JPH01173397A - 強誘電性高分子光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、強誘電性高分子光記録媒体の製造方法に関す
る。

［従来技術］ ＰＶＤ系重合体を記録媒体とした高分子光メモリーは、
すでに知られている。

これは、ＰＶＤ系重合体の強誘電性を利用した画期的な
光メモリーで、その記録原理は特開昭５９−２１５０９
（ｉ及び同５９−２１５０９７号公報、あるいはＩＥＥ
Ｅ　Ｔｒａｎｓ、ＥＩＣｃｔｒ、Ｉｎｓ、、ＥＩ−２１
，５３９，’８０や高分子加工３５．４１８（１９８８
）に開示されているように、強誘電性高分子材料が電界
によって分極する性質を利用して、高い電界を印加して
一方向に分極させた該強誘電性高分子材料に対して、抗
電界以下の弱い逆電界を印加した状態で任意の部分に光
ビームを照射加熱して該光照射部のみを選択的に分極反
転せしめることにより書き込みを口Ｊ能にし、さらに光
または熱による焦電効果を利用して読み出すことができ
るというものである。

しかしながら　Ｊ、Ｊ、八ｐｐ１．Ｐｈｙｓ、、２６，
５５４．１９８７等の数多くの文献等により報告されて
いるように、該光記録媒体の記録層を形成するＰＶＤ系
重合体は製膜後に百数十℃またはそれ以上の高温で熱処
理を施さなければ強誘電性を示す結晶部分が少なくメモ
リーとしての機能も著しく低下するため、どうしても省
略できない工程となっている。

又、実際にメモリーとしての利用を考えると、その基板
部分は生産性、コスト性を考えるとプラスチック等の材
料が望ましいが、上記熱処理工程に耐えうるプラスチッ
ク材料はほとんど無い上に、該基板上には光ビームのフ
ォーカシングやトラッキングの為にグループが形成され
ていることが望ましいが、上記熱処理工程によりプラス
チック基板の場合にはこのグループが変形する可能性が
高く、実際に当該光メモリーを生産する上で大きな問題
となっていた。

［目　的］ 本発明はこうした事情に鑑み、記録層成膜後の熱処理工
程における基板への悪影響を回避し得る新規な製法を提
供することを目的とするものである。

［構　成］ 本発明者等は従来より当該光記録媒体を実用化するため
に研究を重ねてきたが、前記の問題に対して、該光記録
媒体の記録層のみあるいは記録層とその近傍の層を高分
子材料等によってラミネート加工を施した上で、該記録
層部分のみを先に熱処理をした後に、耐熱性に乏しい基
板上に接着するという工程を確立す、ることにより解決
し得るとともに該光記録媒体の生産性を著しく向上し得
ることを見出し、本発明に至った。

すなわち、本発明は、強誘電性高分子光記録媒体の製造
法において、該光記録媒体の記録層あるいは記録層及び
その近傍の層にラミネート加工を施した後、これを熱処
理し、次いで基板に密着せしめることを特徴とする強誘
電性高分子光記録媒体の製造方法である。

このように、本発明は当該光記録媒体の記録層をラミネ
ート加工することにより、該ラミネート層はアニール処
理時においては仮の基板として機能し、その後は該記録
層の保護層として機能させるのみならず、工業的な量産
時においてロールツーロール型の生産と容易にすること
を６１能としたものである。

以下、本発明の構成を図面に基づいて説明する。第１．
２．３図は本発明による強誘電性高分子光記録媒体の構
成モデル図である。この図中の１が該光記録媒体の記録
層であるＰＶＤ系重合体から成る部分である。又、２は
下部電極であり、３が上部電極である。そして本発明に
より設けられたラミネート層は４である。又、５は基板
である。第１図は記録層１及び両型極層２．３をラミネ
ートした場合であり、第３図は記録層　ｌのみをラミネ
ートした場合である。

又、第２図は記録層１、電極層２．３及び下引き層６を
ラミネートした場合である。本発明は上記構成例にの−
み限定されるものではないが、上記第１図及び第２図が
最も実用性が高いと考えられる。

