JPH051759B2 - - Google Patents
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Description
(産業上の利用分野)
本発明は、光記録媒体として、少なくとも二成
分にフツ化ビニリデン系重合体と、(メタ)アク
リル酸エステル系重合体を含む多成分系ブレンド
組成物あるいは、前記二成分にビニルエステル系
重合体を加えた多成分系ブレンド組成物を用い、
塗布あるいは薄膜フイルムの接着、融着等によつ
て容易に作製できる光情報記録カードに関するも
のである。 (従来の技術) 最近、半導体レーザーの急激な進歩によつて、
ヒートモード記録媒体を用いた光学式のデイス
ク、カードの開発が活発に行われている。つまり
情報が熱エネルギーの形でインプツトされ、記録
材料の物理変化(磁性、相転移、フオトクロミズ
ム)として記録、再生されるメモリーシステムが
実用化されている。 以上の様なヒートモード記録媒体としては、
Al、Te、Bi、Se、Tb、Co、Fe、in等を主成分
とする金属材料、あるいはシアニン系有機色素を
用いたものが提案されている。情報の記録再生方
式としては、カー効果を利用した光磁気方式によ
るもの、非晶−結晶の相転移を利用したもの、あ
るいは熱変形による穿孔を用いたものがある。記
録を行う場合には、半導体レーザーのビームスポ
ツトを絞り込み光ヘツドから記録膜に照射するこ
とで一次元的に情報を入力している。以上の様な
材料及び方式により、追記型、書換型の光学式記
録デイスク、及びカードの応用が種々考案されて
いる。特にカードに関する発明には、特開昭50−
136099、特開昭59−221823、特開昭59−207039、
特開昭60−78786などがあげられ、銀粒子を散在
させたコロイド状有機物や、無電解メツキ工程に
より金属塩を析出するメモリー媒体に代表され
る。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、ほとんどの金属材料は毒性を有
しており、取扱いに注意が必要である。また、酸
化等の影響を受けやすく、保存性が悪いなどの欠
点があげられる。現状では、保護膜を適確に設け
ることによつてこれらの欠点をカバーしている
が、酸化等の影響で反射率や透過率が除々に変化
し記録感度や読み取り感度の劣化が生じるため、
今のところ十分ではない。また、金属材料にに限
つては、熱蒸着、スパツタリングを行うための真
空装置が必要であり、製造設備が高価になつてし
まう等の欠点が考えられる。特に光情報記録カー
ドに限つては直接人体に接する機会が多いことか
ら毒性及び耐食性の面での改善が必要である。 また、本発明の記録媒体は書き換え型と追記型
と使いわけができるため将来の用途面から大きな
メリツトが得られる。 (問題点を解決するための手段) 本発明は、基材の少なくとも一部に、光情報記
録媒体として多成分ブレンド組成物を用いること
により、耐毒性、経時安定性を高めたものであ
る。前記多成分ブレンド組成物としては、少なく
とも二成分に、フツ化ビニリデン系重合体と(メ
タ)アクリル酸エステル系重合体を用いたもの、
さらには前記二成分にビニルエステル系重合体を
加えた樹脂組成物であり、カード基材に溶液から
の塗布あるいはシートからの圧着、熱融着、接着
等によつて容易に構成される。 以下本発明について詳細に示す。 本発明に用いられる光記録媒体のフツ化ビニリ
デン系重合体にはフツ化ビニリデン重合体、フツ
化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体、
フツ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重
合体、フツ化ビニリデン−ヘキサフルオロアセト
ン共重合体、フツ化ビニリデン−ヘキサフルオロ
イソブテン共重合体、フツ化ビニリデン−クロロ
トリフルオロエチレン共重合体、フツ化ビニリデ
ン−フツ化ビニリデン共重合体、フツ化ビニリデ
ン−ヘキサフルオロプロペン共重合体あるいはフ
ツ化ビニリデンと前記共重合モノマーとの三元共
重合体があげられる。使用できる共重合比は、フ
ツ化ビニリデン組成で10〜95モル%である。ま
た、(メタ)アクリル酸エステル系重合体には、
(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エ
チル、(メタ)アクリル酸n―プロピル、(メタ)
アクリル酸n―ブチルを主成分とする重合体およ
び共重合体が用いられる。これらのブレンド組成
としては5/95〜99/1(重量分率)まで可能で
