JPH0526744A - 圧電素子を用いた力・加速度・磁気のセンサ - Google Patents
圧電素子を用いた力・加速度・磁気のセンサInfo
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- JPH0526744A JPH0526744A JP3203876A JP20387691A JPH0526744A JP H0526744 A JPH0526744 A JP H0526744A JP 3203876 A JP3203876 A JP 3203876A JP 20387691 A JP20387691 A JP 20387691A JP H0526744 A JPH0526744 A JP H0526744A
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L5/00—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes
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- G01L5/167—Apparatus for, or methods of, measuring force, work, mechanical power, or torque, specially adapted for specific purposes for measuring several components of force using piezoelectric means
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- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度補償なしに高精度な検出が可能であり、
しかも製造プロセスが容易な力、加速度、磁気のセンサ
を提供する。 【構成】 可撓性をもった円盤状の基板10の周囲部分
はセンサ筐体に固定され、中心部分には作用体50が接
合される。基板10内の原点Oについて、XYZ三次元
座標系を定義し、X軸に沿って、4組の検出子D1〜D
4が配置される。各検出子は圧電素子21,23を上部
電極31〜34と下部電極41〜44とで挟んだサンド
イッチ構造をしている。加速度の作用により、作用体5
0にX軸方向の力Fxが作用すると、基板10が撓み、
各電極に正または負の電荷が発生する。電荷の発生態様
は、作用した力の方向に依存し、電荷の発生量は、作用
した力の大きさに依存する。よって、この電荷発生パタ
ーンに基づいて、作用した力の各軸方向成分を検出でき
る。
しかも製造プロセスが容易な力、加速度、磁気のセンサ
を提供する。 【構成】 可撓性をもった円盤状の基板10の周囲部分
はセンサ筐体に固定され、中心部分には作用体50が接
合される。基板10内の原点Oについて、XYZ三次元
座標系を定義し、X軸に沿って、4組の検出子D1〜D
4が配置される。各検出子は圧電素子21,23を上部
電極31〜34と下部電極41〜44とで挟んだサンド
イッチ構造をしている。加速度の作用により、作用体5
0にX軸方向の力Fxが作用すると、基板10が撓み、
各電極に正または負の電荷が発生する。電荷の発生態様
は、作用した力の方向に依存し、電荷の発生量は、作用
した力の大きさに依存する。よって、この電荷発生パタ
ーンに基づいて、作用した力の各軸方向成分を検出でき
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電素子を用いた力・
加速度・磁気のセンサ、特に、多次元の各成分ごとに
力、加速度、磁気を検出することのできるセンサに関す
る。
加速度・磁気のセンサ、特に、多次元の各成分ごとに
力、加速度、磁気を検出することのできるセンサに関す
る。
【0002】
【従来の技術】自動車産業や機械産業などでは、力、加
速度、磁気といった物理量を正確に検出できるセンサの
需要が高まっている。特に、二次元あるいは三次元の各
成分ごとにこれらの物理量を検出しうる小型のセンサが
望まれている。
速度、磁気といった物理量を正確に検出できるセンサの
需要が高まっている。特に、二次元あるいは三次元の各
成分ごとにこれらの物理量を検出しうる小型のセンサが
望まれている。
【0003】このような需要に応えるため、シリコンな
どの半導体基板にゲージ抵抗を形成し、外部から加わる
力に基づいて基板に生じる機械的な歪みを、ピエゾ抵抗
効果を利用して電気信号に変換する力センサが提案され
ている。この力センサの検出部に、重錘体を取り付けれ
ば、重錘体に加わる加速度を力として検出する加速度セ
ンサが実現でき、磁性体を取り付ければ、磁性体に作用
する磁気を力として検出する磁気センサが実現できる。
たとえば、特許協力条約に基づく国際公開第WO88/
08521号公報や同第WO89/02587号公報に
は、上述の原理に基づくセンサが開示されている。
どの半導体基板にゲージ抵抗を形成し、外部から加わる
力に基づいて基板に生じる機械的な歪みを、ピエゾ抵抗
効果を利用して電気信号に変換する力センサが提案され
ている。この力センサの検出部に、重錘体を取り付けれ
ば、重錘体に加わる加速度を力として検出する加速度セ
ンサが実現でき、磁性体を取り付ければ、磁性体に作用
する磁気を力として検出する磁気センサが実現できる。
たとえば、特許協力条約に基づく国際公開第WO88/
08521号公報や同第WO89/02587号公報に
は、上述の原理に基づくセンサが開示されている。
【0004】また、特願平2−274299号明細書に
は、2枚の電極板間の静電容量の変化を利用したセンサ
や、2枚の電極板間に圧電素子を挟んだ構造のセンサが
開示されている。これらのセンサでは、力、加速度、磁
気などの作用により、2枚の電極板の間隔に変化を生じ
させ、この間隔の変化を静電容量の変化、あるいは圧電
素子に発生する電荷量の変化として検出するものであ
る。
は、2枚の電極板間の静電容量の変化を利用したセンサ
や、2枚の電極板間に圧電素子を挟んだ構造のセンサが
開示されている。これらのセンサでは、力、加速度、磁
気などの作用により、2枚の電極板の間隔に変化を生じ
させ、この間隔の変化を静電容量の変化、あるいは圧電
素子に発生する電荷量の変化として検出するものであ
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】一般に、ゲージ抵抗や
ピエゾ抵抗係数には温度依存性があるため、上述した半
導体基板を用いたセンサでは、使用する環境の温度に変
動が生じると検出値が誤差を含むようになる。したがっ
て、正確な測定を行うためには、温度補償を行う必要が
ある。特に、自動車などの分野で用いる場合、−40℃
〜+120℃というかなり広い動作温度範囲について温
度補償が必要になる。
ピエゾ抵抗係数には温度依存性があるため、上述した半
導体基板を用いたセンサでは、使用する環境の温度に変
動が生じると検出値が誤差を含むようになる。したがっ
て、正確な測定を行うためには、温度補償を行う必要が
ある。特に、自動車などの分野で用いる場合、−40℃
〜+120℃というかなり広い動作温度範囲について温
度補償が必要になる。
【0006】また、上述した静電容量の変化を利用した
センサは、製造コストが安価であるという利点はある
が、形成される静電容量が小さいため、信号処理がむず
かしいという欠点があり、従来提案されている圧電素子
を利用したセンサは、圧電素子を電極間に挟む必要があ
るため、製造上困難を伴うという問題がある。
センサは、製造コストが安価であるという利点はある
が、形成される静電容量が小さいため、信号処理がむず
かしいという欠点があり、従来提案されている圧電素子
を利用したセンサは、圧電素子を電極間に挟む必要があ
るため、製造上困難を伴うという問題がある。
【0007】そこで本発明は、温度補償なしに高精度な
検出が可能であり、しかも製造プロセスが容易な力、加
速度、磁気のセンサを提供することを目的とする。
検出が可能であり、しかも製造プロセスが容易な力、加
速度、磁気のセンサを提供することを目的とする。
【0008】
(1) 本願第1の発明は、圧電素子を用いた力センサに
おいて、板状の圧電素子と、この圧電素子の上面に形成
された上部電極と、この圧電素子の下面に形成された下
部電極と、によって構成される検出子を4組用意し、可
撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点を
通りかつ基板面に平行な方向にX軸を定義し、用意した
4組の検出子のうちの2組をX軸の正の側に、他の2組
を負の側に、それぞれX軸に沿って並べて配置し、各検
出子の一方の電極を基板に固定し、基板外側の周囲部分
をセンサ筐体に固定し、外部から作用する物理量に基い
て発生した力を、原点に伝達する機能を有する作用体を
形成し、この作用体に発生した力を、4組の検出子の各
電極に発生する電荷に基づいて検出するようにしたもの
である。
おいて、板状の圧電素子と、この圧電素子の上面に形成
された上部電極と、この圧電素子の下面に形成された下
部電極と、によって構成される検出子を4組用意し、可
撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点を
通りかつ基板面に平行な方向にX軸を定義し、用意した
4組の検出子のうちの2組をX軸の正の側に、他の2組
を負の側に、それぞれX軸に沿って並べて配置し、各検
出子の一方の電極を基板に固定し、基板外側の周囲部分
をセンサ筐体に固定し、外部から作用する物理量に基い
て発生した力を、原点に伝達する機能を有する作用体を
形成し、この作用体に発生した力を、4組の検出子の各
電極に発生する電荷に基づいて検出するようにしたもの
である。
【0009】(2) 本願第2の発明は、上述の第1の発
明に係る力センサにおいて、基板の内側(原点側)と外
側(周囲部分側)との関係を逆にし、作用体で発生した
力を基板外側の周囲部分に伝達するようにし、原点近傍
をセンサ筐体に固定したものである。
明に係る力センサにおいて、基板の内側(原点側)と外
側(周囲部分側)との関係を逆にし、作用体で発生した
力を基板外側の周囲部分に伝達するようにし、原点近傍
をセンサ筐体に固定したものである。
【0010】(3) 本願第3の発明は、圧電素子を用い
た力センサにおいて、板状の圧電素子と、この圧電素子
の上面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に
形成された下部電極と、によって構成される検出子を4
組用意し、可撓性をもった基板内の1点に原点を定義
し、この原点を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、
原点を通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ
定義し、用意した4組の検出子のうち、第1の検出子を
X軸の負領域の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領
域の基板内側に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内
側に、第4の検出子をX軸の正領域の基板外側に、それ
ぞれX軸に沿って並べて配置し、各検出子の一方の電極
を基板に固定し、基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固
定し、外部から作用する物理量に基いて発生した力を、
原点に伝達する機能を有する作用体を形成し、各検出子
において、基板に固定された電極に対するもう一方の電
極の電位を求め、第1の検出子における電位と第3の検
出子における電位との和と、第2の検出子における電位
と第4の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、作用体に発生したX軸方向の力を検出し、第1の検
出子における電位と第4の検出子における電位との和
と、第2の検出子における電位と第3の検出子における
電位との和と、の差に基づいて、作用体に発生したZ軸
方向の力を検出するようにしたものである。
た力センサにおいて、板状の圧電素子と、この圧電素子
の上面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に
形成された下部電極と、によって構成される検出子を4
組用意し、可撓性をもった基板内の1点に原点を定義
し、この原点を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、
原点を通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ
定義し、用意した4組の検出子のうち、第1の検出子を
X軸の負領域の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領
域の基板内側に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内
側に、第4の検出子をX軸の正領域の基板外側に、それ
ぞれX軸に沿って並べて配置し、各検出子の一方の電極
を基板に固定し、基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固
定し、外部から作用する物理量に基いて発生した力を、
原点に伝達する機能を有する作用体を形成し、各検出子
において、基板に固定された電極に対するもう一方の電
極の電位を求め、第1の検出子における電位と第3の検
出子における電位との和と、第2の検出子における電位
と第4の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、作用体に発生したX軸方向の力を検出し、第1の検
出子における電位と第4の検出子における電位との和
と、第2の検出子における電位と第3の検出子における
電位との和と、の差に基づいて、作用体に発生したZ軸
方向の力を検出するようにしたものである。
【0011】(4) 本願第4の発明は、上述の第3の発
明に係る力センサにおいて、基板の内側(原点側)と外
側(周囲部分側)との関係を逆にし、作用体で発生した
力を基板外側の周囲部分に伝達するようにし、原点近傍
をセンサ筐体に固定したものである。
明に係る力センサにおいて、基板の内側(原点側)と外
側(周囲部分側)との関係を逆にし、作用体で発生した
力を基板外側の周囲部分に伝達するようにし、原点近傍
をセンサ筐体に固定したものである。
【0012】(5) 本願第5の発明は、圧電素子を用い
た力センサにおいて、板状の圧電素子と、この圧電素子
の上面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に
形成された下部電極と、によって構成される検出子を8
組用意し、可撓性をもった基板内の1点に原点を定義
し、この原点を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、
原点においてX軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY
軸を、原点を通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、そ
れぞれ定義し、用意した8組の検出子のうち、第1の検
出子をX軸の負領域の基板外側に、第2の検出子をX軸
の負領域の基板内側に、第3の検出子をX軸の正領域の
基板内側に、第4の検出子をX軸の正領域の基板外側
に、それぞれX軸に沿って並べて配置し、これら各検出
子の一方の電極を基板に固定し、用意した8組の検出子
のうち、第5の検出子をY軸の負領域の基板外側に、第
6の検出子をY軸の負領域の基板内側に、第7の検出子
をY軸の正領域の基板内側に、第8の検出子をY軸の正
領域の基板外側に、それぞれY軸に沿って並べて配置
し、これら各検出子の一方の電極を基板に固定し、基板
外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、外部から作用す
る物理量に基いて発生した力を、原点に伝達する機能を
有する作用体を形成し、各検出子において、基板に固定
された電極に対するもう一方の電極の電位を求め、第1
の検出子における電位と第3の検出子における電位との
和と、第2の検出子における電位と第4の検出子におけ
る電位との和と、の差に基づいて、作用体に発生したX
軸方向の力を検出し、第5の検出子における電位と第7
の検出子における電位との和と、第6の検出子における
電位と第8の検出子における電位との和と、の差に基づ
いて、作用体に発生したY軸方向の力を検出し、第1の
検出子における電位と第4の検出子における電位との和
と、第2の検出子における電位と第3の検出子における
電位との和と、の差に基づいて、あるいは、第5の検出
子における電位と第8の検出子における電位との和と、
第6の検出子における電位と第7の検出子における電位
との和と、の差に基づいて、または、第1の検出子にお
ける電位、第4の検出子における電位、第5の検出子に
おける電位、および第8の検出子における電位の総和
と、第2の検出子における電位、第3の検出子における
電位、第6の検出子における電位、および第7の検出子
における電位の総和と、の差に基づいて作用体に発生し
たZ軸方向の力を検出するようにしたものである。
た力センサにおいて、板状の圧電素子と、この圧電素子
の上面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に
形成された下部電極と、によって構成される検出子を8
組用意し、可撓性をもった基板内の1点に原点を定義
し、この原点を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、
原点においてX軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY
軸を、原点を通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、そ
れぞれ定義し、用意した8組の検出子のうち、第1の検
出子をX軸の負領域の基板外側に、第2の検出子をX軸
の負領域の基板内側に、第3の検出子をX軸の正領域の
基板内側に、第4の検出子をX軸の正領域の基板外側
に、それぞれX軸に沿って並べて配置し、これら各検出
子の一方の電極を基板に固定し、用意した8組の検出子
のうち、第5の検出子をY軸の負領域の基板外側に、第
6の検出子をY軸の負領域の基板内側に、第7の検出子
をY軸の正領域の基板内側に、第8の検出子をY軸の正
領域の基板外側に、それぞれY軸に沿って並べて配置
し、これら各検出子の一方の電極を基板に固定し、基板
外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、外部から作用す
る物理量に基いて発生した力を、原点に伝達する機能を
有する作用体を形成し、各検出子において、基板に固定
された電極に対するもう一方の電極の電位を求め、第1
の検出子における電位と第3の検出子における電位との
和と、第2の検出子における電位と第4の検出子におけ
る電位との和と、の差に基づいて、作用体に発生したX
軸方向の力を検出し、第5の検出子における電位と第7
の検出子における電位との和と、第6の検出子における
電位と第8の検出子における電位との和と、の差に基づ
いて、作用体に発生したY軸方向の力を検出し、第1の
検出子における電位と第4の検出子における電位との和
と、第2の検出子における電位と第3の検出子における
電位との和と、の差に基づいて、あるいは、第5の検出
子における電位と第8の検出子における電位との和と、
第6の検出子における電位と第7の検出子における電位
との和と、の差に基づいて、または、第1の検出子にお
ける電位、第4の検出子における電位、第5の検出子に
おける電位、および第8の検出子における電位の総和
と、第2の検出子における電位、第3の検出子における
電位、第6の検出子における電位、および第7の検出子
における電位の総和と、の差に基づいて作用体に発生し
たZ軸方向の力を検出するようにしたものである。
【0013】(6) 本願第6の発明は、上述の第5の発
明に係る力センサにおいて、基板の内側(原点側)と外
側(周囲部分側)との関係を逆にし、作用体で発生した
力を基板外側の周囲部分に伝達するようにし、原点近傍
をセンサ筐体に固定したものである。
明に係る力センサにおいて、基板の内側(原点側)と外
側(周囲部分側)との関係を逆にし、作用体で発生した
力を基板外側の周囲部分に伝達するようにし、原点近傍
をセンサ筐体に固定したものである。
【0014】(7) 本願第7の発明は、圧電素子を用い
た力センサにおいて、板状の圧電素子と、この圧電素子
の上面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に
形成された下部電極と、によって構成される検出子を1
2組用意し、可撓性をもった基板内の1点に原点を定義
し、この原点を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、
原点においてX軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY
軸を、原点を通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、原
点においてX,Y,Zの各軸と交わりかつ基板面に平行
な方向にW軸を、それぞれ定義し、用意した12組の検
出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域の基板外側
に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側に、第3の
検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の検出子をX
軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿って並べて
配置し、これら各検出子の一方の電極を基板に固定し、
用意した12組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の
負領域の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基
板内側に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、
第8の検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY
軸に沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極
を基板に固定し、用意した12組の検出子のうち、第9
の検出子をW軸の負領域の基板外側に、第10の検出子
をW軸の負領域の基板内側に、第11の検出子をW軸の
正領域の基板内側に、第12の検出子をW軸の正領域の
基板外側に、それぞれW軸に沿って並べて配置し、これ
ら各検出子の一方の電極を基板に固定し、基板外側の周
囲部分をセンサ筐体に固定し、外部から作用する物理量
に基いて発生した力を、原点に伝達する機能を有する作
用体を形成し、各検出子において、基板に固定された電
極に対するもう一方の電極の電位を求め、第1の検出子
における電位と第3の検出子における電位との和と、第
2の検出子における電位と第4の検出子における電位と
の和と、の差に基づいて、作用体に発生したX軸方向の
力を検出し、第5の検出子における電位と第7の検出子
における電位との和と、第6の検出子における電位と第
8の検出子における電位との和と、の差に基づいて、作
用体に発生したY軸方向の力を検出し、第9の検出子に
おける電位と第12の検出子における電位との和と、第
10の検出子における電位と第11の検出子における電
位との和と、の差に基づいて、作用体に発生したZ軸方
向の力を検出するようにしたものである。
た力センサにおいて、板状の圧電素子と、この圧電素子
の上面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に
形成された下部電極と、によって構成される検出子を1
2組用意し、可撓性をもった基板内の1点に原点を定義
し、この原点を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、
原点においてX軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY
軸を、原点を通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、原
点においてX,Y,Zの各軸と交わりかつ基板面に平行
な方向にW軸を、それぞれ定義し、用意した12組の検
出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域の基板外側
に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側に、第3の
検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の検出子をX
軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿って並べて
配置し、これら各検出子の一方の電極を基板に固定し、
用意した12組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の
負領域の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基
板内側に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、
第8の検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY
軸に沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極
を基板に固定し、用意した12組の検出子のうち、第9
の検出子をW軸の負領域の基板外側に、第10の検出子
をW軸の負領域の基板内側に、第11の検出子をW軸の
正領域の基板内側に、第12の検出子をW軸の正領域の
基板外側に、それぞれW軸に沿って並べて配置し、これ
ら各検出子の一方の電極を基板に固定し、基板外側の周
囲部分をセンサ筐体に固定し、外部から作用する物理量
に基いて発生した力を、原点に伝達する機能を有する作
用体を形成し、各検出子において、基板に固定された電
極に対するもう一方の電極の電位を求め、第1の検出子
における電位と第3の検出子における電位との和と、第
2の検出子における電位と第4の検出子における電位と
の和と、の差に基づいて、作用体に発生したX軸方向の
力を検出し、第5の検出子における電位と第7の検出子
における電位との和と、第6の検出子における電位と第
8の検出子における電位との和と、の差に基づいて、作
用体に発生したY軸方向の力を検出し、第9の検出子に
おける電位と第12の検出子における電位との和と、第
10の検出子における電位と第11の検出子における電
位との和と、の差に基づいて、作用体に発生したZ軸方
向の力を検出するようにしたものである。
【0015】(8) 本願第8の発明は、上述の第7の発
明に係る力センサにおいて、基板の内側(原点側)と外
側(周囲部分側)との関係を逆にし、作用体で発生した
力を基板外側の周囲部分に伝達するようにし、原点近傍
をセンサ筐体に固定したものである。
明に係る力センサにおいて、基板の内側(原点側)と外
側(周囲部分側)との関係を逆にし、作用体で発生した
力を基板外側の周囲部分に伝達するようにし、原点近傍
をセンサ筐体に固定したものである。
【0016】(9) 本願第9〜第14の発明は、上述の
第3〜第8の発明に係る力センサにおいて、各検出子の
所定の電極同士を接続して複数の検出端子を形成し、こ
の検出端子間電圧により力の検出を行うようにしたもの
である。
第3〜第8の発明に係る力センサにおいて、各検出子の
所定の電極同士を接続して複数の検出端子を形成し、こ
の検出端子間電圧により力の検出を行うようにしたもの
である。
【0017】(10) 本願第15の発明は、上述の力セ
ンサにおいて、外部から与えられる加速度に基づいて作
用体に力を発生させることにより、加速度を検出しうる
ようにしたものである。
ンサにおいて、外部から与えられる加速度に基づいて作
用体に力を発生させることにより、加速度を検出しうる
ようにしたものである。
【0018】(11) 本願第16の発明は、上述の力セン
サにおいて、作用体を磁性材料で構成し、外部から与え
られる磁気に基づいて作用体に力を発生させることによ
り、磁気を検出しうるようにしたものである。
サにおいて、作用体を磁性材料で構成し、外部から与え
られる磁気に基づいて作用体に力を発生させることによ
り、磁気を検出しうるようにしたものである。
【0019】
【作 用】本発明に係る力センサでは、可撓性をもった
基板上に定義されたX軸に沿って、4組の検出子が配置
される。これらの検出子は、一方の電極が基板に固定さ
れている。基板の外側(周囲部分側)をセンサ筐体に固
定し、内側(原点側)に力を作用させるか、逆に、基板
の内側(原点側)をセンサ筐体に固定し、外側(周囲部
分側)に力を作用させることにより、基板に撓みが生
じ、この撓みは各検出子の圧電素子に伝達される。この
ため、各検出子の両電極間には、検出子が配置された位
置に応じた電荷が発生する。したがって、この4組の検
出子に基づく電圧により、X軸方向に関する力成分の検
出を行うことができる。また、同じ4組の検出子を用い
て、基板面に対して垂直なZ軸方向に関する力成分の検
出も行うことができる。
基板上に定義されたX軸に沿って、4組の検出子が配置
される。これらの検出子は、一方の電極が基板に固定さ
れている。基板の外側(周囲部分側)をセンサ筐体に固
定し、内側(原点側)に力を作用させるか、逆に、基板
の内側(原点側)をセンサ筐体に固定し、外側(周囲部
分側)に力を作用させることにより、基板に撓みが生
じ、この撓みは各検出子の圧電素子に伝達される。この
ため、各検出子の両電極間には、検出子が配置された位
置に応じた電荷が発生する。したがって、この4組の検
出子に基づく電圧により、X軸方向に関する力成分の検
出を行うことができる。また、同じ4組の検出子を用い
て、基板面に対して垂直なZ軸方向に関する力成分の検
出も行うことができる。
【0020】基板面に平行にX軸およびY軸を定義し、
これら各軸にそれぞれ4組ずつ、合計8組の検出子を配
置すれば、X,Y,Zの3軸に関する力の成分検出が可
能になる。また、Z軸についての検出を独立して行うよ
うにするのであれば、更に4組の検出子を追加し、合計
12組の検出子を配置すればよい。
これら各軸にそれぞれ4組ずつ、合計8組の検出子を配
置すれば、X,Y,Zの3軸に関する力の成分検出が可
能になる。また、Z軸についての検出を独立して行うよ
うにするのであれば、更に4組の検出子を追加し、合計
12組の検出子を配置すればよい。
【0021】力を作用させる作用体として、ある程度の
質量をもった重錘体を用いれば、加速度の検出が可能に
なり、磁性体を用いれば、磁気の検出が可能になる。
質量をもった重錘体を用いれば、加速度の検出が可能に
なり、磁性体を用いれば、磁気の検出が可能になる。
【0022】
【実施例】以下、本発明を図示する実施例に基づいて説
明する。本発明は力センサ、加速度センサ、磁気センサ
のいずれにも適用可能であるが、ここでは、加速度セン
サに適用した例を述べることにする。
明する。本発明は力センサ、加速度センサ、磁気センサ
のいずれにも適用可能であるが、ここでは、加速度セン
サに適用した例を述べることにする。
【0023】センサの基本的な構造
図1は、本発明の一実施例に係る加速度センサの上面
図、図2は、その側断面図である。このセンサは、可撓
性をもった円盤状の基板10を有する。本明細書では、
説明の便宜を考慮して、この基板10の中心部に原点O
を定め、図の矢印方向に、それぞれX軸、Y軸、Z軸を
とり、XYZ三次元座標系を定義している。XY平面は
基板10の基板面に平行な平面となり、Z軸はこれに垂
直な軸となる。図2は、図1に示すセンサをX軸に沿っ
て切断した断面に相当する。
図、図2は、その側断面図である。このセンサは、可撓
性をもった円盤状の基板10を有する。本明細書では、
説明の便宜を考慮して、この基板10の中心部に原点O
を定め、図の矢印方向に、それぞれX軸、Y軸、Z軸を
とり、XYZ三次元座標系を定義している。XY平面は
基板10の基板面に平行な平面となり、Z軸はこれに垂
直な軸となる。図2は、図1に示すセンサをX軸に沿っ
て切断した断面に相当する。
【0024】図1に示すように、基板10の上面には、
扇型の圧電素子21,22,23,24が原点Oを取り
囲むように配置されており、各圧電素子の上面には、そ
れぞれ2枚ずつ上部電極が形成されている。すなわち、
圧電素子21の上面には上部電極31,32が、圧電素
子23の上面には上部電極33,34が、圧電素子22
の上面には上部電極35,36が、圧電素子24の上面
には上部電極37,38が、それぞれ形成されている。
また、図1には示されていないが、各圧電素子の下面に
は、各上部電極31〜38に対応して、これらと同一形
状の下部電極41〜48が形成されている。上部電極3
1〜38と、下部電極41〜48とは、それぞれ圧電素
子を挟んで対向している。この様子は、図2の側断面図
に明瞭に示されている。基板10の下面には、作用体5
0が接合されている。この作用体50は、円柱状の重錘
体であり、作用した加速度に基づいて力を発生し、この
力を基板10の原点O近傍に伝達する機能を有する。ま
た、図2に示すように、基板10の周囲部分は、センサ
筐体60に固着支持されている。本明細書では、この基
板10の周囲部分を外側、原点Oの近傍を内側、と呼ぶ
ことにする。結局、円盤状の基板10の外側はセンサ筐
体60によって固定されており、内側は自由な状態とな
っている。
扇型の圧電素子21,22,23,24が原点Oを取り
囲むように配置されており、各圧電素子の上面には、そ
れぞれ2枚ずつ上部電極が形成されている。すなわち、
圧電素子21の上面には上部電極31,32が、圧電素
子23の上面には上部電極33,34が、圧電素子22
の上面には上部電極35,36が、圧電素子24の上面
には上部電極37,38が、それぞれ形成されている。
また、図1には示されていないが、各圧電素子の下面に
は、各上部電極31〜38に対応して、これらと同一形
状の下部電極41〜48が形成されている。上部電極3
1〜38と、下部電極41〜48とは、それぞれ圧電素
子を挟んで対向している。この様子は、図2の側断面図
に明瞭に示されている。基板10の下面には、作用体5
0が接合されている。この作用体50は、円柱状の重錘
体であり、作用した加速度に基づいて力を発生し、この
力を基板10の原点O近傍に伝達する機能を有する。ま
た、図2に示すように、基板10の周囲部分は、センサ
筐体60に固着支持されている。本明細書では、この基
板10の周囲部分を外側、原点Oの近傍を内側、と呼ぶ
ことにする。結局、円盤状の基板10の外側はセンサ筐
体60によって固定されており、内側は自由な状態とな
っている。
【0025】基板10は可撓性をもった基板であれば、
どのような材質のものを用いてもかまわない。ガラス、
セラミックス、樹脂のような絶縁体で構成してもよい
し、金属のような導体で構成してもよいし。ただし、導
体で構成した場合には、下部電極41〜48を互いに電
気的に独立させるために、基板10上面には絶縁層を形
成しておく必要がある。ここでは、絶縁体で構成した場
合を例にとって説明する。また、圧電素子21〜24と
しては、この実施例では、圧電セラミックを用いてい
る。各電極31〜38,41〜48は、導体であればど
のような材質で構成してもかまわない。また、作用体5
0は、重錘体として機能すればよいので、どのような材
質を用いることも可能であるが、検出感度を高めるため
には、十分な質量が必要であり、密度の高い材質を用い
るのが好ましい。この実施例では、基板10と作用体5
0とを別体として構成しているが、これは各部の機能を
説明するための便宜であり、実際には、基板10と作用
体50とは同じ材質を用いて一体のものとして形成して
もかまわない。
どのような材質のものを用いてもかまわない。ガラス、
セラミックス、樹脂のような絶縁体で構成してもよい
し、金属のような導体で構成してもよいし。ただし、導
体で構成した場合には、下部電極41〜48を互いに電
気的に独立させるために、基板10上面には絶縁層を形
成しておく必要がある。ここでは、絶縁体で構成した場
合を例にとって説明する。また、圧電素子21〜24と
しては、この実施例では、圧電セラミックを用いてい
る。各電極31〜38,41〜48は、導体であればど
のような材質で構成してもかまわない。また、作用体5
0は、重錘体として機能すればよいので、どのような材
質を用いることも可能であるが、検出感度を高めるため
には、十分な質量が必要であり、密度の高い材質を用い
るのが好ましい。この実施例では、基板10と作用体5
0とを別体として構成しているが、これは各部の機能を
説明するための便宜であり、実際には、基板10と作用
体50とは同じ材質を用いて一体のものとして形成して
もかまわない。
【0026】このセンサの製造プロセスは、非常に簡単
である。4つの扇型の圧電素子21〜24の両面に、各
電極31〜38,41〜48を形成し(たとえば、金属
を蒸着すればよい)、このサンドイッチ状になった素子
を基板10の所定位置に配置し、下部電極41〜48の
下面を基板10の上面に接着剤などで固着すればよい。
あるいは、基板10上に下部電極41〜48を形成し、
その上に圧電セラミックを焼結形成し、その上に上部電
極31〜38を形成してもよい。
である。4つの扇型の圧電素子21〜24の両面に、各
電極31〜38,41〜48を形成し(たとえば、金属
を蒸着すればよい)、このサンドイッチ状になった素子
を基板10の所定位置に配置し、下部電極41〜48の
下面を基板10の上面に接着剤などで固着すればよい。
あるいは、基板10上に下部電極41〜48を形成し、
その上に圧電セラミックを焼結形成し、その上に上部電
極31〜38を形成してもよい。
【0027】さて、このセンサの動作を考える上では、
この構造は次のように理解できる。いま、板状の圧電素
子と、この圧電素子の上面に形成された上部電極と、こ
の圧電素子の下面に形成された下部電極と、によって構
成される素子を、「1組の検出子」と呼ぶことにする。
すると、この実施例のセンサは、8組の検出子を基板1
0上に配置したものということができる。すなわち、図
のX軸方向に沿って左から右へ、圧電素子21,電極3
1,41によって構成される第1の検出子D1、圧電素
子21,電極32,42によって構成される第2の検出
子D2、圧電素子23,電極33,43によって構成さ
れる第3の検出子D3、圧電素子23,電極34,44
によって構成される第4の検出子D4、の順に配置され
ている。一方、図のY軸方向に沿って上から下へ、圧電
素子22,電極35,45によって構成される第5の検
出子D5、圧電素子22,電極36,46によって構成
される第6の検出子D6、圧電素子24,電極37,4
7によって構成される第7の検出子D7、圧電素子2
4,電極38,48によって構成される第8の検出子D
8、の順に配置されている。
この構造は次のように理解できる。いま、板状の圧電素
子と、この圧電素子の上面に形成された上部電極と、こ
の圧電素子の下面に形成された下部電極と、によって構
成される素子を、「1組の検出子」と呼ぶことにする。
すると、この実施例のセンサは、8組の検出子を基板1
0上に配置したものということができる。すなわち、図
のX軸方向に沿って左から右へ、圧電素子21,電極3
1,41によって構成される第1の検出子D1、圧電素
子21,電極32,42によって構成される第2の検出
子D2、圧電素子23,電極33,43によって構成さ
れる第3の検出子D3、圧電素子23,電極34,44
によって構成される第4の検出子D4、の順に配置され
ている。一方、図のY軸方向に沿って上から下へ、圧電
素子22,電極35,45によって構成される第5の検
出子D5、圧電素子22,電極36,46によって構成
される第6の検出子D6、圧電素子24,電極37,4
7によって構成される第7の検出子D7、圧電素子2
4,電極38,48によって構成される第8の検出子D
8、の順に配置されている。
【0028】加速度が作用したときに生じる現象
さて、上述の加速度センサに、加速度が作用した場合
に、どのような現象が起こるかを検討してみる。いま、
作用体50にX軸方向の加速度が作用したとすると、図
3に示すように、作用体50の重心GにX軸方向の力F
x(作用体50の質量に比例した大きさをもつ)が発生
することになる。この力Fxにより、原点Oには図3に
おける反時計回りのモーメント力が生じ、基板10の外
側(周囲部分)が固定されているため、基板10は図の
ように撓む。この撓みは、そのまま圧電素子および各電
極へと伝達され、ある部分は伸び、ある部分は縮む変形
が生じる(図では、この伸び縮みを誇張して示してあ
る)。このような撓みにより、各電極には、図3に示す
ような極性の電荷が発生することが知られている。すな
わち、電極31,42,33,44には正電荷が発生
し、電極41,32,43,34には負電荷が発生す
る。なお、圧電素子のこのような性質は、たとえば、
「Development of Acceleration Sensor and Accelerat
ion Evaluation System for Super Low Range Frequenc
y (pp37-49, No.910273, Sensors & Actuators1991)に
論じられている。このように、X軸方向の力Fxが作用
すると、X軸に沿って配置された検出子D1〜D4にお
ける上下両電極間に電荷が発生する。これに対し、Y軸
に沿って配置された検出子D5〜D8における上下両電
極間には電荷は発生しない。これは、図1に示すよう
に、検出子D5〜D8は、X軸の正の領域と負の領域と
に跨がって配置されているため、一方の片側部分で発生
した電荷が他方の片側部分で発生した電荷によって相殺
されてしまい、全体としては電荷は発生しないのであ
る。
