JP2616763B2 - 情報記録再生方法 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、情報の記録再生方法、特に、高密度な情報
記録が可能な情報記録再生方法に関する。
記録が可能な情報記録再生方法に関する。
（従来技術） 従来知られている情報の高密度記録再生方法として
は、磁気デイスク、磁気テープ等の強磁性の媒体を使用
した磁気記録再生方法、レーザ光を利用して記録再生を
行う光記録再生方法、あるいは、半導体メモリーなどが
ある。
は、磁気デイスク、磁気テープ等の強磁性の媒体を使用
した磁気記録再生方法、レーザ光を利用して記録再生を
行う光記録再生方法、あるいは、半導体メモリーなどが
ある。
（発明が解決しようとする問題点） しかし、それ等の記録密度は、せいぜい108〜109ビツ
ト/cm2であり、それ以上の高密度記録が可能な記録再生
システムが要求されている。
ト/cm2であり、それ以上の高密度記録が可能な記録再生
システムが要求されている。
本発明の目的は、さらに高密度な記録が可能な新規な
記録再生方法を提供することにある。
記録再生方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段と作用） 本発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
で、その構成は、基板上に記録層が形成されてなる記録
媒体の該記録層が、電子線照射によって消滅（蒸発、分
解）可能な物質によって形成され、かつ互いに分離され
た微小領域に区画されて規則的に配列され、あたかも上
記物質の微粒子が規則的に配列された如き構造を有する
ものであって、 該記録媒体に、記録情報に従って変調された電子線を
照射して、前記記録層を微小領域単位、すなわち各微粒
子単位で選択的に消滅させることにより情報記録を行
い、 該情報が記録された記録媒体上に電子線を照射して、
前記微小領域単位の記録層の有無、すなわち上記微粒子
の有無を検出することによって、記録された情報を再生
する情報記録再生方法である。
で、その構成は、基板上に記録層が形成されてなる記録
媒体の該記録層が、電子線照射によって消滅（蒸発、分
解）可能な物質によって形成され、かつ互いに分離され
た微小領域に区画されて規則的に配列され、あたかも上
記物質の微粒子が規則的に配列された如き構造を有する
ものであって、 該記録媒体に、記録情報に従って変調された電子線を
照射して、前記記録層を微小領域単位、すなわち各微粒
子単位で選択的に消滅させることにより情報記録を行
い、 該情報が記録された記録媒体上に電子線を照射して、
前記微小領域単位の記録層の有無、すなわち上記微粒子
の有無を検出することによって、記録された情報を再生
する情報記録再生方法である。
この方法によれば、可能な記録密度は、あらかじめ規
則的に配列した微粒子の大きさと、照射する電子ビーム
の径とで決定され、現在の電子光学技術を利用すれば、
1012ビツト/cm2程度以上が可能である。
則的に配列した微粒子の大きさと、照射する電子ビーム
の径とで決定され、現在の電子光学技術を利用すれば、
1012ビツト/cm2程度以上が可能である。
この発明の実施態様として、微粒子の基体上への規則
的な配列の方法、微粒子形成物質の具体例、記録のため
の電子線照射量を減少させる方法、再生のための電子線
照射によつて微粒子を消滅させないための方法、微粒子
の有無の検出方法などを包含している。
的な配列の方法、微粒子形成物質の具体例、記録のため
の電子線照射量を減少させる方法、再生のための電子線
照射によつて微粒子を消滅させないための方法、微粒子
の有無の検出方法などを包含している。
本発明の方法を、添付の図面を使用して詳しく説明す
る。
る。
本発明では、まず、基体上に規則的に配列した電子線
照射によつて消滅する物質からなる微粒子を準備する。
これを準備する方法としては、集積回路を製作するため
に用いられる各種のリソグラフイー技術が使用できる
が、最も容易で、しかも、高密度な記録媒体を作成する
ことができる方法としては、最近発見された現像を利用
する下記の方法がある。（特願昭59−163881号参照） すなわち、表面が充分平滑な基体上に細く絞つた電子
ビームを縞状に走査しながら照射する。引き続いて、同
様に同じ場所を前回とは走査の方向を直角にして、縞状
に電子ビームを照射する。しかる後、真空蒸着法により
この基体上に微粒子を形成する物質を、重量膜厚10〜10
0Å程度蒸着する。すると、前記電子線の照射の軌跡に
従い、蒸着した物質の微粒子が縦横に規則的に配列す
る。
照射によつて消滅する物質からなる微粒子を準備する。
これを準備する方法としては、集積回路を製作するため
に用いられる各種のリソグラフイー技術が使用できる
が、最も容易で、しかも、高密度な記録媒体を作成する
ことができる方法としては、最近発見された現像を利用
する下記の方法がある。（特願昭59−163881号参照） すなわち、表面が充分平滑な基体上に細く絞つた電子
ビームを縞状に走査しながら照射する。引き続いて、同
様に同じ場所を前回とは走査の方向を直角にして、縞状
に電子ビームを照射する。しかる後、真空蒸着法により
この基体上に微粒子を形成する物質を、重量膜厚10〜10
0Å程度蒸着する。すると、前記電子線の照射の軌跡に
従い、蒸着した物質の微粒子が縦横に規則的に配列す
る。
以上の方法とは順序を逆にして、まず、基体上に微粒
子を形成する物質を重量膜厚10〜100Å程度に一様に蒸
着し、次いで、上記と同様に電子ビームを相互に直角に
縞状に走査して照射し、不要領域の蒸着物質を消滅させ
ることにより、微粒子を縦横に規則的に配列することも
できる。
子を形成する物質を重量膜厚10〜100Å程度に一様に蒸
着し、次いで、上記と同様に電子ビームを相互に直角に
縞状に走査して照射し、不要領域の蒸着物質を消滅させ
ることにより、微粒子を縦横に規則的に配列することも
できる。
第１図に示したのは、このような方法によつて得られ
た微粒子系である。この二次元に整列した微粒子列に沿
つて細く絞つた電子ビームを走査しながら、デイジタル
変換された信号（０又は１）に従つて電子線をON、OFF
すると、「０」信号に対応した微粒子上には電子線が当
り（第１図中の黒丸部）、「１」に対応した場所にある
微粒子には電子線が照射されない（第１図中の白丸
部）。本発明においては、微粒子は電子線照射によつて
消滅（蒸発、分解）する物質で形成されているため、デ
イジタル信号に対応して微粒子の有無が生じ、信号が記
録される。
た微粒子系である。この二次元に整列した微粒子列に沿
つて細く絞つた電子ビームを走査しながら、デイジタル
変換された信号（０又は１）に従つて電子線をON、OFF
すると、「０」信号に対応した微粒子上には電子線が当
り（第１図中の黒丸部）、「１」に対応した場所にある
微粒子には電子線が照射されない（第１図中の白丸
部）。本発明においては、微粒子は電子線照射によつて
消滅（蒸発、分解）する物質で形成されているため、デ
イジタル信号に対応して微粒子の有無が生じ、信号が記
録される。
本発明において使用できる微粒子として基体上に配列
される、電子線によって消滅（蒸発、分解）可能な物質
としては、例えばLiF,LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、Na
Br、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、C
sF、CsCl、CsBr、CsI、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、A
gBr、AgI、AlF3などのハロゲン化物、パルミチン酸、ス
テアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、メタロフタロ
シアニン、メロシアニン、ナフタレン、アントラセン、
ピレンなどの有機化合物、などが使用できる。特に、K
I、RbI、CsIなどが電子線照射に敏感であり好ましい。
される、電子線によって消滅（蒸発、分解）可能な物質
としては、例えばLiF,LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、Na
Br、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、RbBr、RbI、C
sF、CsCl、CsBr、CsI、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、A
gBr、AgI、AlF3などのハロゲン化物、パルミチン酸、ス
テアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、メタロフタロ
シアニン、メロシアニン、ナフタレン、アントラセン、
ピレンなどの有機化合物、などが使用できる。特に、K
I、RbI、CsIなどが電子線照射に敏感であり好ましい。
本発明の方法による記録は、基体温度が室温でも可能
であるが、基体温度を100℃〜1000℃まで加熱すると、
微粒子を消滅せしめるのに必要な電子線照射量が減少
し、より速い記録が可能となり好ましい。
であるが、基体温度を100℃〜1000℃まで加熱すると、
微粒子を消滅せしめるのに必要な電子線照射量が減少
し、より速い記録が可能となり好ましい。
一方、微粒子のサイズは小さい程、微粒子１個を消滅
させるのに必要な電子線照射量は少なくてすむため、よ
り速い記録が可能となり好ましく、特に、微粒子の大き
さを0.1μｍ以下にするのが好ましい。
させるのに必要な電子線照射量は少なくてすむため、よ
り速い記録が可能となり好ましく、特に、微粒子の大き
さを0.1μｍ以下にするのが好ましい。
本発明では、微粒子の存在の有無として記録された信
号は、記録された微粒子の列に沿つて、記録の時と同様
に電子線を走査しながら照射して、粒子の有無を検出す
ることにより再生される。
号は、記録された微粒子の列に沿つて、記録の時と同様
に電子線を走査しながら照射して、粒子の有無を検出す
ることにより再生される。
粒子の有無を検出するための手段としては、２次電子
放出量、反射電子放出量、試料吸収電流、カソードルミ
ネッセンスなどを検出する方法が使用できるが、２次電
子放出量を検出する方法が最も高い信号対雑音比が得ら
れて好ましい。
放出量、反射電子放出量、試料吸収電流、カソードルミ
ネッセンスなどを検出する方法が使用できるが、２次電
子放出量を検出する方法が最も高い信号対雑音比が得ら
れて好ましい。
本発明においては、再生も電子線照射によつて行うた
め、記録に使用する電子線と同条件で電子線を照射する
と、再生中に微粒子が消滅して記録が失われるので、好
ましくない。それを避けるため、本発明では、 （１） 再生の時、使用する電子線の強度を記録の時に
比べて弱くする方法、 （２） 記録時に比べて、再生時の基体温度を下げる方
法、 （３） 記録後、記録された微粒子系を、電子線を照射
しても消滅（蒸発、分解）しない物質で被覆する方法。
め、記録に使用する電子線と同条件で電子線を照射する
と、再生中に微粒子が消滅して記録が失われるので、好
ましくない。それを避けるため、本発明では、 （１） 再生の時、使用する電子線の強度を記録の時に
比べて弱くする方法、 （２） 記録時に比べて、再生時の基体温度を下げる方
法、 （３） 記録後、記録された微粒子系を、電子線を照射
しても消滅（蒸発、分解）しない物質で被覆する方法。
が可能である。このうち、（２）と（３）の方法は信号
の劣化が少ないのでより好ましい。そして、（３）の方
法では、被覆量が多いと再生時の信号対雑音比が低下し
て好ましくなく、少ないと再生をくり返した時の信号の
劣化が防止しきれず好ましくなく、結局５〜50Åの厚さ
が好ましい。なお、これら３つの方法を併用することも
可能である。
の劣化が少ないのでより好ましい。そして、（３）の方
法では、被覆量が多いと再生時の信号対雑音比が低下し
て好ましくなく、少ないと再生をくり返した時の信号の
劣化が防止しきれず好ましくなく、結局５〜50Åの厚さ
が好ましい。なお、これら３つの方法を併用することも
可能である。
上記（３）の被覆に使用できる物質は、電子ビーム照
射によつて影響を受けない物質で薄膜を形成しやすい物
質であれば何でも良い。例えば、Be、Mg、Ti、Zr、Ｖ、
Nb、Ta、Cr、Mo、Ｗ、Ｃ、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、な
どの金属、Si、Ge、などの半導体、BeO、CaO、Fe2O3、M
gO、NiO、SiO2、ZnO、ZrO2、Al2O3、Cr2O3、TiO2、Co
O、などの酸化物、TiN、Zr3N2、AlN、CrN、Si3N4、Zr
N、Mg3N2、FeN、BN、などの窒化物、ポリエチレン、ポ
リイミド、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネイト、
などの有機化合物などが使用できるが、最も容易な方法
は、記録された微粒子系を拡散ポンプで排気している真
空雰囲気中に入れ、その中で一面に電子線を照射する方
法である。この方法により、前記微粒子系を電子線照射
で誘起された炭化水素で薄く被覆することができる。こ
れは拡散ポンプからのオイルベーパが電子線によつて変
質し吸着したものと考えられる。
射によつて影響を受けない物質で薄膜を形成しやすい物
質であれば何でも良い。例えば、Be、Mg、Ti、Zr、Ｖ、
Nb、Ta、Cr、Mo、Ｗ、Ｃ、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、な
どの金属、Si、Ge、などの半導体、BeO、CaO、Fe2O3、M
gO、NiO、SiO2、ZnO、ZrO2、Al2O3、Cr2O3、TiO2、Co
O、などの酸化物、TiN、Zr3N2、AlN、CrN、Si3N4、Zr
N、Mg3N2、FeN、BN、などの窒化物、ポリエチレン、ポ
リイミド、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネイト、
などの有機化合物などが使用できるが、最も容易な方法
は、記録された微粒子系を拡散ポンプで排気している真
空雰囲気中に入れ、その中で一面に電子線を照射する方
法である。この方法により、前記微粒子系を電子線照射
で誘起された炭化水素で薄く被覆することができる。こ
れは拡散ポンプからのオイルベーパが電子線によつて変
質し吸着したものと考えられる。
本発明の方法により得られる記録密度は、配列した微
粒子の大きさ、及び、照射する電子ビームの径で決定さ
れるが、電子ビームの径は現在の電子光学でもすでに20
Å以下に絞り込むことが可能であり、記録密度は殆んど
配列した微粒子の大きさで決定される。基体上の微粒子
の大きさは、100Å以下まで小さくすることが可能であ
るので、記録密度は1012ビツト/cm2以上が可能である。
粒子の大きさ、及び、照射する電子ビームの径で決定さ
れるが、電子ビームの径は現在の電子光学でもすでに20
Å以下に絞り込むことが可能であり、記録密度は殆んど
配列した微粒子の大きさで決定される。基体上の微粒子
の大きさは、100Å以下まで小さくすることが可能であ
るので、記録密度は1012ビツト/cm2以上が可能である。
（実施例） 次に、いくつかの実施例によつて本発明の方法を具体
的に説明する。ただし、これらの実施例によつて本発明
の範囲が限定されるものではない。
的に説明する。ただし、これらの実施例によつて本発明
の範囲が限定されるものではない。
◎実施例１ 加速電圧30KV、電流10μμＡ、ビーム径約50Åの電子
線で、シリコンウエハ上の20μｍ×20μｍの領域を、20
0Å間隔で縞状に走査しながら、３分間照射した。その
際、電子線が別の走査線に移る時に、ビームがブランキ
ングして照射せぬようにした。
線で、シリコンウエハ上の20μｍ×20μｍの領域を、20
0Å間隔で縞状に走査しながら、３分間照射した。その
際、電子線が別の走査線に移る時に、ビームがブランキ
ングして照射せぬようにした。
次に、上記と同条件で走査方向を上記の場合と、直角
にして、同一領域を照射した。
にして、同一領域を照射した。
次いで、このシリコンウエハ上にヨウ化カリウムを重
量膜厚40Å蒸着した。
量膜厚40Å蒸着した。
このウエハ上の電子線を照射した部分を、電子顕微鏡
で観察したところ、200Å間隔で整然と二次元正方格子
状に配列された直径約150Åのヨウ化カリウムの微粒子
が観察された。
で観察したところ、200Å間隔で整然と二次元正方格子
状に配列された直径約150Åのヨウ化カリウムの微粒子
が観察された。
この配列した微粒子の列に沿つて、加速電圧10KV、電
流１μμＡ、ビーム径40Åの電子線を、2cm/secの速さ
で走査しながら照射し、そのときに放出される２次電子
を検出した。その信号をコンパレータを使つて処理した
ところ、第２図（１）のような信号が得られた。
流１μμＡ、ビーム径40Åの電子線を、2cm/secの速さ
で走査しながら照射し、そのときに放出される２次電子
を検出した。その信号をコンパレータを使つて処理した
ところ、第２図（１）のような信号が得られた。
次に、この配列した微粒子上を微粒子の列に沿つて、
加速電圧40KV、電流100μμＡ、ビーム径100Åの電子線
を、2cm/secの速さで走査しながら照射した。その際、
微粒子１個おき毎に電子ビームをON/OFFした。
加速電圧40KV、電流100μμＡ、ビーム径100Åの電子線
を、2cm/secの速さで走査しながら照射した。その際、
微粒子１個おき毎に電子ビームをON/OFFした。
この過程を経たウエハ上の微粒子の列の沿つて、加速
電圧10KV、電流１μμＡ、ビーム径40Åの電子線を、2c
m/secの速さで走査しながら照射し、そのとき放出され
る２次電子を検出した。その信号をコンパレータを使つ
て処理したところ、第２図（２）のような信号が得られ
た。これは、記録信号がそのまま再生されたことを示
す。
電圧10KV、電流１μμＡ、ビーム径40Åの電子線を、2c
m/secの速さで走査しながら照射し、そのとき放出され
る２次電子を検出した。その信号をコンパレータを使つ
て処理したところ、第２図（２）のような信号が得られ
た。これは、記録信号がそのまま再生されたことを示
す。
◎実施例２ 加速電圧30KV、電流10μμＡ、ビーム径約50Åの電子
線で、シリコンウエハ上の20μｍ×20μｍの領域を、20
0Å間隔で縞状に走査しながら、３分間照射した。その
際、電子線が別の走査線に移る時に、ビームがブランキ
ングして照射せぬようにした。
線で、シリコンウエハ上の20μｍ×20μｍの領域を、20
0Å間隔で縞状に走査しながら、３分間照射した。その
際、電子線が別の走査線に移る時に、ビームがブランキ
ングして照射せぬようにした。
次に、上記と同条件で走査方向を上記の場合と直角に
して、同一領域を照射した。
して、同一領域を照射した。
次いで、このシリコンウエハ上にNaClを重量膜厚40Å
蒸着した。
蒸着した。
このウエハ上の電子線を照射した部分を、電子顕微鏡
で観察したところ、200Å間隔で整然と二次元正方格子
状に配列された直径約150ÅのNaClの微粒子が観察され
た。
で観察したところ、200Å間隔で整然と二次元正方格子
状に配列された直径約150ÅのNaClの微粒子が観察され
た。
この配列した微粒子の列に沿つて、加速電圧10KV、電
流１μμＡ、ビーム径40Åの電子線を、2cm/secの速さ
で走査しながら照射し、そのときに放出される２次電子
を検出した。その信号をコンパレータを使つて処理した
ところ、第２図（３）のような信号が得られた。
流１μμＡ、ビーム径40Åの電子線を、2cm/secの速さ
で走査しながら照射し、そのときに放出される２次電子
を検出した。その信号をコンパレータを使つて処理した
ところ、第２図（３）のような信号が得られた。
このウエハを加熱して、300℃に保持したまま、配列
した微粒子の列に沿つて、加速電圧30KV、電流10μμ
Ａ、ビーム径50Åの電子線を、2cm/secの速さで走査し
ながら照射した。その際、微粒子１個おき毎に電子ビー
ムをON/OFFした。
した微粒子の列に沿つて、加速電圧30KV、電流10μμ
Ａ、ビーム径50Åの電子線を、2cm/secの速さで走査し
ながら照射した。その際、微粒子１個おき毎に電子ビー
ムをON/OFFした。
次に、このウエハを室温に戻し、ウエハ上の微粒子の
列に沿つて、加速電圧30KV、電流10μμＡ、ビーム径50
Åの電子線を、2cm/secの速さで走査しながら照射し、
そのとき放出される２次電子を検出した。その信号をコ
ンパレータを使つて処理したところ、第２図（４）のよ
うな信号が得られた。これは、記録信号がそのまま再生
されたことを示す。
列に沿つて、加速電圧30KV、電流10μμＡ、ビーム径50
Åの電子線を、2cm/secの速さで走査しながら照射し、
そのとき放出される２次電子を検出した。その信号をコ
ンパレータを使つて処理したところ、第２図（４）のよ
うな信号が得られた。これは、記録信号がそのまま再生
されたことを示す。
◎実施例３ 加速電圧30KV、電流10μμＡ、ビーム径約50Åの電子
線で、シリコンウエハ上の20μｍ×20μｍの領域を、20
0Å間隔で縞状に走査しながら、３分間照射した。その
際、電子線が別の走査線に移る時に、ビームがブランキ
ングして照射せぬようにした。
線で、シリコンウエハ上の20μｍ×20μｍの領域を、20
0Å間隔で縞状に走査しながら、３分間照射した。その
際、電子線が別の走査線に移る時に、ビームがブランキ
ングして照射せぬようにした。
次に、上記と同条件で走査方向を上記の場合と直角に
して、同一領域を照射した。
して、同一領域を照射した。
次いで、このシリコンウエハ上にピレンを重量膜厚30
Å蒸着した。
Å蒸着した。
このウエハ上の電子線を照射した部分を、電子顕微鏡
で観察したところ、200Å間隔で整然と二次元正方格子
状に配列された直径約150Åのピレンの微粒子が観察さ
れた。
で観察したところ、200Å間隔で整然と二次元正方格子
状に配列された直径約150Åのピレンの微粒子が観察さ
れた。
この配列した微粒子を微粒子の列に沿つて、加速電圧
40KV、電流100μμＡ、ビーム径100Åの電子線を、2cm/
secの速さで走査しながら照射した。その際、微粒子１
個おき毎に電子ビームをON/OFFした。
40KV、電流100μμＡ、ビーム径100Åの電子線を、2cm/
secの速さで走査しながら照射した。その際、微粒子１
個おき毎に電子ビームをON/OFFした。
次に、この微粒子上に、カーボンを約20Å、真空蒸着
した。
した。
この過程を経たウエハ上の微粒子の列に沿つて、加速
電圧10KV、電流１μμＡ、ビーム径40Åの電子線を、2c
m/secの速さで走査しながら照射し、そのとき放出され
る２次電子を検出した。その信号をコンパレータを使つ
て処理したところ、第２図（５）のような信号が得られ
た。これは、記録信号がそのまま再生されたことを示
す。
電圧10KV、電流１μμＡ、ビーム径40Åの電子線を、2c
m/secの速さで走査しながら照射し、そのとき放出され
る２次電子を検出した。その信号をコンパレータを使つ
て処理したところ、第２図（５）のような信号が得られ
た。これは、記録信号がそのまま再生されたことを示
す。
（発明の効果） 本発明によれば、従来の各種の情報記録再生方法の原
理とは基本的に異なる原理に基づく全く新規な情報記録
再生方法が提供される。そして、その記録密度は1012ビ
ツト/cm2以上が可能であり、従来のものの上限である10
9ビツト/cm2をはるかに上まわつており、今後ますます
高密度記録が要求されるビデオ情報記録再生装置、電子
計算機のメモリー等、その利用範囲は広いと考えられ
る。また、本発明によれば、電子線照射により消滅可能
な物質を基板上にあらかじめ微粒子状、かつ、規則的に
配列し、特定の情報が記録されていない記録媒体を得、
その後に情報に対応して照射される電子線によって情報
が記録されるので、情報を記録しようとする者は、情報
記録用の電子線の照射装置だけを持ち、情報が記録され
ていない微粒子が配列されている基板の供給を受ければ
よいので、実用的な効果が大きい。
理とは基本的に異なる原理に基づく全く新規な情報記録
再生方法が提供される。そして、その記録密度は1012ビ
ツト/cm2以上が可能であり、従来のものの上限である10
9ビツト/cm2をはるかに上まわつており、今後ますます
高密度記録が要求されるビデオ情報記録再生装置、電子
計算機のメモリー等、その利用範囲は広いと考えられ
る。また、本発明によれば、電子線照射により消滅可能
な物質を基板上にあらかじめ微粒子状、かつ、規則的に
配列し、特定の情報が記録されていない記録媒体を得、
その後に情報に対応して照射される電子線によって情報
が記録されるので、情報を記録しようとする者は、情報
記録用の電子線の照射装置だけを持ち、情報が記録され
ていない微粒子が配列されている基板の供給を受ければ
よいので、実用的な効果が大きい。
第１図は本発明によつて情報が記録された基体表面の様
子を模式的に示している平面図、第２図は実施例の基体
から検出された２次電子による再生信号の波形図であ
る。
子を模式的に示している平面図、第２図は実施例の基体
から検出された２次電子による再生信号の波形図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−221846（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−232791（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−29953（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−221847（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−29952（ＪＰ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に記録層が形成されてなる記録媒体
の該記録層が、電子線照射によって消滅（蒸発、分解）
可能な物質によって形成され、かつ互いに分離された微
小領域に区画されて規則的に配列された構造を有するも
のであって、 該記録媒体に、記録情報に従って変調された電子線を照
射して、前記記録層を微小領域単位で選択的に消滅させ
ることにより情報記録を行い、 該情報が記録された記録媒体上に電子線を照射して、前
記微小領域単位の記録層の有無を検出することによっ
て、記録された情報を再生する ことを特徴とする情報記録再生方法 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、記録媒体
の記録層は、まず基体上に電子ビームを異なる２方向へ
交互に交差させて縞状に走査し、ついで電子線照射によ
って消滅（蒸発、分解）可能な物質を蒸着したものであ
ることを特徴とする情報記録再生方法 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項におい
て、電子線照射によって消滅（蒸発、分解）可能な物質
として、LiF,LiCl,LiBr,LiI,NaF,NaCl,NaBr,NaI,KF,KC
l,KI,RbF,RbCl,RbBr,RbI,CsF,CsCl,CsBr,CsI,CuCl,CuB
r,CuI,AgF,AgCl,AgBr,AgI,AlF3,パルミチン酸，ステア
リン酸，アクリル酸，メタクリル酸，メタロフタロシア
ニン，メロシアニン，ナフタレン，アントラセン，ピレ
ンの何れかを用いた記録記録媒体を用いることを特徴と
する情報記録再生方法 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項から第３項の何れか
において、再生のときに使用する電子線の強度を記録の
ときに使用する電子線の強度に比べて弱くすることを特
徴とする情報記録再生方法 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項から第４項の何れか
において、再生のときの基板温度を記録のときの基板温
度よりも低くすることを特徴とする情報記録再生方法 - 【請求項６】特許請求の範囲第１項から第５項の何れか
において、記録が完了した基体上の微粒子を電子ビーム
で消滅しない物質で被覆した後、再生することを特徴と
する情報記録再生方法 - 【請求項７】特許請求の範囲第１項から第５項の何れか
において、電子線照射による微粒子の有無の検出を、電
子線照射時の基体からの２次電子放出量、反射電子放出
量、もしくはカソードルミネッセンスの検出、または、
電子線照射時の基体の試料吸収電流の検出の何れかによ
って行うことを特徴とする情報記録再生方法
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278889A JP2616763B2 (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 情報記録再生方法 |
| US06/939,311 US4805145A (en) | 1985-12-13 | 1986-12-08 | Method for recording and reproducing information |
| DE8686309724T DE3674169D1 (de) | 1985-12-13 | 1986-12-12 | Verfahren zur informationsspeicherung und informationswiedergabe. |
| EP86309724A EP0227395B1 (en) | 1985-12-13 | 1986-12-12 | Method for recording and reproducing information |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60278889A JP2616763B2 (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 情報記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62139154A JPS62139154A (ja) | 1987-06-22 |
| JP2616763B2 true JP2616763B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=17603510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60278889A Expired - Lifetime JP2616763B2 (ja) | 1985-12-13 | 1985-12-13 | 情報記録再生方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4805145A (ja) |
| EP (1) | EP0227395B1 (ja) |
| JP (1) | JP2616763B2 (ja) |
| DE (1) | DE3674169D1 (ja) |
Families Citing this family (4)
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| JPS63140441A (ja) * | 1986-12-02 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | 電子線記録媒体 |
| JP2859715B2 (ja) * | 1989-08-10 | 1999-02-24 | キヤノン株式会社 | 記録媒体用基板及びその製造方法、記録媒体、記録方法、記録再生方法、記録装置、記録再生装置 |
| WO2005045809A2 (en) * | 2003-10-09 | 2005-05-19 | Seagate Technology Llc | Method and system for magnetic recording using self-organized magnetic nanoparticles |
| US7029773B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-04-18 | Seagate Technology Llc | Method and system for magnetic recording using self-organized magnetic nanoparticles |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4059443A (en) * | 1975-01-09 | 1977-11-22 | Xerox Corporation | Electrical information storage system |
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| JPS59221846A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-13 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム記録再生装置 |
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| JPS6029953A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム記録再生装置 |
| JPS60256947A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-18 | Hitachi Ltd | スタンパ作製方法 |
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-
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