ある。また、第3成分として添加するビニルエス
テル系共重合体には、酢酸ビニル、プロピオン酸
ビニル、酪酸ビニル、カプロン酸ビニル、カプリ
ル酸ビニル、カプリン酸ビニル、ラウリン酸ビニ
ル、ステアリン酸ビニル等の重合体である脂肪族
カルボン酸ビニル系重合体が用いられる。ブレン
ド組成としては、2成分系に対し0〜70重量%ま
で可能である。 フツ化ビニリデン系重合体と(メタ)アクリル
酸エステル系重合体とのブレンド組成物は、加熱
によつて成分ポリマーが微小相分離を起こすた
め、光透過率が減少(反射率は増加)を示し、急
冷によつてそのまま固定できる。また、徐冷によ
つて光透過率、反射率をもとに戻すことも可能で
ある。すなわち、レーザー光を利用して、媒体の
急冷、徐冷を行うことによつて、記録、消去が可
能となる。 前記二成分組成物にビニルエステル系重合体を
加えた三成分系では、不可逆な相転移を示すた
め、消去は不可能であるが、追記メモリーとして
の用途がまた、光のパワーおよびコスト低下が期
待できる。 ブレンド及び成形方法は、一般的な樹脂につい
て行われている方法が適用される。すなわち、ヘ
ンシエルミキサー、Vブレンダー、リボンブレン
ダー、プラネタリミキサー、ロール等の混合機に
より混合し、押出し成形、射出成形、ロール成形
及びプレス成形によりシート状に成形加工され
る。さらに均一な薄膜シートへの成形は、成分ポ
リマーの共通溶媒であるエステル系、ケトン系、
環状エーテル系等に溶解し、コーテイングやキヤ
ステイングなどによつて行う方法が適している。
また、本発明の多成分系ブレンド混合物には、半
導体レーザーの光を効率よく吸収させるために着
色剤を加えることもできる。この場合、分散性の
点から有機色素であることが望ましい。 前記光記録媒体をカード基材上に構成させる方
法としては、次の様なものがある。 媒体成分を共通溶媒に溶解させ、スピンコーテ
イング、フローコーテイング等により基材の一部
もしくは全面に構成する。また、通常の塗液をぬ
る方法、たとえば吹き付け塗りやはけ塗り、ある
いはフイルムアプリケーター塗りも可能である。
ただしこれらの場合には、基材を溶かさない溶剤
あるいは膨潤はするが完全には浸さない溶剤を選
択することが必要である。 また、あらかじめ、媒体をシート状に成形して
おき、プレス成形法、共押出し法、ホツトメルト
法、超音波融着法、高周波融着法等により基材の
一部もしくは全面に構成させることができる。こ
れらの場合の温度条件は方法によつて異なるが80
℃〜300℃である。 本発明の光情報記録カードの構成の例を第1図
に示す。記録層3はカード基材2の少なくとも一
部に形成され、保護層4にて覆つた構造をとる。
保護層4は透明な樹脂層であり、塩化ビニル系、
アクリル樹脂系、スチレン樹脂系、フツ素樹脂系
その他の光透過率の高い合成樹脂が用いられる
が、加工性及び印刷性にすぐれたものであること
が望ましい。 記録は半導体レーザーによつて行うが、読取り
は、記録層3の反射率変化を用いる方式と、記録
層3の透過率変化を用い、反射金属層5で光を反
射させる方式がある。反射金属層5には種々の金
属が用いられるが、アルミニウムなどの比較的安
価なものがよい。図中b,c,d,eのタイプ
は、記録層3の構成法によつて異なる。記録層3
の厚みとしては0.05μmから30μm程度まで可能で
あるが、好ましくは0.5μmから10μm程度が望ま
しい。 保護層4の厚みは、5μm〜200μmであり、レー
ザー光の記録、読取り感度の点から20μm〜
1000μmが好ましい。反射金属層5の厚みとして
は、0.02μm〜2μmまで可能であるが、0.02μm〜
1μm程度あれば十分である。 なお、反射金属層5は、予め記録層に熱蒸着、
スパツタリングあるいはメツキなどの方法で設け
ておき、融着あるいは接着によつて基材上に構成
させることもできる。 以下、本発明を実施例にて説明するが、これら
によつて限定されるものではない。 実施例 1 二成分系混合物としてフツ化ビニリデン系重合
体と(メタ)アクリル酸エステル系重合体の薄膜
シートを作成した。以下フツ化ビニリデン系重合
体を成分1、(メタ)アクリル酸エステル系重合
体を成分2として実施例を説明する。 まず、成分1及び成分2を総重量比で5%溶液
になる様に両者の共通溶媒であるメチルエチルケ
トンに25/75(成分1/成分2)の重量分率で溶
解した。次に平滑なガラス板上にこれを展開し、
常温、除湿下で溶媒を蒸発させ、膜厚10μmのシ
ートを得た。以上の様にして第1表に示す成分1
および成分2の各成分による配合で6種の試料を