に、どのような現象が起こるかを検討してみる。いま、
作用体50にX軸方向の加速度が作用したとすると、図
3に示すように、作用体50の重心GにX軸方向の力F
x(作用体50の質量に比例した大きさをもつ)が発生
することになる。この力Fxにより、原点Oには図3に
おける反時計回りのモーメント力が生じ、基板10の外
側(周囲部分)が固定されているため、基板10は図の
ように撓む。この撓みは、そのまま圧電素子および各電
極へと伝達され、ある部分は伸び、ある部分は縮む変形
が生じる(図では、この伸び縮みを誇張して示してあ
る)。このような撓みにより、各電極には、図3に示す
ような極性の電荷が発生することが知られている。すな
わち、電極31,42,33,44には正電荷が発生
し、電極41,32,43,34には負電荷が発生す
る。なお、圧電素子のこのような性質は、たとえば、
「Development of Acceleration Sensor and Accelerat
ion Evaluation System for Super Low Range Frequenc
y (pp37-49, No.910273, Sensors & Actuators1991)に
論じられている。このように、X軸方向の力Fxが作用
すると、X軸に沿って配置された検出子D1〜D4にお
ける上下両電極間に電荷が発生する。これに対し、Y軸
に沿って配置された検出子D5〜D8における上下両電
極間には電荷は発生しない。これは、図1に示すよう
に、検出子D5〜D8は、X軸の正の領域と負の領域と
に跨がって配置されているため、一方の片側部分で発生
した電荷が他方の片側部分で発生した電荷によって相殺
されてしまい、全体としては電荷は発生しないのであ
る。
【0029】一方、作用体50にY軸方向の加速度が作
用したとすると、作用体50の重心GにY軸方向の力F
yが発生する。この場合にも、全く同様の現象が起こる
ことが理解できよう。ただし、今度は、Y軸に沿って配
置された検出子D5〜D8における上下両電極間に電荷
が発生し、検出子D1〜D4における上下両電極間には
電荷は発生しない。
用したとすると、作用体50の重心GにY軸方向の力F
yが発生する。この場合にも、全く同様の現象が起こる
ことが理解できよう。ただし、今度は、Y軸に沿って配
置された検出子D5〜D8における上下両電極間に電荷
が発生し、検出子D1〜D4における上下両電極間には
電荷は発生しない。
【0030】次に、作用体50にZ軸方向の加速度が作
用したとすると、作用体50の重心GにZ軸方向の力F
zが作用する。この力Fzにより、図4に示すように、
原点Oは図の下方へ向かって引っ張られ、基板10が図
のように撓む。この撓みによる圧電素子の変形は、各電
極に、図4に示すような極性の電荷を発生させる。すな
わち、電極31,42,43,34には正電荷が発生
し、電極41,32,33,44には負電荷が発生す
る。
用したとすると、作用体50の重心GにZ軸方向の力F
zが作用する。この力Fzにより、図4に示すように、
原点Oは図の下方へ向かって引っ張られ、基板10が図
のように撓む。この撓みによる圧電素子の変形は、各電
極に、図4に示すような極性の電荷を発生させる。すな
わち、電極31,42,43,34には正電荷が発生
し、電極41,32,33,44には負電荷が発生す
る。
【0031】このように、作用体50にX,Y,Z軸方
向の加速度が作用すると、それぞれの場合によって各検
出子に特有の態様で電荷が発生することになる。しか
も、発生する電荷量は作用した加速度の大きさに関連し
た量となり、発生する電荷の極性は作用した加速度の向
きに応じて決まるものとなる。たとえば、図3におい
て、重心GにX軸負方向の力−Fxが作用すると、各電
極に発生する電荷の符号は逆転する。同様に、図4にお
いて、重心GにZ軸負方向の力−Fzが作用すると、各
電極に発生する電荷の符号は逆転する。結局、各検出子
に発生する電荷を検出することにより、X,Y,Z各軸
方向の加速度を独立して検出することができることにな
る。これが、本発明の基本原理である。
向の加速度が作用すると、それぞれの場合によって各検
出子に特有の態様で電荷が発生することになる。しか
も、発生する電荷量は作用した加速度の大きさに関連し
た量となり、発生する電荷の極性は作用した加速度の向
きに応じて決まるものとなる。たとえば、図3におい
て、重心GにX軸負方向の力−Fxが作用すると、各電
極に発生する電荷の符号は逆転する。同様に、図4にお
いて、重心GにZ軸負方向の力−Fzが作用すると、各
電極に発生する電荷の符号は逆転する。結局、各検出子
に発生する電荷を検出することにより、X,Y,Z各軸
方向の加速度を独立して検出することができることにな
る。これが、本発明の基本原理である。
【0032】加速度の検出回路
続いて、前述した加速度センサを用いて、実際に加速度
の検出を行うための検出回路について述べる。図5(a),
(b) はX軸方向の力Fxを検出するための検出回路を示
す回路図である。ここで、D1〜D4は、X軸上に配さ
れた各検出子を示し、回路図中には、この各検出子の上
部電極および下部電極についての配線を示す。X軸方向
の力Fx(すなわち、X軸方向の加速度)は、端子Ax
およびBxの間の電圧Vxを測定することにより検出で
きる。
の検出を行うための検出回路について述べる。図5(a),
(b) はX軸方向の力Fxを検出するための検出回路を示
す回路図である。ここで、D1〜D4は、X軸上に配さ
れた各検出子を示し、回路図中には、この各検出子の上
部電極および下部電極についての配線を示す。X軸方向
の力Fx(すなわち、X軸方向の加速度)は、端子Ax
およびBxの間の電圧Vxを測定することにより検出で
きる。
【0033】図6は、作用体50に各軸方向の力Fx,
Fy,Fzが作用したときに各電極に発生する電荷の極
性を示す表である。たとえば、この表のFxの欄の極性
符号は、図3に示す各電極に示した符号に対応し、電極
欄に記載の電極の符号は、図5(a) の回路図の順に並べ
てある。この表のFxの欄を参照すると、図5(a),(b)
の回路図において、各検出子の端子Ax側の電極には負
の電荷が発生し、端子Bx側の電極には正の電荷が発生
することがわかる。例えば、図5(b) の回路では、各電
極で発生する電荷量をそれぞれ±1として数えれば、端
子Axには−4の電荷が、端子Bxには+4の電荷が、
それぞれ集まることになる。逆に、−Fxの力が作用し
た場合には、極性が反転し、端子Axには+4の電荷
が、端子Bxには−4の電荷が、それぞれ集まることに
なる。同様に、図5(a) の回路では、+Fxの力が作用
した場合には、端子Axには−1の電荷が、端子Bxに
は+1の電荷が、それぞれ集まることになる。逆に、−
Fxの力が作用した場合には、極性が反転し、端子Ax
には+1の電荷が、端子Bxには−1の電荷が、それぞ
れ集まることになる。結局、端子AxおよびBxの間の
電圧Vxは、X軸方向の力Fxに対応した値となる。
Fy,Fzが作用したときに各電極に発生する電荷の極
性を示す表である。たとえば、この表のFxの欄の極性
符号は、図3に示す各電極に示した符号に対応し、電極
欄に記載の電極の符号は、図5(a) の回路図の順に並べ
てある。この表のFxの欄を参照すると、図5(a),(b)
の回路図において、各検出子の端子Ax側の電極には負
の電荷が発生し、端子Bx側の電極には正の電荷が発生
することがわかる。例えば、図5(b) の回路では、各電
極で発生する電荷量をそれぞれ±1として数えれば、端
子Axには−4の電荷が、端子Bxには+4の電荷が、
それぞれ集まることになる。逆に、−Fxの力が作用し
た場合には、極性が反転し、端子Axには+4の電荷
が、端子Bxには−4の電荷が、それぞれ集まることに
なる。同様に、図5(a) の回路では、+Fxの力が作用
した場合には、端子Axには−1の電荷が、端子Bxに
は+1の電荷が、それぞれ集まることになる。逆に、−
Fxの力が作用した場合には、極性が反転し、端子Ax
には+1の電荷が、端子Bxには−1の電荷が、それぞ
れ集まることになる。結局、端子AxおよびBxの間の
電圧Vxは、X軸方向の力Fxに対応した値となる。
【0034】ここで、Y軸方向の力Fyが作用した場合
に、電圧Vxとしてどのような値が出力されるかを考え
てみる。図6の表のFyの欄に示すように、力Fyが作
用した場合には、各電極に電荷は発生しない。これは前
述したように、検出子D1〜D4はX軸に沿って配置さ
れているため、Y軸方向の力Fyが作用すると、部分的
に発生した正および負の電荷が互いに相殺されるためで
ある。したがって、電圧VxはY軸方向の力Fyには何
ら影響されない。
に、電圧Vxとしてどのような値が出力されるかを考え
てみる。図6の表のFyの欄に示すように、力Fyが作
用した場合には、各電極に電荷は発生しない。これは前
述したように、検出子D1〜D4はX軸に沿って配置さ
れているため、Y軸方向の力Fyが作用すると、部分的
に発生した正および負の電荷が互いに相殺されるためで
ある。したがって、電圧VxはY軸方向の力Fyには何
ら影響されない。
【0035】次に、Z軸方向の力Fzが作用した場合
に、電圧Vxとしてどのような値が出力されるかを考え
てみる。図6の表のFzの欄の極性符号は、図4に示す
各電極に示した符号に対応する。このような電荷を発生
する各電極が、図5(a),(b) に示すように配線されてい
ることを考えると、やはり正および負の電荷が互いに相
殺され、力Fzだけが作用した場合の電圧値Vxは0に
なる。したがって、電圧VxはZ軸方向の力Fzには何
ら影響されない。
に、電圧Vxとしてどのような値が出力されるかを考え
てみる。図6の表のFzの欄の極性符号は、図4に示す
各電極に示した符号に対応する。このような電荷を発生
する各電極が、図5(a),(b) に示すように配線されてい
ることを考えると、やはり正および負の電荷が互いに相
殺され、力Fzだけが作用した場合の電圧値Vxは0に
なる。したがって、電圧VxはZ軸方向の力Fzには何
ら影響されない。
【0036】以上のことから、作用体50に三次元の力
Fが作用した場合、そのX軸方向成分Fxだけが電圧V
xとして検出されることになり、この検出値はY軸方向
成分FyおよびZ軸方向成分Fzの影響を受けることが
ない。
Fが作用した場合、そのX軸方向成分Fxだけが電圧V
xとして検出されることになり、この検出値はY軸方向
成分FyおよびZ軸方向成分Fzの影響を受けることが
ない。
【0037】図7(a),(b) はY軸方向の力Fyを検出す
るための検出回路を示す回路図である。ここで、D5〜
D8は、Y軸上に配された各検出子を示し、回路図中に
は、この各検出子の上部電極および下部電極についての
配線を示す。Y軸方向の力Fy(すなわち、Y軸方向の
加速度)は、端子AyおよびByの間の電圧Vyを測定
することにより検出できる。
るための検出回路を示す回路図である。ここで、D5〜
D8は、Y軸上に配された各検出子を示し、回路図中に
は、この各検出子の上部電極および下部電極についての
配線を示す。Y軸方向の力Fy(すなわち、Y軸方向の
加速度)は、端子AyおよびByの間の電圧Vyを測定
することにより検出できる。
【0038】図8は、作用体50に各軸方向の力Fx,
Fy,Fzが作用したときに各電極に発生する電荷の極
性を示す表である。電極欄に記載の電極の符号は、図7
(a)の回路図の順に並べてある。この表から、電圧Vy
はY軸方向の力Fyの大きさおよび方向によってのみ決
まる値であることがわかる。結局、作用体50に三次元
の力Fが作用した場合、そのY軸方向成分Fyだけが電
圧Vyとして検出されることになり、この検出値はX軸
方向成分FxおよびZ軸方向成分Fzの影響を受けるこ
とがない。
Fy,Fzが作用したときに各電極に発生する電荷の極
性を示す表である。電極欄に記載の電極の符号は、図7
(a)の回路図の順に並べてある。この表から、電圧Vy
はY軸方向の力Fyの大きさおよび方向によってのみ決
まる値であることがわかる。結局、作用体50に三次元
の力Fが作用した場合、そのY軸方向成分Fyだけが電
圧Vyとして検出されることになり、この検出値はX軸
方向成分FxおよびZ軸方向成分Fzの影響を受けるこ
とがない。
【0039】図9(a),(b) はZ軸方向の力Fzを検出す
るための検出回路を示す回路図である。ここで、D1〜
D4は、X軸上に配された各検出子を示し、回路図中に
は、この各検出子の上部電極および下部電極についての
配線を示す。Z軸方向の力Fz(すなわち、Z軸方向の
加速度)は、端子AzおよびBzの間の電圧Vzを測定
することにより検出できる。
るための検出回路を示す回路図である。ここで、D1〜
D4は、X軸上に配された各検出子を示し、回路図中に
は、この各検出子の上部電極および下部電極についての
配線を示す。Z軸方向の力Fz(すなわち、Z軸方向の
加速度)は、端子AzおよびBzの間の電圧Vzを測定
することにより検出できる。
【0040】図10は、作用体50に各軸方向の力F
x,Fy,Fzが作用したときに各電極に発生する電荷
の極性を示す表である。電極欄に記載の電極の符号は、
図9(a) の回路図の順に並べてある。この表から、電圧
VzはZ軸方向の力Fzの大きさおよび方向によっての
み決まる値であることがわかる。結局、作用体50に三
次元の力Fが作用した場合、そのZ軸方向成分Fzだけ
が電圧Vzとして検出されることになり、この検出値は
X軸方向成分FxおよびY軸方向成分Fyの影響を受け
ることがない。
x,Fy,Fzが作用したときに各電極に発生する電荷
の極性を示す表である。電極欄に記載の電極の符号は、
図9(a) の回路図の順に並べてある。この表から、電圧
VzはZ軸方向の力Fzの大きさおよび方向によっての
み決まる値であることがわかる。結局、作用体50に三
次元の力Fが作用した場合、そのZ軸方向成分Fzだけ
が電圧Vzとして検出されることになり、この検出値は
X軸方向成分FxおよびY軸方向成分Fyの影響を受け
ることがない。
【0041】以上のように、X軸方向に沿って配置した
4つの検出子D1〜D4によって、X軸方向の力Fxと
Z軸方向の力Fzとが検出でき、Y軸方向に沿って配置
した4つの検出子D5〜D8によって、Z軸方向の力F
zが検出できる。結局、検出子D1〜D4は、X軸方向
の検出とY軸方向の検出とに共用される。このような共
用を可能にするための回路を図11(a),(b) に示す。図
11(a) の回路は、4つのスイッチS1〜S4を用いた
切換回路を構成しており、X軸方向成分は共通端子Ax
zとX軸用端子Bxとの間の電圧Vxによって検出さ
れ、Z軸方向成分は共通端子AxzとZ軸用端子Bzと
の間の電圧Vzによって検出される。スイッチS1とS
2とは連動しており、一方がONになると他方がOFF
となる。同様に、スイッチS3とS4とは連動してお
り、一方がONになると他方がOFFとなる。図に示す
ように、スイッチS1をON、スイッチS2をOFF、
スイッチS3をOFF、スイッチS4をONの状態にす
ると、この回路は図5(a) に示すX軸方向成分の検出回
路と等価になる。また、各スイッチを切り換え、スイッ
チS1をOFF、スイッチS2をON、スイッチS3を
ON、スイッチS4をOFFの状態にすると、この回路
は図7(a) に示すZ軸方向成分の検出回路と等価にな
る。図11(b) の回路も同様に、4つのスイッチS1〜
S4の操作により、X軸方向成分の検出とZ軸方向成分
の検出とを切り換えることができる。図に示すように、
スイッチS1をOFF、スイッチS2をON、スイッチ
S3をON、スイッチS4をOFFの状態にすると、こ
の回路は図5(b) に示すX軸方向成分の検出回路と等価
になる。また、各スイッチを切り換え、スイッチS1を
ON、スイッチS2をOFF、スイッチS3をOFF、
スイッチS4をONの状態にすると、この回路は図7
(b) に示すZ軸方向成分の検出回路と等価になる。
4つの検出子D1〜D4によって、X軸方向の力Fxと
Z軸方向の力Fzとが検出でき、Y軸方向に沿って配置
した4つの検出子D5〜D8によって、Z軸方向の力F
zが検出できる。結局、検出子D1〜D4は、X軸方向
の検出とY軸方向の検出とに共用される。このような共
用を可能にするための回路を図11(a),(b) に示す。図
11(a) の回路は、4つのスイッチS1〜S4を用いた
切換回路を構成しており、X軸方向成分は共通端子Ax
zとX軸用端子Bxとの間の電圧Vxによって検出さ
れ、Z軸方向成分は共通端子AxzとZ軸用端子Bzと
の間の電圧Vzによって検出される。スイッチS1とS
2とは連動しており、一方がONになると他方がOFF
となる。同様に、スイッチS3とS4とは連動してお
り、一方がONになると他方がOFFとなる。図に示す
ように、スイッチS1をON、スイッチS2をOFF、
スイッチS3をOFF、スイッチS4をONの状態にす
ると、この回路は図5(a) に示すX軸方向成分の検出回
路と等価になる。また、各スイッチを切り換え、スイッ
チS1をOFF、スイッチS2をON、スイッチS3を
ON、スイッチS4をOFFの状態にすると、この回路
は図7(a) に示すZ軸方向成分の検出回路と等価にな
る。図11(b) の回路も同様に、4つのスイッチS1〜
S4の操作により、X軸方向成分の検出とZ軸方向成分
の検出とを切り換えることができる。図に示すように、
スイッチS1をOFF、スイッチS2をON、スイッチ
S3をON、スイッチS4をOFFの状態にすると、こ
の回路は図5(b) に示すX軸方向成分の検出回路と等価
になる。また、各スイッチを切り換え、スイッチS1を
ON、スイッチS2をOFF、スイッチS3をOFF、
スイッチS4をONの状態にすると、この回路は図7
(b) に示すZ軸方向成分の検出回路と等価になる。
【0042】なお、Z軸方向の力Fzの検出は、検出子
D1〜D4の代わりに検出子D5〜D8を用いても行う
ことができる。この場合は、検出子D5〜D8が、Y軸
方向の検出とZ軸方向の検出とに共用されることにな
る。また、8個の検出子D1〜D8のすべてを用いてZ
軸方向の力Fzを検出してもよい。この場合は、図12
または図13のような検出回路を組めばよい。
D1〜D4の代わりに検出子D5〜D8を用いても行う
ことができる。この場合は、検出子D5〜D8が、Y軸
方向の検出とZ軸方向の検出とに共用されることにな
る。また、8個の検出子D1〜D8のすべてを用いてZ
軸方向の力Fzを検出してもよい。この場合は、図12
または図13のような検出回路を組めばよい。
【0043】ここで、このセンサの温度特性について述
べておく。圧電素子は急激な温度変化に対して電極間に
電荷を生じる性質をもち、いわゆるパイロ効果を示す素
子である(前掲文献Fig.16参照)。本発明による
センサでは、X,Y,Zの各軸方向の検出値は、各く検
出子によって得られる電圧の差に基づいて算出されるた
め、温度の影響は相殺されることになる。したがって温
度補償のための回路などを付加する必要はない。
べておく。圧電素子は急激な温度変化に対して電極間に
電荷を生じる性質をもち、いわゆるパイロ効果を示す素
子である(前掲文献Fig.16参照)。本発明による
センサでは、X,Y,Zの各軸方向の検出値は、各く検
出子によって得られる電圧の差に基づいて算出されるた
め、温度の影響は相殺されることになる。したがって温
度補償のための回路などを付加する必要はない。
【0044】センサの別な実施例
続いて、本発明による加速度センサの別な構造を示す。
図14は、この別な構造をもったセンサの側断面図、図
15はその上面図である。図15に示すセンサをX軸に
沿って切断した断面が図14に対応する。なお、図14
の側断面図では、図が繁雑になるのを避けるため、断面
部分だけを示してある。図1および図2に示すセンサと
の違いは、各検出子ごとに独立した圧電素子を設けた点
である。すなわち、図1および図2に示すセンサでは、
検出子D1およびD2には共通の圧電素子21が用いら
れ、検出子D3およびD4には共通の圧電素子23が用
いられ、検出子D5およびD6には共通の圧電素子22
が用いられ、検出子D7およびD8には共通の圧電素子
24が用いられていた。これに対して、図14および図
15に示すセンサでは、8個の圧電素子21a,21
b,22a,22b,23a,23b,24a,24b
を設け、各検出子D1〜D8が物理的に完全に独立した
部品によって構成されるようにしている。
図14は、この別な構造をもったセンサの側断面図、図
15はその上面図である。図15に示すセンサをX軸に
沿って切断した断面が図14に対応する。なお、図14
の側断面図では、図が繁雑になるのを避けるため、断面
部分だけを示してある。図1および図2に示すセンサと
の違いは、各検出子ごとに独立した圧電素子を設けた点
である。すなわち、図1および図2に示すセンサでは、
検出子D1およびD2には共通の圧電素子21が用いら
れ、検出子D3およびD4には共通の圧電素子23が用
いられ、検出子D5およびD6には共通の圧電素子22
が用いられ、検出子D7およびD8には共通の圧電素子
24が用いられていた。これに対して、図14および図
15に示すセンサでは、8個の圧電素子21a,21
b,22a,22b,23a,23b,24a,24b
を設け、各検出子D1〜D8が物理的に完全に独立した
部品によって構成されるようにしている。
【0045】本発明では、各検出子の電極が他の検出子
の電極に対して独立していれば、理論的には、圧電素子
は各検出子間で共通のものにしても差支えない。極端な
例では、図16に示すように大きな円盤状の圧電素子を
1枚だけ用意し、8組の検出子をこの1枚の圧電素子を
共用して構成することもできる。ただ、実際には、圧電
素子内で電荷の再結合が生じるため、低周波数の振動を
精密に測定するためには、図14および図15に示す実
施例のように、各検出子ごとに独立した圧電素子を用い
るようにするのが好ましい。ただ、製造プロセスはそれ
だけ複雑になる。
の電極に対して独立していれば、理論的には、圧電素子
は各検出子間で共通のものにしても差支えない。極端な
例では、図16に示すように大きな円盤状の圧電素子を
1枚だけ用意し、8組の検出子をこの1枚の圧電素子を
共用して構成することもできる。ただ、実際には、圧電
素子内で電荷の再結合が生じるため、低周波数の振動を
精密に測定するためには、図14および図15に示す実
施例のように、各検出子ごとに独立した圧電素子を用い
るようにするのが好ましい。ただ、製造プロセスはそれ
だけ複雑になる。
【0046】図17は、本発明による加速度センサの更
に別な構造を示す側断面図である。この側断面図におい
ても、図が繁雑になるのを避けるため、断面部分だけを
示してある。前述した各実施例では、基板10の上面に
検出子を配置していたが、この実施例では、基板10の
下面に検出子を配置している。本発明によるセンサで
は、要するに、X軸に沿って4つの検出子D1〜D4を
配置し、Y軸に沿って4つの検出子D5〜D8を配置す
ることができれば、基板10の上面に配置しようが、下
面に配置しようが、どちらでもかまわない。また、ある
検出子は上面に、ある検出子は下面に、と上下入り乱れ
て配置してもかまわないし、上下両面に配置してもかま
わない。ただし、正しい検出を行うためには、各電極に
発生する電荷の極性を考え、電極間の配線を適切なもの
にする必要がある。
に別な構造を示す側断面図である。この側断面図におい
ても、図が繁雑になるのを避けるため、断面部分だけを
示してある。前述した各実施例では、基板10の上面に
検出子を配置していたが、この実施例では、基板10の
下面に検出子を配置している。本発明によるセンサで
は、要するに、X軸に沿って4つの検出子D1〜D4を
配置し、Y軸に沿って4つの検出子D5〜D8を配置す
ることができれば、基板10の上面に配置しようが、下
面に配置しようが、どちらでもかまわない。また、ある
検出子は上面に、ある検出子は下面に、と上下入り乱れ
て配置してもかまわないし、上下両面に配置してもかま
わない。ただし、正しい検出を行うためには、各電極に
発生する電荷の極性を考え、電極間の配線を適切なもの
にする必要がある。
【0047】上述の実施例では、8組の検出子を用い
て、三次元の各軸方向成分を検出しているが、より多数
の検出子を用いて同様の検出を行ってもかまわない。図
18に上面図を示す実施例は、16組の検出子D1〜D
16を用いた例である。ここで、検出子D1〜D8は、
図1に示す検出子D1〜D8と同等(面積が若干小さく
なっている)のものであり、X軸に沿って検出子D1〜
D4が、Y軸に沿って検出子D5〜D8が、それぞれ配
置されている。この実施例では、更に、XY平面上にお
いて、X軸に対して45°の角度をもったW1軸と13
5°の角度をもったW2軸とを定義し、W1軸に沿って
検出子D9〜D12を、W2軸に沿って検出子D13〜
D16を、それぞれ配置している。
て、三次元の各軸方向成分を検出しているが、より多数
の検出子を用いて同様の検出を行ってもかまわない。図
18に上面図を示す実施例は、16組の検出子D1〜D
16を用いた例である。ここで、検出子D1〜D8は、
図1に示す検出子D1〜D8と同等(面積が若干小さく
なっている)のものであり、X軸に沿って検出子D1〜
D4が、Y軸に沿って検出子D5〜D8が、それぞれ配
置されている。この実施例では、更に、XY平面上にお
いて、X軸に対して45°の角度をもったW1軸と13
5°の角度をもったW2軸とを定義し、W1軸に沿って
検出子D9〜D12を、W2軸に沿って検出子D13〜
D16を、それぞれ配置している。
【0048】このような配置を行えば、検出子D1〜D
4によってX軸方向の力を検出し、検出子D5〜D8に
よってY軸方向の力を検出し、検出子D9〜D12また
は検出子D13〜16、あるいは検出子D9〜D16に
よってZ軸方向の力を検出することができる。したがっ
て、X,Y,Z軸方向の力の検出を、完全に独立別個の
検出子によって行うことができる。もっとも、基板10
の基板面に垂直なZ軸方向に関しては、基板面に平行な
いずれの軸に沿って配置した検出子を用いても検出が可
能である。すなわち、X軸に沿って配置した検出子D1
〜D4、Y軸に沿って配置した検出子D5〜D8、W1
軸に沿って配置した検出子D9〜D12、W2軸に沿っ
て配置した検出子D13〜D16、のいずれを用いて
も、Z軸方向の力検出が可能である。また、ここで用い
る圧電素子は、図16に示すように単一の基板で構成さ
れたものであってもよい。
4によってX軸方向の力を検出し、検出子D5〜D8に
よってY軸方向の力を検出し、検出子D9〜D12また
は検出子D13〜16、あるいは検出子D9〜D16に
よってZ軸方向の力を検出することができる。したがっ
て、X,Y,Z軸方向の力の検出を、完全に独立別個の
検出子によって行うことができる。もっとも、基板10
の基板面に垂直なZ軸方向に関しては、基板面に平行な
いずれの軸に沿って配置した検出子を用いても検出が可
能である。すなわち、X軸に沿って配置した検出子D1
〜D4、Y軸に沿って配置した検出子D5〜D8、W1
軸に沿って配置した検出子D9〜D12、W2軸に沿っ
て配置した検出子D13〜D16、のいずれを用いて
も、Z軸方向の力検出が可能である。また、ここで用い
る圧電素子は、図16に示すように単一の基板で構成さ
れたものであってもよい。
【0049】いままで述べてきた実施例では、いずれ
も、基板10の外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、
内側の原点O近傍に作用体50を形成していたが、この
基板の内側と外側との関係を全く逆にすることも可能で
ある。すなわち、図19に側断面図を示す実施例のよう
に、基板10の内側の原点O近傍の作用体50(ここで
は、作用体としての機能は失われ、単なる台座として用
いられている)をセンサ筐体61に固定し、基板10の
外側の周囲部分に新たな作用体51を形成してもよい。
この実施例では、作用体51は、円盤状の基板10の外
周に沿って取り付けられたリング状の重錘体となってい
る。このような構成では、基板10の内側が固定され、
外側に力が作用するようになるが、作用した力に基づい
て基板10に撓みが生じることに変わりはなく、前述の
各実施例のいずれについても、このように基板の内外を
逆にした構造を適用することができる。
も、基板10の外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、
内側の原点O近傍に作用体50を形成していたが、この
基板の内側と外側との関係を全く逆にすることも可能で
ある。すなわち、図19に側断面図を示す実施例のよう
に、基板10の内側の原点O近傍の作用体50(ここで
は、作用体としての機能は失われ、単なる台座として用
いられている)をセンサ筐体61に固定し、基板10の
外側の周囲部分に新たな作用体51を形成してもよい。
この実施例では、作用体51は、円盤状の基板10の外
周に沿って取り付けられたリング状の重錘体となってい
る。このような構成では、基板10の内側が固定され、
外側に力が作用するようになるが、作用した力に基づい
て基板10に撓みが生じることに変わりはなく、前述の
各実施例のいずれについても、このように基板の内外を
逆にした構造を適用することができる。
【0050】検出回路の別な実施例
図5に示す回路のもつ意味をもう少し検討してみる。い
ま、各検出子において、力に基づいて発生する電荷を符
号を考慮した電位に変換して考える。すなわち、基板に
固着された方の電極(図1の例では、下部電極41〜4
8)に対するもう一方の電極の電位をその検出子におけ
る電位と定義する。別言すれば、基板に固着された方の
電極を接地したとき、もう一方の電極に現れる電圧値が
その検出子における電位となる。ここで、図5(a),(b)
に示す回路を参照すると、検出子D1とD3について
は、基板に固着された方の電極41,43が端子Ax側
に接続され、検出子D2とD4については、基板に固着
された方の電極42,44が端子Bx側に接続されてい
ることがわかる。すなわち、検出子D1,D3と検出子
D2,D4とは逆方向に接続されていることになる。結
局、検出子D1における電位と検出子D3における電位
との和と、検出子D2における電位と検出子D4におけ
る電位との和と、の差が、端子Ax,Bx間に現れる電
圧Vxであることがわかる。すなわち、検出子D1,D
2,D3,D4によって得られる電位を、それぞれV
1,V2,V3,V4とすれば、Vx=(V1+V3)
−(V2+V4)である。したがって、図20に示すよ
うに、これらの電圧V1,V2,V3,V4を検出する
ための電圧検出器81,82,83,84を設ければ、
差動増幅器AP1の出力として、電圧Vxを得ることが
できる。
ま、各検出子において、力に基づいて発生する電荷を符
号を考慮した電位に変換して考える。すなわち、基板に
固着された方の電極(図1の例では、下部電極41〜4
8)に対するもう一方の電極の電位をその検出子におけ
る電位と定義する。別言すれば、基板に固着された方の
電極を接地したとき、もう一方の電極に現れる電圧値が
その検出子における電位となる。ここで、図5(a),(b)
に示す回路を参照すると、検出子D1とD3について
は、基板に固着された方の電極41,43が端子Ax側
に接続され、検出子D2とD4については、基板に固着
された方の電極42,44が端子Bx側に接続されてい
ることがわかる。すなわち、検出子D1,D3と検出子
D2,D4とは逆方向に接続されていることになる。結
局、検出子D1における電位と検出子D3における電位
との和と、検出子D2における電位と検出子D4におけ
る電位との和と、の差が、端子Ax,Bx間に現れる電
圧Vxであることがわかる。すなわち、検出子D1,D
2,D3,D4によって得られる電位を、それぞれV
1,V2,V3,V4とすれば、Vx=(V1+V3)
−(V2+V4)である。したがって、図20に示すよ
うに、これらの電圧V1,V2,V3,V4を検出する
ための電圧検出器81,82,83,84を設ければ、
差動増幅器AP1の出力として、電圧Vxを得ることが
できる。
【0051】また、図7(a),(b) に示す回路を参照する
と、検出子D5とD7については、基板に固着された方
の電極45,47が端子Ay側に接続され、検出子D6
とD8については、基板に固着された方の電極46,4
8が端子By側に接続されていることがわかる。すなわ
ち、検出子D5,D7と検出子D6,D8とは逆方向に
接続されていることになる。結局、検出子D5における
電位と検出子D7における電位との和と、検出子D6に
おける電位と検出子D8における電位との和と、の差
が、端子Ay,By間に現れる電圧Vyであることがわ
かる。すなわち、検出子D5,D6,D7,D8におけ
る電位を、それぞれV5,V6,V7,V8とすれば、
Vy=(V5+V7)−(V6+V8)である。したが
って、図20に示すように、これらの電圧V5,V6,
V7,V8を検出するための電圧検出器85,86,8
7,88を設ければ、差動増幅器AP3の出力として、
電圧Vyを得ることができる。
と、検出子D5とD7については、基板に固着された方
の電極45,47が端子Ay側に接続され、検出子D6
とD8については、基板に固着された方の電極46,4
8が端子By側に接続されていることがわかる。すなわ
ち、検出子D5,D7と検出子D6,D8とは逆方向に
接続されていることになる。結局、検出子D5における
電位と検出子D7における電位との和と、検出子D6に
おける電位と検出子D8における電位との和と、の差
が、端子Ay,By間に現れる電圧Vyであることがわ
かる。すなわち、検出子D5,D6,D7,D8におけ
る電位を、それぞれV5,V6,V7,V8とすれば、
Vy=(V5+V7)−(V6+V8)である。したが
って、図20に示すように、これらの電圧V5,V6,
V7,V8を検出するための電圧検出器85,86,8
7,88を設ければ、差動増幅器AP3の出力として、
電圧Vyを得ることができる。
【0052】更に、図9(a),(b) に示す回路を参照する
と、検出子D1とD4については、基板に固着された方
の電極41,44が端子Az側に接続され、検出子D2
とD3については、基板に固着された方の電極42,4
3が端子Bz側に接続されていることがわかる。すなわ
ち、検出子D1,D4と検出子D2,D3とは逆方向に
接続されていることになる。結局、検出子D1における
電位と検出子D4における電位との和と、検出子D2に
おける電位と検出子D3における電位との和と、の差
が、端子Az,Bz間に現れる電圧Vzであることがわ
かる。すなわち、検出子D1,D2,D3,D4におけ
る電位を、それぞれV1,V2,V3,V4とすれば、
Vz=(V1+V4)−(V2+V3)である。したが
って、図20に示すように、電圧検出器81,82,8
3,84を用いて、差動増幅器AP2の出力として、電
圧Vzを得ることができる。
と、検出子D1とD4については、基板に固着された方
の電極41,44が端子Az側に接続され、検出子D2
とD3については、基板に固着された方の電極42,4
3が端子Bz側に接続されていることがわかる。すなわ
ち、検出子D1,D4と検出子D2,D3とは逆方向に
接続されていることになる。結局、検出子D1における
電位と検出子D4における電位との和と、検出子D2に
おける電位と検出子D3における電位との和と、の差
が、端子Az,Bz間に現れる電圧Vzであることがわ
かる。すなわち、検出子D1,D2,D3,D4におけ
る電位を、それぞれV1,V2,V3,V4とすれば、
Vz=(V1+V4)−(V2+V3)である。したが
って、図20に示すように、電圧検出器81,82,8
3,84を用いて、差動増幅器AP2の出力として、電
圧Vzを得ることができる。
【0053】また、図18に示す16組の検出子を用い
たセンサでは、電圧Vzについては、図21に示す回路
によって検出ができる。すなわち、検出子D9〜D16
における電位V9〜V16を、電圧検出器91〜98に
よって検出し、差動増幅器AP4の出力として電圧Vz
を得ることができる。この場合、図20に示す差動増幅
器AP2は不要となり、X,Y,Zの各軸方向成分が完
全に別個独立した回路で検出できることになる。なお、
図21に示す回路では、電位V9〜V16のすべてを用
いているが、電位V9〜V12の4つだけ、あるいは、
電位V13〜V16の4つだけを用いるようにしてもか
まわない。ただ、精度良い測定を行うためには、電位V
9〜V16のすべてを用いるのが好ましい。
たセンサでは、電圧Vzについては、図21に示す回路
によって検出ができる。すなわち、検出子D9〜D16
における電位V9〜V16を、電圧検出器91〜98に
よって検出し、差動増幅器AP4の出力として電圧Vz
を得ることができる。この場合、図20に示す差動増幅
器AP2は不要となり、X,Y,Zの各軸方向成分が完
全に別個独立した回路で検出できることになる。なお、
図21に示す回路では、電位V9〜V16のすべてを用
いているが、電位V9〜V12の4つだけ、あるいは、
電位V13〜V16の4つだけを用いるようにしてもか
まわない。ただ、精度良い測定を行うためには、電位V
9〜V16のすべてを用いるのが好ましい。
【0054】更に別な実施例
以上、本発明をいくつかの実施例に基づいて説明した
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
なく、この他にも種々の態様で実施可能である。たとえ
ば、上述の実施例では、8組あるいは16組の検出子を
用いて三次元の各軸方向成分の加速度検出を行っている
が、4組の検出子だけを用いて二次元の各軸方向成分の
加速度検出を行うようにすることも可能である。たとえ
ば、検出子D1〜D4だけを用いれば、X軸方向成分と
Z軸方向成分との検出が可能である。
が、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものでは
なく、この他にも種々の態様で実施可能である。たとえ
ば、上述の実施例では、8組あるいは16組の検出子を
用いて三次元の各軸方向成分の加速度検出を行っている
が、4組の検出子だけを用いて二次元の各軸方向成分の
加速度検出を行うようにすることも可能である。たとえ
ば、検出子D1〜D4だけを用いれば、X軸方向成分と
Z軸方向成分との検出が可能である。
【0055】また、上述の実施例は、いずれも加速度セ
ンサに本発明を適用したものであるが、本発明は力セン
サや磁気センサにも適用可能である。たとえば、力セン
サとして用いるのであれば、作用体50から接触子を伸
ばし、この接触子によって外力を基板10に伝達するよ
うにすればよい。また、磁気センサとして用いるのであ
れば、作用体50を、鉄、コバルト、ニッケルといった
磁性体で構成すれば、磁気の作用により発生した力を検
出することにより、間接的に磁気を検出することが可能
である。
ンサに本発明を適用したものであるが、本発明は力セン
サや磁気センサにも適用可能である。たとえば、力セン
サとして用いるのであれば、作用体50から接触子を伸
ばし、この接触子によって外力を基板10に伝達するよ
うにすればよい。また、磁気センサとして用いるのであ
れば、作用体50を、鉄、コバルト、ニッケルといった
磁性体で構成すれば、磁気の作用により発生した力を検
出することにより、間接的に磁気を検出することが可能
である。
【0056】
【発明の効果】以上のとおり本発明によるセンサによれ
ば、板状の圧電素子とこの圧電素子の両面に形成された
一対の電極とによって構成される検出子を複数用意し、
可撓性の基板上の所定位置にこの検出子を配置し、各電
極間に生じる電圧値に基づいて、作用した力、加速度、
磁気を検出するようにしたため、温度補償なしに高精度
な検出が可能であり、しかも製造プロセスも容易にな
る。
ば、板状の圧電素子とこの圧電素子の両面に形成された
一対の電極とによって構成される検出子を複数用意し、
可撓性の基板上の所定位置にこの検出子を配置し、各電
極間に生じる電圧値に基づいて、作用した力、加速度、
磁気を検出するようにしたため、温度補償なしに高精度
な検出が可能であり、しかも製造プロセスも容易にな
る。
【図1】本発明の一実施例に係る加速度センサの上面図
である。
である。
【図2】図1に示す加速度センサをX軸に沿って切断し
た側断面図である。
た側断面図である。
【図3】図1に示す加速度センサにおける作用体50の
重心GにX軸方向の力Fxが与えられたときの状態を示
す側断面図である。
重心GにX軸方向の力Fxが与えられたときの状態を示
す側断面図である。
【図4】図1に示す加速度センサにおける作用体50の
重心GにZ軸方向の力Fzが与えられたときの状態を示
す側断面図である。
重心GにZ軸方向の力Fzが与えられたときの状態を示
す側断面図である。
【図5】図1に示す加速度センサにおいて、X軸方向の
力Fxを検出するための検出回路を示す回路図である。
力Fxを検出するための検出回路を示す回路図である。
【図6】図5に示す回路の動作を説明する表である。
【図7】図1に示す加速度センサにおいて、Y軸方向の
力Fyを検出するための検出回路を示す回路図である。
力Fyを検出するための検出回路を示す回路図である。
【図8】図7に示す回路の動作を説明する表である。
【図9】図1に示す加速度センサにおいて、Z軸方向の
力Fzを検出するための検出回路を示す回路図である。
力Fzを検出するための検出回路を示す回路図である。
【図10】図9に示す回路の動作を説明する表である。
【図11】図1に示す加速度センサにおいて、X軸方向
の力Fxの検出と、Z軸方向の力Fzの検出との共用を
可能にする検出回路を示す回路図である。
の力Fxの検出と、Z軸方向の力Fzの検出との共用を
可能にする検出回路を示す回路図である。
【図12】図1に示す加速度センサにおいて、Z軸方向
の力Fzを検出するための別な検出回路を示す回路図で
ある。
の力Fzを検出するための別な検出回路を示す回路図で
ある。
【図13】図1に示す加速度センサにおいて、Z軸方向
の力Fzを検出するための更に別な検出回路を示す回路
図である。
の力Fzを検出するための更に別な検出回路を示す回路
図である。
【図14】本発明の別な一実施例に係る加速度センサの
側断面図であり、断面部分のみを示す。
側断面図であり、断面部分のみを示す。
【図15】図14に示す加速度センサの上面図である。
【図16】円盤状の圧電素子を1枚だけ用いて構成した
加速度センサの実施例を示す上面図である。
加速度センサの実施例を示す上面図である。
【図17】本発明の更に別な一実施例に係る加速度セン
サの側断面図であり、断面部分のみを示す。
サの側断面図であり、断面部分のみを示す。
【図18】16組の検出子を用いた本発明の一実施例に
係る加速度センサの上面図である。
係る加速度センサの上面図である。
【図19】基板の内側を固定した本発明の一実施例に係
る加速度センサの側断面図である。
る加速度センサの側断面図である。
【図20】図1に示す加速度センサに用いる別な検出回
路を示す回路図である。
路を示す回路図である。
【図21】図15に示す加速度センサに用いるZ軸方向
についての検出回路を示す回路図である。
についての検出回路を示す回路図である。
10…可撓性をもった基板
21〜25…圧電素子
31〜38…上部電極
41〜48…下部電極
50,51…作用体(重錘体)
60,61…センサ筐体
81〜88…電圧検出器
91〜98…電圧検出器
AP1〜AP4…差動増幅器
D1〜D16…検出子
G…重心
O…原点
S1〜S4…スイッチ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年6月16日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図20
【補正方法】変更
【補正内容】
【図20】
【手続補正2】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図21
【補正方法】変更
【補正内容】
【図21】
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年7月15日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0041
【補正方法】変更
【補正内容】
【0041】 以上のように、X軸方向に沿って配置し
た4つの検出子D1〜D4によって、X軸方向の力Fx
とZ軸方向の力Fzとが検出でき、Y軸方向に沿って配
置した4つの検出子D5〜D8によって、Y軸方向の力
Fyが検出できる。結局、検出子D1〜D4は、X軸方
向の検出とZ軸方向の検出とに共用される。このような
共用を可能にするための回路を図11(a),(b) に示す。
図11(a)の回路は、4つのスイッチS1〜S4を用い
た切換回路を構成しており、X軸方向成分は共通端子A
xzとX軸用端子Bxとの間の電圧Vxによって検出さ
れ、Z軸方向成分は共通端子AxzとZ軸用端子Bzと
の間の電圧Vzによって検出される。スイッチS1とS
2とは連動しており、一方がONになると他方がOFF
となる。同様に、スイッチS3とS4とは連動してお
り、一方がONになると他方がOFFとなる。図に示す
ように、スイッチS1をON、スイッチS2をOFF、
スイッチS3をOFF、スイッチS4をONの状態にす
ると、この回路は図5(a) に示すX軸方向成分の検出回
路と等価になる。また、各スイッチを切り換え、スイッ
チS1をOFF、スイッチS2をON、スイッチS3を
ON、スイッチS4をOFFの状態にすると、この回路
は図7(a) に示すZ軸方向成分の検出回路と等価にな
る。図11(b) の回路も同様に、4つのスイッチS1〜
S4の操作により、X軸方向成分の検出とZ軸方向成分
の検出とを切り換えることができる。図に示すように、
スイッチS1をOFF、スイッチS2をON、スイッチ
S3をON、スイッチS4をOFFの状態にすると、こ
の回路は図5(b) に示すX軸方向成分の検出回路と等価
になる。また、各スイッチを切り換え、スイッチS1を
ON、スイッチS2をOFF、スイッチS3をOFF、
スイッチS4をONの状態にすると、この回路は図7
(b) に示すZ軸方向成分の検出回路と等価になる。
た4つの検出子D1〜D4によって、X軸方向の力Fx
とZ軸方向の力Fzとが検出でき、Y軸方向に沿って配
置した4つの検出子D5〜D8によって、Y軸方向の力
Fyが検出できる。結局、検出子D1〜D4は、X軸方
向の検出とZ軸方向の検出とに共用される。このような
共用を可能にするための回路を図11(a),(b) に示す。
図11(a)の回路は、4つのスイッチS1〜S4を用い
た切換回路を構成しており、X軸方向成分は共通端子A
xzとX軸用端子Bxとの間の電圧Vxによって検出さ
れ、Z軸方向成分は共通端子AxzとZ軸用端子Bzと
の間の電圧Vzによって検出される。スイッチS1とS
2とは連動しており、一方がONになると他方がOFF
となる。同様に、スイッチS3とS4とは連動してお
り、一方がONになると他方がOFFとなる。図に示す
ように、スイッチS1をON、スイッチS2をOFF、
スイッチS3をOFF、スイッチS4をONの状態にす
ると、この回路は図5(a) に示すX軸方向成分の検出回
路と等価になる。また、各スイッチを切り換え、スイッ
チS1をOFF、スイッチS2をON、スイッチS3を
ON、スイッチS4をOFFの状態にすると、この回路
は図7(a) に示すZ軸方向成分の検出回路と等価にな
る。図11(b) の回路も同様に、4つのスイッチS1〜
S4の操作により、X軸方向成分の検出とZ軸方向成分
の検出とを切り換えることができる。図に示すように、
スイッチS1をOFF、スイッチS2をON、スイッチ
S3をON、スイッチS4をOFFの状態にすると、こ
の回路は図5(b) に示すX軸方向成分の検出回路と等価
になる。また、各スイッチを切り換え、スイッチS1を
ON、スイッチS2をOFF、スイッチS3をOFF、
スイッチS4をONの状態にすると、この回路は図7
(b) に示すZ軸方向成分の検出回路と等価になる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0048
【補正方法】変更
【補正内容】
【0048】 このような配置を行えば、検出子D1〜
D4によってX軸方向の力を検出し、検出子D5〜D8
によってY軸方向の力を検出し、検出子D9〜D12ま
たは検出子D13〜16、あるいは検出子D9〜D16
によってZ軸方向の力を検出することができる。したが
って、X,Y,Z軸方向の力の検出を、完全に独立別個
の検出子によって行うことができる。もっとも、基板1
0の基板面に垂直なZ軸方向に関しては、基板面に平行
ないずれの軸に沿って配置した検出子を用いても検出が
可能である。すなわち、X軸に沿って配置した検出子D
1〜D4、Y軸に沿って配置した検出子D5〜D8、W
1軸に沿って配置した検出子D9〜D12、W2軸に沿
って配置した検出子D13〜D16、のいずれを用いて
も、Z軸方向の力検出が可能である。また、ここで用い
る圧電素子は、図16に示すように単一の基板25で構
成されたものであってもよい。
D4によってX軸方向の力を検出し、検出子D5〜D8
によってY軸方向の力を検出し、検出子D9〜D12ま
たは検出子D13〜16、あるいは検出子D9〜D16
によってZ軸方向の力を検出することができる。したが
って、X,Y,Z軸方向の力の検出を、完全に独立別個
の検出子によって行うことができる。もっとも、基板1
0の基板面に垂直なZ軸方向に関しては、基板面に平行
ないずれの軸に沿って配置した検出子を用いても検出が
可能である。すなわち、X軸に沿って配置した検出子D
1〜D4、Y軸に沿って配置した検出子D5〜D8、W
1軸に沿って配置した検出子D9〜D12、W2軸に沿
って配置した検出子D13〜D16、のいずれを用いて
も、Z軸方向の力検出が可能である。また、ここで用い
る圧電素子は、図16に示すように単一の基板25で構
成されたものであってもよい。
【手続補正3】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
Claims (16)
- 【請求項1】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を4組用意
し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を定義し、前記4
組の検出子のうちの2組をX軸の正の側に、他の2組を
負の側に、それぞれX軸に沿って並べて配置し、各検出
子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記原
点に伝達する機能を有する作用体を形成し、 前記作用体に発生した力を、前記4組の検出子の各電極
に発生する電荷に基づいて検出するようにしたことを特
徴とする圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項2】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を4組用意
し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を定義し、前記4
組の検出子のうちの2組をX軸の正の側に、他の2組を
負の側に、それぞれX軸に沿って並べて配置し、各検出
子の一方の電極を前記基板に固定し、 前記基板の原点近傍をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記基
板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体を形成
し、 前記作用体に発生した力を、前記4組の検出子の各電極
に発生する電荷に基づいて検出するようにしたことを特
徴とする圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項3】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を4組用意
し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点を通りか
つ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ定義し、前記
4組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域の基
板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側に、
第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の検出
子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿って
並べて配置し、各検出子の一方の電極を前記基板に固定
し、 前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記原
点に伝達する機能を有する作用体を形成し、 各検出子において、前記基板に固定された電極に対する
もう一方の電極の電位を求め、 前記第1の検出子における電位と前記第3の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第4の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記X軸方向の力を検出し、
前記第1の検出子における電位と前記第4の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第3の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記Z軸方向の力を検出する
ことを特徴とする圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項4】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を4組用意
し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点を通りか
つ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ定義し、前記
4組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域の基
板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側に、
第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の検出
子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿って
並べて配置し、各検出子の一方の電極を前記基板に固定
し、 前記原点近傍をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記基
板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体を形成
し、 各検出子において、前記基板に固定された電極に対する
もう一方の電極の電位を求め、 前記第1の検出子における電位と前記第3の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第4の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記X軸方向の力を検出し、 前記第1の検出子における電位と前記第4の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第3の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記Z軸方向の力を検出する
ことを特徴とする圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項5】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を8組用意
し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点において
X軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY軸を、原点を
通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ定義
し、 前記8組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域
の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側
に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の
検出子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿
って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記
基板に固定し、 前記8組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の負領域
の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基板内側
に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、第8の
検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY軸に沿
って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記
基板に固定し、 前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記原
点に伝達する機能を有する作用体を形成し、 各検出子において、前記基板に固定された電極に対する
もう一方の電極の電位を求め、 前記第1の検出子における電位と前記第3の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第4の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記X軸方向の力を検出し、 前記第5の検出子における電位と前記第7の検出子にお
ける電位との和と、前記第6の検出子における電位と前
記第8の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記Y軸方向の力を検出し、 前記第1の検出子における電位と前記第4の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第3の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、あるいは、前記第5の検出子における電位と前記第
8の検出子における電位との和と、前記第6の検出子に
おける電位と前記第7の検出子における電位との和と、
の差に基づいて、または、前記第1の検出子における電
位、前記第4の検出子における電位、前記第5の検出子
における電位、および前記第8の検出子における電位の
総和と、前記第2の検出子における電位、前記第3の検
出子における電位、前記第6の検出子における電位、お
よび前記第7の検出子における電位の総和と、の差に基
づいて、前記作用体に発生した前記Z軸方向の力を検出
することを特徴とする圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項6】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を8組用意
し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点において
X軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY軸を、原点を
通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ定義
し、 前記8組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域
の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側
に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の
検出子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿
って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記
基板に固定し、 前記8組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の負領域
の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基板内側
に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、第8の
検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY軸に沿
って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記
基板に固定し、 前記原点近傍をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記基
板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体を形成
し、 各検出子において、前記基板に固定された電極に対する
もう一方の電極の電位を求め、 前記第1の検出子における電位と前記第3の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第4の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記X軸方向の力を検出し、 前記第5の検出子における電位と前記第7の検出子にお
ける電位との和と、前記第6の検出子における電位と前
記第8の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記Y軸方向の力を検出し、 前記第1の検出子における電位と前記第4の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第3の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、あるいは、前記第5の検出子における電位と前記第
8の検出子における電位との和と、前記第6の検出子に
おける電位と前記第7の検出子における電位との和と、
の差に基づいて、または、前記第1の検出子における電
位、前記第4の検出子における電位、前記第5の検出子
における電位、および前記第8の検出子における電位の
総和と、前記第2の検出子における電位、前記第3の検
出子における電位、前記第6の検出子における電位、お
よび前記第7の検出子における電位の総和と、の差に基
づいて、前記作用体に発生した前記Z軸方向の力を検出
することを特徴とする圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項7】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を12組用
意し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点において
X軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY軸を、原点を
通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、原点において
X,Y,Zの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向にW
軸を、それぞれ定義し、 前記12組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領
域の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内
側に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4
の検出子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に
沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前
記基板に固定し、 前記12組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の負領
域の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基板内
側に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、第8
の検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY軸に
沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前
記基板に固定し、 前記12組の検出子のうち、第9の検出子をW軸の負領
域の基板外側に、第10の検出子をW軸の負領域の基板
内側に、第11の検出子をW軸の正領域の基板内側に、
第12の検出子をW軸の正領域の基板外側に、それぞれ
W軸に沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電
極を前記基板に固定し、 前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記原
点に伝達する機能を有する作用体を形成し、 各検出子において、前記基板に固定された電極に対する
もう一方の電極の電位を求め、 前記第1の検出子における電位と前記第3の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第4の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記X軸方向の力を検出し、 前記第5の検出子における電位と前記第7の検出子にお
ける電位との和と、前記第6の検出子における電位と前
記第8の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記Y軸方向の力を検出し、 前記第9の検出子における電位と前記第12の検出子に
おける電位との和と、 前記第10の検出子における電位と前記第11の検出子
における電位との和と、 の差に基づいて、前記作用体に発生した前記Z軸方向の
力を検出することを特徴とする圧電素子を用いた力セン
サ。 - 【請求項8】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を12組用
意し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点において
X軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY軸を、原点を
通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、原点において
X,Y,Zの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向にW
軸を、それぞれ定義し、 前記12組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領
域の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内
側に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4
の検出子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に
沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前
記基板に固定し、 前記12組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の負領
域の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基板内
側に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、第8
の検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY軸に
沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前
記基板に固定し、 前記12組の検出子のうち、第9の検出子をW軸の負領
域の基板外側に、第10の検出子をW軸の負領域の基板
内側に、第11の検出子をW軸の正領域の基板内側に、
第12の検出子をW軸の正領域の基板外側に、それぞれ
W軸に沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電
極を前記基板に固定し、 前記原点近傍をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記基
板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体を形成
し、 各検出子において、前記基板に固定された電極に対する
もう一方の電極の電位を求め、 前記第1の検出子における電位と前記第3の検出子にお
ける電位との和と、前記第2の検出子における電位と前
記第4の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記X軸方向の力を検出し、 前記第5の検出子における電位と前記第7の検出子にお
ける電位との和と、前記第6の検出子における電位と前
記第8の検出子における電位との和と、の差に基づい
て、前記作用体に発生した前記Y軸方向の力を検出し、 前記第9の検出子における電位と前記第12の検出子に
おける電位との和と、前記第10の検出子における電位
と前記第11の検出子における電位との和と、の差に基
づいて、前記作用体に発生した前記Z軸方向の力を検出
することを特徴とする圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項9】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上面
に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成さ
れた下部電極と、によって構成される検出子を4組用意
し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点を通りか
つ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ定義し、前記
4組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域の基
板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側に、
第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の検出
子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿って
並べて配置し、各検出子の一方の電極を前記基板に固定
し、 前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記原
点に伝達する機能を有する作用体を形成し、 各検出子において、前記基板に固定された電極を第1の
電極、もう一方の電極を第2の電極、とそれぞれ定義
し、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第1の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第2の検出
端子と、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第3の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第4の検出
端子と、 を設け、前記第1の検出端子と前記第2の検出端子との
間の電位差に基づいて、前記作用体に発生した前記X軸
方向の力を検出し、前記第3の検出端子と前記第4の検
出端子との間の電位差に基づいて、前記作用体に発生し
た前記Z軸方向の力を検出することを特徴とする圧電素
子を用いた力センサ。 - 【請求項10】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上
面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成
された下部電極と、によって構成される検出子を4組用
意し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点を通りか
つ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ定義し、前記
4組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域の基
板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側に、
第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の検出
子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿って
並べて配置し、各検出子の一方の電極を前記基板に固定
し、 前記原点近傍をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記基
板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体を形成
し、 各検出子において、前記基板に固定された電極を第1の
電極、もう一方の電極を第2の電極、とそれぞれ定義
し、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第1の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第2の検出
端子と、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第3の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第4の検出
端子と、 を設け、前記第1の検出端子と前記第2の検出端子との
間の電位差に基づいて、前記作用体に発生した前記X軸
方向の力を検出し、前記第3の検出端子と前記第4の検
出端子との間の電位差に基づいて、前記作用体に発生し
た前記Z軸方向の力を検出することを特徴とする圧電素
子を用いた力センサ。 - 【請求項11】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上
面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成
された下部電極と、によって構成される検出子を8組用
意し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点において
X軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY軸を、原点を
通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ定義
し、前記8組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負
領域の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板
内側に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第
4の検出子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸
に沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を
前記基板に固定し、 前記8組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の負領域
の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基板内側
に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、第8の
検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY軸に沿
って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記
基板に固定し、 前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記原
点に伝達する機能を有する作用体を形成し、 各検出子において、前記基板に固定された電極を第1の
電極、もう一方の電極を第2の電極、とそれぞれ定義
し、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第1の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第2の検出
端子と、 前記第5の検出子の第1の電極と、前記第6の検出子の
第2の電極と、前記第7の検出子の第1の電極と、前記
第8の検出子の第2の電極と、に接続しうる第3の検出
端子と、 前記第5の検出子の第2の電極と、前記第6の検出子の
第1の電極と、前記第7の検出子の第2の電極と、前記
第8の検出子の第1の電極と、に接続しうる第4の検出
端子と、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第5の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第6の検出
端子と、 を設け、前記第1の検出端子と前記第2の検出端子との
間の電位差に基づいて、前記作用体に発生した前記X軸
方向の力を検出し、前記第3の検出端子と前記第4の検
出端子との間の電位差に基づいて、前記作用体に発生し
た前記Y軸方向の力を検出し、前記第5の検出端子と前
記第6の検出端子との間の電位差に基づいて、前記作用
体に発生した前記Z軸方向の力を検出することを特徴と
する圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項12】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上
面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成
された下部電極と、によって構成される検出子を8組用
意し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点において
X軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY軸を、原点を
通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、それぞれ定義
し、 前記8組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領域
の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内側
に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4の
検出子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿
って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記
基板に固定し、 前記8組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の負領域
の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基板内側
に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、第8の
検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY軸に沿
って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記
基板に固定し、 前記原点近傍をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記基
板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体を形成
し、 各検出子において、前記基板に固定された電極を第1の
電極、もう一方の電極を第2の電極、とそれぞれ定義
し、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第1の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第2の検出
端子と、 前記第5の検出子の第1の電極と、前記第6の検出子の
第2の電極と、前記第7の検出子の第1の電極と、前記
第8の検出子の第2の電極と、に接続しうる第3の検出
端子と、 前記第5の検出子の第2の電極と、前記第6の検出子の
第1の電極と、前記第7の検出子の第2の電極と、前記
第8の検出子の第1の電極と、に接続しうる第4の検出
端子と、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第5の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第6の検出
端子と、 を設け、前記第1の検出端子と前記第2の検出端子との
間の電位差に基づいて、前記作用体に発生した前記X軸
方向の力を検出し、前記第3の検出端子と前記第4の検
出端子との間の電位差に基づいて、前記作用体に発生し
た前記Y軸方向の力を検出し、前記第5の検出端子と前
記第6の検出端子との間の電位差に基づいて、前記作用
体に発生した前記Z軸方向の力を検出することを特徴と
する圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項13】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上
面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成
された下部電極と、によって構成される検出子を12組
用意し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点において
X軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY軸を、原点を
通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、原点において
X,Y,Zの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向にW
軸を、それぞれ定義し、 前記12組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領
域の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内
側に、第3の検出子をX軸の正領域の基板内側に、第4
の検出子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に
沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前
記基板に固定し、 前記12組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の負領
域の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基板内
側に、第7の検出子をY軸の正領域の基板内側に、第8
の検出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY軸に
沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前
記基板に固定し、 前記12組の検出子のうち、第9の検出子をW軸の負領
域の基板外側に、第10の検出子をW軸の負領域の基板
内側に、第11の検出子をW軸の正領域の基板内側に、
第12の検出子をW軸の正領域の基板外側に、それぞれ
W軸に沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電
極を前記基板に固定し、 前記基板外側の周囲部分をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記原
点に伝達する機能を有する作用体を形成し、 各検出子において、前記基板に固定された電極を第1の
電極、もう一方の電極を第2の電極、とそれぞれ定義
し、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第1の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第2の検出
端子と、 前記第5の検出子の第1の電極と、前記第6の検出子の
第2の電極と、前記第7の検出子の第1の電極と、前記
第8の検出子の第2の電極と、に接続しうる第3の検出
端子と、 前記第5の検出子の第2の電極と、前記第6の検出子の
第1の電極と、前記第7の検出子の第2の電極と、前記
第8の検出子の第1の電極と、に接続しうる第4の検出
端子と、 前記第9の検出子の第1の電極と、前記第10の検出子
の第2の電極と、前記第11の検出子の第2の電極と、
前記第12の検出子の第1の電極と、に接続しうる第5
の検出端子と、 前記第9の検出子の第2の電極と、前記第10の検出子
の第1の電極と、前記第11の検出子の第1の電極と、
前記第12の検出子の第2の電極と、に接続しうる第6
の検出端子と、 を設け、前記第1の検出端子と前記第2の検出端子との
間の電位差に基づいて、前記作用体に発生した前記X軸
方向の力を検出し、前記第3の検出端子と前記第4の検
出端子との間の電位差に基づいて、前記作用体に発生し
た前記Y軸方向の力を検出し、前記第5の検出端子と前
記第6の検出端子との間の電位差に基づいて、前記作用
体に発生した前記Z軸方向の力を検出することを特徴と
する圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項14】 板状の圧電素子と、この圧電素子の上
面に形成された上部電極と、この圧電素子の下面に形成
された下部電極と、によって構成される検出子を12組
用意し、 可撓性をもった基板内の1点に原点を定義し、この原点
を通りかつ基板面に平行な方向にX軸を、原点において
X軸と直交しかつ基板面に平行な方向にY軸を、原点を
通りかつ基板面に垂直な方向にZ軸を、原点において
X,Y,Zの各軸と交わりかつ基板面に平行な方向にW
軸を、それぞれ定義し、 前記12組の検出子のうち、第1の検出子をX軸の負領
域の基板外側に、第2の検出子をX軸の負領域の基板内
側に、第3の検出子をX軸の正領域の内側に、第4の検
出子をX軸の正領域の基板外側に、それぞれX軸に沿っ
て並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記基
板に固定し、 前記12組の検出子のうち、第5の検出子をY軸の負領
域の基板外側に、第6の検出子をY軸の負領域の基板内
側に、第7の検出子をY軸の正領域の内側に、第8の検
出子をY軸の正領域の基板外側に、それぞれY軸に沿っ
て並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を前記基
板に固定し、 前記12組の検出子のうち、第9の検出子をW軸の負領
域の基板外側に、第10の検出子をW軸の負領域の基板
内側に、第11の検出子をW軸の正領域の内側に、第1
2の検出子をW軸の正領域の基板外側に、それぞれW軸
に沿って並べて配置し、これら各検出子の一方の電極を
前記基板に固定し、 前記原点近傍をセンサ筐体に固定し、 外部から作用する物理量に基いて発生した力を、前記基
板外側の周囲部分に伝達する機能を有する作用体を形成
し、 各検出子において、前記基板に固定された電極にを第1
の電極、もう一方の電極を第2の電極、とそれぞれ定義
し、 前記第1の検出子の第1の電極と、前記第2の検出子の
第2の電極と、前記第3の検出子の第1の電極と、前記
第4の検出子の第2の電極と、に接続しうる第1の検出
端子と、 前記第1の検出子の第2の電極と、前記第2の検出子の
第1の電極と、前記第3の検出子の第2の電極と、前記
第4の検出子の第1の電極と、に接続しうる第2の検出
端子と、 前記第5の検出子の第1の電極と、前記第6の検出子の
第2の電極と、前記第7の検出子の第1の電極と、前記
第8の検出子の第2の電極と、に接続しうる第3の検出
端子と、 前記第5の検出子の第2の電極と、前記第6の検出子の
第1の電極と、前記第7の検出子の第2の電極と、前記
第8の検出子の第1の電極と、に接続しうる第4の検出
端子と、 前記第9の検出子の第1の電極と、前記第10の検出子
の第2の電極と、前記第11の検出子の第2の電極と、
前記第12の検出子の第1の電極と、に接続しうる第5
の検出端子と、 前記第9の検出子の第2の電極と、前記第10の検出子
の第1の電極と、前記第11の検出子の第1の電極と、
前記第12の検出子の第2の電極と、に接続しうる第6
の検出端子と、 を設け、前記第1の検出端子と前記第2の検出端子との
間の電位差に基づいて、前記作用体に発生した前記X軸
方向の力を検出し、前記第3の検出端子と前記第4の検
出端子との間の電位差に基づいて、前記作用体に発生し
た前記Y軸方向の力を検出し、前記第5の検出端子と前
記第6の検出端子との間の電位差に基づいて、前記作用
体に発生した前記Z軸方向の力を検出することを特徴と
する圧電素子を用いた力センサ。 - 【請求項15】 請求項1〜14のいずれかに記載のセ
ンサにおいて、外部から与えられる加速度に基づいて作
用体に力を発生させることにより、加速度を検出しうる
ようにしたことを特徴とする圧電素子を用いた加速度セ
ンサ。 - 【請求項16】 請求項1〜14のいずれかに記載のセ
ンサにおいて、作用体を磁性材料で構成し、外部から与
えられる磁気に基づいて作用体に力を発生させることに
より、磁気を検出しうるようにしたことを特徴とする圧
電素子を用いた磁気センサ。
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WO (1) | WO1993002342A1 (ja) |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01136313U (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-19 | ||
JPH0581717U (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | 富士電気化学株式会社 | 加速度センサ |
WO1996010184A1 (fr) * | 1994-09-28 | 1996-04-04 | Wacoh Corporation | Capteur d'acceleration utilisant un element piezoelectrique |
WO1997009622A1 (en) * | 1995-09-07 | 1997-03-13 | The Whitaker Corporation | Polyaxial acceleration sensor beam |
US5959209A (en) * | 1997-04-04 | 1999-09-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Sensor unit having multiple sensors each providing independent detection of a force component |
US6347555B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-02-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Force sensor circuit |
US6474134B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-11-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for adjusting sensitivity of acceleration sensor |
KR20020095314A (ko) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | (주)한국아이엔디 | 발판형 3차원센서 |
US6508127B1 (en) | 1999-04-02 | 2003-01-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Acceleration sensor element, acceleration sensor, and method of manufacturing the same |
US6523423B1 (en) | 1998-12-25 | 2003-02-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Force sensor |
US6546800B1 (en) | 1999-04-02 | 2003-04-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Acceleration sensor element, acceleration sensor, and method of manufacturing the same |
JP2012051042A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Yaskawa Electric Corp | ロボットシステム及びロボット制御装置 |
WO2013027736A1 (ja) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | 日本電気株式会社 | 圧電振動センサ |
US8650965B2 (en) | 2010-08-31 | 2014-02-18 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Robot, robot system, robot control device, and state determining method |
JP2014202618A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 日本写真印刷株式会社 | 圧力検出装置 |
JP2015528892A (ja) * | 2012-06-04 | 2015-10-01 | ネイションズ テクノロジーズ インコーポレーテッド | 交流磁界誘導装置 |
Families Citing this family (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6864677B1 (en) * | 1993-12-15 | 2005-03-08 | Kazuhiro Okada | Method of testing a sensor |
EP0461265B1 (en) | 1989-12-28 | 1995-05-10 | Wacoh Corporation | Acceleration sensors |
US6314823B1 (en) | 1991-09-20 | 2001-11-13 | Kazuhiro Okada | Force detector and acceleration detector and method of manufacturing the same |
US5421213A (en) * | 1990-10-12 | 1995-06-06 | Okada; Kazuhiro | Multi-dimensional force detector |
JP3027457B2 (ja) * | 1991-10-25 | 2000-04-04 | 和廣 岡田 | 多次元方向に関する力・加速度・磁気の検出装置 |
US5646346A (en) * | 1994-11-10 | 1997-07-08 | Okada; Kazuhiro | Multi-axial angular velocity sensor |
US6282956B1 (en) | 1994-12-29 | 2001-09-04 | Kazuhiro Okada | Multi-axial angular velocity sensor |
JP3256346B2 (ja) * | 1993-07-29 | 2002-02-12 | 和廣 岡田 | 圧電素子を用いた力・加速度・磁気のセンサ |
US5636807A (en) * | 1994-08-01 | 1997-06-10 | H. Koch & Sons Co., Inc. | Acceleration sensor having inertia weight responsive to accelerations in every direction |
US6003371A (en) | 1995-02-21 | 1999-12-21 | Wacoh Corporation | Angular velocity sensor |
JP3585980B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2004-11-10 | 株式会社ワコー | 角速度センサ |
JPH0949856A (ja) * | 1995-05-31 | 1997-02-18 | Wako:Kk | 加速度センサ |
JP3079961B2 (ja) * | 1995-07-11 | 2000-08-21 | 株式会社村田製作所 | 衝撃センサ |
JPH09119943A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-06 | Wako:Kk | 加速度センサ |
JPH09215808A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-08-19 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | スイング型運動用具の練習装置及びスイング型運動用具 |
JP4011626B2 (ja) * | 1996-07-10 | 2007-11-21 | 株式会社ワコー | 角速度センサ |
US6367326B1 (en) | 1996-07-10 | 2002-04-09 | Wacoh Corporation | Angular velocity sensor |
EP0828140A1 (de) * | 1996-09-04 | 1998-03-11 | AB Elektronik GmbH | Füllstandsensor |
US5777239A (en) * | 1996-10-29 | 1998-07-07 | Fuglewicz; Daniel P. | Piezoelectric pressure/force transducer |
US6247371B1 (en) | 1997-04-04 | 2001-06-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Three-axis sensor |
JP3200026B2 (ja) * | 1997-04-04 | 2001-08-20 | 日本碍子株式会社 | 周設センサ |
ATE268469T1 (de) * | 1997-04-21 | 2004-06-15 | Bergen Michael Van | Linearer kraftsensor mit zwei schichten und zwei stempeln |
JP4176849B2 (ja) * | 1997-05-08 | 2008-11-05 | 株式会社ワコー | センサの製造方法 |
TW425478B (en) * | 1997-09-26 | 2001-03-11 | Hokuriku Elect Ind | Acceleration sensor and 3-axis acceleration sensor |
TW418318B (en) | 1998-07-27 | 2001-01-11 | Hokuriku Electric Co Ltd | Acceleration detecting apparatus |
US6360612B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-03-26 | Constantin M. Trantzas | Pressure sensor apparatus |
JP2000338129A (ja) | 1999-03-19 | 2000-12-08 | Ngk Insulators Ltd | 加速度センサ素子の感度較正方法 |
US7789742B1 (en) | 1999-05-12 | 2010-09-07 | Wilbert Q. Murdock | Smart golf club multiplayer system for the internet |
JP3261653B2 (ja) * | 1999-07-07 | 2002-03-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 指装着型6軸力覚センサ |
US6378384B1 (en) * | 1999-08-04 | 2002-04-30 | C-Cubed Limited | Force sensing transducer and apparatus |
JP4295883B2 (ja) | 1999-12-13 | 2009-07-15 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
EP1275949B1 (fr) | 2001-07-10 | 2008-09-24 | Société de Technologie Michelin | Pneumatique comportant un dispositif de mesure |
US6809529B2 (en) * | 2001-08-10 | 2004-10-26 | Wacoh Corporation | Force detector |
DE10143489C2 (de) * | 2001-09-05 | 2003-07-17 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Anordnung zum Erfassen von Relativbewegungen zweier Objekte |
US6853315B2 (en) * | 2002-01-23 | 2005-02-08 | Triad Sensors, Inc. | Piezoelectric rate sensor system and method |
JP4216525B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2009-01-28 | 株式会社ワコー | 加速度センサおよびその製造方法 |
AUPS264302A0 (en) * | 2002-05-29 | 2002-06-20 | Neopraxis Pty Ltd | Implantable bladder sensor |
JP4125931B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2008-07-30 | 株式会社ワコー | 回転操作量の入力装置およびこれを利用した操作装置 |
EP1537609A2 (en) * | 2002-09-04 | 2005-06-08 | Triad Sensors Inc. | Interface electronics for piezoelectric devices |
US7152482B2 (en) | 2002-10-01 | 2006-12-26 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | Piezoelectric sensor and input device including same |
US20040159166A1 (en) * | 2003-02-13 | 2004-08-19 | Schiller Peter J. | Solid-state piezoelectric motion transducer |
JP4271475B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-06-03 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
JP4907050B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2012-03-28 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
JP4387691B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2009-12-16 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
WO2005116580A1 (en) * | 2003-05-08 | 2005-12-08 | Triad Sensors, Inc. | Force balanced piezoelectric rate sensor |
US7470288B2 (en) * | 2003-07-11 | 2008-12-30 | Depuy Products, Inc. | Telemetric tibial tray |
EP1736739A3 (en) * | 2005-04-15 | 2007-12-05 | Avinash Shrikrishna Vaidya | Sensor devices |
FR2885409B1 (fr) * | 2005-05-04 | 2007-08-31 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de mesure de force a tige rigide |
US20070041273A1 (en) * | 2005-06-21 | 2007-02-22 | Shertukde Hemchandra M | Acoustic sensor |
AT504851B1 (de) * | 2006-11-07 | 2009-03-15 | Arc Seibersdorf Res Gmbh | Schlagpolster |
JP2008190931A (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Wacoh Corp | 加速度と角速度との双方を検出するセンサ |
JP4946763B2 (ja) * | 2007-10-01 | 2012-06-06 | ブラザー工業株式会社 | 屈曲検出装置 |
JP2010071793A (ja) | 2008-09-18 | 2010-04-02 | Toshiba Corp | 多軸加速度センサ及び角速度センサ |
FR2942316B1 (fr) | 2009-02-13 | 2011-07-22 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de force de contact |
US8334159B1 (en) * | 2009-03-30 | 2012-12-18 | Advanced Numicro Systems, Inc. | MEMS pressure sensor using capacitive technique |
JP5439068B2 (ja) * | 2009-07-08 | 2014-03-12 | 株式会社ワコー | 力検出装置 |
KR101119283B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2012-06-05 | 삼성전기주식회사 | 관성 센서 및 그 제조 방법 |
DE102010002274A1 (de) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Vorrichtung zur Messung von Torsionen, Biegungen und dergleichen sowie entsprechendes Herstellungsverfahren |
JP5258816B2 (ja) | 2010-02-27 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | 空気調和機 |
US11117033B2 (en) | 2010-04-26 | 2021-09-14 | Wilbert Quinc Murdock | Smart system for display of dynamic movement parameters in sports and training |
CN102175892B (zh) * | 2011-01-26 | 2013-05-01 | 边义祥 | 含芯压电棒多维加速度传感器及加速度测量方法 |
ITTO20120890A1 (it) * | 2012-10-11 | 2014-04-12 | Fond Istituto Italiano Di Tecnologia | Unita' elettronica di misura per un dispositivo polimorfico per la misura di forze, e dispositivo polimorfico includente la medesima |
CN103335754B (zh) * | 2013-06-19 | 2015-04-22 | 合肥工业大学 | 全柔性三维力触觉传感器 |
JP5529328B1 (ja) | 2013-09-04 | 2014-06-25 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 発電素子 |
JP6053247B1 (ja) | 2015-01-26 | 2016-12-27 | 株式会社ワコーテック | 力覚センサ |
FR3033087B1 (fr) * | 2015-02-23 | 2018-03-23 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif piezoelectrique |
CN106255870B (zh) | 2015-04-07 | 2018-04-27 | 三角力量管理株式会社 | 力觉传感器及用于其的结构体 |
JP5996078B1 (ja) | 2015-10-19 | 2016-09-21 | 株式会社トライフォース・マネジメント | 発電素子 |
RU2686573C1 (ru) * | 2015-12-04 | 2019-04-29 | Кистлер Холдинг Аг | Устройство для измерения ускорения и способ изготовления такого устройства для измерения ускорения |
CN106289619A (zh) * | 2016-09-13 | 2017-01-04 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种高精度高刚度六维力测量平台 |
JP6843726B2 (ja) * | 2017-10-17 | 2021-03-17 | キヤノン株式会社 | 力覚センサ及びロボット |
US11693021B2 (en) * | 2020-06-09 | 2023-07-04 | Infineon Technologies Ag | Combined corrugated piezoelectric microphone and corrugated piezoelectric vibration sensor |
US11611835B2 (en) * | 2020-06-09 | 2023-03-21 | Infineon Technologies Ag | Combined corrugated piezoelectric microphone and corrugated piezoelectric vibration sensor |
US11691871B2 (en) | 2021-06-18 | 2023-07-04 | Infineon Technologies Ag | Microelectromechanical system (MEMS) vibration sensor having a segmented backplate |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3124770A (en) * | 1964-03-10 | Ciavatta | ||
US2386279A (en) * | 1942-07-21 | 1945-10-09 | Raymond W Tibbetts | Piezoelectric device |
US2848892A (en) * | 1954-10-21 | 1958-08-26 | Hoffman Donald Bernard | Elevator load transducer |
US3149488A (en) * | 1962-08-13 | 1964-09-22 | Gulton Ind Inc | Strain gauge measuring apparatus |
US3252016A (en) * | 1962-09-11 | 1966-05-17 | Gulton Ind Inc | Electro-mechanical transducer |
US3247711A (en) * | 1963-06-10 | 1966-04-26 | Gulton Ind Inc | Digital force measuring apparatus |
US3456226A (en) * | 1967-10-27 | 1969-07-15 | Conrac Corp | Strain gage configuration |
CH476990A (de) * | 1968-07-30 | 1969-08-15 | Kistler Instrumente Ag | Kraftaufnehmer mit mindestens einem zwischen zwei Kraftübertragungslagern angeordneten Piezoelement |
DE2809549C2 (de) * | 1977-03-07 | 1985-03-14 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Druckmeßfühlers und Halbleiter-Druckmeßfühler |
JPS584967B2 (ja) * | 1977-05-30 | 1983-01-28 | 横河電機株式会社 | 流速流量測定装置 |
US4530244A (en) * | 1982-01-04 | 1985-07-23 | Honeywell Inc. | Semiconductor pressure transducer |
EP0100501B1 (en) * | 1982-07-28 | 1989-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Vibration sensor |
JPS6034295A (ja) * | 1983-08-03 | 1985-02-21 | 株式会社日立製作所 | 皮膚感覚センサ |
DE3680341D1 (de) * | 1986-11-07 | 1991-08-22 | Kristal Instr Ag | Mehrkomponenten-dynamometer. |
JPH063403B2 (ja) * | 1986-11-17 | 1994-01-12 | 日本電気株式会社 | 積層型圧電素子 |
EP0312605A4 (en) * | 1987-04-24 | 1992-06-17 | Kabushiki Kaisha Nexy Kenkyusho | Detector for force, acceleration and magnetism using resistor element |
US4905523A (en) * | 1987-04-24 | 1990-03-06 | Wacoh Corporation | Force detector and moment detector using resistance element |
EP0333872B1 (en) * | 1987-09-18 | 1995-08-23 | Wacoh Corporation | Gripper for a robot |
JP2662564B2 (ja) * | 1988-03-28 | 1997-10-15 | アイシン精機株式会社 | 加速度検出装置 |
US4896543A (en) * | 1988-11-15 | 1990-01-30 | Sri International, Inc. | Three-axis force measurement stylus |
US5035148A (en) * | 1989-02-01 | 1991-07-30 | Wacoh Corporation | Force detector using resistance elements |
JP2681215B2 (ja) * | 1989-05-29 | 1997-11-26 | 株式会社ワコー | 積層基板を用いたセンサの製造方法 |
WO1991013364A2 (en) * | 1990-02-14 | 1991-09-05 | Allied-Signal Inc. | Surface-mount piezoceramic accelerometer and method for making same |
-
1991
- 1991-07-17 JP JP03203876A patent/JP3141954B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-07-09 DE DE69222745T patent/DE69222745T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-09 WO PCT/JP1992/000882 patent/WO1993002342A1/ja active IP Right Grant
- 1992-07-09 EP EP92914919A patent/EP0549807B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-09 US US07/984,435 patent/US5365799A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01136313U (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-19 | ||
JPH0581717U (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | 富士電気化学株式会社 | 加速度センサ |
WO1996010184A1 (fr) * | 1994-09-28 | 1996-04-04 | Wacoh Corporation | Capteur d'acceleration utilisant un element piezoelectrique |
US5850040A (en) * | 1994-09-28 | 1998-12-15 | Wacoh Corporation | Multiaxial acceleration sensor using a piezoelectric element |
WO1997009622A1 (en) * | 1995-09-07 | 1997-03-13 | The Whitaker Corporation | Polyaxial acceleration sensor beam |
US5959209A (en) * | 1997-04-04 | 1999-09-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Sensor unit having multiple sensors each providing independent detection of a force component |
US6523423B1 (en) | 1998-12-25 | 2003-02-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Force sensor |
US6347555B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-02-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Force sensor circuit |
US6474134B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-11-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for adjusting sensitivity of acceleration sensor |
US6546800B1 (en) | 1999-04-02 | 2003-04-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Acceleration sensor element, acceleration sensor, and method of manufacturing the same |
US6508127B1 (en) | 1999-04-02 | 2003-01-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Acceleration sensor element, acceleration sensor, and method of manufacturing the same |
KR20020095314A (ko) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | (주)한국아이엔디 | 발판형 3차원센서 |
JP2012051042A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Yaskawa Electric Corp | ロボットシステム及びロボット制御装置 |
US8650965B2 (en) | 2010-08-31 | 2014-02-18 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Robot, robot system, robot control device, and state determining method |
US9346162B2 (en) | 2010-08-31 | 2016-05-24 | Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki | Robot system, control device of robot, and robot control device |
WO2013027736A1 (ja) * | 2011-08-24 | 2013-02-28 | 日本電気株式会社 | 圧電振動センサ |
JP2015528892A (ja) * | 2012-06-04 | 2015-10-01 | ネイションズ テクノロジーズ インコーポレーテッド | 交流磁界誘導装置 |
JP2014202618A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 日本写真印刷株式会社 | 圧力検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0549807A1 (en) | 1993-07-07 |
JP3141954B2 (ja) | 2001-03-07 |
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US5365799A (en) | 1994-11-22 |
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EP0549807B1 (en) | 1997-10-15 |
DE69222745T2 (de) | 1998-02-12 |
DE69222745D1 (de) | 1997-11-20 |
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