JPH05209264A - Ｉｔｏ導電膜用ターゲット材の製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ導電膜用ターゲット材の製造方法Info
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- JPH05209264A JPH05209264A JP17647592A JP17647592A JPH05209264A JP H05209264 A JPH05209264 A JP H05209264A JP 17647592 A JP17647592 A JP 17647592A JP 17647592 A JP17647592 A JP 17647592A JP H05209264 A JPH05209264 A JP H05209264A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化インジウムと酸化スズの分解を抑えた高
密度のＩＴＯ(インジウム−スズ酸化物）導電膜用ター
ゲット材の製造方法を提供する。 【構成】 酸化インジウムと酸化スズを主成分とする粉
体を圧縮成型して得られた成形体を酸素分圧５００ｔｏ
ｒｒ以上の雰囲気で１２００〜１６００℃で焼結するこ
とを特徴とするＩＴＯ導電膜用ターゲット材の製造方法
である。
密度のＩＴＯ(インジウム−スズ酸化物）導電膜用ター
ゲット材の製造方法を提供する。 【構成】 酸化インジウムと酸化スズを主成分とする粉
体を圧縮成型して得られた成形体を酸素分圧５００ｔｏ
ｒｒ以上の雰囲気で１２００〜１６００℃で焼結するこ
とを特徴とするＩＴＯ導電膜用ターゲット材の製造方法
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＴＯ（インジウム−ス
ズ 酸化物）の導電膜をスパッタリング法で形成するた
めに用いられるＩＴＯ導電膜用ターゲット材の製造方法
に関する。
ズ 酸化物）の導電膜をスパッタリング法で形成するた
めに用いられるＩＴＯ導電膜用ターゲット材の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＴＯ膜は高い導電性と可視光線
の透過性を有するので、透明電極用の材料として注目さ
れ、液晶表示装置、エレクトロルミネセンス表示装置等
に広く用いられるようになってきた。透明電極膜の製造
は、以前は蒸着法、気相反応法等が使用されていたが、
電極形成面の大面積化および成膜作業の制御の容易さか
ら現在はターゲットを用いたスパッタリング法が主流と
なってきている。これに用いるターゲットは酸化インジ
ウムと酸化スズの粉末を混合成型し、次いで焼結するの
が一般の製造方法である。しかし、インジウム酸化物は
大略１４５０℃以上から昇華、分解が起るために、焼結
は１４５０℃以下に限定されてしまうこと、酸化インジ
ウムおよび酸化スズは難焼結性であることから、高密度
の焼結品を作ることが困難であるなどの問題があり、焼
結後の密度はせいぜい相対密度で７０％程度であった。
の透過性を有するので、透明電極用の材料として注目さ
れ、液晶表示装置、エレクトロルミネセンス表示装置等
に広く用いられるようになってきた。透明電極膜の製造
は、以前は蒸着法、気相反応法等が使用されていたが、
電極形成面の大面積化および成膜作業の制御の容易さか
ら現在はターゲットを用いたスパッタリング法が主流と
なってきている。これに用いるターゲットは酸化インジ
ウムと酸化スズの粉末を混合成型し、次いで焼結するの
が一般の製造方法である。しかし、インジウム酸化物は
大略１４５０℃以上から昇華、分解が起るために、焼結
は１４５０℃以下に限定されてしまうこと、酸化インジ
ウムおよび酸化スズは難焼結性であることから、高密度
の焼結品を作ることが困難であるなどの問題があり、焼
結後の密度はせいぜい相対密度で７０％程度であった。
【０００３】ターゲットの密度が低いと、ターゲット自
体の熱伝導率が下がり、ターゲットと接合したバッキン
グプレートで水冷しても十分な冷却効果が得られない場
合がある。ターゲットの冷却が不十分であると、ターゲ
ット表面が高温になり、スパッタリング雰囲気が通常減
