JP2003003257A - 高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型 - Google Patents

高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型

Info

Publication number
JP2003003257A
JP2003003257A JP2001189342A JP2001189342A JP2003003257A JP 2003003257 A JP2003003257 A JP 2003003257A JP 2001189342 A JP2001189342 A JP 2001189342A JP 2001189342 A JP2001189342 A JP 2001189342A JP 2003003257 A JP2003003257 A JP 2003003257A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering target
raw material
mold
material powder
transparent conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001189342A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003003257A5 (ja
JP4562318B2 (ja
Inventor
Shohei Mizunuma
昌平 水沼
Riichiro Wake
理一郎 和気
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority to JP2001189342A priority Critical patent/JP4562318B2/ja
Publication of JP2003003257A publication Critical patent/JP2003003257A/ja
Publication of JP2003003257A5 publication Critical patent/JP2003003257A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4562318B2 publication Critical patent/JP4562318B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Press-Shaping Or Shaping Using Conveyers (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 安価な成形型を用い比較的簡単な工程で高密
度、高強度の成形体として得ることができる高密度透明
導電膜用スパッタリングターゲットを提供する。 【構成】 本発明の高密度透明導電膜用スパッタリング
ターゲットは酸化インジウム−酸化スズを含有する原料
粉をゴム型に直接充填し、静水圧プレスによって原料粉
の成形体を得て、該成形体を焼成することによって製造
される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレ
イ、ELディスプレイ、タッチパネル等の透明導電膜を
スパッタリング法によって形成する際に用いられる透明
導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およ
びスパッタリングターゲットを製造するための成形型に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、表示素子の発達に伴い、透明導電
膜が広く用いられるようになってきた。なかでも、低抵
抗、高透過率等の長所から、酸化インジウム−酸化スズ
からなるITO薄膜を用いることが主流となってきた。
ITO薄膜を大面積に均一に得る手段としては、酸化イ
ンジウム−酸化スズからなるITOターゲットを用いた
スパッタリング法が優れており、現在主流となってきて
いる。
【0003】従来、ITOターゲットを得るには、酸化イン
ジウム−酸化スズからなる原料粉末を用いて、金型プレ
ス成形法又は鋳込み成形法を用いて成形体を得て、この
成形体を焼成することによって得ていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、金型成形法で
は均一に成形体を得ることが困難であり、成形体の強度
も弱いため壊れやすく、大型製品を作成することが困難
である。場合によっては、後処理として高圧力での静水
圧プレスを必要とする。
【0005】鋳込み法においても、同様に成形体の強度が弱
いため、静水圧プレスを必要とする場合もある上に、成
形以前の前処理が非常に煩雑となる。また、金型成形
法、鋳込み成形法のいずれにおいても、非常に高価な成
形型が必要となる。
【0006】また、高密度の高性能ITOターゲットを製造
する場合には、高密度の成形体が必要となるが、高圧の
静水圧プレスを用いない場合には困難となるため、静水
圧プレスが必要となる。
【0007】したがって、本発明の目的は、安価な成形型を
用い比較的簡単な工程で高密度、高強度の成形体として
得ることができる高密度透明導電膜用スパッタリングタ
ーゲットを提供することにある。
【0008】また、本発明の目的は、安価な成形型を用いる
ことができ、高密度、高強度の成形体を比較的簡単な工
程で得ることができる高密度透明導電膜用スパッタリン
グターゲットの製造方法を提供することにある。
【0009】また、本発明の目的は、高密度透明導電膜用ス
パッタリングターゲットの成形体を比較的簡単な工程で
得ることができる安価な成形型を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明の高密度透明導電膜用スパッタリングター
ゲットは酸化インジウム−酸化スズを含有する原料粉を
ゴム型に直接充填し、静水圧プレスによって原料粉の成
形体を得て、該成形体を焼成することによって製造され
ることを特徴とする。
【0011】また、本発明の高密度透明導電膜用スパッタリ
ングターゲットは、酸化インジウム−酸化スズを含有す
る原料粉にバインダーを含有させた造粒粉をゴム型に直
接充填し、静水圧プレスによって原料粉の成形体を得
て、該成形体を焼成することによって製造されることを
特徴とする。
【0012】また、本発明の高密度透明導電膜用スパッタリ
ングターゲットの製造方法は、酸化インジウム−酸化ス
ズを含有する原料粉をゴム型に直接充填し、静水圧プレ
スによって原料粉の成形体を得て、該成形体を焼成する
ことを特徴とする。
【0013】また、本発明の高密度透明導電膜用スパッタリ
ングターゲットの製造方法は、酸化インジウム−酸化ス
ズを含有する原料粉にバインダーを含有させた造粒粉を
ゴム型に直接充填し、静水圧プレスによって原料粉の成
形体を得て、該成形体を焼成することを特徴とする。
【0014】また、本発明の成形型は、下側に配置される溝
付きの板状ゴム型と、該板状ゴム型に差し込まれて箱を
構成する筒状ゴム型と、蓋するために該筒状ゴム型を差
し込む溝付きの板状ゴム型と、からなり、これらの内部
に原料粉または造粒粉に入れた状態で静水圧プレスによ
り成形体を形成することを特徴とする。
【0015】また、本発明の成形体は、下側に配置される溝
付きの板状金属型と、該板状金属型に差し込まれて箱を
構成する筒状ゴム型と、蓋するために該筒状ゴム型を差
し込む溝付きの板状ゴム型と、からなり、これらの内部
に原料粉または造粒粉に入れた状態で静水圧プレスによ
り成形体を形成することを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明で用いる原料粉末は、所定
重量比の酸化インジウム粉末と酸化スズ合成粉末、また
は酸化インジウム粉末と酸化スズ混合粉末である。
【0017】原料粉末の粒径は、一次粒子を10nm以上、
1000nm以下にすることが望ましい。その理由は、
粒径が10nm以下であると、原料粉および造粒粉のタ
ップ密度が低くなることから、成形時の収縮が大きくな
り、スプリングバックによる割れが起こりやすくなるか
らであり、また、1000nm以上であると、焼結時で
の粒成長が進行しにくく、高密度のITOターゲットが
得にくいからである。
【0018】また、成形型への原料粉末の充填時に流動性を
良くするために、原料粉末にバインダーを添加し、顆粒
状に整粒した造粒粉末を用いることが望ましい。バイン
ダーには、高強度の成形体を得やすく、また焼結時に揮
発しやすく、製品に残留しにくいポリビニルアルコール
等を用いることが望ましい。造粒粉末の粒径は、流動性
を良くするために10μm以上、500μm以下にする
ことが望ましい。
【0019】原料粉末または造粒粉末は1個の長方形状の筒
状ゴム型とこの筒状ゴム型の上下に配置されて箱を構成
する2枚の溝付き板状ゴム型を用いて行う。または、1
個の長方形状の筒状ゴム型とこの筒状ゴム型の上下に配
置されて箱を構成する1枚の溝付き板状ゴム型ともう一
枚の溝付き板状金属型を用いて行う。
【0020】板状ゴム型は、成形体が食い込み難く、成形体
が剥がれ易く、滑りが良い材料であるシリコーンゴム等
を用いることが望ましい。原料粉末または造粒紛の充填
時に、形状を維持させるためには、ゴムの厚さは10m
m以上が望ましいが、厚すぎると成形体が割れやすくな
る。
【0021】板状金属型は、成形体が反りにくく、高強度か
つ軽量であるジュラルミン板を用いることが望ましい。
中でも、高強度ジュラルミンを用いると、成形体の反り
が1mm前後に抑えられる。強度のある鉄系材料を用い
ても、成形体は製作可能であるが、重量が大きくなり、
取扱いが不自由となるため、好ましくない。
【0022】成形体の形成は、以下のように行う。下側に配
置した板状ゴム形または板状金属型の溝部分に筒状ゴム
型を差込み、上部が開放した箱を形成し、その内部に原
料粉末または造粒紛を充填し、もう一枚の板状ゴム型で
箱の上部を蓋する。粉がずれにくくすること、防水等の
ために真空包装を行い、静水圧プレスをゴム型を介して
内部の原料粉末または造粒紛に対して行う。場合によっ
ては、さらに防水の目的で、ゴム袋にいれて静水圧プレ
スを行った方が良い。
【0023】プレス圧は高強度の成形体を得るためには、1
トン/cm2以上が望ましい。なお、プレス圧の上限
は、成形体中に閉気孔が生じてバインダーが抜けなくな
るほど大きくなるときが問題であり、通常5トン/cm
2程度までは問題は生じない。
【0024】得られた成形体を1400〜1600°Cで、
酸素雰囲気下で焼結を行う。これにより、相対密度99
%以上の高密度高性能ITOターゲットが得られる。こ
こで、酸素雰囲気とは、純酸素雰囲気、または高濃度酸
素雰囲気を意味するが、その圧力は常圧で充分である。
【0025】(実施例1)図1は、本発明の実施例1の原料
粉末または造粒粉末に用いるゴム型を示す断面図であ
り、図2はその分解斜視図である。図1、図2におい
て、符号10、12、14、16は、それぞれ、板状ゴ
ム型、筒状ゴム型、板状ゴム型、原料粉末または造粒紛
を示す。
【0026】次に、板状ゴム型10、筒状ゴム型12、板状
ゴム型14を用いて行った実施例1を説明する。平均粒
径0.4μmの酸化インジウム紛を90重量%、平均粒
径3μmの酸化スズ紛を10重量%となるように秤量し
て原料粉末を用意し、これにポリビニールアルコールと
分散剤を原料粉末に対して1wt%となるように加え、
さらに純水を所定量加えて濃度60重量%のスラリーを
作成し、ボールミルにて15時間程度混合、粉砕を行っ
た。混合、粉砕後のスラリーを熱風温度150°Cでス
プレードライヤし、粒径10〜100μm、タップ密度
1.6g/ccの造粒紛を作成した。
【0027】この造粒紛を用いて下記の方法で成形体を作成
した。溝付きのシリコン製の板状ゴム型10にアメゴム
製の筒状ゴム型12をはめ込んで箱を構成し、その内部
に、作成した造粒紛16を入れる。箱に適度の振動を与
え、造粒紛の表面を平らにした後に、もう一枚の溝付き
シリコーン板状ゴム型14を上からはめ込み、蓋をす
る。これを真空包装用のビニール袋に入れ、真空包装を
行い、造粒紛がずれないようにする。
【0028】これを塩ビ製のゴム型支持枠に入れ、静水圧プ
レス装置に入れ、3トン/cm2の静水圧プレスを行い、
成形体を得た。なお、ゴム型は繰り返し使用が可能であ
る。
【0029】得られた成形体を酸素雰囲気の下1660°C
で24時間焼結を行った結果、99%以上の高密度IT
Oターゲットが得られた。
【0030】(実施例2)図3は、本発明の実施例2の原料
粉末または造粒粉末に用いるゴム型を示す断面図であ
り、図4はその分解斜視図である。図3、図4におい
て、符号20、12、14、16は、それぞれ、板状金
属型、筒状ゴム型、板状ゴム型、原料粉末または造粒紛
を示す。
【0031】次に、板状金属型20、筒状ゴム型12、板状
ゴム型14を用いて行った実施例2を説明する。平均粒
径0.4μmの酸化インジウム紛を90重量%、平均粒
径3μmの酸化スズ紛を10重量%となるように秤量し
て原料粉末を用意し、これにポリビニールアルコールと
分散剤を原料粉末に対して1wt%となるように加え、
さらに純水を所定量加えて濃度60重量%のスラリーを
作成し、ボールミルにて15時間程度混合、粉砕を行っ
た。混合、粉砕後のスラリーを熱風温度150°Cでス
プレードライヤし、粒径10〜100μm、タップ密度
1.6g/ccの造粒紛を作成した。
【0032】この造粒紛を用いて下記の方法で成形体を作成
した。溝付きの板状金属型20にアメゴム製の筒状ゴム
型12をはめ込んで箱を構成し、その内部に、作成した
造粒紛16を入れる。箱に適度の振動を与え、造粒紛の
表面を平らにした後に、溝付きシリコーン板状ゴム型1
4を上からはめ込み、蓋をする。これを真空包装用のビ
ニール袋に入れ、真空包装を行い、造粒紛がずれないよ
うにする。
【0033】これをゴム袋に入れ、密封し、所定の金属網で
作られた箱に入れた。その後、静水圧プレス装置に入
れ、3トン/cm2の静水圧プレスを行い、400×80
0×11mmの成形体を得た。なお、金属型およびゴム
型は繰り返し使用が可能である。
【0034】得られた成形体を酸素雰囲気の下1550°C
で24時間焼結を行った結果、99.8%以上の高密度
ITOターゲットが得られた。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
安価な成形型を用い比較的簡単な工程で高密度、高強度
の成形体として得ることができる高密度透明導電膜用ス
パッタリングターゲットが得られる。また、安価な成形
型を用いることができ、高密度、高強度の成形体を比較
的簡単な工程で得ることができる高密度透明導電膜用ス
パッタリングターゲットの製造方法が得られる。また、
高密度透明導電膜用スパッタリングターゲットの成形体
を比較的簡単な工程で得ることができる安価な成形型が
得られる。
【0036】さらに、本発明によって比較的容易に高強度成
形体が得られるため、運搬、焼結時での割れが減少し、生
産性が向上する。さらに密度分布が少ない高密度ターゲ
ットが得られるために、成膜中にターゲット表面にノジ
ュールの生成が少なく、使用末期まで成膜速度の変化が
小さくなるため、成膜段階での高収率が得られる。
【0037】さらに、具体的には、実施例1に係わる発明で
は、ゴム型のみで成形するために、等方圧で成形できる
利点があり、均一な成形体が得られる。ゴム型のみで作
製できるので、型代が安価である。従来例の金属型に比
較して非常に軽くできるため、大量に処理でき、多くの
型も用意できる。ゴム型のみを用いるので、成形後の洗
浄が非常に楽である。例えば、シリコーンゴムを用いる
と、反応性が少ないため、洗浄しやすい。ゴム型のみな
ので、成形体に反りがでやすいので、比較的小サイズの
成形体を大量に必要とする場合に有利である。
【0038】一方、実施例2に係わる発明では、金属板を使
用するので、反りの少ない成形が可能である。したがっ
て、大サイズで薄い成形体を作製する場合には、収率が
良い。
【0039】ITOターゲットの使用効率向上を目指して、
端部では、小サイズで厚差のあるものを使用し、中心部
では、大サイズの薄いものを使用する傾向にあり、ま
た、小タイルを大量に組み合わせて使用する傾向にある
点を考慮すると、小タイル部分は実施例1の製造方法で
作製し、大サイズ部分は実施例2の製造方法で作製する
というようにタイルの大きさに応じて製造方法を選択で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施例1の原料粉末または造
粒粉末に用いるゴム型を示す断面図である。
【図2】図2はその分解斜視図である。
【図3】図3は、本発明の実施例2の原料粉末または造
粒粉末に用いるゴム型を示す断面図である。
【図4】図4はその分解斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4G030 AA34 AA39 BA01 GA19 4G054 AA05 BE05 4K029 BA45 BC09 DC05 DC07 DC09

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 酸化インジウム−酸化スズを含有する原
    料粉をゴム型に直接充填し、静水圧プレスによって原料
    粉の成形体を得て、該成形体を焼成することによって高
    密度透明導電膜用スパッタリングターゲットを製造する
    ことを特徴とする製造方法。
  2. 【請求項2】 酸化インジウム−酸化スズを含有する原
    料粉にバインダーを含有させた造粒粉をゴム型に直接充
    填し、静水圧プレスによって原料粉の成形体を得て、該
    成形体を焼成することによって高密度透明導電膜用スパ
    ッタリングターゲットを製造することを特徴とする製造
    方法。
  3. 【請求項3】 下側に配置される溝付きの板状ゴム型
    と、該板状ゴム型に差し込まれて箱を構成する筒状ゴム
    型と、蓋するために該筒状ゴム型を差し込む溝付きの板
    状ゴム型と、からなり、これらの内部に原料粉または造
    粒粉に入れた状態で静水圧プレスにより成形体を形成す
    るための成形型。
  4. 【請求項4】 下側に配置される溝付きの板状金属型
    と、該板状金属型に差し込まれて箱を構成する筒状ゴム
    型と、蓋するために該筒状ゴム型を差し込む溝付きの板
    状ゴム型と、からなり、これらの内部に原料粉または造
    粒粉に入れた状態で静水圧プレスにより成形体を形成す
    るための成形型。
  5. 【請求項5】 請求項1又は2記載の方法で製造される
    ことを特徴とする高密度透明導電膜用スパッタリングタ
    ーゲット。
  6. 【請求項6】 請求項3又は4記載の成形型を用いて請
    求項1又は2記載の方法で製造されることを特徴とする高
    密度透明導電膜用スパッタリングターゲット。
JP2001189342A 2001-06-22 2001-06-22 成形型およびその成形型を用いたスパッタリングターゲットの製造方法 Expired - Fee Related JP4562318B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001189342A JP4562318B2 (ja) 2001-06-22 2001-06-22 成形型およびその成形型を用いたスパッタリングターゲットの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001189342A JP4562318B2 (ja) 2001-06-22 2001-06-22 成形型およびその成形型を用いたスパッタリングターゲットの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003003257A true JP2003003257A (ja) 2003-01-08
JP2003003257A5 JP2003003257A5 (ja) 2005-05-12
JP4562318B2 JP4562318B2 (ja) 2010-10-13

Family

ID=19028283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001189342A Expired - Fee Related JP4562318B2 (ja) 2001-06-22 2001-06-22 成形型およびその成形型を用いたスパッタリングターゲットの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4562318B2 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005324987A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ito成型体、これを用いたitoスパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2006193797A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd スパッタリングターゲット用の成形体を製造するための成形型およびスパッタリングターゲットの製造方法
JP2006200000A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法
JP2006206349A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Tosoh Corp Ito造粒粉末及びito焼結体並びにその製造方法
JP2006241595A (ja) * 2005-02-01 2006-09-14 Tosoh Corp 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法
JP2007223852A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Tosoh Corp 導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法
JP2008174829A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Samsung Corning Co Ltd Itoターゲット、itoターゲットの製造方法およびito透明電極
US8419400B2 (en) 2005-02-01 2013-04-16 Tosoh Corporation Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same
JP2015030858A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 株式会社アルバック スパッタリングターゲットの製造方法
KR20160108063A (ko) 2015-03-06 2016-09-19 (주)씨이케이 냉간 정수압 성형용 복합몰드를 이용한 대형 알루미나 판재 제조방법
KR101961596B1 (ko) * 2018-09-06 2019-03-25 군산대학교산학협력단 스퍼터 타겟의 제조 방법 및 이를 수용하기 위한 스퍼터 건

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01225505A (ja) * 1988-03-04 1989-09-08 Nikkiso Co Ltd 等方圧成形方法
JPH0390299A (ja) * 1989-08-31 1991-04-16 Isuzu Motors Ltd 静水圧プレス機用ゴム型
JPH03150252A (ja) * 1989-11-06 1991-06-26 Tosoh Corp 酸化物焼結体及びその製造法並に用途
JPH03151196A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 容器生成形体の製造法
JPH03153868A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Tosoh Corp 円筒形状のitoターゲットの製造法
JPH04257402A (ja) * 1991-02-12 1992-09-11 Nkk Corp 粉末成形体の圧密方法
JPH05209264A (ja) * 1991-07-05 1993-08-20 Hitachi Metals Ltd Ito導電膜用ターゲット材の製造方法
JPH10317007A (ja) * 1997-05-16 1998-12-02 Kozo Ishizaki 圧粉体の成形方法
JPH11245217A (ja) * 1998-03-04 1999-09-14 Ngk Spark Plug Co Ltd 有底セラミックス管成形体の成形型及び有底セラミックス管成形体の製造方法
JP2001059168A (ja) * 1999-06-09 2001-03-06 Tosoh Corp スパッタリングターゲット

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01225505A (ja) * 1988-03-04 1989-09-08 Nikkiso Co Ltd 等方圧成形方法
JPH0390299A (ja) * 1989-08-31 1991-04-16 Isuzu Motors Ltd 静水圧プレス機用ゴム型
JPH03150252A (ja) * 1989-11-06 1991-06-26 Tosoh Corp 酸化物焼結体及びその製造法並に用途
JPH03151196A (ja) * 1989-11-08 1991-06-27 Mitsubishi Petrochem Co Ltd 容器生成形体の製造法
JPH03153868A (ja) * 1989-11-10 1991-07-01 Tosoh Corp 円筒形状のitoターゲットの製造法
JPH04257402A (ja) * 1991-02-12 1992-09-11 Nkk Corp 粉末成形体の圧密方法
JPH05209264A (ja) * 1991-07-05 1993-08-20 Hitachi Metals Ltd Ito導電膜用ターゲット材の製造方法
JPH10317007A (ja) * 1997-05-16 1998-12-02 Kozo Ishizaki 圧粉体の成形方法
JPH11245217A (ja) * 1998-03-04 1999-09-14 Ngk Spark Plug Co Ltd 有底セラミックス管成形体の成形型及び有底セラミックス管成形体の製造方法
JP2001059168A (ja) * 1999-06-09 2001-03-06 Tosoh Corp スパッタリングターゲット

