傾斜角θは図
2に示すように、シリコン酸化膜4の表面とアルミ配線
金属9の端面との間になす角度をもって定義する。
【0012】その後、バイポーラトランジスタのコンタ
クト部とのオーミックコンタクトを得るためにアルミシ
ンターと呼ばれる熱処理を、例えば450℃,30分、
フォーミングガス(N2 +H2 )中の条件で行う。
【0013】しかる後に、P型半導体基板1を真空容器
内に配置し、例えばアルゴンにてアルミ配線金属9の表
面に成長した酸化膜をプラズマエッチングし、引き続
き、真空を保持したまま、図5に示すように、アルミ配
線金属9を含めたシリコン酸化膜4の上に強磁性磁気抵
抗素子薄膜10を例えば電子ビーム蒸着法により堆積す
る。この強磁性磁気抵抗素子薄膜10は、Fe,Coを
含み、Niを主成分とした強磁性体薄膜、即ちNi−F
eあるいはNi−Coの薄膜からなり、厚さが500Å
程度(200〜2000Å)になっている。そして、図
6に示すように、強磁性磁気抵抗素子薄膜10をエッチ
ングして所定のブリッヂパターンに形成する。この際、
強磁性磁気抵抗素子薄膜10とアルミ配線金属9は、図
2に示すように強磁性磁気抵抗素子薄膜10をアルミ配
線金属9の斜状部9aに十分オーバラップさせる。この
斜状部9aにより、強磁性磁気抵抗素子薄膜10とアル
ミ配線金属9との電気的接合が行われる。このようにア
ルミ配線金属9の端部をテーパ構造とすることにより、
強磁性磁気抵抗素子薄膜10とアルミ配線金属9との間
での断線故障が回避される。
【0014】次に、真空熱処理(真空アニール)を一定
時間(例えば、30分)行う。この真空熱処理条件とし
ては、後述するように、温度が350〜450℃で、真
空中(例えば10-2Torr 程度以下)とする。このと
き、強磁性磁気抵抗素子薄膜10とアルミ配線金属9と
の接続部には後述するようにNi−Al系合金が形成さ
れ、強磁性磁気抵抗素子薄膜10とアルミ配線金属9と
はこのNi−Al系合金を介して電気的に接続される。
【0015】その後に、図1に示すように、シリコンナ
イトライドよりなる表面保護膜11をプラズマCVD装
置を用いて成膜する。つまり、P型半導体基板1を20
0〜400℃程度の温度とし、ガス(モノシラン,窒
素,アンモニウム等)を流し、高周波電源によりプラズ
マを励起させシリコンナイトライド膜を堆積させる。さ
らに、この表面保護膜11を導通用端子部のみエッチン
グして開口部を設ける。この表面保護膜11にて強磁性
磁気抵抗素子薄膜10と、P型半導体基板1の主表面に
製作した回路素子とが外気から保護される。
【0016】このように製造された磁気センサにおいて
は、P型半導体基板1の主表面に作製したNPNトラン
ジスタ、及び図示しないPNPトランジスタ,拡散抵
抗,コンデンサ等の回路素子をアルミ配線金属9により
電気的に接続して、電気回路として機能させる。
【0017】次に、表面保護膜11を成膜する前に行う
真空熱処理についての各種の実験結果を説明する。図7
には、真空熱処理の際の温度を変えた場合の強磁性磁気
抵抗素子薄膜10とアルミ配線金属9との間の接合抵抗
(コンタクト抵抗)の測定結果を示す。同図から、コン
タクト抵抗を小さく抑えるためには、350℃以上にす
る必要があることが分かる。又、真空熱処理温度が45
0℃以上では、アルミニウムとNiとの反応が進みす
ぎ、表面凹凸が激しくなってしまう。よって、真空熱処
理温度としては、350℃〜450℃にする必要があ
る。
【0018】図8には、真空熱処理の際の真空度を変え
た場合のシート抵抗の測定結果を示す。同図から、シー
ト抵抗を低く抑えるためには、真空にする必要があるこ
とが分かる。つまり、高温状態に強磁性磁気抵抗素子薄
膜10がさらされた時に周囲にガス(酸素、アンモニ
ア、窒素等)があると、アルミ配線金属9と強磁性磁気
抵抗素子薄膜10の接合部(コンタクト部)での抵抗が
増大するとともに、活性の強い強磁性磁気抵抗素子薄膜
10が酸化され磁気抵抗体としての特性が保持できなく
なるためである。真空度としては例えば10-2Torr 程
度以下であればよく、その場合、抵抗の増大は確認され
ていない。
【0019】図9には、真空熱処理を行った場合と、真
空熱処理を行わなかった場合の接合抵抗(コンタクト抵
抗)の測定結果を示す。同じであったコンタクト抵抗
が、真空熱処理を行なうことにより約1桁小さくなり、
プラズマCVDにて表面保護膜(シリコンナイトライ
ド)11を成膜してもコンタクト抵抗の変化がなく、真
空熱処理を行わなかった場合と比較して3〜4桁も小さ
なコンタクト抵抗となった。
【0020】図10には、真空熱処理を行った場合のア
ルミ配線金属9と強磁性磁気抵抗素子薄膜10の接合部
(コンタクト部)を二次イオン質量分析計を用いて分析
した結果を示す。又、図11には、真空熱処理を行わな
かった場合の接合部(コンタクト部)を二次イオン質量
分析計を用いて分析した結果を示す。
【0021】この図11から、コンタクト部に窒化アル
ミニウム(AlN)が多量に存在することが判明した。
アルミ配線金属9表面は、表面保護膜(シリコンナイト
ライド)11の形成の際にその形成に不可欠なガス(特
にアンモニア,窒素)に高温でさらされて窒化される
が、上部に強磁性磁気抵抗素子薄膜10が形成されてい
るコンタクト部であっても、窒素を含んだガスは強磁性
磁気抵抗素子薄膜10を通ってアルミ配線金属9表面に
到達し、図13の模式構造図に示すように、窒化アルミ
ニウム12が形成されるものと考察される。この窒化ア
ルミニウム12は絶縁性を有するので、コンタクト抵抗
が増大することになる。
【0022】これに対し真空熱処理を行うと、図10に
示すようにコンタクト部での窒化アルミニウムの形成が
半分以下になる。このメカニズムを以下に説明する。プ
ラズマCVDによる表面保護膜(シリコンナイトライ
ド)11の成膜前に真空熱処理を行うことにより、アル
ミ配線金属9と強磁性磁気抵抗素子薄膜10との接続部
には、図12の模式構造図に示すように、これらアルミ
配線金属9と強磁性磁気抵抗素子薄膜10との合金層1
3が形成される。この合金層13は、プラズマCVDに
よる表面保護膜形成の際に、強磁性磁気抵抗素子薄膜1
0を介してアルミ配線金属9表面に到達する原料ガス中
の窒素成分の透過を抑制する。したがって、表面保護膜
形成の際に強磁性磁気抵抗素子薄膜10とアルミ配線金
属9との接続部に絶縁性の窒化アルミニウム12が形成
されるのは抑制されることとなる。その結果、コンタク
ト抵抗の増大を妨ぐことができるものである。
【0023】このように本実施例では、アルミ配線金属
9の上に強磁性磁気抵抗素子薄膜10を形成してアルミ
配線金属9と強磁性磁気抵抗素子薄膜10とを電気的に
接続し、その後に、プラズマCVD法を用いて強磁性磁
気抵抗素子薄膜10をシリコンナイトライドよりなる表
面保護膜11にて覆う場合において、表面保護膜11を
成膜する前に、350〜450℃の真空熱処理を施し
た。よって、アルミ配線金属9と強磁性磁気抵抗素子薄
膜10との接続部には、真空熱処理によりアルミ配線金
属9と強磁性磁気抵抗素子薄膜10との合金層13が形
成され、プラズマCVDのときに窒素を含んだガスによ
り該接続部において絶縁性の窒化アルミニウム12が形
成されるのは抑制される。その結果、表面保護膜11の
形成に伴う強磁性磁気抵抗薄膜10とアルミ配線金属9
との接合抵抗の増加を抑制することができることとな
る。
【0024】なお、図14に示すように、Ni−Al系
合金13を形成することにより、強磁性磁気抵抗薄膜1
0の磁気特性である抵抗変化率に変動はない。尚、この
発明は上記実施例に限定されるものではなく、例えば、
アルミ系配線金属はアルミ以外にもAl−Si系やAl
−Si−Cu系であってもよい。
【0025】また、前記実施例ではバイポーラトランジ
スタ上に形成した磁気センサについて説明したが、C−
MOS,Bi−CMOS等のMOSFET上に形成した
磁気センサやディスクリートの磁気センサにも適用する
ことができる。図15には、C−MOSトランジスタ上
に実施した構造例を示す。すなわち、C−MOS構造シ
リコン基板26の主表面側にLOCOS酸化膜27を介
してBPSG膜28が形成され、さらにBPSG膜28
上にプラズマシリコン窒化膜29が形成されている。そ
して、プラズマシリコン窒化膜29上においてNi−C
oよりなる強磁性磁気抵抗薄膜10とアルミ配線金属9
とが上述のNi−Al系合金13を介して接続され、プ
ラズマシリコン窒化膜よりなる表面保護膜11にて被覆
されている。
【0026】又、前記実施例では、表面保護膜としてシ
リコンナイトライド膜(Six y)について述べた
が、SiON等の他の窒化膜を保護膜として用いてもよ
い。さらには、保護膜としてこれら窒化膜に加え、最終
保護膜として上層にポリイミド膜を被着するようにして
