JP2553742B2 - 液晶素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶素子及びその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気・電子工業分野などに使用される液晶
素子に関する。本発明はまた、液晶素子の製造方法に関
する。
素子に関する。本発明はまた、液晶素子の製造方法に関
する。
液晶素子により液晶表示等を行うには、液晶分子が配
向していることが必要である。従来の液晶素子では、液
晶分子を所望の配向状態とするため、液晶を挟持する電
極付き基板の電極面上にポリイミドのような樹脂膜を設
け、これをラビング処理したものが広く使われている。
更に、液晶分子の配向性、液晶素子の電界変化に対する
急峻度特性、視野角特性などを改善するため、前記の樹
脂膜に紫外光を照射する技術が知られている（特開昭60
−113213号公報）。
向していることが必要である。従来の液晶素子では、液
晶分子を所望の配向状態とするため、液晶を挟持する電
極付き基板の電極面上にポリイミドのような樹脂膜を設
け、これをラビング処理したものが広く使われている。
更に、液晶分子の配向性、液晶素子の電界変化に対する
急峻度特性、視野角特性などを改善するため、前記の樹
脂膜に紫外光を照射する技術が知られている（特開昭60
−113213号公報）。
しかしながら、これらの従来技術においては電極付き
基板の電極面上に樹脂膜等の配向膜が必須であり、その
配向膜の品質が液晶分子の配向の良否を決定する。した
がって、液晶分子の良好な配向状態を得るためには配向
膜の形成、ラビング処理などの工程を避けて通ることは
できず、これらの工程が液晶素子の歩留まりの低下の原
因となっている。
基板の電極面上に樹脂膜等の配向膜が必須であり、その
配向膜の品質が液晶分子の配向の良否を決定する。した
がって、液晶分子の良好な配向状態を得るためには配向
膜の形成、ラビング処理などの工程を避けて通ることは
できず、これらの工程が液晶素子の歩留まりの低下の原
因となっている。
他方、配向膜やラビング処理を行わずに液晶分子の良
好な配向を得るために、液晶素子を曲げ変形処理して剪
断により液晶分子を配向させる方法が提案されている
（特開平２−10322号公報）。
好な配向を得るために、液晶素子を曲げ変形処理して剪
断により液晶分子を配向させる方法が提案されている
（特開平２−10322号公報）。
しかしながら、この技術においても液晶が直接接する
電極付き基板の表面の状態の良否が液晶分子の最終的な
配向の良し悪し、ひいては液晶素子のコントラスト比、
しきい値特性などに影響する。このため、電極付き基板
の電極側の表面の状態が良好であり、コントラスト比、
しきい値特性などに優れた液晶素子が望まれている。
電極付き基板の表面の状態の良否が液晶分子の最終的な
配向の良し悪し、ひいては液晶素子のコントラスト比、
しきい値特性などに影響する。このため、電極付き基板
の電極側の表面の状態が良好であり、コントラスト比、
しきい値特性などに優れた液晶素子が望まれている。
本発明は、液晶分子と電極付き基板の界面相互作用が
良好であり、液晶分子の配向性に優れ、コントラスト
比、しきい値特性等の良好な液晶素子を提供しようとす
るものである。
良好であり、液晶分子の配向性に優れ、コントラスト
比、しきい値特性等の良好な液晶素子を提供しようとす
るものである。
また、本発明は、上記のような液晶素子を簡単に効率
よく製造することのできる液晶素子の製造方法を提供し
ようとするものである。
よく製造することのできる液晶素子の製造方法を提供し
ようとするものである。
本発明は前記課題を解決するために鋭意研究を重ねた
結果、液晶素子の電極付き基板として電極側の表面が紫
外光照射処理されたものを使用した液晶素子によりその
目的が達成されることを見出し、この知見に基づいて本
発明を完成するに至った。
結果、液晶素子の電極付き基板として電極側の表面が紫
外光照射処理されたものを使用した液晶素子によりその
目的が達成されることを見出し、この知見に基づいて本
発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、対向する電極側の表面が紫外光照
射処理された一対の電極付き基板間に液晶材料を挟持し
てなる液晶素子を提供するものである。
射処理された一対の電極付き基板間に液晶材料を挟持し
てなる液晶素子を提供するものである。
本発明の液晶素子は、一対の電極付き基板とそれらの
間に挟持された液晶材料からなる。
間に挟持された液晶材料からなる。
電極付き基板の基板としては、ガラス、可撓性プラス
チック基板などが挙げられる。可撓性プラスチック基板
としては、例えば、ポリエーテルスルホン（PES）、ポ
リエチレンテレフタレート（PET）、ポリカーボネート
（PC）などが好適に使用される。
チック基板などが挙げられる。可撓性プラスチック基板
としては、例えば、ポリエーテルスルホン（PES）、ポ
リエチレンテレフタレート（PET）、ポリカーボネート
（PC）などが好適に使用される。
電極としては、上記基板上に蒸着等の方法で形成され
た透明電極が好ましい。具体的には、In2O3−SnO2膜等
が挙げられる。電極はエッチング等の方法でパターニン
グされていてもよい。電極がパターニングされていると
き、電極の取り除かれた部分では基板が露出している。
た透明電極が好ましい。具体的には、In2O3−SnO2膜等
が挙げられる。電極はエッチング等の方法でパターニン
グされていてもよい。電極がパターニングされていると
き、電極の取り除かれた部分では基板が露出している。
本発明の液晶素子では、上記の電極付き基板の電極側
の表面が紫外光照射処理されている。
の表面が紫外光照射処理されている。
紫外光照射処理は、電極付き基板の電極側の表面に紫
外光を照射して行う。照射する紫外光の波長としては、
180〜400nmが好ましい。これより波長の長い紫外光で
は、処理効果が薄くなることがある。また、これより波
長の短い紫外光では、光源の窓に特殊な材質のガラスが
必要であったり、空気中の酸素による紫外光の吸収を避
けるためのガス置換や真空引きが必要であったりするた
め、コスト高となって実用的でない。
外光を照射して行う。照射する紫外光の波長としては、
180〜400nmが好ましい。これより波長の長い紫外光で
は、処理効果が薄くなることがある。また、これより波
長の短い紫外光では、光源の窓に特殊な材質のガラスが
必要であったり、空気中の酸素による紫外光の吸収を避
けるためのガス置換や真空引きが必要であったりするた
め、コスト高となって実用的でない。
紫外光の出力は50〜400W程度が好ましい。また、紫外
光の照射時間は30〜180秒程度が好ましい。出力や照射
時間がこれ以下では、照射の効果が薄くなることがあ
り、これ以上では、基板等を損傷するおそれがある。
光の照射時間は30〜180秒程度が好ましい。出力や照射
時間がこれ以下では、照射の効果が薄くなることがあ
り、これ以上では、基板等を損傷するおそれがある。
このような紫外光照射処理により、電極付き基板の表
面が清浄化され、また活性化されると考えられる。すな
わち、電極のある部分では、紫外光により電極表面に付
着している有機物等の汚れが除去されて清浄になり、電
極がエッチング等により取り除かれ基板が露出している
部分では、基板表面が清浄化されるとともに紫外光のエ
ネルギーで基板表面の分子構造が変化し活性化されると
考えられる。これらの効果から、液晶材料と電極付き基
板の界面相互作用が改善され、液晶素子のコントラスト
比、しきい値特性等が向上する。
面が清浄化され、また活性化されると考えられる。すな
わち、電極のある部分では、紫外光により電極表面に付
着している有機物等の汚れが除去されて清浄になり、電
極がエッチング等により取り除かれ基板が露出している
部分では、基板表面が清浄化されるとともに紫外光のエ
ネルギーで基板表面の分子構造が変化し活性化されると
考えられる。これらの効果から、液晶材料と電極付き基
板の界面相互作用が改善され、液晶素子のコントラスト
比、しきい値特性等が向上する。
本発明の液晶素子は、上記の紫外光照射処理を施した
一対の電極付き基板間に液晶材料を挟持してなるもので
ある。このとき、一対の電極付き基板は電極側を内側に
対向して配置されている。
一対の電極付き基板間に液晶材料を挟持してなるもので
ある。このとき、一対の電極付き基板は電極側を内側に
対向して配置されている。
挟持する液晶材料としては、公知の任意の液晶材料を
使用することができる。これらの中でも、強誘電性液晶
材料が好ましい。特に、強誘電性高分子液晶又はその組
成物からなる液晶材料が好ましい。このような液晶材料
を用いると、ラビング法によらずとも曲げ変形等の剪断
力による方法で液晶分子を容易に配向させることができ
る。
使用することができる。これらの中でも、強誘電性液晶
材料が好ましい。特に、強誘電性高分子液晶又はその組
成物からなる液晶材料が好ましい。このような液晶材料
を用いると、ラビング法によらずとも曲げ変形等の剪断
力による方法で液晶分子を容易に配向させることができ
る。
具体的には、好適な強誘電性高分子液晶としては、以
下のものが挙げられる。
下のものが挙げられる。
（１） ポリアクリレート主鎖を有する強誘電性高分子
液晶 （特開昭63−99204号公報） （２） ポリメタクリレート主鎖を有する強誘電性高分
子液晶 （J.C.Duboisら,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,1986,137,349） （３） ポリクロロアクリレート主鎖を有する強誘電性
高分子液晶 （J.C.Duboisら,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,1986,137,349） （４） ポリオキシラン主鎖を有する強誘電性高分子液
晶 （特開昭63−264629号公報） （５） ポリシロキサン主鎖を有する強誘電性高分子液
晶 （特開昭63−280742号公報） （特開平２−640号公報） （６） ポリエステル主鎖を有する強誘電性高分子液晶 （特開平１−113424号公報） （特開昭64−22918号公報） （R.Zentelら,Liq.Cryst.1987,2,83） なお、各高分子液晶の側鎖（メソゲン）部分は、低分
子液晶において知られている様々な骨格（例えばビフェ
ニル骨格、フェニルベンゾエート骨格、ビフェニルベン
ゾエート骨格、フェニル−４−フェニルベンゾエート骨
格）を有している。そして、各骨格中のベンゼン環は、
それぞれ、例えば、ピリミジン環、ピリジン環、ピリダ
ジン環、シクロヘキサン環、ジオキソボリナン環等で置
き換えられていてもよく、また、フッ素、塩素等のハロ
ゲン基を有していてもよい。また、光学活性基は、例え
ば、１−メチルアルキル基、２−フルオロアルキル基、
２−クロロアルキル基、２−クロロ−３−メチルアルキ
ル基、１−トリフルオロメチルアルキル基、１−アルコ
キシカルボニルエチル基、２−アルコキシ−１−メチル
エチル基、２−アルコキシプロピル基、２−クロロ−１
−メチルアルキル基、２−アルコキシカルボニル−１−
トリフルオロメチルプロピル基等で置き換えられていて
もよい。また、スペーサーの長さは、強誘電性を示す限
り１〜30の範囲で変化してもよい。
液晶 （特開昭63−99204号公報） （２） ポリメタクリレート主鎖を有する強誘電性高分
子液晶 （J.C.Duboisら,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,1986,137,349） （３） ポリクロロアクリレート主鎖を有する強誘電性
高分子液晶 （J.C.Duboisら,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,1986,137,349） （４） ポリオキシラン主鎖を有する強誘電性高分子液
晶 （特開昭63−264629号公報） （５） ポリシロキサン主鎖を有する強誘電性高分子液
晶 （特開昭63−280742号公報） （特開平２−640号公報） （６） ポリエステル主鎖を有する強誘電性高分子液晶 （特開平１−113424号公報） （特開昭64−22918号公報） （R.Zentelら,Liq.Cryst.1987,2,83） なお、各高分子液晶の側鎖（メソゲン）部分は、低分
子液晶において知られている様々な骨格（例えばビフェ
ニル骨格、フェニルベンゾエート骨格、ビフェニルベン
ゾエート骨格、フェニル−４−フェニルベンゾエート骨
格）を有している。そして、各骨格中のベンゼン環は、
それぞれ、例えば、ピリミジン環、ピリジン環、ピリダ
ジン環、シクロヘキサン環、ジオキソボリナン環等で置
き換えられていてもよく、また、フッ素、塩素等のハロ
ゲン基を有していてもよい。また、光学活性基は、例え
ば、１−メチルアルキル基、２−フルオロアルキル基、
２−クロロアルキル基、２−クロロ−３−メチルアルキ
ル基、１−トリフルオロメチルアルキル基、１−アルコ
キシカルボニルエチル基、２−アルコキシ−１−メチル
エチル基、２−アルコキシプロピル基、２−クロロ−１
−メチルアルキル基、２−アルコキシカルボニル−１−
トリフルオロメチルプロピル基等で置き換えられていて
もよい。また、スペーサーの長さは、強誘電性を示す限
り１〜30の範囲で変化してもよい。
また、強誘電性高分子液晶の組成物としては、上記の
強誘電性高分子液晶に熱可塑性樹脂、架橋性樹脂、非強
誘電性の高分子液晶等の高分子物質を混合したものなど
を挙げることができる。これらの高分子物質は単独ある
いは２種以上を混合してもよいし、共重合体を用いるこ
ともできる。また、強誘電性高分子液晶の組成物として
は、上記強誘電性高分子液晶と低分子化合物との組成物
又は上記強誘電性高分子液晶と高分子物質の混合物と低
分子化合物との組成物を用いることもできる。低分子化
合物としては液晶性のものでも非液晶性のものでもどち
らでも用いることができる。低分子化合物の混合は、液
晶温度域や応答時間の改善に有効な場合がある。
強誘電性高分子液晶に熱可塑性樹脂、架橋性樹脂、非強
誘電性の高分子液晶等の高分子物質を混合したものなど
を挙げることができる。これらの高分子物質は単独ある
いは２種以上を混合してもよいし、共重合体を用いるこ
ともできる。また、強誘電性高分子液晶の組成物として
は、上記強誘電性高分子液晶と低分子化合物との組成物
又は上記強誘電性高分子液晶と高分子物質の混合物と低
分子化合物との組成物を用いることもできる。低分子化
合物としては液晶性のものでも非液晶性のものでもどち
らでも用いることができる。低分子化合物の混合は、液
晶温度域や応答時間の改善に有効な場合がある。
上記の構成を有する本発明の液晶素子は、以下の方法
により好適に製造することができる。
により好適に製造することができる。
すなわち、電極付き基板の電極側の表面に紫外光を照
射する程、紫外光を照射した電極側の表面に液晶材料を
塗布して液晶層を形成する工程、形成された液晶層の上
に電極例の表面に紫外光を照射した電極付き基板を液晶
層と電極側の表面とが接するように重ね合わせる工程及
び得られた重ね合わせ物の液晶材料を配向する工程から
なることを特徴とする液晶素子の製造方法により製造す
る。
射する程、紫外光を照射した電極側の表面に液晶材料を
塗布して液晶層を形成する工程、形成された液晶層の上
に電極例の表面に紫外光を照射した電極付き基板を液晶
層と電極側の表面とが接するように重ね合わせる工程及
び得られた重ね合わせ物の液晶材料を配向する工程から
なることを特徴とする液晶素子の製造方法により製造す
る。
先ず、紫外光の照射工程では、電極付き基板の電極側
の表面に紫外光を照射する。
の表面に紫外光を照射する。
照射する紫外光としては、前記のとおりである。
次に、液晶層を形成する工程では、紫外光を照射した
電極側の表面に液晶材料を塗布して液晶層を形成する。
電極側の表面に液晶材料を塗布して液晶層を形成する。
液晶材料を塗布する方法としては、液晶材料を溶媒で
溶いたり加熱したりすることにより流動性を高め、これ
をマイクログラビア法、ダイレクトグラビア法等によ
り、電極付き基板の電極側の表面に均一な膜厚に塗布す
る方法が適する。流動性を高めた液晶材料を含浸部材に
含浸させ、この含浸部材を電極付き基板の電極側の表面
に押し当てて移動しながら塗布する含浸塗布法（特開平
２−10322号公報記載）も好適である。
溶いたり加熱したりすることにより流動性を高め、これ
をマイクログラビア法、ダイレクトグラビア法等によ
り、電極付き基板の電極側の表面に均一な膜厚に塗布す
る方法が適する。流動性を高めた液晶材料を含浸部材に
含浸させ、この含浸部材を電極付き基板の電極側の表面
に押し当てて移動しながら塗布する含浸塗布法（特開平
２−10322号公報記載）も好適である。
次いで、基板の重ね合わせ工程では、形成された液晶
層の上に、電極側の表面に紫外光を照射した電極付き基
板を、液晶層と電極側の表面とが接するように重ね合わ
せる。
層の上に、電極側の表面に紫外光を照射した電極付き基
板を、液晶層と電極側の表面とが接するように重ね合わ
せる。
重ね合わせる基板としては、前工程で液晶材料を塗布
したものと同様に紫外光照射した電極付き基板を用い
る。そして、重ね合わせる基板と液晶層の間に気泡が入
らないように上下の基板を重ね合わせ、上下の基板によ
り液晶層を均一な膜厚で挟持する。このとき、重ね合わ
せる基板を加熱することが好ましい。
したものと同様に紫外光照射した電極付き基板を用い
る。そして、重ね合わせる基板と液晶層の間に気泡が入
らないように上下の基板を重ね合わせ、上下の基板によ
り液晶層を均一な膜厚で挟持する。このとき、重ね合わ
せる基板を加熱することが好ましい。
更に、液晶材料の配向処理工程では、得られた重ね合
わせ物の液晶材料を配向処理して液晶分子を配向させ
る。
わせ物の液晶材料を配向処理して液晶分子を配向させ
る。
液晶材料の配向処理法としては、重ね合わせを行った
基板を加熱し、等方相−液晶相間の相転移点より低い温
度で上下の基板にずり剪断をかけて液晶材料を配向処理
し、液晶分子を配向させる方法（特開平２−10322号公
報記載）が好適である。
基板を加熱し、等方相−液晶相間の相転移点より低い温
度で上下の基板にずり剪断をかけて液晶材料を配向処理
し、液晶分子を配向させる方法（特開平２−10322号公
報記載）が好適である。
以上の各工程は、電極付き基板として長尺の可繞性を
有するものを用いると連続して行うことも可能であり、
液晶素子の生産性が更に向上して好ましい。
有するものを用いると連続して行うことも可能であり、
液晶素子の生産性が更に向上して好ましい。
以下、本発明を実施例に基づい詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例１ 電極付き基板として、ガラスの片面にITO透明電極
（0.2cm2、厚さ1000Å）を蒸着したものを用いた。
（0.2cm2、厚さ1000Å）を蒸着したものを用いた。
第１図に、使用した基板と電極の形状を示す。基板１
上に、ITO透明電極２が、円形の部分と引き出し線の部
分３を有する形状に蒸着により形成されているものとし
た。
上に、ITO透明電極２が、円形の部分と引き出し線の部
分３を有する形状に蒸着により形成されているものとし
た。
この電極付き基板の電極側表面に、日本電池製UVクリ
ーナーを用いて、紫外光を２分間照射した。このUVクリ
ーナーの主な紫外光の発光ピークは184.9及び253.7nm、
発光強度はトータル120Wであった。
ーナーを用いて、紫外光を２分間照射した。このUVクリ
ーナーの主な紫外光の発光ピークは184.9及び253.7nm、
発光強度はトータル120Wであった。
紫外光を照射した電極付き基板をUVクリーナーから取
り出し、その電極側の表面に下記の繰り返し単位を有す
る強誘電性高分子液晶を含浸塗布法により塗布して厚さ
約１μｍの液晶層を形成した。
り出し、その電極側の表面に下記の繰り返し単位を有す
る強誘電性高分子液晶を含浸塗布法により塗布して厚さ
約１μｍの液晶層を形成した。
相転移挙動 〔Iso:等方相、SmA:スメクチックＡ相、SmC＊：カイラ
ルスメクチックＣ相、g:ガラス状相〕 次いで、液晶材料を100℃まで加熱したあと、形成さ
れた液晶層の上に、上記の電極付き基板と同様に紫外光
を照射した対向基板を、液晶層と電極側の表面とが接す
るように重ね合わせた。
ルスメクチックＣ相、g:ガラス状相〕 次いで、液晶材料を100℃まで加熱したあと、形成さ
れた液晶層の上に、上記の電極付き基板と同様に紫外光
を照射した対向基板を、液晶層と電極側の表面とが接す
るように重ね合わせた。
その後、得られた重ね合わせ物を１℃／分の割合で徐
冷しながら、重ね合わせ物に68〜60℃にかけて0.5mmの
剪断変形を10往復加えて液晶材料を配向処理し、液晶分
子を配向させた。
冷しながら、重ね合わせ物に68〜60℃にかけて0.5mmの
剪断変形を10往復加えて液晶材料を配向処理し、液晶分
子を配向させた。
更に、重ね合わせ物を室温まで冷し、基板の周囲を瞬
間接着剤（セメダイン製ハイスーパー）で封止して、液
晶素子を得た。更に、透明電極の引き出し線にリード線
を半田付けした。
間接着剤（セメダイン製ハイスーパー）で封止して、液
晶素子を得た。更に、透明電極の引き出し線にリード線
を半田付けした。
第２図は、得られた液晶素子の断面図である。１は基
板、２はITO透明電極、４は液晶材料、５は接着剤、６
はリード線である。
板、２はITO透明電極、４は液晶材料、５は接着剤、６
はリード線である。
得られた液晶素子のコントラスト比を測定した。
第３図は、使用した測定系を示す略示図である。液晶
素子７を恒温槽８に入れ、液晶素子７から引き出した一
方のリード線６をアースし、他方のリード線６をコンピ
ュータ10に接続された任意関数発生器11の出力端子に増
幅器12を介して接続した。また、液晶素子７の下部に設
置した光源９から発した光の液晶素子７による透過光量
を液晶素子７の上部に設置した偏光顕微鏡13により検知
し、光電子増倍管14により電気的信号として波形記録器
15により記録した。
素子７を恒温槽８に入れ、液晶素子７から引き出した一
方のリード線６をアースし、他方のリード線６をコンピ
ュータ10に接続された任意関数発生器11の出力端子に増
幅器12を介して接続した。また、液晶素子７の下部に設
置した光源９から発した光の液晶素子７による透過光量
を液晶素子７の上部に設置した偏光顕微鏡13により検知
し、光電子増倍管14により電気的信号として波形記録器
15により記録した。
このような測定系を用いて、第４図（ａ）に示すよう
に、液晶素子の電極間に±10Vの直流電圧を印加した。
このとき、第４図（ｂ）に示すように、明状態の透過光
量（ION）と暗状態の透過光量（IOFF）の比Cvを電圧印
加時コントラスト比として測定した。
に、液晶素子の電極間に±10Vの直流電圧を印加した。
このとき、第４図（ｂ）に示すように、明状態の透過光
量（ION）と暗状態の透過光量（IOFF）の比Cvを電圧印
加時コントラスト比として測定した。
Cv＝ION/IOFF Cvの値は大きいほど液晶素子として良好である。
次いで、第５図（ａ）に示すように、液晶素子の電極
間に＋10Vの直流電圧を１秒間印加したあと電圧を0Vと
した場合における５秒後の透過光量（ION）と、−10Vの
直流電圧を１秒間印加したあと電圧を0Vとした場合にお
ける５秒後の透過光量（IOFF）との比Cmをメモリ時コン
トラスト比として測定した（第５図（ｂ））。
間に＋10Vの直流電圧を１秒間印加したあと電圧を0Vと
した場合における５秒後の透過光量（ION）と、−10Vの
直流電圧を１秒間印加したあと電圧を0Vとした場合にお
ける５秒後の透過光量（IOFF）との比Cmをメモリ時コン
トラスト比として測定した（第５図（ｂ））。
Cm＝ION/IOFF Cmの値も大きいほど液晶素子として良好である。
次に、液晶素子のしきい値特性を測定した。測定系は
第３図と同様とした。第６図（ａ）に示した波形（パル
ス幅10ms）の電圧を液晶素子の電極間に印加し、書き込
み電圧Vwを０からVr（リセット電圧）まで徐々に増加さ
せたときのVwに対するメモリ時の透過光量Imを記録した
（第６図（ｂ））。第６図（ｃ）に示すように、ImをVw
の関数とみたとき、透過光量が全体の10％に達するのに
必要な書き込み電圧V10と透過光量が全体の90％に達す
るのに必要な書き込み電圧V90から急峻度γ＝V90/V10を
計算し、しきい値特性を評価した。γは１に近いほど液
晶素子のしきい値特性が良好であることを意味する。
第３図と同様とした。第６図（ａ）に示した波形（パル
ス幅10ms）の電圧を液晶素子の電極間に印加し、書き込
み電圧Vwを０からVr（リセット電圧）まで徐々に増加さ
せたときのVwに対するメモリ時の透過光量Imを記録した
（第６図（ｂ））。第６図（ｃ）に示すように、ImをVw
の関数とみたとき、透過光量が全体の10％に達するのに
必要な書き込み電圧V10と透過光量が全体の90％に達す
るのに必要な書き込み電圧V90から急峻度γ＝V90/V10を
計算し、しきい値特性を評価した。γは１に近いほど液
晶素子のしきい値特性が良好であることを意味する。
結果を第１表に示す。
比較例１ 電極付き基板への紫外光照射時に紫外光が基板の電極
側表面に達しないよう、基板表面をアルミ箔で覆った以
外は実施例１と同様にして液晶素子を製造した。
側表面に達しないよう、基板表面をアルミ箔で覆った以
外は実施例１と同様にして液晶素子を製造した。
得られた液晶素子について、実施例１と同様に特性を
評価した。結果を第１表に示す。
評価した。結果を第１表に示す。
実施例２ 電極付き基板の基板としてポリエチレンテレフタレー
ト（PET）基板（厚さ100μｍ、ダイセル化学工業製CELE
C−Ｋ）を用いた以外は実施例１と同様にして液晶素子
を製造した。
ト（PET）基板（厚さ100μｍ、ダイセル化学工業製CELE
C−Ｋ）を用いた以外は実施例１と同様にして液晶素子
を製造した。
得られた液晶素子について、実施例１と同様に特性を
評価した。結果を第１表に示す。
評価した。結果を第１表に示す。
比較例２ 電極付き基板への紫外光照射時に紫外光が基板の電極
側表面に達しないよう、基板表面をアルミ箔で覆った以
外は実施例２と同様にして液晶素子を製造した。
側表面に達しないよう、基板表面をアルミ箔で覆った以
外は実施例２と同様にして液晶素子を製造した。
得られた液晶素子について、実施例１と同様に特性を
評価した。結果を第１表に示す。
評価した。結果を第１表に示す。
実施例３ 電極付き基板の基板としてポリエーテルスルホン（PE
S）基板（厚さ100μｍ、住友ベークライト製FST−135
1）を用いた以外は実施例１と同様にして液晶素子を製
造した。
S）基板（厚さ100μｍ、住友ベークライト製FST−135
1）を用いた以外は実施例１と同様にして液晶素子を製
造した。
得られた液晶素子について、実施例１と同様に特性を
評価した。結果を第１表に示す。
評価した。結果を第１表に示す。
比較例３ 電極付き基板への紫外光照射時に紫外光が基板の電極
側表面に達しないよう、基板表面をアルミ箔で覆った以
外は実施例３と同様にして液晶素子を製造した。
側表面に達しないよう、基板表面をアルミ箔で覆った以
外は実施例３と同様にして液晶素子を製造した。
得られた液晶素子について、実施例１と同様に特性を
評価した。結果を第１表に示す。
評価した。結果を第１表に示す。
以上、いずれの場合も、実施例の結果は比較例のそれ
より優れており、紫外光照射の効果が確認された。
より優れており、紫外光照射の効果が確認された。
本発明の液晶素子は、液晶分子と基板の界面相互作用
が良好であり、液晶分子の配向性に優れ、コントラスト
比、しきい値特性等の良好なものである。
が良好であり、液晶分子の配向性に優れ、コントラスト
比、しきい値特性等の良好なものである。
また本発明の液晶素子の製造方法によると、上記のよ
うな液晶素子を簡単に効率よく製造することができる。
うな液晶素子を簡単に効率よく製造することができる。
第１図は、実施例で使用した基板と電極の形状を示す斜
視図である。 第２図は、実施例１で得られた液晶素子の断面図であ
る。 第３図は、実施例１で液晶素子の特性測定に使用した測
定系を示す略示図である。 第４図（ａ）、第５図（ａ）及び第６図（ａ）は、実施
例１で液晶素子の電極間に印加した電圧を示すグラフで
ある。横軸は時刻、縦軸は印加電圧を示す。 第４図（ｂ）、第５図（ｂ）及び第６図（ｂ）は、実施
例１の液晶素子の透過光量を示すグラフである。横軸は
時刻、縦軸は透過光量を示す。 第６図（ｃ）は、書き込み電圧と透過光量との関係を示
すグラフである。横軸は書き込み電圧（Vw）、縦軸は透
過光量（Im）を示す。 符号の説明 １……基板、２……ITO透明電極 ３……引き出し線、４……液晶材料 ５……接着剤、６……リード線 ７……液晶素子、８……恒温槽 ９……光源、10……コンピュータ 11……任意関数発生器、12……増幅器 13……偏光顕微鏡、14……光電子増倍管 15……波形記録器、16……偏光板
視図である。 第２図は、実施例１で得られた液晶素子の断面図であ
る。 第３図は、実施例１で液晶素子の特性測定に使用した測
定系を示す略示図である。 第４図（ａ）、第５図（ａ）及び第６図（ａ）は、実施
例１で液晶素子の電極間に印加した電圧を示すグラフで
ある。横軸は時刻、縦軸は印加電圧を示す。 第４図（ｂ）、第５図（ｂ）及び第６図（ｂ）は、実施
例１の液晶素子の透過光量を示すグラフである。横軸は
時刻、縦軸は透過光量を示す。 第６図（ｃ）は、書き込み電圧と透過光量との関係を示
すグラフである。横軸は書き込み電圧（Vw）、縦軸は透
過光量（Im）を示す。 符号の説明 １……基板、２……ITO透明電極 ３……引き出し線、４……液晶材料 ５……接着剤、６……リード線 ７……液晶素子、８……恒温槽 ９……光源、10……コンピュータ 11……任意関数発生器、12……増幅器 13……偏光顕微鏡、14……光電子増倍管 15……波形記録器、16……偏光板
Claims (2)
- 【請求項１】対向する電極側の表面が紫外光照射処理さ
れた一対の電極付き基板間に液晶材料を挟持してなる液
晶素子。 - 【請求項２】電極付き基板の電極側の表面に紫外光を照
射する工程、紫外光を照射した電極側の表面に液晶材料
を塗布して液晶層を形成する工程、形成された液晶層の
上に電極側の表面に紫外光を照射した電極付き基板を液
晶層と電極側の表面とが接するように重ね合わせる工程
及び得られた重ね合わせ物の液晶材料を配向処理する工
程からなることを特徴とする液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169826A JP2553742B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 液晶素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2169826A JP2553742B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 液晶素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0460519A JPH0460519A (ja) | 1992-02-26 |
| JP2553742B2 true JP2553742B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=15893625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2169826A Expired - Lifetime JP2553742B2 (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 液晶素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2553742B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6468599B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60113213A (ja) * | 1983-11-24 | 1985-06-19 | Fujitsu Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH0816753B2 (ja) * | 1988-06-29 | 1996-02-21 | 出光興産株式会社 | 液晶光学素子の配向方法 |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2169826A patent/JP2553742B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0460519A (ja) | 1992-02-26 |
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