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005324987A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ito成型体、これを用いたitoスパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2006193797A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd スパッタリングターゲット用の成形体を製造するための成形型およびスパッタリングターゲットの製造方法
JP4665526B2 (ja) * 2005-01-20 2011-04-06 住友金属鉱山株式会社 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法
JP2006200000A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウムを含有するスパッタリングターゲットの製造方法
JP2006206349A (ja) * 2005-01-25 2006-08-10 Tosoh Corp Ito造粒粉末及びito焼結体並びにその製造方法
JP4734936B2 (ja) * 2005-01-25 2011-07-27 東ソー株式会社 Ito造粒粉末及びito焼結体並びにその製造方法
US8419400B2 (en) 2005-02-01 2013-04-16 Tosoh Corporation Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same
JP2006241595A (ja) * 2005-02-01 2006-09-14 Tosoh Corp 焼結体、スパッタリングターゲット及び成形型並びに焼結体の製造方法
JP2014129231A (ja) * 2005-02-01 2014-07-10 Tosoh Corp 焼結体及びスパッタリングターゲット
US9920420B2 (en) 2005-02-01 2018-03-20 Tosoh Corporation Sintered body, sputtering target and molding die, and process for producing sintered body employing the same
JP2007223852A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Tosoh Corp 導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法
JP2008174829A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Samsung Corning Co Ltd Itoターゲット、itoターゲットの製造方法およびito透明電極
JP2015030858A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 株式会社アルバック スパッタリングターゲットの製造方法
KR20160108063A (ko) 2015-03-06 2016-09-19 (주)씨이케이 냉간 정수압 성형용 복합몰드를 이용한 대형 알루미나 판재 제조방법
KR101961596B1 (ko) * 2018-09-06 2019-03-25 군산대학교산학협력단 스퍼터 타겟의 제조 방법 및 이를 수용하기 위한 스퍼터 건

Also Published As

Publication number Publication date
JP4562318B2 (ja) 2010-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003003257A (ja) 高密度透明導電膜用スパッタリングターゲット、その製造方法およびスパッタリングターゲットを製造するための成形型
JP4405610B2 (ja) スパッタリングターゲットの製造方法
US5433901A (en) Method of manufacturing an ITO sintered body
CN104032270B (zh) 一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法
CN103695852A (zh) 钨硅靶材的制造方法
TW201602380A (zh) 高純度高熔點金屬粉末及其使用在具隨機織構的濺鍍靶材中
CN108046767A (zh) 一种制备氧化物陶瓷靶材坯体的方法
CN105294072B (zh) 一种tft级ito靶材的常压烧结方法
JP3632524B2 (ja) Mg含有ITOスパッタリングターゲットおよびMg含有ITO蒸着材の製造方法
JP2003129232A (ja) Mo系スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
JP2003003257A5 (ja)
JP4508079B2 (ja) スパッタリングターゲットの製造方法
JPH03153868A (ja) 円筒形状のitoターゲットの製造法
TW202304818A (zh) 具有改善的堆積密度的氯氧化鉬
CN108751805B (zh) 一种人造玻璃石
JP2006193797A (ja) スパッタリングターゲット用の成形体を製造するための成形型およびスパッタリングターゲットの製造方法
JP4904645B2 (ja) Mg含有ITOスパッタリングターゲットの製造方法
JP5428872B2 (ja) ZnO蒸着材の製造方法
JP2005139018A (ja) 不透明シリカガラス成形体及びその製造方法
JP4075361B2 (ja) Mg含有ITOスパッタリングターゲットの製造方法
KR102272222B1 (ko) 고순도 ito 타겟 제조 방법
TW201040003A (en) Mold for slip casting, method of using the same, and green and ITO target made thereby
JP2004359984A (ja) 焼結用粉末成型体の製造方法及び該成型体を用いたスパッタリングターゲットの製造方法
JP4724330B2 (ja) 錫−アンチモン酸化物焼結体ターゲット及びその製造方法
JPH11100660A (ja) 蒸着用itoペレットおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040624

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040624

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070227

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070501

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070529

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20070731

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070911

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100628

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100727

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees