JPH0527174B2 - - Google Patents
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- JPH0527174B2 JPH0527174B2 JP59232791A JP23279184A JPH0527174B2 JP H0527174 B2 JPH0527174 B2 JP H0527174B2 JP 59232791 A JP59232791 A JP 59232791A JP 23279184 A JP23279184 A JP 23279184A JP H0527174 B2 JPH0527174 B2 JP H0527174B2
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B3/00—Recording by mechanical cutting, deforming or pressing, e.g. of grooves or pits; Reproducing by mechanical sensing; Record carriers therefor
- G11B3/68—Record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
- G11B9/061—Record carriers characterised by their structure or form or by the selection of the material; Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/10—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electron beam; Record carriers therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高密度情報記録方法に関する。
従来、情報の記憶あるいは記録のための手段と
して磁気コア、磁気バブル、半導体メモリーある
いはデイスクレコード、オーデオテープ、コンパ
クトデイスク、映画フイルム、ビデオデイスク、
ビデオテープ、フロツピーデイスク等各種のもの
が知られ、実用化されてきている。しかしながら
近年、より高密度の情報記録に対する要求の高ま
りと共にカルコゲナイト系材料等を使用した光デ
イスク、あるいは磁気記録の分野における金属磁
性膜媒体を用いての水平磁化記録や垂直磁化記
録、さらには光磁気デイスクの実用化のための研
究がさかんに行われている。これらの情報記録
は、それぞれの特長を有しているが、記録密度は
せいぜい106ビツト／mm2であり、さらに超高密度
情報記録の技術開発が要求されてきている。
して磁気コア、磁気バブル、半導体メモリーある
いはデイスクレコード、オーデオテープ、コンパ
クトデイスク、映画フイルム、ビデオデイスク、
ビデオテープ、フロツピーデイスク等各種のもの
が知られ、実用化されてきている。しかしながら
近年、より高密度の情報記録に対する要求の高ま
りと共にカルコゲナイト系材料等を使用した光デ
イスク、あるいは磁気記録の分野における金属磁
性膜媒体を用いての水平磁化記録や垂直磁化記
録、さらには光磁気デイスクの実用化のための研
究がさかんに行われている。これらの情報記録
は、それぞれの特長を有しているが、記録密度は
せいぜい106ビツト／mm2であり、さらに超高密度
情報記録の技術開発が要求されてきている。
本発明の目的は、108〜109ビツト／mm2の記録密
度を有する新規な情報記録方法を提供することに
ある。
度を有する新規な情報記録方法を提供することに
ある。
本発明は、基体表面に記録すべき情報に応じて
変調された電子線を照射し、しかる後該基体表面
に所定材料による蒸着処理を施して該電子線の照
射部、非照射部に対応した蒸着非形成部、形成部
を設けることを特徴とする情報記録方法、に関す
る。
変調された電子線を照射し、しかる後該基体表面
に所定材料による蒸着処理を施して該電子線の照
射部、非照射部に対応した蒸着非形成部、形成部
を設けることを特徴とする情報記録方法、に関す
る。
本発明の方法を第１図によつて説明する。第１
図ａにおいて記録すべき情報の入力信号１は変調
装置２を経て電子線発生器３に入力される。記録
すべき情報信号１に応じて変調された電子線４は
矢印５に沿つて移動する基体６の表面に照射され
る。基体６の表面には記録すべき情報に応じて電
子線４の照射部７と非照射部８が形成される。し
かる後基体６の表面に蒸着処理を施すと第１図ｂ
に示されるように電子線４の照射部７に対応する
部分には蒸着がなされず、非照射部８には蒸着が
なされる（蒸着形成部９）ものである。すなわち
記録すべき情報信号１が、基体６の表面上に蒸着
形成部と非形成部のパターンとして記録されるも
のである。
図ａにおいて記録すべき情報の入力信号１は変調
装置２を経て電子線発生器３に入力される。記録
すべき情報信号１に応じて変調された電子線４は
矢印５に沿つて移動する基体６の表面に照射され
る。基体６の表面には記録すべき情報に応じて電
子線４の照射部７と非照射部８が形成される。し
かる後基体６の表面に蒸着処理を施すと第１図ｂ
に示されるように電子線４の照射部７に対応する
部分には蒸着がなされず、非照射部８には蒸着が
なされる（蒸着形成部９）ものである。すなわち
記録すべき情報信号１が、基体６の表面上に蒸着
形成部と非形成部のパターンとして記録されるも
のである。
蒸着形成部と非形成部とを明確にしＳ／Ｎを向
上させるため必要に応じて蒸着処理後に基体を加
熱しても良い。
上させるため必要に応じて蒸着処理後に基体を加
熱しても良い。
さらに本発明に使用される基体としてはSi，
GeあるいはGaAs等の半導体、Cu，Al，Fe，
Ni，Co，Au，Sn，Pb，Mo，Ｗ，Ｖ、等の金属
およびこれらの合金あるいはガラス、雲母、カー
ボン、セラミツク等の無機物、ポリマー等の有機
物が使用される。
GeあるいはGaAs等の半導体、Cu，Al，Fe，
Ni，Co，Au，Sn，Pb，Mo，Ｗ，Ｖ、等の金属
およびこれらの合金あるいはガラス、雲母、カー
ボン、セラミツク等の無機物、ポリマー等の有機
物が使用される。
本発明の方法により記録された情報を読出す方
法としては種々の方法が用いられ得る。
法としては種々の方法が用いられ得る。
特開昭48−5402に開示されているような圧力−
電気変換器により蒸着形成部、非形成部の幾何学
的形状あるいは硬度による圧力差により情報を再
生する方法；特開昭47−37415、特開昭49−
18319、特開昭49−21337、特開昭49−28303に開
示されているような蒸着形成部、非形成部での容
量変化を検出することによつて情報を再生する方
法；特開昭49−65845、特開昭49−85725、特開昭
49−93002、特開昭51−35308に開示されているよ
うな蒸着形成部、非形成部の幾何学的凹凸を光学
的に読み出す方法等が用いられる。幾何学的凸凹
を読出す方法としてはSurface Science131 379
〜384（1983）に示されているようなそれ使用でき
る。上記の方法では、蒸着形成部、および非形成
部が高密度に形成されている場合には読み出しの
分解能が必ずしも十分に得られないため、電子ビ
ームを用いた読出し再生方法を用いることもでき
る。例えば特公昭45−20628、特公昭57−32414、
特開昭51−114109、特開昭51−133012に開示され
ているような蒸着形成部、非形成部での２次電子
放射量差あるいは２次電子の変調を利用しての読
出し方法；あるいは電子線照射により発生する反
射電子、Auger電子、Ｘ線の放射量差を利用する
読出し方法；さらには米国特許4101935。あるる
いはIEEE Trans.MagneticsMAG−７(3)、684〜
686（1971）に示されているような方法によつて読
出す方法を用いることができる。あるいはまた特
開昭59−185031に開示されているように磁性蒸着
材の形成部、および非形成部での磁化差を磁気ト
ランスジユーサーにより検出し情報を読出し再生
する方法もとり得る。
電気変換器により蒸着形成部、非形成部の幾何学
的形状あるいは硬度による圧力差により情報を再
生する方法；特開昭47−37415、特開昭49−
18319、特開昭49−21337、特開昭49−28303に開
示されているような蒸着形成部、非形成部での容
量変化を検出することによつて情報を再生する方
法；特開昭49−65845、特開昭49−85725、特開昭
49−93002、特開昭51−35308に開示されているよ
うな蒸着形成部、非形成部の幾何学的凹凸を光学
的に読み出す方法等が用いられる。幾何学的凸凹
を読出す方法としてはSurface Science131 379
〜384（1983）に示されているようなそれ使用でき
る。上記の方法では、蒸着形成部、および非形成
部が高密度に形成されている場合には読み出しの
分解能が必ずしも十分に得られないため、電子ビ
ームを用いた読出し再生方法を用いることもでき
る。例えば特公昭45−20628、特公昭57−32414、
特開昭51−114109、特開昭51−133012に開示され
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放射量差あるいは２次電子の変調を利用しての読
出し方法；あるいは電子線照射により発生する反
射電子、Auger電子、Ｘ線の放射量差を利用する
読出し方法；さらには米国特許4101935。あるる
いはIEEE Trans.MagneticsMAG−７(3)、684〜
686（1971）に示されているような方法によつて読
出す方法を用いることができる。あるいはまた特
開昭59−185031に開示されているように磁性蒸着
材の形成部、および非形成部での磁化差を磁気ト
ランスジユーサーにより検出し情報を読出し再生
する方法もとり得る。
本発明の方法において蒸着に供せられる材料は
本発明により記録された情報の読み出し方法によ
り定められるものであり、２次電子放射効率の差
により情報の読出しを行う場合は基体と比して２
次電子放射効率の異なる材料（例えば金属基体に
対してカーボン蒸着材料）、あるいは蒸着物質と
してFe，Co，Ni等の磁性材料を用い、蒸着形成
部、および非形成部境界の漏れ磁界により読み出
すようにしてもよい。さらに蒸着形成部、および
非形成部の幾何学的凹凸を読み出しに利用するの
であれば蒸着材料は特に限定されない。蒸着形成
部、非形成部での容量変化を利用するのであれば
導電基体を用いるのが好ましいし、光学的読出し
を行うのであれば反射率の大きいAg，Al等を蒸
着材料として用いるのが好ましい。
本発明により記録された情報の読み出し方法によ
り定められるものであり、２次電子放射効率の差
により情報の読出しを行う場合は基体と比して２
次電子放射効率の異なる材料（例えば金属基体に
対してカーボン蒸着材料）、あるいは蒸着物質と
してFe，Co，Ni等の磁性材料を用い、蒸着形成
部、および非形成部境界の漏れ磁界により読み出
すようにしてもよい。さらに蒸着形成部、および
非形成部の幾何学的凹凸を読み出しに利用するの
であれば蒸着材料は特に限定されない。蒸着形成
部、非形成部での容量変化を利用するのであれば
導電基体を用いるのが好ましいし、光学的読出し
を行うのであれば反射率の大きいAg，Al等を蒸
着材料として用いるのが好ましい。
本発明において電子線照射部に蒸着がなされな
い要因は明確でないが、基体表面に電子線を照射
すると照射部は蒸着形成にとつて不安定な状態に
なるものと考えれる。即ち、電子線照射部の基体
表面は、ポテンシヤルエネルギーが高められて、
そこに蒸着されてくる原子に対しては不安定な場
となる為ではないかと考えられる。そして、蒸着
処理後に加熱処理すると、蒸着形成部と非形成部
とが明確になるが、これは熱が加えられることに
より、蒸着原子にとつてさらに不安定な状態とな
り、ポテンシヤルがより低い隣接する電子線の非
照射部へ蒸着原子が移動する為ではないかと考え
られる。とくに電子線照射の際、基体を真空雰囲
気下に維持するための真空ポンプに用いられてい
るオイルが存在することにより蒸着形成部、およ
び非形成部の分離が明確になるものである。オイ
ルとして好ましいのはアルキルナフタリン、アイ
フシルナフタリン酸の炭化水素系、フエニルメチ
ルポリシロキサン、ペンタフエニルトリメチルト
リシロキサン等のシリコーン系、ジ−２エチルヘ
キシルセバケート、ジ−２エチルヘキシルフタレ
ート等のエステル系のオイルである。このことは
真空ポンプのオイルに限られるものではなく、ス
チレン等の有機ガスを微量含む真空雰囲気中にて
電子ビームの照射を行なうことも好ましい。
い要因は明確でないが、基体表面に電子線を照射
すると照射部は蒸着形成にとつて不安定な状態に
なるものと考えれる。即ち、電子線照射部の基体
表面は、ポテンシヤルエネルギーが高められて、
そこに蒸着されてくる原子に対しては不安定な場
となる為ではないかと考えられる。そして、蒸着
処理後に加熱処理すると、蒸着形成部と非形成部
とが明確になるが、これは熱が加えられることに
より、蒸着原子にとつてさらに不安定な状態とな
り、ポテンシヤルがより低い隣接する電子線の非
照射部へ蒸着原子が移動する為ではないかと考え
られる。とくに電子線照射の際、基体を真空雰囲
気下に維持するための真空ポンプに用いられてい
るオイルが存在することにより蒸着形成部、およ
び非形成部の分離が明確になるものである。オイ
ルとして好ましいのはアルキルナフタリン、アイ
フシルナフタリン酸の炭化水素系、フエニルメチ
ルポリシロキサン、ペンタフエニルトリメチルト
リシロキサン等のシリコーン系、ジ−２エチルヘ
キシルセバケート、ジ−２エチルヘキシルフタレ
ート等のエステル系のオイルである。このことは
真空ポンプのオイルに限られるものではなく、ス
チレン等の有機ガスを微量含む真空雰囲気中にて
電子ビームの照射を行なうことも好ましい。
本発明の情報記録方法では、例えば、レーザー
線、Ｘ線、α線、β線等のその他のエネルギー線
に比し、極めて波長が短いエネルギー線である電
子線を利用するため極めて高密度の情報記録が行
えるもので、例えば電子ビームを用いる場合には
100Å程度にビーム径を収束することが可能であ
るため108〜109ビツト／mm2程度の高密度記録がも
たらされる。
線、Ｘ線、α線、β線等のその他のエネルギー線
に比し、極めて波長が短いエネルギー線である電
子線を利用するため極めて高密度の情報記録が行
えるもので、例えば電子ビームを用いる場合には
100Å程度にビーム径を収束することが可能であ
るため108〜109ビツト／mm2程度の高密度記録がも
たらされる。
次に実施例をもつて本発明を具体的に説明する
が本発明はこれらに限定されるものではない。
が本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例 １
50μm厚のポリエチレンテレフタレートフイル
ム上に1500Å厚のCu蒸着膜を均一に形成したも
のを基体とし、２進数コード（１，０）で表わさ
れた電気信号を電子ビームの（オン、オフ）に変
調させ本発明による情報記録を実施した。電子ビ
ームによる書込みの際の真空系はクライオポンプ
による排気系を使用した。電子ビームの加速電圧
は25KV、ビーム電流は50μμA、ビーム径は50Å
として変調された電子ビームを基体に照射した
後、基体上にCuを80Å蒸着し次に基体を100℃ま
で加熱した。こうして得られた情報記録体を特開
昭51−133012号に開示されている再生方法により
調べたところ、トラツク幅50Å、で入力信号に応
じて最大記録密度が105ビツト／mm（2.54×106ビ
ツト／インチ）の信号が記録されていた。
ム上に1500Å厚のCu蒸着膜を均一に形成したも
のを基体とし、２進数コード（１，０）で表わさ
れた電気信号を電子ビームの（オン、オフ）に変
調させ本発明による情報記録を実施した。電子ビ
ームによる書込みの際の真空系はクライオポンプ
による排気系を使用した。電子ビームの加速電圧
は25KV、ビーム電流は50μμA、ビーム径は50Å
として変調された電子ビームを基体に照射した
後、基体上にCuを80Å蒸着し次に基体を100℃ま
で加熱した。こうして得られた情報記録体を特開
昭51−133012号に開示されている再生方法により
調べたところ、トラツク幅50Å、で入力信号に応
じて最大記録密度が105ビツト／mm（2.54×106ビ
ツト／インチ）の信号が記録されていた。
実施例 ２
鏡面仕上げしたAl板を基体とし、２進数コー
ド（１，０）で表わされた電気信号を電子ビーム
の（オン，オフ）に変調させ本発明による情報記
録を実施した。電子ビームによる書込みの際の真
空系は、フエニルメチルポリシロキサンをポンプ
油としてなる拡散ポンプによる排気系を使用し
た。電子ビームの加速電圧を30KV、ビーム電流
は100μμA、ビーム径は100Åとして変調された電
子ビームを基体表面に照射した。次にAu250Å蒸
着後基板を180℃まで加熱した。こうして得られ
た情報記録媒体を実施例１と同様にして読出し再
生したところ、トラツク幅100Åで入力信号に応
じた信号が再生された。この時最大記録密度は
105ビツト／mm（2.54×106ビツト／インチ）、面
積密度にして109ビツト／mm2が可能なることが確
認された。
ド（１，０）で表わされた電気信号を電子ビーム
の（オン，オフ）に変調させ本発明による情報記
録を実施した。電子ビームによる書込みの際の真
空系は、フエニルメチルポリシロキサンをポンプ
油としてなる拡散ポンプによる排気系を使用し
た。電子ビームの加速電圧を30KV、ビーム電流
は100μμA、ビーム径は100Åとして変調された電
子ビームを基体表面に照射した。次にAu250Å蒸
着後基板を180℃まで加熱した。こうして得られ
た情報記録媒体を実施例１と同様にして読出し再
生したところ、トラツク幅100Åで入力信号に応
じた信号が再生された。この時最大記録密度は
105ビツト／mm（2.54×106ビツト／インチ）、面
積密度にして109ビツト／mm2が可能なることが確
認された。
実施例 ３
鏡面仕上げし、クリーニングされたガラス基板
を基体とし、２進数コード（１，０）で表わされ
た電気信号を電子ビームの（オン、オフ）に変調
し、本発明による情報記録を実施した。電子ビー
ムによる書き込みの際の真空系はアイコシルナフ
タリンをポンプ油としてなる拡散ポンプによる真
空排気系を利用した。電子ビーム加速電圧を
50KV、ビーム電流15μμA、ビーム径100Åとし
て変調された電子ビームを基体表面に照射した。
次にAlを150Å蒸着後実施例１と同様にして情報
の読出し再生を行なつたところトラツク幅100Å
で入力信号に応じた信号が記録されているのが確
認された。さらに最大記録密度は面積密度にて
109ビツト／mm2が可能であつた。
を基体とし、２進数コード（１，０）で表わされ
た電気信号を電子ビームの（オン、オフ）に変調
し、本発明による情報記録を実施した。電子ビー
ムによる書き込みの際の真空系はアイコシルナフ
タリンをポンプ油としてなる拡散ポンプによる真
空排気系を利用した。電子ビーム加速電圧を
50KV、ビーム電流15μμA、ビーム径100Åとし
て変調された電子ビームを基体表面に照射した。
次にAlを150Å蒸着後実施例１と同様にして情報
の読出し再生を行なつたところトラツク幅100Å
で入力信号に応じた信号が記録されているのが確
認された。さらに最大記録密度は面積密度にて
109ビツト／mm2が可能であつた。
実施例 ４
鏡面仕上げしたステンレス箔を基体とし、２進
数コード（１，０）で表わされた電気信号を電子
ビームの（オン、オフ）に変調し、本発明による
情報記録を実施した。電子ビームによる書き込み
の際の真空系はクライオポンプによる真空排気系
とし、書き込み時スチレンガスを真空系に導入し
た。電子ビームの加速電圧を20KV、ビーム電流
200μμA、ビーム径250Åとし、変調された電子ビ
ームを基体表面に照射した。次にパーマロイを
100Å蒸着後基板を250℃まで加熱した。しかる後
基板を直流磁場に保持して基板上のパーマロイを
磁化し、特開昭51−114109号に開示された装置に
て読取り再生を行なつたところトラツク幅100Å
で入力信号に応じた２進数コード信号の記録され
ていた。
数コード（１，０）で表わされた電気信号を電子
ビームの（オン、オフ）に変調し、本発明による
情報記録を実施した。電子ビームによる書き込み
の際の真空系はクライオポンプによる真空排気系
とし、書き込み時スチレンガスを真空系に導入し
た。電子ビームの加速電圧を20KV、ビーム電流
200μμA、ビーム径250Åとし、変調された電子ビ
ームを基体表面に照射した。次にパーマロイを
100Å蒸着後基板を250℃まで加熱した。しかる後
基板を直流磁場に保持して基板上のパーマロイを
磁化し、特開昭51−114109号に開示された装置に
て読取り再生を行なつたところトラツク幅100Å
で入力信号に応じた２進数コード信号の記録され
ていた。
実施例 ５
実施例４において電子ビームの代りに2μm径の
アルゴンイオンビームを用いて情報を記録し、パ
ーマロイの蒸着を施して情報記録体を作製した。
磁気トランスジユーサーによつて信号の読出し再
生を行つたところ、入力信号に応じた信号の記録
されているのが確認された。
アルゴンイオンビームを用いて情報を記録し、パ
ーマロイの蒸着を施して情報記録体を作製した。
磁気トランスジユーサーによつて信号の読出し再
生を行つたところ、入力信号に応じた信号の記録
されているのが確認された。
記録情報に応じて変調されたエネルギー線を照
射後蒸着処理を施して基体上に蒸着形成部、およ
び非形成部を設ける本発明の情報記録方法は、従
来の情報記録とは異なり新規で極めて高密度の情
報記録が可能なそれである。
射後蒸着処理を施して基体上に蒸着形成部、およ
び非形成部を設ける本発明の情報記録方法は、従
来の情報記録とは異なり新規で極めて高密度の情
報記録が可能なそれである。
第１図は本発明による情報記録方法を図式的に
示している。 １……入力信号、２……変調装置、３……電子
線発生器、４……電子線、５……基体の移動方向
を示す矢印、６……基体、７……電子線照射部、
８……電子線非照射部、９……蒸着形成部。
示している。 １……入力信号、２……変調装置、３……電子
線発生器、４……電子線、５……基体の移動方向
を示す矢印、６……基体、７……電子線照射部、
８……電子線非照射部、９……蒸着形成部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体表面に記録すべき情報に応じて変調され
た電子線を照射し、しかる後該基体表面に蒸着処
理を施し、該電子線の照射部、非照射部に対応し
た蒸着非形成部、形成部を設けることを特徴とす
る情報記録方法。 ２ 前記蒸着処理後に基体加熱処理を行うことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記録
方法。 ３ 有機ガスを微少量含む真空雰囲気下において
電子ビームの照射を行うことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の情報記録方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232791A JPS61110351A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 情報記録方法 |
| DE3539196A DE3539196C2 (de) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Verfahren zur Aufzeichnung von Informationen |
| US06/795,145 US4700198A (en) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Process for recording information by irradiation of, an deposition on, a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232791A JPS61110351A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 情報記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110351A JPS61110351A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0527174B2 true JPH0527174B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=16944806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59232791A Granted JPS61110351A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 情報記録方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4700198A (ja) |
| JP (1) | JPS61110351A (ja) |
| DE (1) | DE3539196C2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2616763B2 (ja) * | 1985-12-13 | 1997-06-04 | 新技術事業団 | 情報記録再生方法 |
| EP0265245A3 (en) * | 1986-10-21 | 1992-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of erasable recording and reading of information |
| EP0394995B1 (en) * | 1989-04-25 | 1997-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Information record/reproducing apparatus and information recording carrier |
| US5147680A (en) * | 1990-11-13 | 1992-09-15 | Paul Slysh | Laser assisted masking process |
| US6037968A (en) * | 1993-11-09 | 2000-03-14 | Markem Corporation | Scanned marking of workpieces |
| JP3716467B2 (ja) | 1995-07-19 | 2005-11-16 | ソニー株式会社 | 記録媒体並びに情報再生装置、情報記録装置及び情報記録再生装置 |
| DE19808562A1 (de) * | 1998-02-28 | 1999-09-02 | Huebner | Gedrucktes Tonprofil |
| US7258901B1 (en) * | 2000-09-08 | 2007-08-21 | Fei Company | Directed growth of nanotubes on a catalyst |
| US7204884B2 (en) * | 2002-03-22 | 2007-04-17 | Agc Automotive Americas Co. | Laser marking system |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH554582A (de) * | 1973-03-30 | 1974-09-30 | Ibm | Verfahren und einrichtung zum optischen speichern und auslesen binaerer information. |
| JPS6037970B2 (ja) * | 1976-11-12 | 1985-08-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製法 |
| JPS57143728A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| US4495242A (en) * | 1981-04-02 | 1985-01-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US4626315A (en) * | 1984-11-09 | 1986-12-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process of forming ultrafine pattern |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP59232791A patent/JPS61110351A/ja active Granted
-
1985
- 1985-11-05 US US06/795,145 patent/US4700198A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-11-05 DE DE3539196A patent/DE3539196C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3539196C2 (de) | 1996-05-15 |
| US4700198A (en) | 1987-10-13 |
| JPS61110351A (ja) | 1986-05-28 |
| DE3539196A1 (de) | 1986-05-07 |
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Legal Events
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