JP2869651B2 - 強誘電性高分子メモリーの記録再生方法 - Google Patents
強誘電性高分子メモリーの記録再生方法Info
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- JP2869651B2 JP2869651B2 JP63082678A JP8267888A JP2869651B2 JP 2869651 B2 JP2869651 B2 JP 2869651B2 JP 63082678 A JP63082678 A JP 63082678A JP 8267888 A JP8267888 A JP 8267888A JP 2869651 B2 JP2869651 B2 JP 2869651B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光ディスク、光カード等に用いられる強誘
電性高分子を光記録媒体として用いた光メモリーの記録
再生方法に関するものである。
電性高分子を光記録媒体として用いた光メモリーの記録
再生方法に関するものである。
（従来の技術） 従来、分極を一方向に揃えた強誘電体を部分的に加熱
して、その部分の分極を消去したり、分極が反転しない
程度の分極と逆向きの電界を印加した状態で部分的に加
熱しその部分の分極を反転させるという方法を用い、加
熱した部分と加熱しない部分の分極の違いという形で情
報を記録する方式があった。第２図に示されるように、
強誘電性高分子メモリーの情報記憶部分は一対の電極２
に挟まれた強誘電体薄膜１からなっており、この強誘電
性高分子メモリーの記憶の消去、書き込み、読み出しは
以下のようにして行われる。
して、その部分の分極を消去したり、分極が反転しない
程度の分極と逆向きの電界を印加した状態で部分的に加
熱しその部分の分極を反転させるという方法を用い、加
熱した部分と加熱しない部分の分極の違いという形で情
報を記録する方式があった。第２図に示されるように、
強誘電性高分子メモリーの情報記憶部分は一対の電極２
に挟まれた強誘電体薄膜１からなっており、この強誘電
性高分子メモリーの記憶の消去、書き込み、読み出しは
以下のようにして行われる。
ｉ）消去：第3A図に示されるように、電源４によって強
誘電体薄膜１の抗電界より大きい電界を強誘電体薄膜１
に加え、薄膜の分極を一方向に揃える。
誘電体薄膜１の抗電界より大きい電界を強誘電体薄膜１
に加え、薄膜の分極を一方向に揃える。
ii）書き込み：第3B図に示されるように、消去時と逆極
性の抗電界以下の電界を薄膜１に加えながらレーザー光
３で薄膜１を局部的に加熱する。温度上昇による抗電界
の減少により照射部分のみの分極が反転する。
性の抗電界以下の電界を薄膜１に加えながらレーザー光
３で薄膜１を局部的に加熱する。温度上昇による抗電界
の減少により照射部分のみの分極が反転する。
iii）読み出し：第3C図に示されるように、不可逆な分
極変化が生じない程度の弱いレーザー光スポット３で薄
膜１表面を走査し、照射点の焦電電流を電流アンプ５お
よびそれにつながる信号処理システム６で検出して分極
の極性を読み取る。
極変化が生じない程度の弱いレーザー光スポット３で薄
膜１表面を走査し、照射点の焦電電流を電流アンプ５お
よびそれにつながる信号処理システム６で検出して分極
の極性を読み取る。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、この従来の方法では、書き込みの際
に、それ以前に記録された情報を一度消すという操作が
必要であった。即ち、消去、書き込みという二段階で記
録がなされていた。
に、それ以前に記録された情報を一度消すという操作が
必要であった。即ち、消去、書き込みという二段階で記
録がなされていた。
（課題を解決するための手段） 本発明では、部分加熱する際に、書き込む情報の0/1
に対応して、それだけでは分極が反転しない程度の正負
の電界を印加し、それ以前の分極の極性がどちら向きで
あっても、印加した電界の方向に分極の向きが揃うとい
う方法を用いる。
に対応して、それだけでは分極が反転しない程度の正負
の電界を印加し、それ以前の分極の極性がどちら向きで
あっても、印加した電界の方向に分極の向きが揃うとい
う方法を用いる。
（作 用） 加熱すると抗電界が低下し、熱する前には反転しない
ような分極と逆極性の低電界下においても分極反転を生
じるようになる。従来は、この分極反転を生じるという
性質を用い、分極反転させたい部分のみ選択的に加熱を
行っていたが、本発明では、分極と逆極性の電界下で加
熱すると反転し、同極性の電界下では反転しないこと、
即ち、最終的に電界の極性と分極の極性が一致する性質
を利用して書き込みを行う。
ような分極と逆極性の低電界下においても分極反転を生
じるようになる。従来は、この分極反転を生じるという
性質を用い、分極反転させたい部分のみ選択的に加熱を
行っていたが、本発明では、分極と逆極性の電界下で加
熱すると反転し、同極性の電界下では反転しないこと、
即ち、最終的に電界の極性と分極の極性が一致する性質
を利用して書き込みを行う。
（発明の効果） 本発明によれば、一度消去してから書き込みを行う場
合と比較して、書き込み時間が半分ですむという効果を
有する。
合と比較して、書き込み時間が半分ですむという効果を
有する。
（実施例） 以下に、本発明の一実施例につき図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明による情報の記録の説明図である。
１はフッ化ビニリデン／三フッ化エチレン共重合体から
なる記録媒体、２はこの記録媒体１を挟んでなる一対の
電極、３は記録媒体１にレーザー光をスポット状に集光
しレーザー光をON−OFFする光学系、４は記録時に電極
２に対して電圧を印加する電源、５は再生時にレーザー
光照射部から発生した焦電流を検出するための電流アン
プである。可変出力電源４は、T/W信号がＲ（再生）時
は出力ゼロ、Ｗ（記録）時は記録信号の0/1に対応して
＋／−の電圧（記録媒体の抗電界以下の電圧）を発生す
る。電流アンプ５には記録時に可変出力電源４の発生す
る電圧の極性が反転するとき、また、レーザー光照射部
の分極が反転するときに大きな電流が流れるので、この
過入力をバイパスする適当な保護回路を有するものが望
ましい。
１はフッ化ビニリデン／三フッ化エチレン共重合体から
なる記録媒体、２はこの記録媒体１を挟んでなる一対の
電極、３は記録媒体１にレーザー光をスポット状に集光
しレーザー光をON−OFFする光学系、４は記録時に電極
２に対して電圧を印加する電源、５は再生時にレーザー
光照射部から発生した焦電流を検出するための電流アン
プである。可変出力電源４は、T/W信号がＲ（再生）時
は出力ゼロ、Ｗ（記録）時は記録信号の0/1に対応して
＋／−の電圧（記録媒体の抗電界以下の電圧）を発生す
る。電流アンプ５には記録時に可変出力電源４の発生す
る電圧の極性が反転するとき、また、レーザー光照射部
の分極が反転するときに大きな電流が流れるので、この
過入力をバイパスする適当な保護回路を有するものが望
ましい。
厚さ１μｍのフッ化ビニリデン／三フッ化エチレン共
重合体フィルムからなる記録媒体１上に電源４により±
30MV/mの電界を加えながら、光学系３から発する10mWの
レーザー光で書き込みを行った。これにより、分極が電
界の極性に従って反転し、情報の記録が行われることが
確認された。
重合体フィルムからなる記録媒体１上に電源４により±
30MV/mの電界を加えながら、光学系３から発する10mWの
レーザー光で書き込みを行った。これにより、分極が電
界の極性に従って反転し、情報の記録が行われることが
確認された。
第１図は、本発明による情報の記録方法を説明する図で
ある。 第２図は、従来の強誘電性高分子メモリーの概略図であ
り、第3A図、第3B図及び第3C図はそれぞれ強誘電性高分
子メモリーの消去、書き込み及び読み出しの基本的な操
作を説明する図である。 １……記録媒体、２……電極、３……光学系、４……電
源、５……電流ランプ。
ある。 第２図は、従来の強誘電性高分子メモリーの概略図であ
り、第3A図、第3B図及び第3C図はそれぞれ強誘電性高分
子メモリーの消去、書き込み及び読み出しの基本的な操
作を説明する図である。 １……記録媒体、２……電極、３……光学系、４……電
源、５……電流ランプ。
Claims (1)
- 【請求項１】情報の0/1に対応してその極性を変えた抗
電界以下の電界を、強誘電性高分子からなる記録媒体に
それを挟む一対の電極を介して印加しながら記録点にレ
ーザー光を照射して情報を記録し、情報が記録された前
記強誘電性高分子にレーザー光を照射した際の焦電流を
検出して情報の再生が行われる強誘電性高分子メモリー
の記録再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082678A JP2869651B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電性高分子メモリーの記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082678A JP2869651B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電性高分子メモリーの記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256047A JPH01256047A (ja) | 1989-10-12 |
| JP2869651B2 true JP2869651B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=13781076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082678A Expired - Fee Related JP2869651B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電性高分子メモリーの記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869651B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1568719B1 (en) * | 2002-09-25 | 2010-04-14 | Kureha Corporation | Process for preparing polyvinylidene fluoride copolymer |
| US7328304B2 (en) * | 2004-02-27 | 2008-02-05 | Intel Corporation | Interface for a block addressable mass storage system |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP63082678A patent/JP2869651B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01256047A (ja) | 1989-10-12 |
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Legal Events
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