もよい。
【0027】さらに、前記実施例では真空加熱処理を行
ったが、N2 を含まない他の不活性ガス(ヘリウム、ア
ルゴン等)の雰囲気で、熱処理を行ってもよい。
【0028】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
表面保護膜の形成に伴う磁気抵抗素子薄膜と配線金属と
の接合抵抗の増加を抑制することができる優れた効果を
発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例の磁気センサの断面を示す図である。
【図2】図1のA部の拡大図である。
【図3】磁気センサの製造工程を示す断面図である。
【図4】磁気センサの製造工程を示す断面図である。
【図5】磁気センサの製造工程を示す断面図である。
【図6】磁気センサの製造工程を示す断面図である。
【図7】真空熱処理の際の温度を変えた場合のコンタク
ト抵抗の測定結果を示す図である。
【図8】真空熱処理の際の真空度を変えた場合のシート
抵抗の測定結果を示す図である。
【図9】コンタクト抵抗の測定結果を示す図である。
【図10】真空熱処理を行った場合のコンタクト部を二
次イオン質量分析計を用いて分析した結果を示す図であ
る。
【図11】真空熱処理を行わなかった場合のコンタクト
部を二次イオン質量分析計を用いて分析した結果を示す
図である。
【図12】真空熱処理を行った場合のコンタクト部の模
式構造を示す断面図である。
【図13】真空熱処理を行わなかった場合のコンタクト
部の模式構造を示す断面図である。
【図14】Ni−Al系合金の有無と磁気抵抗変化率と
の関係を示す図である。
【図15】別例の磁気センサの断面を示す図である。
【図16】従来技術を説明するための断面図である。
【符号の説明】
9 アルミ配線金属 10 強磁性磁気抵抗素子薄膜 11 表面保護膜 12 窒化アルミニウム 13 Ni−Al系合金
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 浩樹 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 江口 浩次 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 伊藤 一郎 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、 該基板上に配置されたアルミ系配線金属と、 該アルミ系配線金属と電気接続されるニッケル系の磁気
    抵抗素子薄膜と、 前記アルミ系配線金属と磁気抵抗素子薄膜との接続部上
    部に形成され、窒素の透過を防止するバリア膜と、 前記磁気抵抗素子薄膜とを被覆する窒化物よりなる表面
    保護膜とを備えることを特徴とする磁気抵抗素子。
  2. 【請求項2】 前記磁気抵抗素子薄膜は前記アルミ系配
    線金属との接続部において前記アルミ系配線金属の上部
    に形成されるものであり、前記バリア膜は前記アルミ系
    配線金属と磁気抵抗素子薄膜との合金層であることを特
    徴とする請求項1に記載の磁気抵抗素子。
  3. 【請求項3】 基板上にアルミ系配線金属と磁気抵抗素
    子薄膜とを形成し、アルミ系配線金属と磁気抵抗素子薄
    膜とを電気的に接続し、その後に、前記磁気抵抗素子薄
    膜を窒化物よりなる表面保護膜にて覆うようにした磁気
    抵抗素子の製造方法において、 前記表面保護膜を形成する前に、熱処理するようにした
    ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記表面保護膜として用いる窒化物はプ
    ラズマCVD法によって形成する窒化シリコン膜である
    ことを特徴とする請求項3に記載の磁気抵抗素子の製造
    方法。
  5. 【請求項5】 前記熱処理の行われる雰囲気は、窒素を
    含まない不活性ガス中あるいは真空中であることを特徴
    とする請求項3もしくは4に記載の磁気抵抗素子の製造
    方法。
  6. 【請求項6】 前記熱処理の温度は、350℃以上45
    0℃以下であることを特徴とする請求項3乃至5の何れ
    かに記載の磁気抵抗素子の製造方法。
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