当該ラミネート層は上記の機能を持ったものであれば、
その膜厚はできる限り薄い方が好ましく、従って１＋ｎ
＋ｎ以下であることが望ましく、さらに具体的には８０
０μｍ以下であることが望ましい。このようなラミネー
ト層を形成する材料としては、ポリエチレン系樹脂、ポ
リプロピレン系樹脂、アセタール系樹脂、フッ素系樹脂
、ポリフェニレンオキサイド系樹脂、ポリエステル系樹
脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、エポキシ系樹
脂、フェノール系樹脂、ジアリールフタレート系樹脂、
ホルマリン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリブタジェン
系樹脂、ポリイミドアミド系樹脂、シリコーン系樹脂等
が挙げられる。該ラミネート層の形成方法としては、ウ
ェットラミネーション、ドライラミネーション、エクス
トルージョンラミネーション、ホットメルトラミネーシ
ョン、脱気圧着等が採用できる。上記ラミネーション方
式は第４図のようにローラコーティング法等により成形
することができ、容易に生産ライン上に組み込むことが
口Ｊ能である。

第１〜３図の他の構成部分についても説明を加える。

本発明において記録層を構成するＰＶＤ系重合体には種
々の化合物が報告されているが、本記録媒体においては
強誘電性を有し、かつ誘電ヒステリシス測定で矩形を示
すようなものが望ましく、たとえばぶつ化ビニリデンの
ホモ重合体、及びふり化ビニリデンを５０重間％以上含
むふり化ビニリデン共重合体である。該共重合体として
はふり化ビニリデンと三ふっ化エチレン、六ふっ化プロ
ピレン、三ふっ化塩化エチレン等との共重合体等を挙げ
ることができる。また、ポリシアン化ビニリデン、シア
ン化ビニリデン及び酢酸ビニル共重合体等も挙げられる
が、これらの中でも弗化ビニリデン及び三弗化エチレン
共重合体［以下Ｐ　（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）と略すコが最
も好ましい。

該記録層のＰＶＤ系重合体膜を製膜する方法としては浸
漬コーティング、スプレーコーティング、スピナーコー
ティング、ブレードコーティング、ローラコーティング
、カーテンコーティング等の溶液塗布法によって形成す
ることができる。この中でも浸漬コーティングやスピナ
ーコーティングによるものが該ＰＶＤ系重合体膜を均一
な膜厚に形成する上に、超薄膜が得られる点からも好ま
しい。

本強誘電性高分子記録媒体が光メモリーとして機能する
ためには記録層を挟む電極の少くとも一方が照射光に対
してできる限り透明であることが望ましく、特に本発明
では下部電極２に透明電極又は半透明電極を採用するこ
とが好ましい。勿論下部電極２及び上部電極３の両方が
透明であっても良く、また上部電極３のみが透明であっ
ても構わない。本発明で採用される透明電極とはスズを
ドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）や酸化スズ、アン
ドープの酸化インジウム等の蒸着、ＣＶＤ、スパッタリ
ング膜等が挙げられ、半透明電極には金、白金、銀、銅
、鉛、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、タンタル、チタ
ン、７コバルト、ニオブ、パラジウム、スズ等の各種金
属の蒸着、ＣＶＤ、スパッタリング膜等が挙げられるが
本発明は特にこれらに限定されるものではない。

照射光源は量産性及び価格的にも半導体レーサー（ＬＤ
）が最適と考えられる。ＬＤ光の照射方向は上部・下部
何れの電極側からでも構わないが、その際に少くとも光
源側の電極は照射光に対して透明であることが望ましい
。

また基板５の材料としては、ポリエチレン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルアセテート、ポリアミド、ポリイミド、
ポリオレフィン、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂及び上記の誘導体等の各種プラスチ・ツクやガ
ラス、石英板、セラミックなどが好適であるが、電極同
様照射光に対して透明であることが望ましいが、ガラス
、石英板、セラミック等の場合は耐衝撃性、熱保存性、
コスト等の問題があるために、上記材料の中でもプラス
チ・ツクが最も好ましい。

該基板５はラミネートされた記録層が接着される前にグ
ループが加工しであることが望ましいが、このグループ
を形成する方法としては、エツチング、スタンバ、押出
し成型、インクジエクション等の各種方法を利用するこ
とができる。

