JPS59215097A - 高分子強誘電体材料による情報の記録及び読出し方法 - Google Patents
高分子強誘電体材料による情報の記録及び読出し方法Info
- Publication number
- JPS59215097A JPS59215097A JP58089379A JP8937983A JPS59215097A JP S59215097 A JPS59215097 A JP S59215097A JP 58089379 A JP58089379 A JP 58089379A JP 8937983 A JP8937983 A JP 8937983A JP S59215097 A JPS59215097 A JP S59215097A
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- JP
- Japan
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- information
- polarized
- temperature
- polarization
- vinylidene fluoride
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/02—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using ferroelectric record carriers; Record carriers therefor
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
した情報の紀録と読出の方法に係るものである。
特開昭ｓｓ−ｉ．２ｔｑｏｓには強誘電体メモリ材刺が
官界によって残留分極を与えることにまり婁き込みがで
き、更に光または熱による焦市効果を利用して貯みだす
ことができると記述されており高分子強誘電体材料とし
てフッ化ビニリデンｇｏ−３ｏモル％、フツ化エチレン
ー〇一７０モル％ヲ含ムフツ化ビニリデンー三フッ化エ
チレン共重合体が挙げられている。このように強誘電体
メそり材料（フツ化ビニリデンー三フッ化エチレン共重
合体）に電界を使用して分極状態として書き込み、そし
て光または熱による焦電効果を利用して情報を読み出す
ことが提案されている。
官界によって残留分極を与えることにまり婁き込みがで
き、更に光または熱による焦市効果を利用して貯みだす
ことができると記述されており高分子強誘電体材料とし
てフッ化ビニリデンｇｏ−３ｏモル％、フツ化エチレン
ー〇一７０モル％ヲ含ムフツ化ビニリデンー三フッ化エ
チレン共重合体が挙げられている。このように強誘電体
メそり材料（フツ化ビニリデンー三フッ化エチレン共重
合体）に電界を使用して分極状態として書き込み、そし
て光または熱による焦電効果を利用して情報を読み出す
ことが提案されている。
第１図は、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンの共重
合体の分極状態が印加電界の変化に対応してどのように
変化するかを示しており、又第一図はその分極状態が温
度を高くすると消滅することを示している。
合体の分極状態が印加電界の変化に対応してどのように
変化するかを示しており、又第一図はその分極状態が温
度を高くすると消滅することを示している。
しかしこのような高分子強誘電体をメモリーとして使用
し多量の情報をメモリー素子に書き込もうとするときは
必然的に多数の書込み用電極が必要となり、そのため製
作面でも増り枡いの上でも非常に不都合であった。
し多量の情報をメモリー素子に書き込もうとするときは
必然的に多数の書込み用電極が必要となり、そのため製
作面でも増り枡いの上でも非常に不都合であった。
本発明の目的は、フッ化ビニリデン系重合体のための情
報の迅速且つ精確な記録と読み出しの方法な桿供するこ
とであり、又そのような記憶素子の構成を簡単化する情
報の配録と読出しの方法を提゛供することである。
報の迅速且つ精確な記録と読み出しの方法な桿供するこ
とであり、又そのような記憶素子の構成を簡単化する情
報の配録と読出しの方法を提゛供することである。
この目的は、本発明に従って分極状態のフッ化ビニリデ
ン系共重合体記録素子の温度を制御して分極を消失させ
、情報を記録することにより達成される。
ン系共重合体記録素子の温度を制御して分極を消失させ
、情報を記録することにより達成される。
温度制御の手段として分給されている記憶素子に光ビー
ム、具体的にはレーザー光を投射し、それによりその被
投射部分の温度を上昇させて分極状態を消失させる。
ム、具体的にはレーザー光を投射し、それによりその被
投射部分の温度を上昇させて分極状態を消失させる。
本発明においてフッ化ビニリデン系重合体とはフッ化ビ
ニリデンの単独重合体及びフッ化ビニリデンを！；ＯＩ
！３’素％以上含むフッ化ビニリデン共重合体をいい、
＃者の具体例としてはフッ化ビニリデンと三フッ化エチ
レンの共重合体、フッ化ビニリデンと六フツ化プロピレ
ンの共重合体、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンと
三フッ化塩化エチレンの共重合体及びフッ化ビニリナン
と三フッ化エチレンと六フッ化プロピレンの共重合など
が挙げられる。これらの中本発明の目的に対してはフッ
化ビニリデンと三フッ化エチレンの共重合体がもつとも
好ましい材料である。
ニリデンの単独重合体及びフッ化ビニリデンを！；ＯＩ
！３’素％以上含むフッ化ビニリデン共重合体をいい、
＃者の具体例としてはフッ化ビニリデンと三フッ化エチ
レンの共重合体、フッ化ビニリデンと六フツ化プロピレ
ンの共重合体、フッ化ビニリデンと三フッ化エチレンと
三フッ化塩化エチレンの共重合体及びフッ化ビニリナン
と三フッ化エチレンと六フッ化プロピレンの共重合など
が挙げられる。これらの中本発明の目的に対してはフッ
化ビニリデンと三フッ化エチレンの共重合体がもつとも
好ましい材料である。
第３図は、本発明に従って分極状態の記憶素子ｌに、脱
分極状態の形で情報を書き込む方法の一例を示したもの
であり、透明基板５上に透明電極４、更にその上に記憶
素子１、その上に透明電極４′ が配置され積層体９を
構成している。記憶されている情報を消すためにはまず
透明電極４と４ｌとの間に電圧を印加し、記憶素子１に
電界Ｅ。
分極状態の形で情報を書き込む方法の一例を示したもの
であり、透明基板５上に透明電極４、更にその上に記憶
素子１、その上に透明電極４′ が配置され積層体９を
構成している。記憶されている情報を消すためにはまず
透明電極４と４ｌとの間に電圧を印加し、記憶素子１に
電界Ｅ。
（第７図参照）を加えて記憶素子１の全部を分極状態と
する。上部電極を用いないでコロナ放電により記憶素子
１の全部を分極してもよい。
する。上部電極を用いないでコロナ放電により記憶素子
１の全部を分極してもよい。
この様な分極状態の記憶素子１の選択された部分にノ４
ルス光ビーム３を投射し、記憶素子１の選択された部分
の温度を温度Ｔ１（第一図参照）まで瞬間的に高め、そ
れにより、記憶素子１のその選択された部分を脱分極状
態し、このような形で情報を書き込む。
ルス光ビーム３を投射し、記憶素子１の選択された部分
の温度を温度Ｔ１（第一図参照）まで瞬間的に高め、そ
れにより、記憶素子１のその選択された部分を脱分極状
態し、このような形で情報を書き込む。
又このようにしてフッ化ピニリデン系共重合体記憶素子
に記録された情報は次のようにして読み出すことができ
る。
に記録された情報は次のようにして読み出すことができ
る。
ａ）光を分極部分と脱分極部分とに通過させ、分極部分
を通った光と脱分極部分を通った光との位相差δを光の
干渉により求めて分極状態を検知する。
を通った光と脱分極部分を通った光との位相差δを光の
干渉により求めて分極状態を検知する。
ｂ）光を記憶素子に投射し記憶素子の分極部分と脱分極
部分との境界における屈折を利用して分給状態を検知す
る。
部分との境界における屈折を利用して分給状態を検知す
る。
Ｃ）偏光した光を傾斜設置した記憶素子に投射し、分極
部分で変化した楕円偏光を検光で検出し分極状態を検知
する。
部分で変化した楕円偏光を検光で検出し分極状態を検知
する。
ｄ）記憶素子を局部的に加熱し、そしてその加熱部分を
素子の一端より他端まで変化させ、その時の湯度変化に
よって生じた分極変化を素子を挾んで設置した電極間に
流れる電流変化から空間的に肥憶しである情報を時系列
に変換して電値的に検知する。
素子の一端より他端まで変化させ、その時の湯度変化に
よって生じた分極変化を素子を挾んで設置した電極間に
流れる電流変化から空間的に肥憶しである情報を時系列
に変換して電値的に検知する。
第４を図は高分子強誘電体の大容恰ディスクメモリーを
示し、回転するＳＰ休体に、光ビーム３を投射して情報
を書き込み、更に別の光ビーム１３を投射して検光器１
４で情報を訪み出す。
示し、回転するＳＰ休体に、光ビーム３を投射して情報
を書き込み、更に別の光ビーム１３を投射して検光器１
４で情報を訪み出す。
第Ｓ図は上部電極１９と下部電極２０とに挾まれ、情報
を記憶した記憶素子１よりなるキャッシュ・カード１８
の情報読み出しの実施例を示す。
を記憶した記憶素子１よりなるキャッシュ・カード１８
の情報読み出しの実施例を示す。
キャッシュ・カード１８は矢印の方向に送られながら、
加熱用光ビーム３によって加熱され、電極を構成するロ
ーラー１６．１７に流れ分給に比例する焦電流を検出し
−て情報を読み出す。加熱用光ビーム３の代りにローラ
ー１６．１７を加熱用熱源としてもよい。
加熱用光ビーム３によって加熱され、電極を構成するロ
ーラー１６．１７に流れ分給に比例する焦電流を検出し
−て情報を読み出す。加熱用光ビーム３の代りにローラ
ー１６．１７を加熱用熱源としてもよい。
以上の様に、情報の書き込みに光ビームを使用するため
、複紺な形状の電極構成は全く不要となる。このため高
分子材料が非常に安価であるという利点が有利に活かさ
れ、又磁気の影響をうけないためそのような環墳内に置
かれることもあり得るキャッシュカード等にも危惧なく
利用できる。
、複紺な形状の電極構成は全く不要となる。このため高
分子材料が非常に安価であるという利点が有利に活かさ
れ、又磁気の影響をうけないためそのような環墳内に置
かれることもあり得るキャッシュカード等にも危惧なく
利用できる。
又高分子材料は非常に安価であるという利点も有する。
更に周囲磁りの影響を受けないため磁り凶悪環境下での
動作たとえば磁石を用いたカバンのチャック−ＩＰボー
ルペン、キー等に触れても安全であるキャッシュカーｆ
等に利用できる利点をもつＯ
動作たとえば磁石を用いたカバンのチャック−ＩＰボー
ルペン、キー等に触れても安全であるキャッシュカーｆ
等に利用できる利点をもつＯ
第１，２図はそれぞれ高分子強誘電、体の電界と温度に
対する分極状態の変化を示すグラフである。 第３図は本発明による記憶素子への情報書き込みの説明
図である。第り図は本発明によるディスクメモリーへの
情報書込みと読出しの説明図である。 第３図はキャッシュカードの情報読み出しの説明図であ
る。（図中：１：記憶素子、 ９＃１８：積層体、
３：光ビーム）。 手続補正書 昭和 年 月 日 】、事件の表示 昭和５８年特許ｍ第８９３７９
号３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 名称（６７９）理化学研究所 ４、代理人 ５、補正命令の日付 自 発 ６、？！正のり・１象 明細書の発明の詳細な説
明の欄７、補正の内容 １、明細書第６頁第５行“脱分極状態し”を「脱分極状
態絵し」と訂正する。 ２、同書第６頁第１８行“検光”を「検光子」と訂正す
る。 ８０４
対する分極状態の変化を示すグラフである。 第３図は本発明による記憶素子への情報書き込みの説明
図である。第り図は本発明によるディスクメモリーへの
情報書込みと読出しの説明図である。 第３図はキャッシュカードの情報読み出しの説明図であ
る。（図中：１：記憶素子、 ９＃１８：積層体、
３：光ビーム）。 手続補正書 昭和 年 月 日 】、事件の表示 昭和５８年特許ｍ第８９３７９
号３、補正をする者 事件との関係 出 願 人 名称（６７９）理化学研究所 ４、代理人 ５、補正命令の日付 自 発 ６、？！正のり・１象 明細書の発明の詳細な説
明の欄７、補正の内容 １、明細書第６頁第５行“脱分極状態し”を「脱分極状
態絵し」と訂正する。 ２、同書第６頁第１８行“検光”を「検光子」と訂正す
る。 ８０４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／）高分子強誘電体であるフッ化ビニリデン系重合体か
ら成り、分極されている配憶素子の温度を制御して分極
を消失させて情報を且已録することを特徴とする高分子
強誘電体材料による情報の記録方法。 ２）分極されている記憶素子に光ビームを投射してその
部分の温度を上昇させて分極状態を消失させて情報な言
已録させる特許請求の範囲第１項に記載の高分子強誘電
体材料による情報の記録方法。 ３）フッ化ビニリデン系重合体から成り、分極されてい
る記憶素子の温度を制御して分極を消失させて情報を記
録した記憶素子の温度を局部的に上昇させ、且温度の上
昇した部分を連続的に移動させ、その時の分極の変化を
検出し書き込まれている情報をシーケンシャルに断み出
すことを特徴とする高分子強誘電体材料による情報の読
出し方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089379A JPS59215097A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 高分子強誘電体材料による情報の記録及び読出し方法 |
| DE19843418567 DE3418567A1 (de) | 1983-05-20 | 1984-05-18 | Verfahren zum einschreiben und ablesen von informationen in einen bzw. von einem speicher aus ferroelektrischem polymermaterial |
| GB08412784A GB2142494A (en) | 1983-05-20 | 1984-05-18 | Methods of recording information in and reading information from a ferroelectric polymer material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089379A JPS59215097A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 高分子強誘電体材料による情報の記録及び読出し方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215097A true JPS59215097A (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13969040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089379A Pending JPS59215097A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 高分子強誘電体材料による情報の記録及び読出し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215097A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173397A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Ricoh Co Ltd | 強誘電性高分子光記録媒体の製造方法 |
| JPH02155690A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-14 | Ricoh Co Ltd | 強誘電性高分子光記録媒体 |
| EP1653459A2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric recording medium comprising anisotropic conduction layer |
| US7208555B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-04-24 | Kureha Chemical Industry Company, Limited | Process for preparing polyvinylidene fluoride copolymer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336298A (en) * | 1976-09-16 | 1978-04-04 | Nippon Keibi Hosho Kk | Safes |
| JPS5425409A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | Reduction gear |
| JPS58155544A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Toshiba Corp | 情報記録メモリ |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP58089379A patent/JPS59215097A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5336298A (en) * | 1976-09-16 | 1978-04-04 | Nippon Keibi Hosho Kk | Safes |
| JPS5425409A (en) * | 1977-07-26 | 1979-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | Reduction gear |
| JPS58155544A (ja) * | 1982-03-10 | 1983-09-16 | Toshiba Corp | 情報記録メモリ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01173397A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Ricoh Co Ltd | 強誘電性高分子光記録媒体の製造方法 |
| JPH02155690A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-14 | Ricoh Co Ltd | 強誘電性高分子光記録媒体 |
| US7208555B2 (en) | 2002-09-25 | 2007-04-24 | Kureha Chemical Industry Company, Limited | Process for preparing polyvinylidene fluoride copolymer |
| EP1653459A2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric recording medium comprising anisotropic conduction layer |
| EP1653459A3 (en) * | 2004-10-29 | 2008-09-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric recording medium comprising anisotropic conduction layer |
| US7733761B2 (en) | 2004-10-29 | 2010-06-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric recording medium comprising anisotropic conduction layer, recording apparatus comprising the same, and recording method of the same |
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