作成し、光透過率の温度変化を測定し相転移温度
を求めた。その結果を第1表に示す。また試料1
から6までをプラネタリミキサーにて25//75の
重量分率でブレンドし、プレス成形にて膜厚
10μmのシートを得た。これらの相転移温度は、
第1表の結果と同じであつた。
分にフツ化ビニリデン系重合体と、(メタ)アク
リル酸エステル系重合体を含む多成分系ブレンド
組成物あるいは、前記二成分にビニルエステル系
重合体を加えた多成分系ブレンド組成物を用い、
塗布あるいは薄膜フイルムの接着、融着等によつ
て容易に作製できる光情報記録カードに関するも
のである。 (従来の技術) 最近、半導体レーザーの急激な進歩によつて、
ヒートモード記録媒体を用いた光学式のデイス
ク、カードの開発が活発に行われている。つまり
情報が熱エネルギーの形でインプツトされ、記録
材料の物理変化(磁性、相転移、フオトクロミズ
ム)として記録、再生されるメモリーシステムが
実用化されている。 以上の様なヒートモード記録媒体としては、
Al、Te、Bi、Se、Tb、Co、Fe、in等を主成分
とする金属材料、あるいはシアニン系有機色素を
用いたものが提案されている。情報の記録再生方
式としては、カー効果を利用した光磁気方式によ
るもの、非晶−結晶の相転移を利用したもの、あ
るいは熱変形による穿孔を用いたものがある。記
録を行う場合には、半導体レーザーのビームスポ
ツトを絞り込み光ヘツドから記録膜に照射するこ
とで一次元的に情報を入力している。以上の様な
材料及び方式により、追記型、書換型の光学式記
録デイスク、及びカードの応用が種々考案されて
いる。特にカードに関する発明には、特開昭50−
136099、特開昭59−221823、特開昭59−207039、
特開昭60−78786などがあげられ、銀粒子を散在
させたコロイド状有機物や、無電解メツキ工程に
より金属塩を析出するメモリー媒体に代表され
る。 (発明が解決しようとする問題点) しかしながら、ほとんどの金属材料は毒性を有
しており、取扱いに注意が必要である。また、酸
化等の影響を受けやすく、保存性が悪いなどの欠
点があげられる。現状では、保護膜を適確に設け
ることによつてこれらの欠点をカバーしている
が、酸化等の影響で反射率や透過率が除々に変化
し記録感度や読み取り感度の劣化が生じるため、
今のところ十分ではない。また、金属材料にに限
つては、熱蒸着、スパツタリングを行うための真
空装置が必要であり、製造設備が高価になつてし
まう等の欠点が考えられる。特に光情報記録カー
ドに限つては直接人体に接する機会が多いことか
ら毒性及び耐食性の面での改善が必要である。 また、本発明の記録媒体は書き換え型と追記型
と使いわけができるため将来の用途面から大きな
メリツトが得られる。 (問題点を解決するための手段) 本発明は、基材の少なくとも一部に、光情報記
録媒体として多成分ブレンド組成物を用いること
により、耐毒性、経時安定性を高めたものであ
る。前記多成分ブレンド組成物としては、少なく
とも二成分に、フツ化ビニリデン系重合体と(メ
タ)アクリル酸エステル系重合体を用いたもの、
さらには前記二成分にビニルエステル系重合体を
加えた樹脂組成物であり、カード基材に溶液から
の塗布あるいはシートからの圧着、熱融着、接着
等によつて容易に構成される。 以下本発明について詳細に示す。 本発明に用いられる光記録媒体のフツ化ビニリ
デン系重合体にはフツ化ビニリデン重合体、フツ
化ビニリデン−トリフルオロエチレン共重合体、
フツ化ビニリデン−テトラフルオロエチレン共重
合体、フツ化ビニリデン−ヘキサフルオロアセト
ン共重合体、フツ化ビニリデン−ヘキサフルオロ
イソブテン共重合体、フツ化ビニリデン−クロロ
トリフルオロエチレン共重合体、フツ化ビニリデ
ン−フツ化ビニリデン共重合体、フツ化ビニリデ
ン−ヘキサフルオロプロペン共重合体あるいはフ
ツ化ビニリデンと前記共重合モノマーとの三元共
重合体があげられる。使用できる共重合比は、フ
ツ化ビニリデン組成で10〜95モル%である。ま
た、(メタ)アクリル酸エステル系重合体には、
(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エ
チル、(メタ)アクリル酸n―プロピル、(メタ)
アクリル酸n―ブチルを主成分とする重合体およ
び共重合体が用いられる。これらのブレンド組成
としては5/95〜99/1(重量分率)まで可能で
ある。また、第3成分として添加するビニルエス
テル系共重合体には、酢酸ビニル、プロピオン酸
ビニル、酪酸ビニル、カプロン酸ビニル、カプリ
ル酸ビニル、カプリン酸ビニル、ラウリン酸ビニ
ル、ステアリン酸ビニル等の重合体である脂肪族
カルボン酸ビニル系重合体が用いられる。ブレン
ド組成としては、2成分系に対し0〜70重量%ま
で可能である。 フツ化ビニリデン系重合体と(メタ)アクリル
酸エステル系重合体とのブレンド組成物は、加熱
によつて成分ポリマーが微小相分離を起こすた
め、光透過率が減少(反射率は増加)を示し、急
冷によつてそのまま固定できる。また、徐冷によ
つて光透過率、反射率をもとに戻すことも可能で
ある。すなわち、レーザー光を利用して、媒体の
急冷、徐冷を行うことによつて、記録、消去が可
能となる。 前記二成分組成物にビニルエステル系重合体を
加えた三成分系では、不可逆な相転移を示すた
め、消去は不可能であるが、追記メモリーとして
の用途がまた、光のパワーおよびコスト低下が期
待できる。 ブレンド及び成形方法は、一般的な樹脂につい
て行われている方法が適用される。すなわち、ヘ
ンシエルミキサー、Vブレンダー、リボンブレン
ダー、プラネタリミキサー、ロール等の混合機に
より混合し、押出し成形、射出成形、ロール成形
及びプレス成形によりシート状に成形加工され
る。さらに均一な薄膜シートへの成形は、成分ポ
リマーの共通溶媒であるエステル系、ケトン系、
環状エーテル系等に溶解し、コーテイングやキヤ
ステイングなどによつて行う方法が適している。
また、本発明の多成分系ブレンド混合物には、半
導体レーザーの光を効率よく吸収させるために着
色剤を加えることもできる。この場合、分散性の
点から有機色素であることが望ましい。 前記光記録媒体をカード基材上に構成させる方
法としては、次の様なものがある。 媒体成分を共通溶媒に溶解させ、スピンコーテ
イング、フローコーテイング等により基材の一部
もしくは全面に構成する。また、通常の塗液をぬ
る方法、たとえば吹き付け塗りやはけ塗り、ある
いはフイルムアプリケーター塗りも可能である。
ただしこれらの場合には、基材を溶かさない溶剤
あるいは膨潤はするが完全には浸さない溶剤を選
択することが必要である。 また、あらかじめ、媒体をシート状に成形して
おき、プレス成形法、共押出し法、ホツトメルト
法、超音波融着法、高周波融着法等により基材の
一部もしくは全面に構成させることができる。こ
れらの場合の温度条件は方法によつて異なるが80
℃〜300℃である。 本発明の光情報記録カードの構成の例を第1図
に示す。記録層3はカード基材2の少なくとも一
部に形成され、保護層4にて覆つた構造をとる。
保護層4は透明な樹脂層であり、塩化ビニル系、
アクリル樹脂系、スチレン樹脂系、フツ素樹脂系
その他の光透過率の高い合成樹脂が用いられる
が、加工性及び印刷性にすぐれたものであること
が望ましい。 記録は半導体レーザーによつて行うが、読取り
は、記録層3の反射率変化を用いる方式と、記録
層3の透過率変化を用い、反射金属層5で光を反
射させる方式がある。反射金属層5には種々の金
属が用いられるが、アルミニウムなどの比較的安
価なものがよい。図中b,c,d,eのタイプ
は、記録層3の構成法によつて異なる。記録層3
の厚みとしては0.05μmから30μm程度まで可能で
あるが、好ましくは0.5μmから10μm程度が望ま
しい。 保護層4の厚みは、5μm〜200μmであり、レー
ザー光の記録、読取り感度の点から20μm〜
1000μmが好ましい。反射金属層5の厚みとして
は、0.02μm〜2μmまで可能であるが、0.02μm〜
1μm程度あれば十分である。 なお、反射金属層5は、予め記録層に熱蒸着、
スパツタリングあるいはメツキなどの方法で設け
ておき、融着あるいは接着によつて基材上に構成
させることもできる。 以下、本発明を実施例にて説明するが、これら
によつて限定されるものではない。 実施例 1 二成分系混合物としてフツ化ビニリデン系重合
体と(メタ)アクリル酸エステル系重合体の薄膜
シートを作成した。以下フツ化ビニリデン系重合
体を成分1、(メタ)アクリル酸エステル系重合
体を成分2として実施例を説明する。 まず、成分1及び成分2を総重量比で5%溶液
になる様に両者の共通溶媒であるメチルエチルケ
トンに25/75(成分1/成分2)の重量分率で溶
解した。次に平滑なガラス板上にこれを展開し、
常温、除湿下で溶媒を蒸発させ、膜厚10μmのシ
ートを得た。以上の様にして第1表に示す成分1
および成分2の各成分による配合で6種の試料を
作成し、光透過率の温度変化を測定し相転移温度
を求めた。その結果を第1表に示す。また試料1
から6までをプラネタリミキサーにて25//75の
重量分率でブレンドし、プレス成形にて膜厚
10μmのシートを得た。これらの相転移温度は、
