JPS605404A - 光磁気記録再生方式 - Google Patents
光磁気記録再生方式Info
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- JPS605404A JPS605404A JP11273783A JP11273783A JPS605404A JP S605404 A JPS605404 A JP S605404A JP 11273783 A JP11273783 A JP 11273783A JP 11273783 A JP11273783 A JP 11273783A JP S605404 A JPS605404 A JP S605404A
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- Japan
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- recording medium
- magnetic field
- layer
- magneto
- optical recording
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野〕
この発明は、光磁気記録再生方式に係り、更に詳しくは
重ね書きが可能で再生時においてＳｌＮ比の向上が見ら
れる光磁気記録再生方式に関するものである。
重ね書きが可能で再生時においてＳｌＮ比の向上が見ら
れる光磁気記録再生方式に関するものである。
第１図は従来の光磁気配録方式を示す原理図である。第
１図において、１は基板、２は光磁気記録媒体、５は集
束レンズ、４はレーザ元。
１図において、１は基板、２は光磁気記録媒体、５は集
束レンズ、４はレーザ元。
５はバイアスコイルである。光磁気記録媒体２としエキ
ｓ−リ一温度の低い記録媒体を用い、信号の記録は以下
の様忙行なう。レーザー光４を集束レンズ３を通して記
録媒体２に照射し照射部の温度をキエリ一温度以上に高
め照射部を磁化し易い状態にする。この時、バイアスコ
イル５に信号に見合った向きに電流を流せば、バイアス
磁界が発生し、その磁界によって磁界方向！／ｃ記録媒
体２の照射部が磁化きれる。このようにして信号が書き
込まれ、その部分が冷却することＫより信号が記録とし
て残る。
ｓ−リ一温度の低い記録媒体を用い、信号の記録は以下
の様忙行なう。レーザー光４を集束レンズ３を通して記
録媒体２に照射し照射部の温度をキエリ一温度以上に高
め照射部を磁化し易い状態にする。この時、バイアスコ
イル５に信号に見合った向きに電流を流せば、バイアス
磁界が発生し、その磁界によって磁界方向！／ｃ記録媒
体２の照射部が磁化きれる。このようにして信号が書き
込まれ、その部分が冷却することＫより信号が記録とし
て残る。
ところで、光磁気記録媒体としてはキエリ一温度が低い
単相膜あるいは書き込み層と読み出し層による２層構造
の膜が用いられる。この２層構造の膜を用いて重ね書き
を行なう場合、書き込み部分のみに集束光を照射しバイ
アスコイル５を流れる電流の向きを変えること忙より可
能となる。しかし、このことは従来の方式では読み出し
層に、誉き込み温度における保磁力が小さい材料を用い
た場合についてのみ可能であって、絖み出し層に該保磁
力の大きい材料を用いた場合には、書き込みに強磁場を
用する必要があった。ところがバイアスコイル５で数Ｍ
Ｈｚから十数１ｄＨｚの高周波帯域における数ＫＯｔの
強磁場を出すことは構成上不可能であり、ゆえに書き込
みが出来ないとい５問題があった。−１強磁場を比較的
出し易い磁束密度の大きい永久磁石等を用いて、信号に
対応するときのみ集束光で記録媒体を照射し信号を書き
込むという方法も考えられるが、この方法では記録媒体
を一方向にしか磁化できないため、あらかじめ記録媒体
全面を前記永久磁石より発する磁界の方向とは逆方向に
磁化する必要があり、旧信号が全て消去され重ね書きが
出来ないと問題があった。
単相膜あるいは書き込み層と読み出し層による２層構造
の膜が用いられる。この２層構造の膜を用いて重ね書き
を行なう場合、書き込み部分のみに集束光を照射しバイ
アスコイル５を流れる電流の向きを変えること忙より可
能となる。しかし、このことは従来の方式では読み出し
層に、誉き込み温度における保磁力が小さい材料を用い
た場合についてのみ可能であって、絖み出し層に該保磁
力の大きい材料を用いた場合には、書き込みに強磁場を
用する必要があった。ところがバイアスコイル５で数Ｍ
Ｈｚから十数１ｄＨｚの高周波帯域における数ＫＯｔの
強磁場を出すことは構成上不可能であり、ゆえに書き込
みが出来ないとい５問題があった。−１強磁場を比較的
出し易い磁束密度の大きい永久磁石等を用いて、信号に
対応するときのみ集束光で記録媒体を照射し信号を書き
込むという方法も考えられるが、この方法では記録媒体
を一方向にしか磁化できないため、あらかじめ記録媒体
全面を前記永久磁石より発する磁界の方向とは逆方向に
磁化する必要があり、旧信号が全て消去され重ね書きが
出来ないと問題があった。
この発明は上述の如き従来技術の問題点を除去するため
になされたもので、この発明の目的は保磁力の大きい材
料を光磁気記録媒体に用いた場合でも皿ね書きが可能で
あ一す、更に従来保磁力が大きいために光磁気記録媒体
として全く利用できなかった材料、特にファラデー回転
角が最大である低温相ＭルーＢｔ等を用いることを可能
にし、それＫよりｓｙｗ比を同上させ得る光磁気記録再
生方式を提供することＫある。
になされたもので、この発明の目的は保磁力の大きい材
料を光磁気記録媒体に用いた場合でも皿ね書きが可能で
あ一す、更に従来保磁力が大きいために光磁気記録媒体
として全く利用できなかった材料、特にファラデー回転
角が最大である低温相ＭルーＢｔ等を用いることを可能
にし、それＫよりｓｙｗ比を同上させ得る光磁気記録再
生方式を提供することＫある。
上記の目的はこの発明によれは１光磁気ＨＣ録媒体とし
てファラデー回転角が最大である低温相Ｊ４ｎ −ｆＪ
ｉとキュリ一温度が低い非晶賞磁性体の２層構造より成
る記録媒体を用いて、該記録媒体近傍に、該媒体面に対
して垂直方向に互いに反対間きとなる磁界を発生する第
１および第２の磁界発生手段を故直し、彫１の磁界発生
手段を用いて記録媒体の集束元照射狽域における配縁を
消去し、更に該領域に集束光を照射して諾２の磁界発生
手段を用いて１Ｍ号を記録することにまり連取できる。
てファラデー回転角が最大である低温相Ｊ４ｎ −ｆＪ
ｉとキュリ一温度が低い非晶賞磁性体の２層構造より成
る記録媒体を用いて、該記録媒体近傍に、該媒体面に対
して垂直方向に互いに反対間きとなる磁界を発生する第
１および第２の磁界発生手段を故直し、彫１の磁界発生
手段を用いて記録媒体の集束元照射狽域における配縁を
消去し、更に該領域に集束光を照射して諾２の磁界発生
手段を用いて１Ｍ号を記録することにまり連取できる。
（！％ Ｉ＃ｊの実施例〕
以下、この発明の実施例な図面を用いて説明１′る。第
２図は本発明の一実施グ１１を示す構成図。
２図は本発明の一実施グ１１を示す構成図。
μ３図は不発明の一実施例における光磁気記録のプロセ
スの説明図１表１は記録媒体に用いる。
スの説明図１表１は記録媒体に用いる。
材料の特性を示す表である。
（以下余白）
表１
表１において、Ｈｃは保磁力、 Ｔｃはキエリ一温度、
θにはカー回転角、θＦはファラデー回転角である。ま
た第２図において、１はカラス等の平面度が得られる基
板、３は集束レンズ、６はカー効果を示しキｓ−リ一温
度が低温相ＭｒＬ−Ｂｉの相転移温度より低い値を示す
磁性薄膜層（ＧｄＣａ 、 ＧｄＴｂＦｇ 、 ＴｂＤ
ｙＦｇ等）、７は現在、ファラデー回転角が最大の値を
示す低温相ＭｒＬ−Ｂｔ層、８は誘電休場、９は簀き込
み時のレーザ光。
θにはカー回転角、θＦはファラデー回転角である。ま
た第２図において、１はカラス等の平面度が得られる基
板、３は集束レンズ、６はカー効果を示しキｓ−リ一温
度が低温相ＭｒＬ−Ｂｉの相転移温度より低い値を示す
磁性薄膜層（ＧｄＣａ 、 ＧｄＴｂＦｇ 、 ＴｂＤ
ｙＦｇ等）、７は現在、ファラデー回転角が最大の値を
示す低温相ＭｒＬ−Ｂｔ層、８は誘電休場、９は簀き込
み時のレーザ光。
１０は消去時のレーザ光、１１は誉き込み用のバイアス
磁石、１２は消去用のバイアス出血である。
磁石、１２は消去用のバイアス出血である。
本実施例忙用いる記録媒体は以下に示す方法により作成
する。磁性薄膜層６として非晶質ＧｒｔＴｂＦｇを用い
基板１上にスパッタリンク等の方法により約１ｏｏｏｆ
ｆ形成する。更に真空蒸着により室温でＭがおよび１３
ｔを薄膜層６上に形成し。
する。磁性薄膜層６として非晶質ＧｒｔＴｂＦｇを用い
基板１上にスパッタリンク等の方法により約１ｏｏｏｆ
ｆ形成する。更に真空蒸着により室温でＭがおよび１３
ｔを薄膜層６上に形成し。
高真空（１０”Ｔｏｒｒ ）で３００℃で数１０時間熱
処理することＫより数１００ＡのＫｎ −Ｂｉ層７が形
成される。さらＫその上に誘電体層８を真空蒸着忙より
使用するレーザ光の波長および誘電体層８の屈折率によ
り決まる最適膜厚だけ形成してできあがる。
処理することＫより数１００ＡのＫｎ −Ｂｉ層７が形
成される。さらＫその上に誘電体層８を真空蒸着忙より
使用するレーザ光の波長および誘電体層８の屈折率によ
り決まる最適膜厚だけ形成してできあがる。
次に、バイアス磁石１１ 、１２について説明する。記
録媒体上には、消去用バイアス磁石１２と誉き込み用バ
イアス磁石１１がバイアス磁界を記録媒体面忙対し工垂
直に互い逆方向に発生する様に設置されている。バイア
ス磁界の強度は。
録媒体上には、消去用バイアス磁石１２と誉き込み用バ
イアス磁石１１がバイアス磁界を記録媒体面忙対し工垂
直に互い逆方向に発生する様に設置されている。バイア
ス磁界の強度は。
書き込み温度１５０℃（非晶質ＧｄＴｂＦｇのキエリ一
温度）における低温相ＭｒＬ−１ｈの保磁力約６００Ｑ
ｇ（低温相Ｍｎ −Ｂｔの保磁力は常温から１５０℃の
間で殆んど変化しない。）より大きく、かつ低温相Ｍｎ
−Ｂｉ層７と非晶質ＧｄＴＡＦｇ磁性薄膜層６（以下
、非晶質層６とする）との常温での磁気結合磁界の値（
非晶質ＧｅｔＴｂＦｅの保磁力１８００（ｂの数倍の埴
）より小さい値に設定する必要があり、本実施例ではバ
イアス磁界を約１００００ｇに設定する。
温度）における低温相ＭｒＬ−１ｈの保磁力約６００Ｑ
ｇ（低温相Ｍｎ −Ｂｔの保磁力は常温から１５０℃の
間で殆んど変化しない。）より大きく、かつ低温相Ｍｎ
−Ｂｉ層７と非晶質ＧｄＴＡＦｇ磁性薄膜層６（以下
、非晶質層６とする）との常温での磁気結合磁界の値（
非晶質ＧｅｔＴｂＦｅの保磁力１８００（ｂの数倍の埴
）より小さい値に設定する必要があり、本実施例ではバ
イアス磁界を約１００００ｇに設定する。
以上の様に構成した本実施例の動作について説明する。
第３図におｈて、１３は旧信号、１４は消去領域、１５
は４ｇ号が畳き込まれた領域であり５小さい矢印はそれ
ぞれ磁化の向きを表わす。まず、消去時のレーザ光１０
ヲ消去用バイアス磁石１２（バイアス磁界は上回きに発
生するものとする）釦近接した記録媒体領域′に照射す
ることにより、既に記録された旧イぎ号１３を一株消去
する。
は４ｇ号が畳き込まれた領域であり５小さい矢印はそれ
ぞれ磁化の向きを表わす。まず、消去時のレーザ光１０
ヲ消去用バイアス磁石１２（バイアス磁界は上回きに発
生するものとする）釦近接した記録媒体領域′に照射す
ることにより、既に記録された旧イぎ号１３を一株消去
する。
この時、消去用レーザ光１０．は該照射部の温度が１５
０℃となる様に設定し、スポット径は消去を確実にする
ために旧１百号のヒツト住より大きい値とする方が望ま
しい。ま１こ、この除の磁化反転について説明すると、
照射部の温度は１５０℃つまり非晶質層６０キュリ一温
度になるため。
０℃となる様に設定し、スポット径は消去を確実にする
ために旧１百号のヒツト住より大きい値とする方が望ま
しい。ま１こ、この除の磁化反転について説明すると、
照射部の温度は１５０℃つまり非晶質層６０キュリ一温
度になるため。
非晶質層６の磁化かＴ１！１失し、照射前には２０００
０ｇ以上あった非晶質層６と低温相Ｍｎ −Ｂｉ層７の
磁気結合Ｍｉ介が重層の低温相１＋ｌｎ −Ｂｉ ）曽
７の保磁力約６０００ｇと同程度に減少して、消去用バ
イアス磁界１００００ｇより小さくなってしまうため。
０ｇ以上あった非晶質層６と低温相Ｍｎ −Ｂｉ層７の
磁気結合Ｍｉ介が重層の低温相１＋ｌｎ −Ｂｉ ）曽
７の保磁力約６０００ｇと同程度に減少して、消去用バ
イアス磁界１００００ｇより小さくなってしまうため。
磁化は消去用バイアス磁界と同方向を向き、消去は完了
する。
する。
次に、信号の優き込みを行なう。信号の書き込みは書き
込み用レーザ光９を消去が完了した消去領域１４に照射
することにより行なう。丁なわち消去領域１４では磁化
はすぺ１上同きになり℃いるため、信号に対応する時の
み書き込み用レーザ光９を照射すれば、その照射部分の
みが書き込み用バイアス磁石より発する磁界（向きは下
向ｆりの影響で磁化反転をおこし、その結果として信号
が書き込まれた領域１５を形成するようになる。この場
合の磁化反転の原理も消去時の場合と同様である。
込み用レーザ光９を消去が完了した消去領域１４に照射
することにより行なう。丁なわち消去領域１４では磁化
はすぺ１上同きになり℃いるため、信号に対応する時の
み書き込み用レーザ光９を照射すれば、その照射部分の
みが書き込み用バイアス磁石より発する磁界（向きは下
向ｆりの影響で磁化反転をおこし、その結果として信号
が書き込まれた領域１５を形成するようになる。この場
合の磁化反転の原理も消去時の場合と同様である。
さらに本実施例では、ファラデ０−回転角が最大でめる
低温相Ｋｎ −Ｂｉを記録媒体として用いているため、
再生時における偏光面回転角をま本構成とすることによ
り、低温相１ｄｎ −Ｂｉ層７の住復元路でのファラテ
ー回転角約３°と非晶質ＧｄＴｂＦａ層６のカーｕ転角
０．５ の和として、約６．３°が見込まれ従来の最高
値の１°に比較して約５倍程度大きくなり、 ＳｌＮ比
の向上がなされる。
低温相Ｋｎ −Ｂｉを記録媒体として用いているため、
再生時における偏光面回転角をま本構成とすることによ
り、低温相１ｄｎ −Ｂｉ層７の住復元路でのファラテ
ー回転角約３°と非晶質ＧｄＴｂＦａ層６のカーｕ転角
０．５ の和として、約６．３°が見込まれ従来の最高
値の１°に比較して約５倍程度大きくなり、 ＳｌＮ比
の向上がなされる。
次に重ね書きの方法につい℃説明する。本実施例では、
従来の方式の様に信号を書き込むために旧傷号１Ｓのす
べてを消去する必要はなく、信号を書き込みたい部分の
みに消去用レーザ光を照射して選択的に消去を行ない、
その部分に信号の重ね書きを行なえばよい。
従来の方式の様に信号を書き込むために旧傷号１Ｓのす
べてを消去する必要はなく、信号を書き込みたい部分の
みに消去用レーザ光を照射して選択的に消去を行ない、
その部分に信号の重ね書きを行なえばよい。
ところで、消去用レーザ光９と畳き込み用レーザ光１０
は同一レーザ光源を用いて時系列的にスイッチングして
照射することにより得られる。
は同一レーザ光源を用いて時系列的にスイッチングして
照射することにより得られる。
また別の方法としておのおの別々のレーザ光源を用い又
も得られる。
も得られる。
第４図（α）はバイアス磁石の他の構成例を示した平面
図、第４図Ｃｂ）は同側面図である。第４図忙おいて、
１６は磁石、１７は穴、１８と１９はそれぞれバイアス
磁界を示す。該ノくイアス磁石１６は１８と１９のバイ
アス磁界が互いに逆方向に発生するよう着磁され、全体
としてひとつの個体として成すものであり、中央にはレ
ーザ光を通す穴１７が設けである。かかるバイアス磁石
を用いても本発明を実現できることはこれ以上説明する
までもないであろう。
図、第４図Ｃｂ）は同側面図である。第４図忙おいて、
１６は磁石、１７は穴、１８と１９はそれぞれバイアス
磁界を示す。該ノくイアス磁石１６は１８と１９のバイ
アス磁界が互いに逆方向に発生するよう着磁され、全体
としてひとつの個体として成すものであり、中央にはレ
ーザ光を通す穴１７が設けである。かかるバイアス磁石
を用いても本発明を実現できることはこれ以上説明する
までもないであろう。
この発明によれば、光磁気記録貴生方式において光磁気
記録媒体として保磁力の大きい材料を使用した場合でも
充分に＠号の畳き込みが可能であり、更に選択的に旧信
号の消去ができるため自由に亘ね書きができる。また従
来、保磁力が大きいために光磁気記録媒体として全く利
用できなかった材料、特にファラデー回転角が最大とな
る低温相ＭｒＬ−Ｂｉにも信号の誉き込みが可能となり
、該低温相Ｊｌｎ −Ｂｉ ’Ｊｃ’用いることにより
再生時における偏光面回転角を従来以上に増大させるこ
とができる。その結果、再生時においてＳ／Ｎ比が向上
するという効果がある。
記録媒体として保磁力の大きい材料を使用した場合でも
充分に＠号の畳き込みが可能であり、更に選択的に旧信
号の消去ができるため自由に亘ね書きができる。また従
来、保磁力が大きいために光磁気記録媒体として全く利
用できなかった材料、特にファラデー回転角が最大とな
る低温相ＭｒＬ−Ｂｉにも信号の誉き込みが可能となり
、該低温相Ｊｌｎ −Ｂｉ ’Ｊｃ’用いることにより
再生時における偏光面回転角を従来以上に増大させるこ
とができる。その結果、再生時においてＳ／Ｎ比が向上
するという効果がある。
第１図は従来の光磁気記録方式の原理図、第２図は不発
明の一実施例を示す構成図、第３図は本＠明の一実施例
における光ａ気記録のプロセスの説明図、第４図（α）
は本発明釦用いるバイアス磁石における他の構成例を示
す平面図。 第４図（ｂ）は同側面図、である。 符号説明 １・・・基板 ２・・・光磁気記録媒体３・・・集束レ
ンズ ４・・・レーザ光５・・・バイアスコイル ６・
・・磁性薄膜層７・・・低温相ＭルーＢｉ層８・・・銹
電体層９・・・誉き込み用レーザ光 １０・・・消去用レーザ光 １１・・・豊き込み用バイアス磁石 １２・・・消去用バイアス磁石 １３・・・旧信号 １４・・・消去領域１５・・・１１
号が書き込まれた領域 １６・・・磁石 １７・・・穴 １８ 、１９・・・バイアス磁界 第１ 図 第２図 ＄、５図 ／ ＄４目 ｔ ８１９
明の一実施例を示す構成図、第３図は本＠明の一実施例
における光ａ気記録のプロセスの説明図、第４図（α）
は本発明釦用いるバイアス磁石における他の構成例を示
す平面図。 第４図（ｂ）は同側面図、である。 符号説明 １・・・基板 ２・・・光磁気記録媒体３・・・集束レ
ンズ ４・・・レーザ光５・・・バイアスコイル ６・
・・磁性薄膜層７・・・低温相ＭルーＢｉ層８・・・銹
電体層９・・・誉き込み用レーザ光 １０・・・消去用レーザ光 １１・・・豊き込み用バイアス磁石 １２・・・消去用バイアス磁石 １３・・・旧信号 １４・・・消去領域１５・・・１１
号が書き込まれた領域 １６・・・磁石 １７・・・穴 １８ 、１９・・・バイアス磁界 第１ 図 第２図 ＄、５図 ／ ＄４目 ｔ ８１９
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）光磁気記録媒体近傍忙、該媒体面に垂直方向に互い
に反対向きとなる磁界を発生する第１および第２の磁界
発生手段を設置し、これら磁界発生手段に対して前記記
録媒体を相対的に移動させながら記録再生を行なう光磁
気記録り生方式においモ、集束光を前記第１の殊界発生
手段忙近接した記録媒体領域に照射すること忙より該領
域を一方向に磁化して消去し１次に前記領域が移動して
第２の磁界発生手段近傍に到来した時に更に集束光を照
射すること忙より該領域に信号を記録するようにしたこ
とを特徴とする光磁気記録再生方式ｄ２）上記第１およ
び第２の磁界発生手段として互いに逆方同和着磁された
永久磁石を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光磁気記録＾生方式。 ５）上記光磁気記録媒体が、少なくとも低温相Ｋｎ −
Ｂｉとアモルファス磁性体の薄膜２層構造となっている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
載の光磁気記録再生方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11273783A JPS605404A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光磁気記録再生方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11273783A JPS605404A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光磁気記録再生方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605404A true JPS605404A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14594283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11273783A Pending JPS605404A (ja) | 1983-06-24 | 1983-06-24 | 光磁気記録再生方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605404A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4939710A (en) * | 1985-10-08 | 1990-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical magnetic memory device utilizing non-recorded portions of recording medium to represent data |
| WO1991011806A1 (en) * | 1990-01-31 | 1991-08-08 | Sony Corporation | Magneto-optical recording/reproducing apparatus |
| US5132945A (en) * | 1986-07-08 | 1992-07-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US5239524A (en) * | 1985-06-11 | 1993-08-24 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
| US5481410A (en) * | 1986-07-08 | 1996-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| US6028824A (en) * | 1986-07-08 | 2000-02-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers |
-
1983
- 1983-06-24 JP JP11273783A patent/JPS605404A/ja active Pending
Cited By (8)
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