圧雰囲気であることから、ターゲットの分解反応が促進
され、ターゲットに低酸化度の酸化物が発生する。この
低酸化度の酸化物が発生するとターゲット表面が黒化す
るとともに、導電薄膜の形成速度が大幅に低下し、さら
に異常放電を引き起こし、スパッタリング電圧の上昇の
原因にもなる。また、このよう低酸化度の酸化物の形成
は導電薄膜の電気抵抗を増加するので好ましくない。そ
のため、実際にスパッタリングによりＩＴＯの導電膜を
作成する際は、一定時間後に、ターゲット表面を研磨し
なおし、ターゲット表面の清浄化を行う必要があった。
最近、上述した問題を解決すべく、ターゲットの密度を
上げる試みとして、特開平２−４３３５６号公報に酸化
インジウム−酸化スズの粉末をバインダーを用いて予備
成形し、脱バインター後、これに冷間静水圧を適用し、
高密度化を行うことが示された。また、特開平２−２３
６２７１号公報にはインジウムとスズの共沈酸化物粉末
の焼結体で相対密度７５％以上の焼結体が得られたこと
が示されている。
体の熱伝導率が下がり、ターゲットと接合したバッキン
グプレートで水冷しても十分な冷却効果が得られない場
合がある。ターゲットの冷却が不十分であると、ターゲ
ット表面が高温になり、スパッタリング雰囲気が通常減
圧雰囲気であることから、ターゲットの分解反応が促進
され、ターゲットに低酸化度の酸化物が発生する。この
低酸化度の酸化物が発生するとターゲット表面が黒化す
るとともに、導電薄膜の形成速度が大幅に低下し、さら
に異常放電を引き起こし、スパッタリング電圧の上昇の
原因にもなる。また、このよう低酸化度の酸化物の形成
は導電薄膜の電気抵抗を増加するので好ましくない。そ
のため、実際にスパッタリングによりＩＴＯの導電膜を
作成する際は、一定時間後に、ターゲット表面を研磨し
なおし、ターゲット表面の清浄化を行う必要があった。
最近、上述した問題を解決すべく、ターゲットの密度を
上げる試みとして、特開平２−４３３５６号公報に酸化
インジウム−酸化スズの粉末をバインダーを用いて予備
成形し、脱バインター後、これに冷間静水圧を適用し、
高密度化を行うことが示された。また、特開平２−２３
６２７１号公報にはインジウムとスズの共沈酸化物粉末
の焼結体で相対密度７５％以上の焼結体が得られたこと
が示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特開平２−４
３３５６号公報の方法を用いても、８０％程度の相対密
度が限界であり、さらなる高密度化が要求されている。
また、特開平２−２３６２７１号には、その例として密
度６．５ｇ／ｃｍ2、相対密度にして９２％のインジウ
ム／スズ比が９０／１０の焼結体が開示されているもの
の、具体的な密度を増加させる方法の記載がないもので
あった。そのため、ＩＴＯ導電膜用ターゲットとして、
高密度の焼結体を得る具体的な方法を開発することが強
く望まれていた。本発明の目的は、容易に高密度の焼結
体を得ることのできるＩＴＯ導電膜用ターゲットの製造
方法を提供することである。
３３５６号公報の方法を用いても、８０％程度の相対密
度が限界であり、さらなる高密度化が要求されている。
また、特開平２−２３６２７１号には、その例として密
度６．５ｇ／ｃｍ2、相対密度にして９２％のインジウ
ム／スズ比が９０／１０の焼結体が開示されているもの
の、具体的な密度を増加させる方法の記載がないもので
あった。そのため、ＩＴＯ導電膜用ターゲットとして、
高密度の焼結体を得る具体的な方法を開発することが強
く望まれていた。本発明の目的は、容易に高密度の焼結
体を得ることのできるＩＴＯ導電膜用ターゲットの製造
方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、焼結による
ＩＴＯ導電膜用ターゲット材製造条件のうち、焼結雰囲
気を種々検討し、粉末原料の昇華、分解を防止する方法
を研究した。本発明はその結果生まれたもので、具体的
には酸化インジウムと酸化スズを主成分とする粉体を圧
縮成型して得られた成形体を酸素分圧５００ｔｏｒｒ以
上の雰囲気で１２００〜１６００℃で焼結することを特
徴とするＩＴＯ導電膜用ターゲット材の製造方法であ
る。
ＩＴＯ導電膜用ターゲット材製造条件のうち、焼結雰囲
気を種々検討し、粉末原料の昇華、分解を防止する方法
を研究した。本発明はその結果生まれたもので、具体的
には酸化インジウムと酸化スズを主成分とする粉体を圧
縮成型して得られた成形体を酸素分圧５００ｔｏｒｒ以
上の雰囲気で１２００〜１６００℃で焼結することを特
徴とするＩＴＯ導電膜用ターゲット材の製造方法であ
る。
【０００６】
【作用】本発明において、焼結雰囲気の酸素分圧を５０
０ｔｏｒｒ以上とすることにより、酸化インジウムおよ
び酸化スズの昇華・分解を抑えることができるため、昇
華・分解による焼結体の密度の低下を防ぐことができ
る。さらに酸素分圧を５００ｔｏｒｒ以上では、通常の
酸化インジウムおよび酸化スズの昇華・分解が始まる１
４５０以上でも焼結が可能である。ただし、１６００℃
を超えると分解が激しくなるため１６００℃以下とす
る。また１２００℃以下では、焼結反応が緩慢となり、
高密度ターゲットを得ることができない。
０ｔｏｒｒ以上とすることにより、酸化インジウムおよ
び酸化スズの昇華・分解を抑えることができるため、昇
華・分解による焼結体の密度の低下を防ぐことができ
る。さらに酸素分圧を５００ｔｏｒｒ以上では、通常の
酸化インジウムおよび酸化スズの昇華・分解が始まる１
４５０以上でも焼結が可能である。ただし、１６００℃
を超えると分解が激しくなるため１６００℃以下とす
る。また１２００℃以下では、焼結反応が緩慢となり、
高密度ターゲットを得ることができない。
【０００７】本発明者は、焼結によるＩＴＯ導電膜用タ
ーゲット材製造条件のうち、焼結雰囲気を検討した。固
体Ｉn2Ｏ3、ＳnＯ2の高温解離現象は古くから検討され
ている。すなわち、Ｉn2Ｏ3、およびＳnＯ2の解離の主
反応は次の式で示される。 Ｉn2Ｏ3(s)＝Ｉn2Ｏ(g)＋Ｏ2(g) ・・・・・(1) 2ＳnＯ2(s)＝2ＳnＯ(g)＋Ｏ2(g) ・・・・・(2) 表１および表４は、それぞれＩn2Ｏ3およびＳnＯ2の各
温度における解離平衡組成（気相の組成）とその分圧
（対数）を示すもので、イ・エス・クリコフ著、酸化物
の熱力学（1986)に収録されているものである。表２に
雰囲気酸素の分圧および温度を変化した時の解離 Ｉn2
Ｏ分圧の変化の試算結果を−logＰIn2Oの値で示す。こ
れから各酸素分圧Ｐｏ2(atm)について、解離分圧(Ｐ
In2O)を等しくする温度(℃)をグラフ上で比較配分する
ことにより推計することができ、その結果を表３に示
す。
ーゲット材製造条件のうち、焼結雰囲気を検討した。固
体Ｉn2Ｏ3、ＳnＯ2の高温解離現象は古くから検討され
ている。すなわち、Ｉn2Ｏ3、およびＳnＯ2の解離の主
反応は次の式で示される。 Ｉn2Ｏ3(s)＝Ｉn2Ｏ(g)＋Ｏ2(g) ・・・・・(1) 2ＳnＯ2(s)＝2ＳnＯ(g)＋Ｏ2(g) ・・・・・(2) 表１および表４は、それぞれＩn2Ｏ3およびＳnＯ2の各
温度における解離平衡組成（気相の組成）とその分圧
（対数）を示すもので、イ・エス・クリコフ著、酸化物
の熱力学（1986)に収録されているものである。表２に
雰囲気酸素の分圧および温度を変化した時の解離 Ｉn2
Ｏ分圧の変化の試算結果を−logＰIn2Oの値で示す。こ
れから各酸素分圧Ｐｏ2(atm)について、解離分圧(Ｐ
In2O)を等しくする温度(℃)をグラフ上で比較配分する
ことにより推計することができ、その結果を表３に示
す。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】
【表３】
【００１１】表３によると、Ｐｏ2が０．２気圧、温度
１５００℃の時のＩnＯ2の解離圧-logＰIn2Oは、酸素分
圧 ３ａｔｍ、温度 １６００℃の時と同じである。すな
わち、酸素圧力を上昇することにより、反応温度を１０
０℃も上昇させることができることがわかる。同様にＳ
nＯ2、すなわち、前述の式(2)の場合について、計算し
た結果を表５，６に示す。すなわち、表４は、ＳnＯ2の
各温度における解離平衡組成(気相の組成)と分圧(対数)
の関係、表５は雰囲気酸素の圧力と温度を変化した場合
の式(2)の解離ＳnＯ分圧の計算結果を−logＰSnOの値で
示す。また、表６は各酸素分圧 Ｐo2(atm)について、解
離分圧(ＰSnO）を等しくする温度℃の関係を示す。表３
と表６を比較すると、Ｉn2ＯまたはＳnＯ分圧を等しく
する(−logＰSn2Oまたは−logＰSnOが等しい)雰囲気酸
素圧力に対する温度変化は、Ｉn2Ｏの方が急峻である。
しかし、表３、表６からわかるように、Ｉn2Ｏの解離圧
はＳnＯに比して約0.79〜0.9桁も大きいから、熱分解は
Ｉn2Ｏ3を重点に考えるべきであることがわかる。
１５００℃の時のＩnＯ2の解離圧-logＰIn2Oは、酸素分
圧 ３ａｔｍ、温度 １６００℃の時と同じである。すな
わち、酸素圧力を上昇することにより、反応温度を１０
０℃も上昇させることができることがわかる。同様にＳ
nＯ2、すなわち、前述の式(2)の場合について、計算し
た結果を表５，６に示す。すなわち、表４は、ＳnＯ2の
各温度における解離平衡組成(気相の組成)と分圧(対数)
の関係、表５は雰囲気酸素の圧力と温度を変化した場合
の式(2)の解離ＳnＯ分圧の計算結果を−logＰSnOの値で
示す。また、表６は各酸素分圧 Ｐo2(atm)について、解
離分圧(ＰSnO）を等しくする温度℃の関係を示す。表３
と表６を比較すると、Ｉn2ＯまたはＳnＯ分圧を等しく
する(−logＰSn2Oまたは−logＰSnOが等しい)雰囲気酸
素圧力に対する温度変化は、Ｉn2Ｏの方が急峻である。
しかし、表３、表６からわかるように、Ｉn2Ｏの解離圧
はＳnＯに比して約0.79〜0.9桁も大きいから、熱分解は
Ｉn2Ｏ3を重点に考えるべきであることがわかる。
【００１２】
【表４】
【００１３】
【表５】
【００１４】
【表６】
【００１５】従来、酸化インジウムと酸化スズを主成分
とし、圧縮成型して得られた成形体を焼結する温度は、
分解温度により大略１４５０℃以下に限定されていた
が、本熱力学的考察によれば、酸素分圧を上昇させるこ
とにより、たとえばＰo2を１０ａｔｍとすると、上記に
よりＩn2Ｏ3の熱分解を考えて、従来大気中で１４５０
℃としていたのに対し、焼結温度を１５８５℃まで上昇
させることができる。これは、分解反応を抑えながら、
焼結反応速度を増大させる結果となるものである。本発
明は、以上のような検討と、実際にこれに基づく、実施
確認実験の結果から生まれたもので、焼結雰囲気酸素分
圧を５００ｔｏｒｒ以上、焼結温度を１２００〜１６０
０℃としたのは、実施例の範囲、実際は焼結炉の能力に
より制約されたものである。理論的には、酸素圧力を上
昇すると、さらに温度を上昇させる可能性もある。
とし、圧縮成型して得られた成形体を焼結する温度は、
分解温度により大略１４５０℃以下に限定されていた
が、本熱力学的考察によれば、酸素分圧を上昇させるこ
とにより、たとえばＰo2を１０ａｔｍとすると、上記に
よりＩn2Ｏ3の熱分解を考えて、従来大気中で１４５０
℃としていたのに対し、焼結温度を１５８５℃まで上昇
させることができる。これは、分解反応を抑えながら、
焼結反応速度を増大させる結果となるものである。本発
明は、以上のような検討と、実際にこれに基づく、実施
確認実験の結果から生まれたもので、焼結雰囲気酸素分
圧を５００ｔｏｒｒ以上、焼結温度を１２００〜１６０
０℃としたのは、実施例の範囲、実際は焼結炉の能力に
より制約されたものである。理論的には、酸素圧力を上
昇すると、さらに温度を上昇させる可能性もある。
【００１６】
【実施例】以下に本発明を実施例で詳しく説明する。 （実施例１）平均粒径１２μｍの酸化インジウム１９０
０ｇと平均粒径２８μｍの酸化スズ１００ｇ、純水１６
００ｇ、ポリカルボン酸系分散剤６ｇを鉄芯入り樹脂コ
ートボールとともにナイロン製ボールミルに入れ、２０
時間撹拌混合した。この後アクリル系バインダ５０ｇを
添加し、さらに５時間混合しスラリーを作成した。この
スラリーをスプレードライヤにより造粒し、５０〜１５
０μｍの顆粒を製造した。この顆粒をゴム型に充填し、
３ｔｏｎ／ｃｍ2で冷間静水圧プレスで成形し、得られ
た成形体を５００℃、２時間加熱して脱バインダをおこ
なった。
０ｇと平均粒径２８μｍの酸化スズ１００ｇ、純水１６
００ｇ、ポリカルボン酸系分散剤６ｇを鉄芯入り樹脂コ
ートボールとともにナイロン製ボールミルに入れ、２０
時間撹拌混合した。この後アクリル系バインダ５０ｇを
添加し、さらに５時間混合しスラリーを作成した。この
スラリーをスプレードライヤにより造粒し、５０〜１５
０μｍの顆粒を製造した。この顆粒をゴム型に充填し、
３ｔｏｎ／ｃｍ2で冷間静水圧プレスで成形し、得られ
た成形体を５００℃、２時間加熱して脱バインダをおこ
なった。
【００１７】脱バインダをおこなった後、酸素＋窒素＝
７６０ｔｏｒｒにおける酸素の分圧を変え１４００℃、
５時間焼結した。結果を表７に示す。表７より、酸素分
圧を上げることによって相対密度の高い焼結体が得られ
ることがわかる。
７６０ｔｏｒｒにおける酸素の分圧を変え１４００℃、
５時間焼結した。結果を表７に示す。表７より、酸素分
圧を上げることによって相対密度の高い焼結体が得られ
ることがわかる。
【００１８】
【表７】
【００１９】（実施例２）実施例１と同様に酸化インジ
ウムと酸化スズの顆粒を作成し、この顆粒をゴム型に充
填し、３ｔｏｎ／ｃｍ2で冷間静水圧プレスで成形し、
得られた成形体を５００℃，２時間加熱して脱バインダ
をおこなった。脱バインダをおこなった後、酸素＋窒素
＝７６０ｔｏｒｒにおける酸素の分圧を５３２ｔｏｒｒ
に固定し、１２００℃から１６００℃、各５時間で焼結
をおこなった。結果を表８に示す。表８より、１２００
℃〜１６００℃で焼結可能であることがわかる。
ウムと酸化スズの顆粒を作成し、この顆粒をゴム型に充
填し、３ｔｏｎ／ｃｍ2で冷間静水圧プレスで成形し、
得られた成形体を５００℃，２時間加熱して脱バインダ
をおこなった。脱バインダをおこなった後、酸素＋窒素
＝７６０ｔｏｒｒにおける酸素の分圧を５３２ｔｏｒｒ
に固定し、１２００℃から１６００℃、各５時間で焼結
をおこなった。結果を表８に示す。表８より、１２００
℃〜１６００℃で焼結可能であることがわかる。
【００２０】
【表８】
【００２１】（実施例３）平均粒径 ０．２μｍの酸化
インジウム１９００ｇと平均粒径０．１μｍの酸化スズ
１００ｇ、純水１５００ｇ、ポリカルボン酸系分散剤６
ｇを鉄芯入りナイロン製ボールおよびナイロン製ボール
ミルに入れ、２４時間混合した。この後、アクリル系バ
インダ溶液５０ｇを添加してさらに１０時間混合して、
スラリーを作成した。このスラリーをスプレードライヤ
により造粒し、５０〜２００μｍの顆粒を製造し、これ
を２ｔｏｎ／ｃｍ2の荷重でプレス成形し、得られた成
形体を５００℃、３時間加熱して脱バインダをおこなっ
た。
インジウム１９００ｇと平均粒径０．１μｍの酸化スズ
１００ｇ、純水１５００ｇ、ポリカルボン酸系分散剤６
ｇを鉄芯入りナイロン製ボールおよびナイロン製ボール
ミルに入れ、２４時間混合した。この後、アクリル系バ
インダ溶液５０ｇを添加してさらに１０時間混合して、
スラリーを作成した。このスラリーをスプレードライヤ
により造粒し、５０〜２００μｍの顆粒を製造し、これ
を２ｔｏｎ／ｃｍ2の荷重でプレス成形し、得られた成
形体を５００℃、３時間加熱して脱バインダをおこなっ
た。
【００２２】この試料を、酸素分圧 １ａｔｍ、３ａｔ
ｍ、７ａｔｍ、焼結温度 １５００℃、１６００℃、焼
結時間 ３．５時間で焼結を行なった結果を表９に示
す。該表について、Ｎo.14,Ｎo.15は大気中で焼結した
比較例である。本表から、高酸素分圧とすることによ
り、焼結密度が上昇し、大気中焼結では１６００℃では
むしろ１５００℃より低密度となっているが、本発明に
より高酸素分圧とすることにより密度は温度とともに上
昇していることがわかる。
ｍ、７ａｔｍ、焼結温度 １５００℃、１６００℃、焼
結時間 ３．５時間で焼結を行なった結果を表９に示
す。該表について、Ｎo.14,Ｎo.15は大気中で焼結した
比較例である。本表から、高酸素分圧とすることによ
り、焼結密度が上昇し、大気中焼結では１６００℃では
むしろ１５００℃より低密度となっているが、本発明に
より高酸素分圧とすることにより密度は温度とともに上
昇していることがわかる。
【００２３】
【表９】
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、酸素分圧を上昇した雰
囲気で焼結を行なうことにより、大気中焼結の場合に比
して、高い密度のＩＴＯ導電膜用ターゲットを得ること
ができる。このような高密度のターゲットを用いること
により、スパッタリング中のターゲット面の過熱を低減
し、低酸化度の酸化物の発生を抑えることができる。そ
のため、スパッタリング電圧が安定化し、スパッタリン
グ速度を長時間安定なものとすることが可能となった。
囲気で焼結を行なうことにより、大気中焼結の場合に比
して、高い密度のＩＴＯ導電膜用ターゲットを得ること
ができる。このような高密度のターゲットを用いること
により、スパッタリング中のターゲット面の過熱を低減
し、低酸化度の酸化物の発生を抑えることができる。そ
のため、スパッタリング電圧が安定化し、スパッタリン
グ速度を長時間安定なものとすることが可能となった。
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化インジウムと酸化スズを主成分とす
る粉体を圧縮成型して得られた成形体を酸素分圧５００
ｔｏｒｒ以上の雰囲気で１２００〜１６００℃で焼結す
ることを特徴とするＩＴＯ導電膜用ターゲット材の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17647592A JPH05209264A (ja) | 1991-07-05 | 1992-07-03 | Ｉｔｏ導電膜用ターゲット材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16538391 | 1991-07-05 | ||
| JP3-165383 | 1991-07-05 | ||
| JP17647592A JPH05209264A (ja) | 1991-07-05 | 1992-07-03 | Ｉｔｏ導電膜用ターゲット材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05209264A true JPH05209264A (ja) | 1993-08-20 |
Family
ID=26490139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17647592A Pending JPH05209264A (ja) | 1991-07-05 | 1992-07-03 | Ｉｔｏ導電膜用ターゲット材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05209264A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121178A (en) * | 1996-10-04 | 2000-09-19 | Dowa Mining Co., Ltd. | Sintered ITO and an ITO sputtering target |
| JP2003003257A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型 |
| JP2004084018A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Ube Material Industries Ltd | 酸化マグネシウム蒸着材の製造方法 |
| JP2007254282A (ja) * | 1995-04-18 | 2007-10-04 | Tosoh Corp | Ｉｔｏ焼結体の製造法 |
| JP2013053350A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Taiheiyo Cement Corp | ターゲット及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-03 JP JP17647592A patent/JPH05209264A/ja active Pending
Cited By (6)
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