第1表の結果と同じであつた。
【表】
【表】
実施例 2
三成分系混合物として成分1、成分2および成
分3を総重量比で5%溶液となる様に共通溶媒で
あるメチルエチルケトンに溶解した。このとき成
分3としては、酢酸ビニル重合体を用い3者の組
成比が20/60/20(成分1/成分2/成分3)の
重量分率となる様にした。次いで実施例1と同様
にして、ガラス板上に展開し、膜厚10μmのシー
トを得た。第2表に三成分系の場合の相転移温度
をそれぞれ示す。 また、試料7〜12を実施例1と同様にしてプラ
ネタリミキサーでブレンドし、プレス成形にてシ
ートを作成した。このものの相転移温度は第2表
に示した値と等しかつた。
分3を総重量比で5%溶液となる様に共通溶媒で
あるメチルエチルケトンに溶解した。このとき成
分3としては、酢酸ビニル重合体を用い3者の組
成比が20/60/20(成分1/成分2/成分3)の
重量分率となる様にした。次いで実施例1と同様
にして、ガラス板上に展開し、膜厚10μmのシー
トを得た。第2表に三成分系の場合の相転移温度
をそれぞれ示す。 また、試料7〜12を実施例1と同様にしてプラ
ネタリミキサーでブレンドし、プレス成形にてシ
ートを作成した。このものの相転移温度は第2表
に示した値と等しかつた。
【表】
実施例 3
実施例1で作成したシートを、熱プレスにてカ
ード基材(塩化ビニル樹脂)に融着した。融着条
件としては、120℃、100Kg/cm2で行つた。また、
保護層として、塩化ビニル樹脂を溶液コーテイン
グしてカードを作製した。できた記録カードの記
録層の厚みは9μm、保護層の厚みは30μm程度で
あつた。 次にレーザーダイオード((波長8300Å)のビ
ームを記録部において15mWの出力で3μmのスポ
ツトに集光し、パルス光にて記録カードに照射し
たところ試料1〜4は直径4μm、試料5及び6に
ついては5μmの円形ピツトが得られた。 実施例 4 実施例1にて作成したシートに金属アルミニウ
ムを、膜厚500Åになる様に蒸着した。次にアル
ミニウム表面がカード基材と接着する方向で実施
例3の方法にならつて熱融着した。また、保護層
として塩化ビニル樹脂を溶液コーテイングして反
射金属層を有する記録カードを作製した。このよ
うしてでき上がつた記録カードの記録層の厚みは
9μm、保護層の厚みは35μmであつた。 次にレーザーダイオード(波長8300Å)のビー
ムを記録部において15mWの出力で3μmのスポツ
トに集光しパルス光にて照射したところ、試料1
〜4は直径4.5μm、試料5及び試料6については
直径6μmの円形のピツトが得られた。 実施例 5 実施例2で作成したシートを熱プレスにてカー
ド基材(塩化ビニル樹脂)に融着した。融着条件
としては100℃、200Kg/cm2で行つた。 また、保護層として、塩化ビニル樹脂を溶液コ
ーテイングした。このようにしてでき上がつた記
録カードの記録層の厚みは10μm、保護層の厚み
は30μmであつた。 また、実施例2で作成したシート上に金属アル
ミニウムを膜厚500Åで蒸着し、蒸着面をカード
基材と合わせて融着し、反射金属膜を有する記録
カードを作製した。 次にレーザーダイオード(波長8300Å)のビー
ムを記録部において10mWの出力で3μmのスポツ
トに集光し、パルス光にて照射したところ、試料
7〜10について反射金属層なしの場合直径4μm、
ある場合直径4.5μmの円形のピツトが得られた。
また試料11および試料12について反射金属層なし
の場合4μm、ある場合直径5μmの円形のピツトが
得られた。
ード基材(塩化ビニル樹脂)に融着した。融着条
件としては、120℃、100Kg/cm2で行つた。また、
保護層として、塩化ビニル樹脂を溶液コーテイン
グしてカードを作製した。できた記録カードの記
録層の厚みは9μm、保護層の厚みは30μm程度で
あつた。 次にレーザーダイオード((波長8300Å)のビ
ームを記録部において15mWの出力で3μmのスポ
ツトに集光し、パルス光にて記録カードに照射し
たところ試料1〜4は直径4μm、試料5及び6に
ついては5μmの円形ピツトが得られた。 実施例 4 実施例1にて作成したシートに金属アルミニウ
ムを、膜厚500Åになる様に蒸着した。次にアル
ミニウム表面がカード基材と接着する方向で実施
例3の方法にならつて熱融着した。また、保護層
として塩化ビニル樹脂を溶液コーテイングして反
射金属層を有する記録カードを作製した。このよ
うしてでき上がつた記録カードの記録層の厚みは
9μm、保護層の厚みは35μmであつた。 次にレーザーダイオード(波長8300Å)のビー
ムを記録部において15mWの出力で3μmのスポツ
トに集光しパルス光にて照射したところ、試料1
〜4は直径4.5μm、試料5及び試料6については
直径6μmの円形のピツトが得られた。 実施例 5 実施例2で作成したシートを熱プレスにてカー
ド基材(塩化ビニル樹脂)に融着した。融着条件
としては100℃、200Kg/cm2で行つた。 また、保護層として、塩化ビニル樹脂を溶液コ
ーテイングした。このようにしてでき上がつた記
録カードの記録層の厚みは10μm、保護層の厚み
は30μmであつた。 また、実施例2で作成したシート上に金属アル
ミニウムを膜厚500Åで蒸着し、蒸着面をカード
基材と合わせて融着し、反射金属膜を有する記録
カードを作製した。 次にレーザーダイオード(波長8300Å)のビー
ムを記録部において10mWの出力で3μmのスポツ
トに集光し、パルス光にて照射したところ、試料
7〜10について反射金属層なしの場合直径4μm、
ある場合直径4.5μmの円形のピツトが得られた。
また試料11および試料12について反射金属層なし
の場合4μm、ある場合直径5μmの円形のピツトが
得られた。
第1図aは本発明における光情報記録カードの
構成の1例を示す平面図である。図中b,c,
d,eは記録層の異なつた構成を示す断面図で、 1…カード、2…基材、3…記録層、4…保護
層、5…反射金属層、6…記録ピツトである。
構成の1例を示す平面図である。図中b,c,
d,eは記録層の異なつた構成を示す断面図で、 1…カード、2…基材、3…記録層、4…保護
層、5…反射金属層、6…記録ピツトである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光記録媒体として、少なくともフツ化ビニリ
デン系重合体とアクリル酸エステル系重合体を含
む多成分系ブレンド組成物からなる膜を基材の少
ないくとも一部に構成させてなることを特徴とす
る光情報記録カード。 2 アクリル酸エステル系重合体がメタクリル酸
エステル系重合体である特許請求の範囲第1項記
載の光情報記録カード。 3 光記録媒体として、少なくともフツ化ビニリ
デン系重合体、アクリル酸エステル系重合体およ
びビニルエステル系重合体を含む多成分系ブレン
ド組成物からなる膜を基材の少なくとも一部に構
成させてなることを特徴とする光情報記録カー
ド。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61027910A JPS62188037A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 光情報記録カ−ド |
GB08702361A GB2188002A (en) | 1986-02-13 | 1987-02-03 | Optical information recording card using polymer blend as recording material |
CA000529099A CA1263533A (en) | 1986-02-13 | 1987-02-05 | Optical information recording card using polymer blend as recording material |
FR8701775A FR2594585A1 (fr) | 1986-02-13 | 1987-02-12 | Carte d'enregistrement optique de l'information utilisant un melange de polymeres comme materiau d'enregistrement |
DE19873704449 DE3704449A1 (de) | 1986-02-13 | 1987-02-12 | Karte fuer die optische aufzeichnung von informationen unter verwendung einer polymermischung als aufzeichnungsmaterial |
US07/013,944 US4851323A (en) | 1986-02-13 | 1987-02-12 | Optical information recording card using polymer blend as recording material |
