JPS61110351A - 情報記録方法 - Google Patents
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- JPS61110351A JPS61110351A JP59232791A JP23279184A JPS61110351A JP S61110351 A JPS61110351 A JP S61110351A JP 59232791 A JP59232791 A JP 59232791A JP 23279184 A JP23279184 A JP 23279184A JP S61110351 A JPS61110351 A JP S61110351A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B3/00—Recording by mechanical cutting, deforming or pressing, e.g. of grooves or pits; Reproducing by mechanical sensing; Record carriers therefor
- G11B3/68—Record carriers
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
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- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
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- G11B9/061—Record carriers characterised by their structure or form or by the selection of the material; Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高密度情報記録方法に関する。
従来、情報の記憶あるいは記録のための手段として磁気
コア、磁気バブル、半導体メモリーちるいはディスクレ
コード、オーデオテープ、コンパクトディスク、映画フ
ィルム、ビデオディスク、ビデオテープ、フロッピーデ
ィスク等各種のものが知られ、実用化されてきている。
コア、磁気バブル、半導体メモリーちるいはディスクレ
コード、オーデオテープ、コンパクトディスク、映画フ
ィルム、ビデオディスク、ビデオテープ、フロッピーデ
ィスク等各種のものが知られ、実用化されてきている。
しかしながら近年、より高密度の情報記録に対する要求
の高まシと共にカルコゲナイド系材料等を使用した光デ
ィスク、あるいは磁気記録の分野における金属磁性膜媒
体を用いての水平磁化記録や垂直磁化記録、さらには光
磁気ディスクの実用化のための研究がさかんに行われて
いる。これらの情報記録は、それぞれの特長を有してい
るが、記録密度はせいぜい１０６ビツト／鶴２であシ、
さらに超高密度情報記録の技術開発が要求されてきてい
る。
の高まシと共にカルコゲナイド系材料等を使用した光デ
ィスク、あるいは磁気記録の分野における金属磁性膜媒
体を用いての水平磁化記録や垂直磁化記録、さらには光
磁気ディスクの実用化のための研究がさかんに行われて
いる。これらの情報記録は、それぞれの特長を有してい
るが、記録密度はせいぜい１０６ビツト／鶴２であシ、
さらに超高密度情報記録の技術開発が要求されてきてい
る。
本発明の目的は、１０８〜ｉｏｅビツト／ ｗｓ ２の
記録密度を有する新規な情報記録方法を提供することに
ある。
記録密度を有する新規な情報記録方法を提供することに
ある。
本発明は、基体表面に記録すべき情報に応じて変調され
たエネルギー線を照射し、しかる後該基体表面に所定材
料による蒸着処理を施して該エネルギー線の照射部、非
照射部に対応した蒸着非形成部、形成部を設けることを
特徴とする情報記録方法、に関する。
たエネルギー線を照射し、しかる後該基体表面に所定材
料による蒸着処理を施して該エネルギー線の照射部、非
照射部に対応した蒸着非形成部、形成部を設けることを
特徴とする情報記録方法、に関する。
本発明の方法を第７図によって説明する。第１図（ａ）
において記録すべき情報の入力信号ｌは変調装置λを経
てエネルギー線発生器３に入力される。
において記録すべき情報の入力信号ｌは変調装置λを経
てエネルギー線発生器３に入力される。
記録すべき情報信号ｌに応じて変調されたエネルギー線
≠は矢印ｊに沿って移動する基体乙の表面に照射される
。基体乙の表面には記録すべき情報に応じてエネルギー
ａＩ７Ｉ−の照射部７と非照射部ｌが形成される。しか
る後基体乙の表面に蒸着処理を施すと第１図（ｂ）に示
されるようにエネルギー線μの照射部７に対応する部分
には蒸着が次されず、非照射部ｒには蒸着がなされる（
蒸着形成部り）ものである。すなわち記録すべき情報信
号ｌが、基体乙の表面上に蒸着形成部と非形成部のパタ
ーンとして記録されるものである。
≠は矢印ｊに沿って移動する基体乙の表面に照射される
。基体乙の表面には記録すべき情報に応じてエネルギー
ａＩ７Ｉ−の照射部７と非照射部ｌが形成される。しか
る後基体乙の表面に蒸着処理を施すと第１図（ｂ）に示
されるようにエネルギー線μの照射部７に対応する部分
には蒸着が次されず、非照射部ｒには蒸着がなされる（
蒸着形成部り）ものである。すなわち記録すべき情報信
号ｌが、基体乙の表面上に蒸着形成部と非形成部のパタ
ーンとして記録されるものである。
蒸着形成部と非形成部とを明確１ｃＬｓ／Ｎを向上させ
るため必要に応じて蒸着処理後に基体を加熱しても良い
。
るため必要に応じて蒸着処理後に基体を加熱しても良い
。
本発明においてエネルギー線とは、α線、β線、ｒｍｚ
電子線、レーザー線、Ｘａ、イオン粒子線、中性子線、
陽子線を指し特に好ましいのは電子線である。
電子線、レーザー線、Ｘａ、イオン粒子線、中性子線、
陽子線を指し特に好ましいのは電子線である。
さらに本発明に使用される基体としては５ｉ１Ｇｅ６る
いはＧａＡｓ等の半尊体、Ｃｕ、ｋｌ、ｐｅ、Ｎｉｓ
ｃ、、Ａｕｓ Ｓｎｓ Ｐｂ、Ｍｏ、Ｗ１■、等の金属
およびこれらの合金あるいはガラス、貫母、カーボン、
セラミック等の無機物、ポリマー等の有機物が使用され
る。
いはＧａＡｓ等の半尊体、Ｃｕ、ｋｌ、ｐｅ、Ｎｉｓ
ｃ、、Ａｕｓ Ｓｎｓ Ｐｂ、Ｍｏ、Ｗ１■、等の金属
およびこれらの合金あるいはガラス、貫母、カーボン、
セラミック等の無機物、ポリマー等の有機物が使用され
る。
本発明の方法によシ記録された情報を読出す方法として
は種々の方法が用いられ得る。
は種々の方法が用いられ得る。
特開昭≠ｒ−を弘Ｏコに開示されているような圧力−電
気変換器により蒸着形成部、非形成部の幾何学的形状あ
るいは硬度による圧力差により情報を再生する方法；特
開昭４ｔ７−Ｊ７４ｔ／ｒ、特開昭≠ター／１３／り、
特開昭≠ター２／３３７、特開昭弘ターλｔ３０３に開
示されているような蒸着形成部、非形成部での容量変化
を検出することによって情報を再生する方法；特開昭弘
ター乙ｒｒｔｔｚＸ％開昭４ｌ−ｒＪ７．２ｊ、特開昭
ｐｙ−２３００コ、特開昭ｊ／−！１３０１に開示され
ているような蒸着形成部、非形成部の幾何学的凹凸を光
学的に読み出す方法等が用いられる。幾何学的凸凹を読
出す方法としては５ｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｌ（ｅ／ｊ／
、！７９〜Ｊ！、（／Ｐｒｙ）Ｋ示されているようなそ
れも使用できる。上記の方法では、蒸着形成部、および
非形成部が高密度く形成されている場合には読み出しの
分解能が必ずしも十分に得られないため、電子ビームを
用いた読出し再生方法を用いることもできる。例えば特
公昭≠ｊ−２０ｊコｔ１特公昭Ｊ′７−３２≠ｌ≠、特
開昭ｒｌ−ｉｉ≠ｉｏり、特開昭！ｌ−／３３０１２に
開示されているような蒸着形成部、非形成部での２次電
子放射量差あるいは２次電子の変調を利用しての読出し
方法；あるいは電子線照射によ）発生する反射電子、Ａ
ｕｇｅｒ電子、Ｘ線の放射量差を利用する読出し方法；
さらには米国特許≠、ｉｏｉ、り３！。あるいはＩＥＥ
ＥＴｒａｎｓ、Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ＭＡＧ ７（３
）、４ｒ４’〜４ｒ＆ （／り７／）に示されているよ
うな方法によって読出す方法を用いることができる。あ
るいはまた特開昭！ター／１１０３／に開示されている
ように磁性蒸着材の形成部、および非形成部での磁化差
を磁気トランスジューサーにより検出し情報を読出し再
生する方法もとり得る。
気変換器により蒸着形成部、非形成部の幾何学的形状あ
るいは硬度による圧力差により情報を再生する方法；特
開昭４ｔ７−Ｊ７４ｔ／ｒ、特開昭≠ター／１３／り、
特開昭≠ター２／３３７、特開昭弘ターλｔ３０３に開
示されているような蒸着形成部、非形成部での容量変化
を検出することによって情報を再生する方法；特開昭弘
ター乙ｒｒｔｔｚＸ％開昭４ｌ−ｒＪ７．２ｊ、特開昭
ｐｙ−２３００コ、特開昭ｊ／−！１３０１に開示され
ているような蒸着形成部、非形成部の幾何学的凹凸を光
学的に読み出す方法等が用いられる。幾何学的凸凹を読
出す方法としては５ｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｌ（ｅ／ｊ／
、！７９〜Ｊ！、（／Ｐｒｙ）Ｋ示されているようなそ
れも使用できる。上記の方法では、蒸着形成部、および
非形成部が高密度く形成されている場合には読み出しの
分解能が必ずしも十分に得られないため、電子ビームを
用いた読出し再生方法を用いることもできる。例えば特
公昭≠ｊ−２０ｊコｔ１特公昭Ｊ′７−３２≠ｌ≠、特
開昭ｒｌ−ｉｉ≠ｉｏり、特開昭！ｌ−／３３０１２に
開示されているような蒸着形成部、非形成部での２次電
子放射量差あるいは２次電子の変調を利用しての読出し
方法；あるいは電子線照射によ）発生する反射電子、Ａ
ｕｇｅｒ電子、Ｘ線の放射量差を利用する読出し方法；
さらには米国特許≠、ｉｏｉ、り３！。あるいはＩＥＥ
ＥＴｒａｎｓ、Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ ＭＡＧ ７（３
）、４ｒ４’〜４ｒ＆ （／り７／）に示されているよ
うな方法によって読出す方法を用いることができる。あ
るいはまた特開昭！ター／１１０３／に開示されている
ように磁性蒸着材の形成部、および非形成部での磁化差
を磁気トランスジューサーにより検出し情報を読出し再
生する方法もとり得る。
本発明の方法において蒸着に供せられる材料は本発明に
よシ記録された情報の読み出し方法により定められるも
のであシ、２次電子放射効率の差により情報の読出しを
行う場合は基体と比して４次電子放射効率の異なる材料
（例えば金属基体に対してカーボン蒸着材料）、あるい
は蒸着物質としてＦｅ、ｃ、、Ｎｉ等の磁性材料を用い
、蒸着形成部、および非形成部境界の漏れ磁界によシ読
み出すようにしてもよい。さらに蒸着形成部、および非
形成部の幾何学的凹凸を読み出しに利用するのであれば
蒸着材料は特に限定されない。蒸着形成部、非形成部で
の容量変化を利用するのであれば尊電基体を用いるのが
好ましいし、光学的読出しを行うのでおれば反射率の大
きいＡｇ５ＡＪ等を蒸着材料として用いるのが好ましい
。
よシ記録された情報の読み出し方法により定められるも
のであシ、２次電子放射効率の差により情報の読出しを
行う場合は基体と比して４次電子放射効率の異なる材料
（例えば金属基体に対してカーボン蒸着材料）、あるい
は蒸着物質としてＦｅ、ｃ、、Ｎｉ等の磁性材料を用い
、蒸着形成部、および非形成部境界の漏れ磁界によシ読
み出すようにしてもよい。さらに蒸着形成部、および非
形成部の幾何学的凹凸を読み出しに利用するのであれば
蒸着材料は特に限定されない。蒸着形成部、非形成部で
の容量変化を利用するのであれば尊電基体を用いるのが
好ましいし、光学的読出しを行うのでおれば反射率の大
きいＡｇ５ＡＪ等を蒸着材料として用いるのが好ましい
。
本発明においてエネルギー線照射部に蒸着がなされない
要因は明確でないが、基体表面に電子線等のようなエネ
ルギー線を照射すると照射部は蒸着形成にとって不安定
な状態になるものと考えられる。と＜Ｋｔ子線照射の際
、基体を真空雰囲気下に維持するための真空ポンプに用
いられているオイルが存在することＫよシ蒸着形成部、
および非形成部の分離が明確になるものである。オイル
として好ましいのはアルキルナフタリン、アイ７シルナ
フタリン等の炭化水素系、フェニルメチルポリシロキチ
ン、インタフェニルトリメチルトリシロキサン等のシリ
コーン系、シースエチルへキシルセパケート、ジ−コニ
チルへキシルフタレート等のエステル系のオイルである
。このことは真空ポンプのオイルに限られるものではな
く、スチレン等の有機ガスを微量含む真空雰囲気中にて
電子ビーム等のエネルギー線の照射を行なうことも好ま
しい。
要因は明確でないが、基体表面に電子線等のようなエネ
ルギー線を照射すると照射部は蒸着形成にとって不安定
な状態になるものと考えられる。と＜Ｋｔ子線照射の際
、基体を真空雰囲気下に維持するための真空ポンプに用
いられているオイルが存在することＫよシ蒸着形成部、
および非形成部の分離が明確になるものである。オイル
として好ましいのはアルキルナフタリン、アイ７シルナ
フタリン等の炭化水素系、フェニルメチルポリシロキチ
ン、インタフェニルトリメチルトリシロキサン等のシリ
コーン系、シースエチルへキシルセパケート、ジ−コニ
チルへキシルフタレート等のエステル系のオイルである
。このことは真空ポンプのオイルに限られるものではな
く、スチレン等の有機ガスを微量含む真空雰囲気中にて
電子ビーム等のエネルギー線の照射を行なうことも好ま
しい。
本発明の情報記録方法では電子ビーム等のエネルギー線
を利用するため極めて高密度の情報記録が行えるもので
、例えば電子ビームを用いる場合には１００）：程度に
ビーム径を収束することが可能であるため７０８〜１０
９ビット／絽２程度の高密度記録がもたらされる。
を利用するため極めて高密度の情報記録が行えるもので
、例えば電子ビームを用いる場合には１００）：程度に
ビーム径を収束することが可能であるため７０８〜１０
９ビット／絽２程度の高密度記録がもたらされる。
次に実施例をもって本発明を具体的に説明するが本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
実施例１
ｊｏｐｍｐｌ−のポリエチレンテレフタレートフィルム
上に７１００人 厚のα蒸着膜を均一に形成し九ものを
基体とし、λ進数コード（／、０）で表わされた電気信
号を電子ビームの（オ／、オフ）Ｋ変調させ本発明によ
る情報記録を実施した。電子ビームによる書込みの際の
真空系はクライオポンプによる排気系を使用した。電子
ビームの加速電圧はコｊ ＫＶ 、ビーム電流は！θμ
μＡ、ビーム径はｉｏ人 として変調された電子ビーム
を基体に照射した後、基体上にｃｔをｔＯ又 蒸着し次
に基体を１０００Ｃまで加熱した。こうして得られた情
報記録体を特開昭ｊ／−／３３０／λ号に開示されてい
る再生方法によシ調べたところ、トラック幅！Ｏ＾ 、
で入力信号に応じて最大記録密度が１０ ヒツト／ｍ
（２，！４ｔＸ１０ ｋニット／インチ）の信号が記
録されていた。
上に７１００人 厚のα蒸着膜を均一に形成し九ものを
基体とし、λ進数コード（／、０）で表わされた電気信
号を電子ビームの（オ／、オフ）Ｋ変調させ本発明によ
る情報記録を実施した。電子ビームによる書込みの際の
真空系はクライオポンプによる排気系を使用した。電子
ビームの加速電圧はコｊ ＫＶ 、ビーム電流は！θμ
μＡ、ビーム径はｉｏ人 として変調された電子ビーム
を基体に照射した後、基体上にｃｔをｔＯ又 蒸着し次
に基体を１０００Ｃまで加熱した。こうして得られた情
報記録体を特開昭ｊ／−／３３０／λ号に開示されてい
る再生方法によシ調べたところ、トラック幅！Ｏ＾ 、
で入力信号に応じて最大記録密度が１０ ヒツト／ｍ
（２，！４ｔＸ１０ ｋニット／インチ）の信号が記
録されていた。
実施例λ
鏡面仕上けしたＡｔ板を基体とし、λ進数コード（／、
０）で懺わされた電気信号を電子ビームの（オン、オフ
）に変調させ本発明による情報記録を５！施した。電子
ビームによる書込みの際の真空系は、フェニルメチルポ
リシロキチンをポンプ油としてなる拡散ポンプによる排
気系を使用した。
０）で懺わされた電気信号を電子ビームの（オン、オフ
）に変調させ本発明による情報記録を５！施した。電子
ビームによる書込みの際の真空系は、フェニルメチルポ
リシロキチンをポンプ油としてなる拡散ポンプによる排
気系を使用した。
電子ビームの加速電圧をＪ（７ＫＶ、ビーム電流は１０
０μμ人、ビーム径は１００人 として変調された電子
ビームを基体表面に照射した。次にＡｕｔ−２よＯ又
蒸着後基板を／ＩＯ’Ｃまで加熱した。こうして得られ
た情報記録媒体を実施例／と同様にして読出し再生した
ところ、トラック幅７００人 で入力信号に応じた信号
が再生された。
０μμ人、ビーム径は１００人 として変調された電子
ビームを基体表面に照射した。次にＡｕｔ−２よＯ又
蒸着後基板を／ＩＯ’Ｃまで加熱した。こうして得られ
た情報記録媒体を実施例／と同様にして読出し再生した
ところ、トラック幅７００人 で入力信号に応じた信号
が再生された。
この時最大記録密度はｉｏ ヒラ）／ｍ（λ、Ｊ−μ
Ｘ／（７ヒツト／インチ）１面積密度にしてＩＯ９ビッ
ト／ｌｘ が可能なることが確認された。
Ｘ／（７ヒツト／インチ）１面積密度にしてＩＯ９ビッ
ト／ｌｘ が可能なることが確認された。
実施例３
鏡面仕上げし、クリーニングされたガラス基板を基体と
し、λ進数コード（／、０）で表わされた電気信号１！
ｃ１に子ビームの（オン、オフ）に変調し、本発明によ
る情報記録を実施した。電子ビームによる薔き込みの際
の真空系はアイコシルナフタ’Ｊンをポンプ油としてな
る拡散ポンプによル真空排気系を利用した。電子ビーム
の加速電圧を！ＯＫ■、ビーム電流ｌ！μμＡ、ビーム
径１００Ａとして変調された電子ビームを基体表面に照
射した。次にｈｔをｌｊＯＡＭ着後実施例／と同様にし
て情報の胱出し再生を行なったところトラック＠／ ０
０Ａ で入力信号に応じた信号が記録されているのが確
