JPH04181919A - 強誘電性液晶パネル - Google Patents
強誘電性液晶パネルInfo
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- JPH04181919A JPH04181919A JP31173990A JP31173990A JPH04181919A JP H04181919 A JPH04181919 A JP H04181919A JP 31173990 A JP31173990 A JP 31173990A JP 31173990 A JP31173990 A JP 31173990A JP H04181919 A JPH04181919 A JP H04181919A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示装置や光シヤツターなどに利用される
強誘電性液晶パネルに関するものである。
強誘電性液晶パネルに関するものである。
従来の技術
従来の液晶パネルはガラス基板に透明導電膜を形成後、
ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの水平配向膜を
印刷、硬化させた後、ラビング処理を施し、これら基板
間に強誘電性液晶を注入するというものであった。
ポリイミド、ポリビニルアルコールなどの水平配向膜を
印刷、硬化させた後、ラビング処理を施し、これら基板
間に強誘電性液晶を注入するというものであった。
発明が解決しようとする課題
従来の液晶パネルでは、液晶分子は初期状態から水平配
向しているために、ラビングによる基板界面の一軸規制
力に影響されてしまい、良好な双安定性を得ることは困
難であった。
向しているために、ラビングによる基板界面の一軸規制
力に影響されてしまい、良好な双安定性を得ることは困
難であった。
課題を解決するための手段
上記の目的を達成するために本発明は少なくとも一方の
基板上に傾斜配向処理を施した一対の電極付き基板間に
強誘電性液晶を封入した後、強誘電性液晶がカイラルス
メクティソクＣ相を示す温度域で電圧を印加し、水平配
向状態にするものである。
基板上に傾斜配向処理を施した一対の電極付き基板間に
強誘電性液晶を封入した後、強誘電性液晶がカイラルス
メクティソクＣ相を示す温度域で電圧を印加し、水平配
向状態にするものである。
作用
本発明によれば少なくとも一方の基板上に傾斜配向処理
を施した一対の電極付き基板間に強誘電性液晶を封入し
た後、強誘電性液晶がカイラルスメクティノクＣ相を示
す温度域で電圧を印加し、水平配向状態にすることによ
り、基板界面から離れた部分の液晶は水平配向状態にあ
るが、基板界面付近の液晶は傾斜配向していると考えみ
れるので、液晶はラビングによる一軸性の影響を受けＣ
二くく、良好な双安定性を示す。
を施した一対の電極付き基板間に強誘電性液晶を封入し
た後、強誘電性液晶がカイラルスメクティノクＣ相を示
す温度域で電圧を印加し、水平配向状態にすることによ
り、基板界面から離れた部分の液晶は水平配向状態にあ
るが、基板界面付近の液晶は傾斜配向していると考えみ
れるので、液晶はラビングによる一軸性の影響を受けＣ
二くく、良好な双安定性を示す。
実施例
以下本発明の一実施例について図面を用いて説明する。
第１図に示すように２枚の透明なガラス基板１．８上に
透明導電膜（ＩＴＯＩＩＱ）からなる透明電極２，７を
形成する。このガラス基板ｌ。
透明導電膜（ＩＴＯＩＩＱ）からなる透明電極２，７を
形成する。このガラス基板ｌ。
８を洗浄した後、その上に配向膜３，６としてＳｉＯに
よる斜方蒸着をガラス基板１．８を回転させながら行う
。この時基板の回転速度を変調し、ある方向に重みづけ
をすることにより、傾斜配向が得られるようにする。そ
の後一方のガラス基板１の配向膜３を設けた面にスペー
サー９として直径２μｍの５ｉＯ７を散布し、他方のガ
ラス基板８の配向膜６を設けた面の縁部にソール樹脂４
を印刷し、これら両方のガラス基板１．８を配向膜３．
６面同士が対向するように貼り合わせ、加熱することで
ノール樹脂４を硬化させる。その後真空脱気し、この２
枚のガラス基板１．８間に強誘電性液晶５を加熱しなが
ら注入する。このパネルを室温まで徐冷し、圧入口を封
口；だ後、液晶がカイラルスメクティックＣ相よりも高
温域を示す状態になるまで再び加熱し、：３０Ｖ、１０
Ｈ２の交番電界を印加しながら室温まで徐冷する。偏光
顕微鏡を用いてこのパネルを観察するとカイラルスメク
ティノクＣ相を示す温度域で自発分極の向きが電界の方
向に整列しようとするため、強誘電性液晶分子が傾斜配
向状態から水平配向状！ｔＥ！コ徐徐に変化する様子が
観察された。このパ２ルと、上下基板の配向膜にポリイ
ミドを用いた従来のパネルに第２図（ａ）に示すような
電圧波形を印加した場合の透過率を第２図（ｂ）に示ず
。〜ｒｋは書き込みパルスを示しており、αは配向膜と
して傾斜配向膜を用いた本実施例の透過率、βは配向膜
としてポリイミドを用いた従来例のｉ！ｉｉＭ率を示し
ている。
よる斜方蒸着をガラス基板１．８を回転させながら行う
。この時基板の回転速度を変調し、ある方向に重みづけ
をすることにより、傾斜配向が得られるようにする。そ
の後一方のガラス基板１の配向膜３を設けた面にスペー
サー９として直径２μｍの５ｉＯ７を散布し、他方のガ
ラス基板８の配向膜６を設けた面の縁部にソール樹脂４
を印刷し、これら両方のガラス基板１．８を配向膜３．
６面同士が対向するように貼り合わせ、加熱することで
ノール樹脂４を硬化させる。その後真空脱気し、この２
枚のガラス基板１．８間に強誘電性液晶５を加熱しなが
ら注入する。このパネルを室温まで徐冷し、圧入口を封
口；だ後、液晶がカイラルスメクティックＣ相よりも高
温域を示す状態になるまで再び加熱し、：３０Ｖ、１０
Ｈ２の交番電界を印加しながら室温まで徐冷する。偏光
顕微鏡を用いてこのパネルを観察するとカイラルスメク
ティノクＣ相を示す温度域で自発分極の向きが電界の方
向に整列しようとするため、強誘電性液晶分子が傾斜配
向状態から水平配向状！ｔＥ！コ徐徐に変化する様子が
観察された。このパ２ルと、上下基板の配向膜にポリイ
ミドを用いた従来のパネルに第２図（ａ）に示すような
電圧波形を印加した場合の透過率を第２図（ｂ）に示ず
。〜ｒｋは書き込みパルスを示しており、αは配向膜と
して傾斜配向膜を用いた本実施例の透過率、βは配向膜
としてポリイミドを用いた従来例のｉ！ｉｉＭ率を示し
ている。
第２図（ａｌ（ｂ）から明らかなように配向膜としてポ
リイミドを用いた場合は応答時間が長く、メモリー時に
おいても十分な透過率が得られていない。
リイミドを用いた場合は応答時間が長く、メモリー時に
おいても十分な透過率が得られていない。
これはラビング方向に対する配向膜の液晶分子への拘束
力が強すぎるために基板界面付近の液晶分子が動きにく
く、また非選択パルス期間に液晶分子がラビング方向に
戻ってしまうためであると考えられる。これムこ対して
配向膜として傾斜配向膜を用いた場合は基板界面付近の
液晶分子は傾斜配向していると考えられるので、ラビン
グによる一軸性の影響を受けにくく、非選択パルス期間
においても液晶がラビング方向に戻らずメモリー状態を
維持するので、十分なｉ！！ｉ過率を示している。
力が強すぎるために基板界面付近の液晶分子が動きにく
く、また非選択パルス期間に液晶分子がラビング方向に
戻ってしまうためであると考えられる。これムこ対して
配向膜として傾斜配向膜を用いた場合は基板界面付近の
液晶分子は傾斜配向していると考えられるので、ラビン
グによる一軸性の影響を受けにくく、非選択パルス期間
においても液晶がラビング方向に戻らずメモリー状態を
維持するので、十分なｉ！！ｉ過率を示している。
なお本実施例ムこおいて側基板に傾斜配向膜を形成した
が、どちらか一方の基板だけでも良く、また傾斜配向膜
を形成するための斜方芸者材料もＳｉＯに限らず、Ａｆ
ｆＦ８．Ｓ ｒ ０２ 、ＣｅＯ□。
が、どちらか一方の基板だけでも良く、また傾斜配向膜
を形成するための斜方芸者材料もＳｉＯに限らず、Ａｆ
ｆＦ８．Ｓ ｒ ０２ 、ＣｅＯ□。
Ｃｅ Ｆ Ａｌ ＯＴ ＋ ０２ 、 Ｙ２０
３゜３− ２ ３ 管 ＬｉＦなと種々の材料が可能である。また傾斜配向膜と
して斜方定着を例にとり説明したが、液晶分子を傾斜配
向させるものであれば他の表面形状による配向や、ラビ
ングによる配向なとでも可能である。また自発分極の価
が小さすぎると電圧を印加しでも層構造が変化せず、傾
斜配向のままであるので自発分極の値は２０ｎＣ／ｃＪ
以上が好ましい。また液晶に直流成分が長くかかると電
気化学反応により液晶が劣化してしまうので、印加する
電圧波形としては直流成分がかからず、液晶分子を傾斜
配向状態から水平配向状態に変化させ得るものであれば
、どのような電圧波形でも良い。
３゜３− ２ ３ 管 ＬｉＦなと種々の材料が可能である。また傾斜配向膜と
して斜方定着を例にとり説明したが、液晶分子を傾斜配
向させるものであれば他の表面形状による配向や、ラビ
ングによる配向なとでも可能である。また自発分極の価
が小さすぎると電圧を印加しでも層構造が変化せず、傾
斜配向のままであるので自発分極の値は２０ｎＣ／ｃＪ
以上が好ましい。また液晶に直流成分が長くかかると電
気化学反応により液晶が劣化してしまうので、印加する
電圧波形としては直流成分がかからず、液晶分子を傾斜
配向状態から水平配向状態に変化させ得るものであれば
、どのような電圧波形でも良い。
発明の効果
以上の発明により明らかなように本発明によれば、少な
くとも一方の基板上に傾斜配向処理を施した一対の電極
付き基板間に強誘電性液晶を封入した後、強誘電性液晶
がカイラルスメクティノクＣ相を示す温度域で電圧を印
加し、水平配向状態にすることるこより良好な双安定性
を示す液晶パネルを得ることができる。
くとも一方の基板上に傾斜配向処理を施した一対の電極
付き基板間に強誘電性液晶を封入した後、強誘電性液晶
がカイラルスメクティノクＣ相を示す温度域で電圧を印
加し、水平配向状態にすることるこより良好な双安定性
を示す液晶パネルを得ることができる。
第１図は本発明の一実施例における液晶パネルの構成を
示す断面図、第２図（ａ）は液晶パネルに印加される電
圧波形臼、第２図□□□）は液晶パネルの透過率を示す
特性図である。 １．８・・・・・・ガラス基板、２．７・・・・・・電
極、３゜６・・・・・・配向膜、４・・・・・・ノール
樹脂、５・・・・・・強誘電性液晶、９・・・・・・ス
ペーサー。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名ｌ１ｌ−カラ
〈纂）１ ２り ｆ教 第 １ 図 ３Ｃ−ロど
ｌ：’Ｔ！賎糧 −ノー＋ｔＪね陥 り３２１ａ ＼／ｈ Ｉｆ間
示す断面図、第２図（ａ）は液晶パネルに印加される電
圧波形臼、第２図□□□）は液晶パネルの透過率を示す
特性図である。 １．８・・・・・・ガラス基板、２．７・・・・・・電
極、３゜６・・・・・・配向膜、４・・・・・・ノール
樹脂、５・・・・・・強誘電性液晶、９・・・・・・ス
ペーサー。 代理人の氏名 弁理士小鍜治明 ほか２名ｌ１ｌ−カラ
〈纂）１ ２り ｆ教 第 １ 図 ３Ｃ−ロど
ｌ：’Ｔ！賎糧 −ノー＋ｔＪね陥 り３２１ａ ＼／ｈ Ｉｆ間
Claims (3)
- （１）少なくとも一方の基板上に傾斜配向処理を施した
一対の電極付き基板間に強誘電性液晶を封入した後、強
誘電性液晶がカイラルスメクティックＣ相を示す温度域
で電圧を印加し、水平配向状態にすることを特徴とする
強誘電性液晶パネル。 - （２）カイラルスメクティックＣ相を示す温度域よりも
高温側から徐冷しながら電圧を印加することを特徴とす
る請求項（１）記載の強誘電性液晶パネル。 - （３）強誘電性液晶の自発分極が２０ｎＣ／ｃｍ＾２以
上であることを特徴とする請求項（１）記載の強誘電性
液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311739A JP2819822B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 強誘電性液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311739A JP2819822B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 強誘電性液晶パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181919A true JPH04181919A (ja) | 1992-06-29 |
| JP2819822B2 JP2819822B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=18020895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311739A Expired - Fee Related JP2819822B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 強誘電性液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819822B2 (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5282256A (en) * | 1975-12-27 | 1977-07-09 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal indicating cell |
| JPS6147930A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPS62160426A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
| JPS62299815A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 |
| JPS63159825A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Toshiba Corp | 液晶電気光学素子の製造方法 |
| JPS63309919A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP2311739A patent/JP2819822B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5282256A (en) * | 1975-12-27 | 1977-07-09 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal indicating cell |
| JPS6147930A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| JPS62160426A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
| JPS62299815A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Fujitsu Ltd | 強誘電性液晶表示素子の製造方法 |
| JPS63159825A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-02 | Toshiba Corp | 液晶電気光学素子の製造方法 |
| JPS63309919A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2819822B2 (ja) | 1998-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |