JPS59227043A - 光学式情報記録方式 - Google Patents
光学式情報記録方式Info
- Publication number
- JPS59227043A JPS59227043A JP58099572A JP9957283A JPS59227043A JP S59227043 A JPS59227043 A JP S59227043A JP 58099572 A JP58099572 A JP 58099572A JP 9957283 A JP9957283 A JP 9957283A JP S59227043 A JPS59227043 A JP S59227043A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- address
- semiconductor laser
- sector
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- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の改良に閏するものである。
一般的な光学式″［１ｖ報記録再生装置について第１図
を用いて説明する。第１図において、ｌは半導体レーザ
で、該半導体レーザ１から出射される光ビーム２は変調
信号発生器３により情報に応じて変調される。４はλ／
４板、５はビームスプリッタ、６はトラッキングミラー
、７は対物レンズ、８はディスクで、モータ９により駆
動される。１０はシリンドリカルレンズ、１１は光検出
器、１２は増幅器である。記録時には、半導体レーザエ
から情報に応じて変調された光ビーム２が出射される。
を用いて説明する。第１図において、ｌは半導体レーザ
で、該半導体レーザ１から出射される光ビーム２は変調
信号発生器３により情報に応じて変調される。４はλ／
４板、５はビームスプリッタ、６はトラッキングミラー
、７は対物レンズ、８はディスクで、モータ９により駆
動される。１０はシリンドリカルレンズ、１１は光検出
器、１２は増幅器である。記録時には、半導体レーザエ
から情報に応じて変調された光ビーム２が出射される。
該光ビーム２はλ／４板４、ビームスプリッタ５、トラ
ッキングミラー６及び対物レンズ７を介してディスク８
上に入射する。この半導体レーザ１のパワーの強弱によ
ってディスク８上では凹凸等のビット（光ディスクの場
合）が形成され、情報が記録される。
ッキングミラー６及び対物レンズ７を介してディスク８
上に入射する。この半導体レーザ１のパワーの強弱によ
ってディスク８上では凹凸等のビット（光ディスクの場
合）が形成され、情報が記録される。
再生時には、記録時よりも弱い一定光量の光ビーム２が
半導体レーザ１から出射され、記録時と同様の光路を経
てディスク８上に入射する・ディスク８からの反射光は
対物レンズ７、トラッキングミラー６、ビームスプリン
タ５及びシリンドリカルレンズ１０を介して光検出器１
１へ入射し、増幅器１２により増幅され、再生信号とし
て取り出される。
半導体レーザ１から出射され、記録時と同様の光路を経
てディスク８上に入射する・ディスク８からの反射光は
対物レンズ７、トラッキングミラー６、ビームスプリン
タ５及びシリンドリカルレンズ１０を介して光検出器１
１へ入射し、増幅器１２により増幅され、再生信号とし
て取り出される。
このような装置において、使用されるディスク８によっ
て光感度のバラツキがある場合、次の様な問題点が発生
する。即ち、該装置は高密度記録手段として開発されて
いるため、再生信号のＳ／Ｎ比を限界ギリギリまで使用
することにより、より記録密度のアップがはかられてい
る。そのため、各々のディスク８の光感度にバラツキが
あると、再生信号のＳ／Ｎ比の限界を越えて記録される
場合があり、再生かでキないことがあった。
て光感度のバラツキがある場合、次の様な問題点が発生
する。即ち、該装置は高密度記録手段として開発されて
いるため、再生信号のＳ／Ｎ比を限界ギリギリまで使用
することにより、より記録密度のアップがはかられてい
る。そのため、各々のディスク８の光感度にバラツキが
あると、再生信号のＳ／Ｎ比の限界を越えて記録される
場合があり、再生かでキないことがあった。
本発明の目的は、上述した問題点を解決し、記録媒体の
光感度にバラツキがあっても、常に最適な再生信号を与
えることができる光学式情報１１］録方式を提供するこ
とである。
光感度にバラツキがあっても、常に最適な再生信号を与
えることができる光学式情報１１］録方式を提供するこ
とである。
この目的を達成するために、本発明は、情報記録に先立
って、記録媒体上に照射される光ビームの光量を変更し
つつ試し記録を行い、試し記録を再生することによって
光ビームの光量の最適値を判別し、情報記録時に光ビー
ムの光量を前記最適値に制御するようにし、以て、記録
媒体の光感度に応じて光ビームの光量を変更するように
したことを特徴とする。
って、記録媒体上に照射される光ビームの光量を変更し
つつ試し記録を行い、試し記録を再生することによって
光ビームの光量の最適値を判別し、情報記録時に光ビー
ムの光量を前記最適値に制御するようにし、以て、記録
媒体の光感度に応じて光ビームの光量を変更するように
したことを特徴とする。
以下、本発明を第２図及び第３図によって詳細に説明す
る。
る。
第２図は本発明に用いる一般的なディスクの形状を示す
平面図、第３図は本発明を実施するための半導体レーザ
の制御系を示すブロック図である。第１図と同じ部分は
同一符号にて表す。
平面図、第３図は本発明を実施するための半導体レーザ
の制御系を示すブロック図である。第１図と同じ部分は
同一符号にて表す。
ディスク８上の最外周のトラック１３をアドレス阻１、
その内側のトラック】３をアドレス阻２、・・・という
ように、最外周から最内周ヘアドレス陰が予め記録され
ており、また、それぞれのトラック１３は８つのセクタ
１４に分割されており、該８つのセクタ１４にもトラン
ク１３と同様セクタａ ＝ ｈが予め記録されている。
その内側のトラック】３をアドレス阻２、・・・という
ように、最外周から最内周ヘアドレス陰が予め記録され
ており、また、それぞれのトラック１３は８つのセクタ
１４に分割されており、該８つのセクタ１４にもトラン
ク１３と同様セクタａ ＝ ｈが予め記録されている。
１５は増幅器１２から入力する再生信号のピーク値を検
知するピーク検知器、１６は現在再生しているディスク
８上のトラック１３のアドレスＮｉｌ及びそのトラック
１３内のセクタ１４のセクタアドレスを検出するアドレ
ス検出回路、１７゜１８はピーク検知器１５から入力す
る信号と基イ罵へ電圧発生回路１９．２０から入力する
基準電圧■ｌ＋ Ｖ２ （ｖｔ＞ｖｔ ）とを比較する
比較器、２１はインバータ、２２はアンドゲート、２３
はそれぞれの場合（詳細は動作の説明にてする）に応じ
て後述する半導体レーザ駆動回路への出力を制御する制
御回路、２４はディスク８上の最外周のトランク１３（
アドレスＮｎｌ、セクタａ）に記録されている情報（半
導体レーザの出力強度）を検出する最適値検出回路、２
５は最適値検出回路２４から入力する信号を制御回路２
３を介して一旦記憶するメモリ（例えばＲＡＭ等）、２
６は制御回路２３又はメモリ２５から入力するディジタ
ル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換器、２７は
半導体レーザな駆動する半導体レーザ駆動回路である。
知するピーク検知器、１６は現在再生しているディスク
８上のトラック１３のアドレスＮｉｌ及びそのトラック
１３内のセクタ１４のセクタアドレスを検出するアドレ
ス検出回路、１７゜１８はピーク検知器１５から入力す
る信号と基イ罵へ電圧発生回路１９．２０から入力する
基準電圧■ｌ＋ Ｖ２ （ｖｔ＞ｖｔ ）とを比較する
比較器、２１はインバータ、２２はアンドゲート、２３
はそれぞれの場合（詳細は動作の説明にてする）に応じ
て後述する半導体レーザ駆動回路への出力を制御する制
御回路、２４はディスク８上の最外周のトランク１３（
アドレスＮｎｌ、セクタａ）に記録されている情報（半
導体レーザの出力強度）を検出する最適値検出回路、２
５は最適値検出回路２４から入力する信号を制御回路２
３を介して一旦記憶するメモリ（例えばＲＡＭ等）、２
６は制御回路２３又はメモリ２５から入力するディジタ
ル信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換器、２７は
半導体レーザな駆動する半導体レーザ駆動回路である。
次に動作について説明する。新しいディスクに情報を記
録する場合には、まず制御回路２３から再生モード指示
信号が半導体レーザ駆動回路２７へ出力され、半導体レ
ーザがら記録時よりも弱い一定光量の光ビームが発せら
れる。それにより公知の光路を経てディスク８上のアド
レスＮｎ２（）ラック１３）、セクタａがアドレス検出
回路１６によって検出され、その信号が制御回路２３へ
送られる。すると、制御回路２３は再生モード指示信号
を記録モード指示信号に切り換え、同時にＤ／Ａ変換器
２６を介して６、５ ｍ Ｗのディジタル信号を半導体
レーザ駆動回路２７へ出力する。よって、半導体レーザ
がらアドレスＮｎ２（’）ラック１３）のセクタａ（セ
クタ１４内）に対して６．５ ｍ ’Ｗ ％の出力強度
で試し記録が行われる。このような動作がアドレスＮ［
１２（トラック１３）上のセクタａ−ｈに続けられる。
録する場合には、まず制御回路２３から再生モード指示
信号が半導体レーザ駆動回路２７へ出力され、半導体レ
ーザがら記録時よりも弱い一定光量の光ビームが発せら
れる。それにより公知の光路を経てディスク８上のアド
レスＮｎ２（）ラック１３）、セクタａがアドレス検出
回路１６によって検出され、その信号が制御回路２３へ
送られる。すると、制御回路２３は再生モード指示信号
を記録モード指示信号に切り換え、同時にＤ／Ａ変換器
２６を介して６、５ ｍ Ｗのディジタル信号を半導体
レーザ駆動回路２７へ出力する。よって、半導体レーザ
がらアドレスＮｎ２（’）ラック１３）のセクタａ（セ
クタ１４内）に対して６．５ ｍ ’Ｗ ％の出力強度
で試し記録が行われる。このような動作がアドレスＮ［
１２（トラック１３）上のセクタａ−ｈに続けられる。
つまり１次のセクタ！〕に対しては７、０ ｍ Ｗの出
力強度で、セクタＣに対しては７゜５ｍＷの出力強度で
、曲−・セクタｈに対しては１０．０ｍＷの出力強度で
それぞれビームが発せられ、例えば”１” ”Ｏ”のく
り返し信号にてディスク８上に試し記録が行われる。ア
ドレスＮ［１２（トラック１３）への試し記録が終わる
と、半導体レーザから記録時よりも弱い一定光量の光ビ
ームが発せられ、公知の光路を経てディスク８上（アド
レスＮ［Ｌ２のセクタａ−ｈ）に記録された情報が光検
出器１１及び増幅器１２を介して再生信号として読み取
られる。
力強度で、セクタＣに対しては７゜５ｍＷの出力強度で
、曲−・セクタｈに対しては１０．０ｍＷの出力強度で
それぞれビームが発せられ、例えば”１” ”Ｏ”のく
り返し信号にてディスク８上に試し記録が行われる。ア
ドレスＮ［１２（トラック１３）への試し記録が終わる
と、半導体レーザから記録時よりも弱い一定光量の光ビ
ームが発せられ、公知の光路を経てディスク８上（アド
レスＮ［Ｌ２のセクタａ−ｈ）に記録された情報が光検
出器１１及び増幅器１２を介して再生信号として読み取
られる。
光検出器１１及び増幅器１２にて読み取られた再生信号
はピーク検知器１５及びアドレス検出回路１６へ送られ
る。すると、アドレス検出回路１６は現在再生している
トラック１３（今はアドレスＮｎ２）及びセクタ１４（
セクタａ〜ｈ ）を検出し、制御回路２３−＼順次出力
する。
はピーク検知器１５及びアドレス検出回路１６へ送られ
る。すると、アドレス検出回路１６は現在再生している
トラック１３（今はアドレスＮｎ２）及びセクタ１４（
セクタａ〜ｈ ）を検出し、制御回路２３−＼順次出力
する。
また、ピーク検知回路１５では再生信号（アドレスＮｎ
２の各セクタａ−ｈ）のピーク値が検知され、該ピーク
値は比較器１７．１８にて基準′ＩＥ圧発生回路１９か
ら入力する基準電圧Ｖ＋ 、 Ｖ２と順次比較される。
２の各セクタａ−ｈ）のピーク値が検知され、該ピーク
値は比較器１７．１８にて基準′ＩＥ圧発生回路１９か
ら入力する基準電圧Ｖ＋ 、 Ｖ２と順次比較される。
なお、ディスク８の寿命等を考慮して、比較器１７の出
力がローレベル、比較器Ｊ８の出力がハイレベルとなる
場合が記録時の半導体レーザの最適な出力強度となるよ
う基鵡を扛圧Ｖ＋ ■２は決定されている。その結果
、ピーク値が基準電圧■１〉ピーク値〉基準電圧■２の
時、アンドゲート２２はハイレベルの信号を制御回路２
３へ出力する。これにより制御回路２３は、アンドゲー
ト２２からハイレベルの信号が入力した時のアドレス検
出回路１６からの信号により最適な半導体レーザの出力
強度、即ち、今、アドレス検出回路１６からアドレス阻
２及びセクタｄなる情報が入力した時にアンドゲート２
２からハイレベルの信号が入力したとすれば、ディスク
８への最適な半導体レーザの出力強度は８．０ｍＷであ
ることを検出できる。
力がローレベル、比較器Ｊ８の出力がハイレベルとなる
場合が記録時の半導体レーザの最適な出力強度となるよ
う基鵡を扛圧Ｖ＋ ■２は決定されている。その結果
、ピーク値が基準電圧■１〉ピーク値〉基準電圧■２の
時、アンドゲート２２はハイレベルの信号を制御回路２
３へ出力する。これにより制御回路２３は、アンドゲー
ト２２からハイレベルの信号が入力した時のアドレス検
出回路１６からの信号により最適な半導体レーザの出力
強度、即ち、今、アドレス検出回路１６からアドレス阻
２及びセクタｄなる情報が入力した時にアンドゲート２
２からハイレベルの信号が入力したとすれば、ディスク
８への最適な半導体レーザの出力強度は８．０ｍＷであ
ることを検出できる。
最適な出力強度が得られることにより、制御回路２３は
、アドレスＮｎｌ （）ラック１３）のセクタａ（セク
タ１４）上に最適値が８．０ｍＷであるというディジタ
ル信号をＤ／Ａ変換器２６、半導体レーザ駆動回路２７
を介して半導体レーザにより８己録させる。
、アドレスＮｎｌ （）ラック１３）のセクタａ（セク
タ１４）上に最適値が８．０ｍＷであるというディジタ
ル信号をＤ／Ａ変換器２６、半導体レーザ駆動回路２７
を介して半導体レーザにより８己録させる。
次に、すでに一部情報が記録されているディスクに新規
情報又は更新情報を記録したい場合には、先ス、アドレ
ス隘１のセクタａに記録されている情報を公知の光路を
介して最適値検出口ｙｓ ２４にて読み取り、読み、取
られた情報は制御回路２３へ出力され、更にメモリ２５
へ送られ、メモリ２５内に記録される。その後、メモリ
２５の出力はＤ／Ａ変換器２６へ送られ、半導体レーザ
の出力強度が読み出された最適値に制御される。
情報又は更新情報を記録したい場合には、先ス、アドレ
ス隘１のセクタａに記録されている情報を公知の光路を
介して最適値検出口ｙｓ ２４にて読み取り、読み、取
られた情報は制御回路２３へ出力され、更にメモリ２５
へ送られ、メモリ２５内に記録される。その後、メモリ
２５の出力はＤ／Ａ変換器２６へ送られ、半導体レーザ
の出力強度が読み出された最適値に制御される。
本実施例によれば、新しいディスクに情報を記録する場
合には、ディスク８のアドレスｔ！１２（トランク１３
）のセクタａ＝ｈ（セクタ１４）上にａｎの出力強度で
試し記録を行い、その中からディスク８に適した半導体
レーザ出力強度情報を得、該出力強度情報を最外周のト
ラック１３（アドレス階１のセクタａ）上に記録する。
合には、ディスク８のアドレスｔ！１２（トランク１３
）のセクタａ＝ｈ（セクタ１４）上にａｎの出力強度で
試し記録を行い、その中からディスク８に適した半導体
レーザ出力強度情報を得、該出力強度情報を最外周のト
ラック１３（アドレス階１のセクタａ）上に記録する。
その後、該ディスク８に新規又は更新情報を記録する場
合には、最外周のトラック１３（アドレスｆｆ１Ｊｎｌ
のセクタａ）上に記録された出力強度情報に基づいて半
導体レーザの出力強度を制御 ４°：するようにしたか
ら、常に最適な再生信号を与えることができる。
合には、最外周のトラック１３（アドレスｆｆ１Ｊｎｌ
のセクタａ）上に記録された出力強度情報に基づいて半
導体レーザの出力強度を制御 ４°：するようにしたか
ら、常に最適な再生信号を与えることができる。
本実施例において、記録媒体として光ディスクを用いて
説明したが光磁気ディスクを用いても良い。また、半導
体レーザ１駆動回路２７により半導体レーザの出力強度
を複数に変更させ、試し記録を行ったが、半導体レーザ
の前面に減衰器を配置し、光ビームの光量制御を行うよ
うな構成にすることもできる。
説明したが光磁気ディスクを用いても良い。また、半導
体レーザ１駆動回路２７により半導体レーザの出力強度
を複数に変更させ、試し記録を行ったが、半導体レーザ
の前面に減衰器を配置し、光ビームの光量制御を行うよ
うな構成にすることもできる。
以上説明したように、本発明によれば、情報記録に先立
って、記録媒体上に照射される光ビームの光量を変更し
つつ試し記録を行い、試し記録を再生することによって
光ビームの光量の最適値を判別し、情報記録時に光ビー
ムの光量を前記最適値に制御するようにし、以て、記録
媒体の光感度に応じて光ビームの光量を変更するように
したから、記録媒体の光感度にバラツキがあっても、常
に最適な再生信号を与えることができる。
って、記録媒体上に照射される光ビームの光量を変更し
つつ試し記録を行い、試し記録を再生することによって
光ビームの光量の最適値を判別し、情報記録時に光ビー
ムの光量を前記最適値に制御するようにし、以て、記録
媒体の光感度に応じて光ビームの光量を変更するように
したから、記録媒体の光感度にバラツキがあっても、常
に最適な再生信号を与えることができる。
第１図は一般的な光学式情報記録再生装置を示す図、第
２図は本発明に用いる一般的なディスフの平面図、第３
図は本発明を実施するだめの半導体レーザの制御系を示
すブロック図である。 ８・・・ディスク、 １１・・・光検出器、 １３
・・・トラック、 １４・・・セクタ、 １５・・
・ピーク検知器、 １６−・・アドレス検出回路、
１７．１８・−・比較器、 １９．２０・・・基準
電圧発生回路。 ２３・−・制御回路、 ２４・・・最適値検出回路、２
５・−・メモリ、 ２７・−・半導体レーザ駆動回路
、Ｖ＋ 、 Ｖ２・・・基準電圧。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 中 村 稔
２図は本発明に用いる一般的なディスフの平面図、第３
図は本発明を実施するだめの半導体レーザの制御系を示
すブロック図である。 ８・・・ディスク、 １１・・・光検出器、 １３
・・・トラック、 １４・・・セクタ、 １５・・
・ピーク検知器、 １６−・・アドレス検出回路、
１７．１８・−・比較器、 １９．２０・・・基準
電圧発生回路。 ２３・−・制御回路、 ２４・・・最適値検出回路、２
５・−・メモリ、 ２７・−・半導体レーザ駆動回路
、Ｖ＋ 、 Ｖ２・・・基準電圧。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 中 村 稔
Claims (1)
- １、 半導体レーザからの光ビームにより記録媒体上に
ｆｉｔ報を記録する光学式情報記録方式において、情報
記録に先立って、記録媒体上に照射される元ビームの光
量を変更しつつ試し記録を行い、試し記録を再生するこ
とによって光ビームの光量の最適値を判別し、情報記録
時に光ビームの光量を前記最適値に制御するようにした
ことを特徴とする光学式情報記録方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099572A JPS59227043A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 光学式情報記録方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58099572A JPS59227043A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 光学式情報記録方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59227043A true JPS59227043A (ja) | 1984-12-20 |
Family
ID=14250825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58099572A Pending JPS59227043A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 光学式情報記録方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59227043A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437745A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Brother Ind Ltd | Magneto-optical disk device |
| JPH03171437A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号記録方法と最適パワー設定装置 |
| EP0478275A2 (en) * | 1990-09-27 | 1992-04-01 | International Business Machines Corporation | A method of and apparatus for controlling laser power in an optical disk drive |
| EP0504829A2 (en) * | 1991-03-19 | 1992-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Write laser power setting device and method |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP58099572A patent/JPS59227043A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437745A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Brother Ind Ltd | Magneto-optical disk device |
| JPH03171437A (ja) * | 1989-11-30 | 1991-07-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号記録方法と最適パワー設定装置 |
| EP0478275A2 (en) * | 1990-09-27 | 1992-04-01 | International Business Machines Corporation | A method of and apparatus for controlling laser power in an optical disk drive |
| EP0478275A3 (en) * | 1990-09-27 | 1992-08-05 | International Business Machines Corporation | A method of and apparatus for controlling laser power in an optical disk drive |
| EP0504829A2 (en) * | 1991-03-19 | 1992-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Write laser power setting device and method |
| US5249172A (en) * | 1991-03-19 | 1993-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Write laser power setting responsive to a series of written test signals having two frequency components |
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