JP2003003257A - 高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型 - Google Patents
高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型Info
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Abstract
度、高強度の成形体として得ることができる高密度透明
導電膜用スパッタリングターゲットを提供する。 【構成】 本発明の高密度透明導電膜用スパッタリング
ターゲットは酸化インジウム−酸化スズを含有する原料
粉をゴム型に直接充填し、静水圧プレスによって原料粉
の成形体を得て、該成形体を焼成することによって製造
される。
Description
イ、ELディスプレイ、タッチパネル等の透明導電膜を
スパッタリング法によって形成する際に用いられる透明
導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およ
びスパッタリングターゲットを製造するための成形型に
関するものである。
膜が広く用いられるようになってきた。なかでも、低抵
抗、高透過率等の長所から、酸化インジウム−酸化スズ
からなるITO薄膜を用いることが主流となってきた。
ITO薄膜を大面積に均一に得る手段としては、酸化イ
ンジウム−酸化スズからなるITOターゲットを用いた
スパッタリング法が優れており、現在主流となってきて
いる。
ジウム−酸化スズからなる原料粉末を用いて、金型プレ
ス成形法又は鋳込み成形法を用いて成形体を得て、この
成形体を焼成することによって得ていた。
は均一に成形体を得ることが困難であり、成形体の強度
も弱いため壊れやすく、大型製品を作成することが困難
である。場合によっては、後処理として高圧力での静水
圧プレスを必要とする。
いため、静水圧プレスを必要とする場合もある上に、成
形以前の前処理が非常に煩雑となる。また、金型成形
法、鋳込み成形法のいずれにおいても、非常に高価な成
形型が必要となる。
する場合には、高密度の成形体が必要となるが、高圧の
静水圧プレスを用いない場合には困難となるため、静水
圧プレスが必要となる。
用い比較的簡単な工程で高密度、高強度の成形体として
得ることができる高密度透明導電膜用スパッタリングタ
ーゲットを提供することにある。
ことができ、高密度、高強度の成形体を比較的簡単な工
程で得ることができる高密度透明導電膜用スパッタリン
グターゲットの製造方法を提供することにある。
パッタリングターゲットの成形体を比較的簡単な工程で
得ることができる安価な成形型を提供することにある。
めに、本発明の高密度透明導電膜用スパッタリングター
ゲットは酸化インジウム−酸化スズを含有する原料粉を
ゴム型に直接充填し、静水圧プレスによって原料粉の成
形体を得て、該成形体を焼成することによって製造され
ることを特徴とする。
ングターゲットは、酸化インジウム−酸化スズを含有す
る原料粉にバインダーを含有させた造粒粉をゴム型に直
接充填し、静水圧プレスによって原料粉の成形体を得
て、該成形体を焼成することによって製造されることを
特徴とする。
ングターゲットの製造方法は、酸化インジウム−酸化ス
ズを含有する原料粉をゴム型に直接充填し、静水圧プレ
スによって原料粉の成形体を得て、該成形体を焼成する
ことを特徴とする。
ングターゲットの製造方法は、酸化インジウム−酸化ス
ズを含有する原料粉にバインダーを含有させた造粒粉を
ゴム型に直接充填し、静水圧プレスによって原料粉の成
形体を得て、該成形体を焼成することを特徴とする。
付きの板状ゴム型と、該板状ゴム型に差し込まれて箱を
構成する筒状ゴム型と、蓋するために該筒状ゴム型を差
し込む溝付きの板状ゴム型と、からなり、これらの内部
に原料粉または造粒粉に入れた状態で静水圧プレスによ
り成形体を形成することを特徴とする。
付きの板状金属型と、該板状金属型に差し込まれて箱を
構成する筒状ゴム型と、蓋するために該筒状ゴム型を差
し込む溝付きの板状ゴム型と、からなり、これらの内部
に原料粉または造粒粉に入れた状態で静水圧プレスによ
り成形体を形成することを特徴とする。
重量比の酸化インジウム粉末と酸化スズ合成粉末、また
は酸化インジウム粉末と酸化スズ混合粉末である。
1000nm以下にすることが望ましい。その理由は、
粒径が10nm以下であると、原料粉および造粒粉のタ
ップ密度が低くなることから、成形時の収縮が大きくな
り、スプリングバックによる割れが起こりやすくなるか
らであり、また、1000nm以上であると、焼結時で
の粒成長が進行しにくく、高密度のITOターゲットが
得にくいからである。
良くするために、原料粉末にバインダーを添加し、顆粒
状に整粒した造粒粉末を用いることが望ましい。バイン
ダーには、高強度の成形体を得やすく、また焼結時に揮
発しやすく、製品に残留しにくいポリビニルアルコール
等を用いることが望ましい。造粒粉末の粒径は、流動性
を良くするために10μm以上、500μm以下にする
ことが望ましい。
状ゴム型とこの筒状ゴム型の上下に配置されて箱を構成
する2枚の溝付き板状ゴム型を用いて行う。または、1
個の長方形状の筒状ゴム型とこの筒状ゴム型の上下に配
置されて箱を構成する1枚の溝付き板状ゴム型ともう一
枚の溝付き板状金属型を用いて行う。
が剥がれ易く、滑りが良い材料であるシリコーンゴム等
を用いることが望ましい。原料粉末または造粒紛の充填
時に、形状を維持させるためには、ゴムの厚さは10m
m以上が望ましいが、厚すぎると成形体が割れやすくな
る。
つ軽量であるジュラルミン板を用いることが望ましい。
中でも、高強度ジュラルミンを用いると、成形体の反り
が1mm前後に抑えられる。強度のある鉄系材料を用い
ても、成形体は製作可能であるが、重量が大きくなり、
取扱いが不自由となるため、好ましくない。
置した板状ゴム形または板状金属型の溝部分に筒状ゴム
型を差込み、上部が開放した箱を形成し、その内部に原
料粉末または造粒紛を充填し、もう一枚の板状ゴム型で
箱の上部を蓋する。粉がずれにくくすること、防水等の
ために真空包装を行い、静水圧プレスをゴム型を介して
内部の原料粉末または造粒紛に対して行う。場合によっ
ては、さらに防水の目的で、ゴム袋にいれて静水圧プレ
スを行った方が良い。
トン/cm2以上が望ましい。なお、プレス圧の上限
は、成形体中に閉気孔が生じてバインダーが抜けなくな
るほど大きくなるときが問題であり、通常5トン/cm
2程度までは問題は生じない。
酸素雰囲気下で焼結を行う。これにより、相対密度99
%以上の高密度高性能ITOターゲットが得られる。こ
こで、酸素雰囲気とは、純酸素雰囲気、または高濃度酸
素雰囲気を意味するが、その圧力は常圧で充分である。
粉末または造粒粉末に用いるゴム型を示す断面図であ
り、図2はその分解斜視図である。図1、図2におい
て、符号10、12、14、16は、それぞれ、板状ゴ
ム型、筒状ゴム型、板状ゴム型、原料粉末または造粒紛
を示す。
ゴム型14を用いて行った実施例1を説明する。平均粒
径0.4μmの酸化インジウム紛を90重量%、平均粒
径3μmの酸化スズ紛を10重量%となるように秤量し
て原料粉末を用意し、これにポリビニールアルコールと
分散剤を原料粉末に対して1wt%となるように加え、
さらに純水を所定量加えて濃度60重量%のスラリーを
作成し、ボールミルにて15時間程度混合、粉砕を行っ
た。混合、粉砕後のスラリーを熱風温度150°Cでス
プレードライヤし、粒径10〜100μm、タップ密度
1.6g/ccの造粒紛を作成した。
した。溝付きのシリコン製の板状ゴム型10にアメゴム
製の筒状ゴム型12をはめ込んで箱を構成し、その内部
に、作成した造粒紛16を入れる。箱に適度の振動を与
え、造粒紛の表面を平らにした後に、もう一枚の溝付き
シリコーン板状ゴム型14を上からはめ込み、蓋をす
る。これを真空包装用のビニール袋に入れ、真空包装を
行い、造粒紛がずれないようにする。
レス装置に入れ、3トン/cm2の静水圧プレスを行い、
成形体を得た。なお、ゴム型は繰り返し使用が可能であ
る。
で24時間焼結を行った結果、99%以上の高密度IT
Oターゲットが得られた。
粉末または造粒粉末に用いるゴム型を示す断面図であ
り、図4はその分解斜視図である。図3、図4におい
て、符号20、12、14、16は、それぞれ、板状金
属型、筒状ゴム型、板状ゴム型、原料粉末または造粒紛
を示す。
ゴム型14を用いて行った実施例2を説明する。平均粒
径0.4μmの酸化インジウム紛を90重量%、平均粒
径3μmの酸化スズ紛を10重量%となるように秤量し
て原料粉末を用意し、これにポリビニールアルコールと
分散剤を原料粉末に対して1wt%となるように加え、
さらに純水を所定量加えて濃度60重量%のスラリーを
作成し、ボールミルにて15時間程度混合、粉砕を行っ
た。混合、粉砕後のスラリーを熱風温度150°Cでス
プレードライヤし、粒径10〜100μm、タップ密度
1.6g/ccの造粒紛を作成した。
した。溝付きの板状金属型20にアメゴム製の筒状ゴム
型12をはめ込んで箱を構成し、その内部に、作成した
造粒紛16を入れる。箱に適度の振動を与え、造粒紛の
表面を平らにした後に、溝付きシリコーン板状ゴム型1
4を上からはめ込み、蓋をする。これを真空包装用のビ
ニール袋に入れ、真空包装を行い、造粒紛がずれないよ
うにする。
作られた箱に入れた。その後、静水圧プレス装置に入
れ、3トン/cm2の静水圧プレスを行い、400×80
0×11mmの成形体を得た。なお、金属型およびゴム
型は繰り返し使用が可能である。
で24時間焼結を行った結果、99.8%以上の高密度
ITOターゲットが得られた。
安価な成形型を用い比較的簡単な工程で高密度、高強度
の成形体として得ることができる高密度透明導電膜用ス
パッタリングターゲットが得られる。また、安価な成形
型を用いることができ、高密度、高強度の成形体を比較
的簡単な工程で得ることができる高密度透明導電膜用ス
パッタリングターゲットの製造方法が得られる。また、
高密度透明導電膜用スパッタリングターゲットの成形体
を比較的簡単な工程で得ることができる安価な成形型が
得られる。
形体が得られるため、運搬、焼結時での割れが減少し、生
産性が向上する。さらに密度分布が少ない高密度ターゲ
ットが得られるために、成膜中にターゲット表面にノジ
ュールの生成が少なく、使用末期まで成膜速度の変化が
小さくなるため、成膜段階での高収率が得られる。
は、ゴム型のみで成形するために、等方圧で成形できる
利点があり、均一な成形体が得られる。ゴム型のみで作
製できるので、型代が安価である。従来例の金属型に比
較して非常に軽くできるため、大量に処理でき、多くの
型も用意できる。ゴム型のみを用いるので、成形後の洗
浄が非常に楽である。例えば、シリコーンゴムを用いる
と、反応性が少ないため、洗浄しやすい。ゴム型のみな
ので、成形体に反りがでやすいので、比較的小サイズの
成形体を大量に必要とする場合に有利である。
用するので、反りの少ない成形が可能である。したがっ
て、大サイズで薄い成形体を作製する場合には、収率が
良い。
端部では、小サイズで厚差のあるものを使用し、中心部
では、大サイズの薄いものを使用する傾向にあり、ま
た、小タイルを大量に組み合わせて使用する傾向にある
点を考慮すると、小タイル部分は実施例1の製造方法で
作製し、大サイズ部分は実施例2の製造方法で作製する
というようにタイルの大きさに応じて製造方法を選択で
きる。
粒粉末に用いるゴム型を示す断面図である。
粒粉末に用いるゴム型を示す断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 酸化インジウム−酸化スズを含有する原
料粉をゴム型に直接充填し、静水圧プレスによって原料
粉の成形体を得て、該成形体を焼成することによって高
密度透明導電膜用スパッタリングターゲットを製造する
ことを特徴とする製造方法。 - 【請求項2】 酸化インジウム−酸化スズを含有する原
料粉にバインダーを含有させた造粒粉をゴム型に直接充
填し、静水圧プレスによって原料粉の成形体を得て、該
成形体を焼成することによって高密度透明導電膜用スパ
ッタリングターゲットを製造することを特徴とする製造
方法。 - 【請求項3】 下側に配置される溝付きの板状ゴム型
と、該板状ゴム型に差し込まれて箱を構成する筒状ゴム
型と、蓋するために該筒状ゴム型を差し込む溝付きの板
状ゴム型と、からなり、これらの内部に原料粉または造
粒粉に入れた状態で静水圧プレスにより成形体を形成す
るための成形型。 - 【請求項4】 下側に配置される溝付きの板状金属型
と、該板状金属型に差し込まれて箱を構成する筒状ゴム
型と、蓋するために該筒状ゴム型を差し込む溝付きの板
状ゴム型と、からなり、これらの内部に原料粉または造
