JPS63129543A - 荷電ビ−ム利用超高密度記録方式 - Google Patents
荷電ビ−ム利用超高密度記録方式Info
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- JPS63129543A JPS63129543A JP27400986A JP27400986A JPS63129543A JP S63129543 A JPS63129543 A JP S63129543A JP 27400986 A JP27400986 A JP 27400986A JP 27400986 A JP27400986 A JP 27400986A JP S63129543 A JPS63129543 A JP S63129543A
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Links
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 10
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Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は、情報化社会の進展に#い、ますます増大する
情報に対して、超高密度の情報記録を可能にする記録方
式に関す°る。
情報に対して、超高密度の情報記録を可能にする記録方
式に関す°る。
電気パルス信号の情報を記録再生する装置として、磁気
ディスクと光デイスク装置が知られている。これらの配
縁媒体は高密度化が進められているが、いずれの4曾で
も、単位ビット当りの所要面積は1μm1前後が限度と
iわれている。記録密度で表示すると、約lO−ピッ)
/ciIである。
ディスクと光デイスク装置が知られている。これらの配
縁媒体は高密度化が進められているが、いずれの4曾で
も、単位ビット当りの所要面積は1μm1前後が限度と
iわれている。記録密度で表示すると、約lO−ピッ)
/ciIである。
しかしながら、近年、記憶装置に2いては大量の情報格
納のために、さらに高密度の記録装置が必要とされてい
る。この点、荷電ビーム利用記録再生装置1は、1ビツ
トの所要面積を0.05^0.05μ−前後まで低ドさ
せることが本質的に可能である。
納のために、さらに高密度の記録装置が必要とされてい
る。この点、荷電ビーム利用記録再生装置1は、1ビツ
トの所要面積を0.05^0.05μ−前後まで低ドさ
せることが本質的に可能である。
以上の点で、1970年代の後半、電子線を用いたファ
イルの研究が米国のGE社によって精力的になされた。
イルの研究が米国のGE社によって精力的になされた。
GE社はアールアンドディ、レビュー、1977年、第
12頁から第15頁(R&D、Gg 几eview
、 (1977) P l 2−15 )に見られ
るように、MO8メモリーを電子線で。
12頁から第15頁(R&D、Gg 几eview
、 (1977) P l 2−15 )に見られ
るように、MO8メモリーを電子線で。
薔き込み、読み出し、消去する方式を開発゛した。
しかし1本方式は転送速度やアクセス速度が早い特長を
もうているにも殉ず、記録容量が少ないため、ファイル
実装KA用化されることはなかった。
もうているにも殉ず、記録容量が少ないため、ファイル
実装KA用化されることはなかった。
しかし、近年、情報量の多量記録の必要性が一層高まり
、再度、f1子線記録が注目され出した。特に、情報の
記録はエネルギーの大きい収束イオン線で行い、情報の
読み出しはエネルギーの小さい電子線で行う発表は注目
される。しかし、特開昭58−222453 号に発表
されているように、イオン線と電子線の発生源は別個に
しているため、装置上煩雑になる問題があり、実用化を
進める上で一つのネックとなっている。
、再度、f1子線記録が注目され出した。特に、情報の
記録はエネルギーの大きい収束イオン線で行い、情報の
読み出しはエネルギーの小さい電子線で行う発表は注目
される。しかし、特開昭58−222453 号に発表
されているように、イオン線と電子線の発生源は別個に
しているため、装置上煩雑になる問題があり、実用化を
進める上で一つのネックとなっている。
本発明の目的は、イオン線と電子線を同一荷電ビーム源
から41出す方式にして、情報の書き込みと読み出しを
簡便に、かつ精度良く行うことを可能とすることにある
。
から41出す方式にして、情報の書き込みと読み出しを
簡便に、かつ精度良く行うことを可能とすることにある
。
本発明の記録方式はターゲットに対向して、液体金属搭
載の荷電ビーム源を配置し、書き込み時バターゲットの
電位をビーム源に対して負極として。
載の荷電ビーム源を配置し、書き込み時バターゲットの
電位をビーム源に対して負極として。
イオン線を引き出して、情報の記録を行い、読み出し時
はビーム源に対してターゲットの電位を正極にして、電
子線を引き出して、情報を再生することを特徴とする。
はビーム源に対してターゲットの電位を正極にして、電
子線を引き出して、情報を再生することを特徴とする。
本発明を用いることにより、情報の書き込み用イオン線
と情報の読み出し用心子線を同一荷電ビーム源から引き
出すことができ、荷電ビーム利用超高密度記録を簡単な
構成で達成できる。
と情報の読み出し用心子線を同一荷電ビーム源から引き
出すことができ、荷電ビーム利用超高密度記録を簡単な
構成で達成できる。
以上1本発明の荷電ビーム利用超高密度記録の実施例を
述べる。
述べる。
実施例1
蓄き込みはSnやpbなどの低融点の液体金属を搭載し
て、高融点材料のエミッターから電界成蟻でイオンを引
き出す収束イオン源1を用いた。
て、高融点材料のエミッターから電界成蟻でイオンを引
き出す収束イオン源1を用いた。
情報信号プロセッサ2の出力するディジタル情報に応じ
て、Snやpbイオン線3を所定の溝加工処理しである
トラック1嘔4に照射して、記録ドツト5を形成した。
て、Snやpbイオン線3を所定の溝加工処理しである
トラック1嘔4に照射して、記録ドツト5を形成した。
イオン線は印加電圧2kV、イオン鑞流1μAとし、0
.1μmφに収束させて、0.2μm間隔のトラック溝
加工処理がしである6インチのSi板6に照射した。8
1板上には導電性?高めるため+ 100 nm程度
のAu膜7を設けた。
.1μmφに収束させて、0.2μm間隔のトラック溝
加工処理がしである6インチのSi板6に照射した。8
1板上には導電性?高めるため+ 100 nm程度
のAu膜7を設けた。
これにより、0.2μmの溝の中に、0.1μmφのド
ツト書き込みが可能となり IQIOビット/−の高密
度記録が達成できた。イオン線引き出しの場−8−は1
発生源を正極、ターゲットを負極にする必要があるので
、この極性の設定は人力信号に基づいて、切り換えスイ
ッチ8で行った。
ツト書き込みが可能となり IQIOビット/−の高密
度記録が達成できた。イオン線引き出しの場−8−は1
発生源を正極、ターゲットを負極にする必要があるので
、この極性の設定は人力信号に基づいて、切り換えスイ
ッチ8で行った。
読み出し方式
読み出しは第1図の構成において、荷電ビーム発生源1
を負極、ターゲットを正極に、入力信号に基づいてスイ
ッチ8で切り換えた。印加電圧2kVで、20μAの成
子線を引き出すことができた。成子線を0.1μmφに
収束して、ディスク上の所定トラックの所に照射した。
を負極、ターゲットを正極に、入力信号に基づいてスイ
ッチ8で切り換えた。印加電圧2kVで、20μAの成
子線を引き出すことができた。成子線を0.1μmφに
収束して、ディスク上の所定トラックの所に照射した。
情報の読み出しはPb−?Snの記録ドツトと下地のA
u膜で発生する2次電子、反射電子、蛍光X線を検知器
9で測定することで行った。読み出しは吸収電流を用い
ても良い。
u膜で発生する2次電子、反射電子、蛍光X線を検知器
9で測定することで行った。読み出しは吸収電流を用い
ても良い。
これにより、0.2μmのトラック・嘔の中にある0、
1μmφのドツトli!み出しがなされた。また。
1μmφのドツトli!み出しがなされた。また。
電子の発生源が液体金属であるため、イオン衝撃命が確
認できた。
認できた。
本発明によれば、荷電ビームの発生源に液体金属を用い
て、書き込み時はターゲットの電位を負にして、イオン
線を引き出し、読み出し時はターゲットの電位を正にし
て、電子線を引き出して。
て、書き込み時はターゲットの電位を負にして、イオン
線を引き出し、読み出し時はターゲットの電位を正にし
て、電子線を引き出して。
同−荷載ビーム発生源で、記録、再生できる超高密度記
録を可能にできる。
録を可能にできる。
第1図は本発明の荷電ビーム利用超高密度記録方式を示
すモデル図である。
すモデル図である。
Claims (1)
- 1、情報の書き込みと読み出しに液体金属からなる荷電
ビーム源を用いて、書き込み時はビーム源に対してター
ゲット電位を負にしてイオン線を引き出し、照射する工
程と、読み出し時は同一ビーム源に対して、ターゲット
電位を正にして電子線を引き出し、照射する工程とから
なることを特徴とする荷電ビーム利用超高密度記録方式
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27400986A JPS63129543A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 荷電ビ−ム利用超高密度記録方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27400986A JPS63129543A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 荷電ビ−ム利用超高密度記録方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63129543A true JPS63129543A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17535680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27400986A Pending JPS63129543A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 荷電ビ−ム利用超高密度記録方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63129543A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6308405B1 (en) | 1990-02-07 | 2001-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing an electrode substrate |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP27400986A patent/JPS63129543A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6308405B1 (en) | 1990-02-07 | 2001-10-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for preparing an electrode substrate |
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