IT19382/87A IT1202545B (it) | 1986-02-13 | 1987-02-13 | Scheda di registrazione ottica di informazioni che utilizza una miscela di polimeri come materiale di registrazione |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61027910A JPS62188037A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 光情報記録カ−ド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62188037A JPS62188037A (ja) | 1987-08-17 |
JPH051759B2 true JPH051759B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=12234036
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61027910A Granted JPS62188037A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 光情報記録カ−ド |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JPS62188037A (ja) |
CA (1) | CA1263533A (ja) |
DE (1) | DE3704449A1 (ja) |
FR (1) | FR2594585A1 (ja) |
GB (1) | GB2188002A (ja) |
IT (1) | IT1202545B (ja) |
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---|---|---|---|---|
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KR960030149A (ko) * | 1995-01-28 | 1996-08-17 | 김광호 | 유기광기록매체 |
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EP0932148A1 (en) * | 1998-01-26 | 1999-07-28 | Eastman Kodak Company | Recordable elements comprising a super-sensitive markable phase-change layer |
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-
1986
- 1986-02-13 JP JP61027910A patent/JPS62188037A/ja active Granted
-
1987
- 1987-02-03 GB GB08702361A patent/GB2188002A/en active Granted
- 1987-02-05 CA CA000529099A patent/CA1263533A/en not_active Expired
- 1987-02-12 US US07/013,944 patent/US4851323A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-02-12 DE DE19873704449 patent/DE3704449A1/de active Granted
- 1987-02-12 FR FR8701775A patent/FR2594585A1/fr active Pending
- 1987-02-13 IT IT19382/87A patent/IT1202545B/it active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2188002A (en) | 1987-09-23 |
US4851323A (en) | 1989-07-25 |
GB2188002B (ja) | 1990-02-14 |
IT1202545B (it) | 1989-02-09 |
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CA1263533A (en) | 1989-12-05 |
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