認された。さらに最大記録密度は面積密度にて１０９ビ
ツト／ｘｘ２が可能であった。
し、λ進数コード（／、０）で表わされた電気信号１！
ｃ１に子ビームの（オン、オフ）に変調し、本発明によ
る情報記録を実施した。電子ビームによる薔き込みの際
の真空系はアイコシルナフタ’Ｊンをポンプ油としてな
る拡散ポンプによル真空排気系を利用した。電子ビーム
の加速電圧を！ＯＫ■、ビーム電流ｌ！μμＡ、ビーム
径１００Ａとして変調された電子ビームを基体表面に照
射した。次にｈｔをｌｊＯＡＭ着後実施例／と同様にし
て情報の胱出し再生を行なったところトラック＠／ ０
０Ａ で入力信号に応じた信号が記録されているのが確
認された。さらに最大記録密度は面積密度にて１０９ビ
ツト／ｘｘ２が可能であった。
貢施例弘
鏡面仕上げしたステンレス箔を基体とし、λ進数コード
（／、０）で表わされた電気信号を電子ビームの（オン
、オフ）Ｋ変調し、本発明による情報記録を実施した。
（／、０）で表わされた電気信号を電子ビームの（オン
、オフ）Ｋ変調し、本発明による情報記録を実施した。
電子ビームによる書き込みの際の真空系はり２イオポン
プによる真空排気系とし、書き込み時スチレンガスを真
空系に導入した。電子ビームの加速電圧を２０’ｌ（ｖ
、ビーム電流２００μμＡ、ビーム径２６０＾ とし、
変調された電子ビームを基体表面に照射した。次にパー
マロイを１ｏｏＡ 蒸着後基板を２！００Ｃまで加熱し
た。しかる後基板を直流磁場に保持して基板上の）に−
マロイを磁化し、特開昭ｔ／−ｉｉ弘１０り号に開示さ
れた装置にて読取り再生を行なったところトラック幅１
ＯｏＡ で入力信号に応じたλ進数コード信号の記録さ
れていた。
プによる真空排気系とし、書き込み時スチレンガスを真
空系に導入した。電子ビームの加速電圧を２０’ｌ（ｖ
、ビーム電流２００μμＡ、ビーム径２６０＾ とし、
変調された電子ビームを基体表面に照射した。次にパー
マロイを１ｏｏＡ 蒸着後基板を２！００Ｃまで加熱し
た。しかる後基板を直流磁場に保持して基板上の）に−
マロイを磁化し、特開昭ｔ／−ｉｉ弘１０り号に開示さ
れた装置にて読取り再生を行なったところトラック幅１
ＯｏＡ で入力信号に応じたλ進数コード信号の記録さ
れていた。
実施例！
実施例弘において電子ビームの代りに一μｍ径のアルブ
ンイオンビームを用いて情報を記録し、パーマロイの蒸
着を施して情報記録体を作製した。
ンイオンビームを用いて情報を記録し、パーマロイの蒸
着を施して情報記録体を作製した。
磁気トランスジュー丈−によって信号の読出し再生を行
ったところ、入力信号に応じた信号の記録されているの
が確認された。
ったところ、入力信号に応じた信号の記録されているの
が確認された。
記録情報に応じて変調されたエネルギー線を照射後蒸着
処理を施して基体上に蒸着形成部、および非形成部を設
ける本発明の情報記録方法は、従来の情報記録とは異な
り新規で極めて高密度の情報記録が可能なそれである。
処理を施して基体上に蒸着形成部、および非形成部を設
ける本発明の情報記録方法は、従来の情報記録とは異な
り新規で極めて高密度の情報記録が可能なそれである。
第１図は本発明による情報記録方法を図式的に示してい
る。 ／・・・・・・入力信号 λ・・・・・・ｆ調装置 ３・・・・・・エネルキー線発生器 グ・・・・・・エネルギー線 ！・・・・・・基体の移動方向を示す矢印≦・・・・・
・基体 ７・・・・・・エネルギー線照射部 ！・・・・・・エネルギー線非照射部 り・・・・・・蒸着形成部 特許出願人 富士写Ｘフィルム株式会社第１図 １．４ Ｆ′ ？ ｍ− （ｂ） 昭和５０年７月・２う日 ２９発明の名称 情報記録方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人生 補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ＆ 補正の内容 ／）明細書第弘頁り行 「半導体」を 「半導体」 と補正する。 ２）同書筒７貞λ行 「導電基体」を 「導電基体」 と補正する。 ３）回書第２頁６行 「α蒸着膜」を ｒＣｕ蒸着膜」 と補正する。 弘）回書第り頁／ＩＩ行 「α」を Ｃｕ Ｊ と補正する。 ｊ）回書第７２頁／／行 「アルブン」を 「アルゴン」 と補正する。
る。 ／・・・・・・入力信号 λ・・・・・・ｆ調装置 ３・・・・・・エネルキー線発生器 グ・・・・・・エネルギー線 ！・・・・・・基体の移動方向を示す矢印≦・・・・・
・基体 ７・・・・・・エネルギー線照射部 ！・・・・・・エネルギー線非照射部 り・・・・・・蒸着形成部 特許出願人 富士写Ｘフィルム株式会社第１図 １．４ Ｆ′ ？ ｍ− （ｂ） 昭和５０年７月・２う日 ２９発明の名称 情報記録方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人生 補正の対象
明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ＆ 補正の内容 ／）明細書第弘頁り行 「半導体」を 「半導体」 と補正する。 ２）同書筒７貞λ行 「導電基体」を 「導電基体」 と補正する。 ３）回書第２頁６行 「α蒸着膜」を ｒＣｕ蒸着膜」 と補正する。 弘）回書第り頁／ＩＩ行 「α」を Ｃｕ Ｊ と補正する。 ｊ）回書第７２頁／／行 「アルブン」を 「アルゴン」 と補正する。
Claims (4)
- （１）基体表面に記録すべき情報に応じて変調されたエ
ネルギー線を照射し、しかる後該基体表面に蒸着処理を
施し、該エネルギー線の照射部、非照射部に対応した蒸
着非形成部、形成部を設けることを特徴とする情報記録
方法。 - （２）蒸着処理後に基体加熱処理を行うことを特徴とす
る特許請求の範囲第（１）項記載の情報記録方法。 - （３）エネルギー線が電子線であることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の情報記録方法。 - （４）有機ガスを微少量含む真空雰囲気下において電子
ビームの照射を行うことを特徴とする特許請求の範囲第
（３）項記載の情報記録方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232791A JPS61110351A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 情報記録方法 |
| US06/795,145 US4700198A (en) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Process for recording information by irradiation of, an deposition on, a substrate |
| DE3539196A DE3539196C2 (de) | 1984-11-05 | 1985-11-05 | Verfahren zur Aufzeichnung von Informationen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59232791A JPS61110351A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 情報記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110351A true JPS61110351A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0527174B2 JPH0527174B2 (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=16944806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59232791A Granted JPS61110351A (ja) | 1984-11-05 | 1984-11-05 | 情報記録方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4700198A (ja) |
| JP (1) | JPS61110351A (ja) |
| DE (1) | DE3539196C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62139154A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-22 | Res Dev Corp Of Japan | 情報記録再生方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0265245A3 (en) * | 1986-10-21 | 1992-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of erasable recording and reading of information |
| EP0394995B1 (en) * | 1989-04-25 | 1997-07-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Information record/reproducing apparatus and information recording carrier |
| US5147680A (en) * | 1990-11-13 | 1992-09-15 | Paul Slysh | Laser assisted masking process |
| US6037968A (en) * | 1993-11-09 | 2000-03-14 | Markem Corporation | Scanned marking of workpieces |
| JP3716467B2 (ja) | 1995-07-19 | 2005-11-16 | ソニー株式会社 | 記録媒体並びに情報再生装置、情報記録装置及び情報記録再生装置 |
| DE19808562A1 (de) * | 1998-02-28 | 1999-09-02 | Huebner | Gedrucktes Tonprofil |
| US7258901B1 (en) * | 2000-09-08 | 2007-08-21 | Fei Company | Directed growth of nanotubes on a catalyst |
| AU2003225949A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-10-13 | Ap Technoglass | Laser marking system |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH554582A (de) * | 1973-03-30 | 1974-09-30 | Ibm | Verfahren und einrichtung zum optischen speichern und auslesen binaerer information. |
| JPS6037970B2 (ja) * | 1976-11-12 | 1985-08-29 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製法 |
| JPS57143728A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium |
| US4495242A (en) * | 1981-04-02 | 1985-01-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| US4626315A (en) * | 1984-11-09 | 1986-12-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Process of forming ultrafine pattern |
-
1984
- 1984-11-05 JP JP59232791A patent/JPS61110351A/ja active Granted
-
1985
- 1985-11-05 US US06/795,145 patent/US4700198A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-11-05 DE DE3539196A patent/DE3539196C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62139154A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-22 | Res Dev Corp Of Japan | 情報記録再生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4700198A (en) | 1987-10-13 |
| DE3539196C2 (de) | 1996-05-15 |
| JPH0527174B2 (ja) | 1993-04-20 |
| DE3539196A1 (de) | 1986-05-07 |
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Legal Events
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