粒粉に入れた状態で静水圧プレスにより成形体を形成す
るための成形型。 - 【請求項5】 請求項1又は2記載の方法で製造される
ことを特徴とする高密度透明導電膜用スパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項6】 請求項3又は4記載の成形型を用いて請
求項1又は2記載の方法で製造されることを特徴とする高
密度透明導電膜用スパッタリングターゲット。
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JP2001189342A JP4562318B2 (ja) | 2001-06-22 | 2001-06-22 | 成形型およびその成形型を用いたスパッタリングターゲットの製造方法 |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005324987A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ito成型体、これを用いたitoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2006193797A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用の成形体を製造するための成形型およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2006200000A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2006206349A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Tosoh Corp | Ito造粒粉末及びito焼結体並びにその製造方法 |
JP2006241595A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-09-14 | Tosoh Corp | 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法 |
JP2007223852A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Tosoh Corp | 導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 |
JP2008174829A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Samsung Corning Co Ltd | Itoターゲット、itoターゲットの製造方法およびito透明電極 |
US8419400B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-04-16 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
JP2015030858A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社アルバック | スパッタリングターゲットの製造方法 |
KR20160108063A (ko) | 2015-03-06 | 2016-09-19 | (주)씨이케이 | 냉간 정수압 성형용 복합몰드를 이용한 대형 알루미나 판재 제조방법 |
KR101961596B1 (ko) * | 2018-09-06 | 2019-03-25 | 군산대학교산학협력단 | 스퍼터 타겟의 제조 방법 및 이를 수용하기 위한 스퍼터 건 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01225505A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nikkiso Co Ltd | 等方圧成形方法 |
JPH0390299A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Isuzu Motors Ltd | 静水圧プレス機用ゴム型 |
JPH03150252A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-26 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造法並に用途 |
JPH03151196A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 容器生成形体の製造法 |
JPH03153868A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Tosoh Corp | 円筒形状のitoターゲットの製造法 |
JPH04257402A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-11 | Nkk Corp | 粉末成形体の圧密方法 |
JPH05209264A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-08-20 | Hitachi Metals Ltd | Ito導電膜用ターゲット材の製造方法 |
JPH10317007A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-02 | Kozo Ishizaki | 圧粉体の成形方法 |
JPH11245217A (ja) * | 1998-03-04 | 1999-09-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 有底セラミックス管成形体の成形型及び有底セラミックス管成形体の製造方法 |
JP2001059168A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-03-06 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット |
-
2001
- 2001-06-22 JP JP2001189342A patent/JP4562318B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01225505A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Nikkiso Co Ltd | 等方圧成形方法 |
JPH0390299A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Isuzu Motors Ltd | 静水圧プレス機用ゴム型 |
JPH03150252A (ja) * | 1989-11-06 | 1991-06-26 | Tosoh Corp | 酸化物焼結体及びその製造法並に用途 |
JPH03151196A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Mitsubishi Petrochem Co Ltd | 容器生成形体の製造法 |
JPH03153868A (ja) * | 1989-11-10 | 1991-07-01 | Tosoh Corp | 円筒形状のitoターゲットの製造法 |
JPH04257402A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-11 | Nkk Corp | 粉末成形体の圧密方法 |
JPH05209264A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-08-20 | Hitachi Metals Ltd | Ito導電膜用ターゲット材の製造方法 |
JPH10317007A (ja) * | 1997-05-16 | 1998-12-02 | Kozo Ishizaki | 圧粉体の成形方法 |
JPH11245217A (ja) * | 1998-03-04 | 1999-09-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 有底セラミックス管成形体の成形型及び有底セラミックス管成形体の製造方法 |
JP2001059168A (ja) * | 1999-06-09 | 2001-03-06 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005324987A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ito成型体、これを用いたitoスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2006193797A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット用の成形体を製造するための成形型およびスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4665526B2 (ja) * | 2005-01-20 | 2011-04-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2006200000A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2006206349A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Tosoh Corp | Ito造粒粉末及びito焼結体並びにその製造方法 |
JP4734936B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2011-07-27 | 東ソー株式会社 | Ito造粒粉末及びito焼結体並びにその製造方法 |
US8419400B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-04-16 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
JP2006241595A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-09-14 | Tosoh Corp | 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法 |
JP2014129231A (ja) * | 2005-02-01 | 2014-07-10 | Tosoh Corp | 焼結体及びスパッタリングターゲット |
US9920420B2 (en) | 2005-02-01 | 2018-03-20 | Tosoh Corporation | Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same |
JP2007223852A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Tosoh Corp | 導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法 |
JP2008174829A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Samsung Corning Co Ltd | Itoターゲット、itoターゲットの製造方法およびito透明電極 |
JP2015030858A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社アルバック | スパッタリングターゲットの製造方法 |
KR20160108063A (ko) | 2015-03-06 | 2016-09-19 | (주)씨이케이 | 냉간 정수압 성형용 복합몰드를 이용한 대형 알루미나 판재 제조방법 |
KR101961596B1 (ko) * | 2018-09-06 | 2019-03-25 | 군산대학교산학협력단 | 스퍼터 타겟의 제조 방법 및 이를 수용하기 위한 스퍼터 건 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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