さてこの基板５とアニール処理をしたラミネート層を含
む記録層部分の接合は接着剤を使用したり、真空圧着等
により密着した後にその形状を維持するように保持部位
を設けたり、再度ラミネート加工を施したり種々の方法
が考えられるが、量産性等を考えた場合は接着剤等によ
る方法が最も簡便かつ確実性が高い。

第２図で表わしたように下引き層６について簡単に説明
すると、下引き層０は下部電極２の表面に表面処理剤を
塗布あるいは蒸希することにより形成され、その目的に
は下記のものが挙げられる。

１）電極との接着性の向上 ２）記録層の保存安定性の向上 ３）水、ガス、溶剤等のバリアー性 上記に於て、特に　ｌに主たる特性が要求される。そこ
で使用される表面処理剤には、ヘキサメチルジシラザン
（ＨＭＤＳ）　、）リメチルク　。

ロルシラン（ＴＭＣ８）　、ジメチルクロルシラン（Ｄ
ＭＣ５）　、ジメチルジク口ルシラン（ＤＭＤＣ３）　
、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ｔ−ブチル
ジメチルクロルシラン、ビス（トリメチルシリル）トリ
フルオロアセトアミド、トリメチルシリルジフェニル尿
素、ビストリメチルシリル尿素等があげられる。又、上
記シリル化剤以外にチタン系のカップリング剤（アンカ
ーコート剤）も有効であることが確認されている。

以下実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発
明は該実施例のみに限定されるものではない。

実施例 Ｐ　（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）：組成比５２／　４８の共重
合体を押出し成型法により厚さ　５μｍ、　ｌ＋５４ｍ
ｍ、長さ１０００ｍｍの薄膜に成形した。該Ｐ　（ＶＤ
Ｆ−ＴｒＦＥ）膜をラインに組込み、まず両面にＩＴＯ
電極を約５００人の厚さで蒸着する。次いで護膜を長さ
８０＋ｎ＋ｎに裁断した後に、厚さ５０μｍのエポキシ
樹脂薄膜でサンドイッチして、コネクタ部分として画電
極から各１本ずつリード線を引き出した状態で脱気圧若
し端面をエポキシ系接着剤で固定した。接着剤が硬化し
た後に、該記録層をオーブン中に移送し、１２０℃で１
ｈ熱処理を施した。

あらかじめエツチング処理をしてグループを作成したポ
リエチレンテレフタレート基板を用意し、熱処理を施し
た記録層をエポキシ系接着剤で接着し、サンプルを作製
した。該サンプルは第５図のような外観で製造され、こ
れにＩＲＥＥＴｒａｎｓ、ＥＩｅｃｈ、Ｉｎｓ、、　Ｅ
ｌ−２１，５３９，１９８６で表わされたような手順で
そのメモリー機能を評価したところ、情報の記録、読み
出し、消去の過程が少くとも１万回以上は可能であり、
しかも読み出し時のＳ／Ｎ比は最高４９ｄＢ、最低３０
ｄＢ、平均４２ｄｌｌで行えることが確認された。

［効　果］ 以上説明したように、本発明によれば、基板を熱処理工
程に付すことなく、高い生産性で強誘電性高分子光記録
媒体を製造することができ、しかも得られた記録媒体は
優れたメモリー機能を有する。

【図面の簡単な説明】

第１〜３図は本発明による強誘電性高分子記録媒体の構
成モデル図、第４図はローラーコーティング法によるラ
ミネーションの説明図、第５（ａ）図は本発明による強
誘電性高分子記録媒体の一例を示す斜視図、第５（ｂ）
図はその断面を示す構成モデル図。 １・・・記録層、２・・・下部電極、３・・・上部電極
、４・・・ラミネート層、５・・・基板、６・・・下引
き層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 強誘電性高分子光記録媒体の製造法において、該光記録
   媒体の記録層あるいは記録層及びその近傍の層にラミネ
   ート加工を施した後、これを熱処理し、次いで基板に密
   着せしめることを特徴とする強誘電性高分子光記録媒体
   の製造方法。