JP2996976B2 - 強誘電体高分子メモリー書き込み確認方法 - Google Patents
強誘電体高分子メモリー書き込み確認方法Info
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- JP2996976B2 JP2996976B2 JP63082679A JP8267988A JP2996976B2 JP 2996976 B2 JP2996976 B2 JP 2996976B2 JP 63082679 A JP63082679 A JP 63082679A JP 8267988 A JP8267988 A JP 8267988A JP 2996976 B2 JP2996976 B2 JP 2996976B2
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- recording medium
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、強誘電性高分子を光記録媒体として用いた
光メモリーに係り、特に記録と同時に記録確認のできる
強誘電性高分子光メモリーに関するものである。
光メモリーに係り、特に記録と同時に記録確認のできる
強誘電性高分子光メモリーに関するものである。
（従来技術とその課題） 光メモリーは、メディアの信頼性が磁気ディスク装置
に比較して悪いため、記録が正常に行われたかどうかを
再生確認する必要がある。
に比較して悪いため、記録が正常に行われたかどうかを
再生確認する必要がある。
再生確認を通常の方法で行おうとすると、記録後再び
記録部分の再生が必要であり光ディスク等においてはメ
ディアの回転待ち時間が必要となり記録時間が長くなる
という欠点があった。
記録部分の再生が必要であり光ディスク等においてはメ
ディアの回転待ち時間が必要となり記録時間が長くなる
という欠点があった。
本発明者等は、先に、ある向きに分極した（消去状
態）強誘電性薄膜を抗電界以下の電界を印加し、一情報
に対応した場所をレーザー光で加熱し、その部分の分極
を反転させることにより情報の記録を行う方法を提案し
ているが、情報が正確に記録されたか否かの確認につい
ては具体的な方策がなされていなかった。
態）強誘電性薄膜を抗電界以下の電界を印加し、一情報
に対応した場所をレーザー光で加熱し、その部分の分極
を反転させることにより情報の記録を行う方法を提案し
ているが、情報が正確に記録されたか否かの確認につい
ては具体的な方策がなされていなかった。
（課題を解決するための手段） 上記課題は、強誘電性高分子とそれのみを挟む一対の
電極から構成される記録媒体と、前記記録媒体にレーザ
ー光をスポット状に集光し、レーザー光をON/OFFする光
学系と、前記一対の電極間に電圧を印加する電源とを有
した強誘電体高分子メモリーにおいて、記録時に、前記
強誘電性高分子の抗電界以下の電界を生じる電圧を前記
一対の電極間に印加するという条件下で、前記記録媒体
のレーザー光照射部分から発生した分極反転電流を検出
することを特徴とする強誘電体高分子メモリー書き込み
確認方法により解決される。
電極から構成される記録媒体と、前記記録媒体にレーザ
ー光をスポット状に集光し、レーザー光をON/OFFする光
学系と、前記一対の電極間に電圧を印加する電源とを有
した強誘電体高分子メモリーにおいて、記録時に、前記
強誘電性高分子の抗電界以下の電界を生じる電圧を前記
一対の電極間に印加するという条件下で、前記記録媒体
のレーザー光照射部分から発生した分極反転電流を検出
することを特徴とする強誘電体高分子メモリー書き込み
確認方法により解決される。
（作 用） 本発明では、情報が正確に記録されたか否かの確認
を、書き込み時の素子の電流をモニターして分極反転の
状態を確認することによって行っている。
を、書き込み時の素子の電流をモニターして分極反転の
状態を確認することによって行っている。
（発明の効果） 本発明によれば、記録確認を行うために記録後再生す
る必要がなくなり、記録と同時に記録確認を行うことに
より高速の書き込みが可能となり磁気ディスク等の書き
込み速度に近づく。
る必要がなくなり、記録と同時に記録確認を行うことに
より高速の書き込みが可能となり磁気ディスク等の書き
込み速度に近づく。
また、この記録確認のためのモニターは、書き込みレ
ーザーパワーを最適状態にコントロールする目的にも作
用でき、書き込みの信頼性を上げるためにも有用であ
る。
ーザーパワーを最適状態にコントロールする目的にも作
用でき、書き込みの信頼性を上げるためにも有用であ
る。
（実施例） 以下、フッ化ビニリデン／トリフロロエチレン共重合
体を記録媒体として用いた本発明の光メモリーの一実施
例につき説明する。
体を記録媒体として用いた本発明の光メモリーの一実施
例につき説明する。
第１図は、本発明の一実施例の概略図である。記録媒
体は、フッ化ビニリデン／トリフロロエチレン共重合体
からなる強誘電性高分子１と、それのみを挟む一対の電
極から構成される。３は記録媒体１にレーザー光をスポ
ット状に集光しレーザー光をON−OFFする光学系、４は
記録時に電極２に対して電圧を印加する電源、５は記録
媒体１のレーザー光照射部から発生した焦電流と記録時
の分極反転電流を検出する電流アンプ、６は再生時に電
流アンプ５の出力を増幅する増幅器である。
体は、フッ化ビニリデン／トリフロロエチレン共重合体
からなる強誘電性高分子１と、それのみを挟む一対の電
極から構成される。３は記録媒体１にレーザー光をスポ
ット状に集光しレーザー光をON−OFFする光学系、４は
記録時に電極２に対して電圧を印加する電源、５は記録
媒体１のレーザー光照射部から発生した焦電流と記録時
の分極反転電流を検出する電流アンプ、６は再生時に電
流アンプ５の出力を増幅する増幅器である。
次に、この光メモリーの動作を説明する。情報の消去
（初期化：記録媒体全面の分極の向きを一方向に揃える
こと）は、抗電界より充分大きな電界を印加することに
より行う。情報の書き込みは、消去した記録媒体１に対
して抗電界以下の逆向きの電界を印加した状態でレーザ
ー光を照射加熱して分極を反転させることにより行う。
書き込み（記録）の確認は、レーザー光照射によって生
じた分極反転電流をモニターすることにより行うことが
できる。情報の再生は、分極が不可逆的に減少しない程
度の弱いパワーのレーザー光でもって記録した軌跡に沿
って走査し、そのとき流れる焦電流を検出することによ
り行う。読み出し時の焦電流は、書き込み時の分極反転
電流と比較し１〜２桁程度小さいため、その分の増幅回
路を必要とする。この増幅器は、書き込み時には過大入
力のため飽和状態になるが、後の次の読み出しに備え過
大入力後の回復時間の短いものを使用する。
（初期化：記録媒体全面の分極の向きを一方向に揃える
こと）は、抗電界より充分大きな電界を印加することに
より行う。情報の書き込みは、消去した記録媒体１に対
して抗電界以下の逆向きの電界を印加した状態でレーザ
ー光を照射加熱して分極を反転させることにより行う。
書き込み（記録）の確認は、レーザー光照射によって生
じた分極反転電流をモニターすることにより行うことが
できる。情報の再生は、分極が不可逆的に減少しない程
度の弱いパワーのレーザー光でもって記録した軌跡に沿
って走査し、そのとき流れる焦電流を検出することによ
り行う。読み出し時の焦電流は、書き込み時の分極反転
電流と比較し１〜２桁程度小さいため、その分の増幅回
路を必要とする。この増幅器は、書き込み時には過大入
力のため飽和状態になるが、後の次の読み出しに備え過
大入力後の回復時間の短いものを使用する。
第２図に、書き込みの確認方法を説明するための各信
号の代表的時間変化を示す。書き込み信号１はレーザー
光が照射されている時をあらわす。分極反転電流は図の
ように流れるが、分極反転に失敗したときは点線のよう
に僅かな電流しか流れない。サンプリングのタイミング
をこのピーク位置にとり、また判定レベルを分極反転を
した時のしない時の中間にとることにより、正常に記録
できた場合は書き込みと同じ確認波形を（僅かな時間遅
れをともなって）得ることができる。記録に失敗した場
合は、確認波形が書き込み波形と異なるため、この二つ
の波形を比較することにより書き込みの確認が可能とな
る。周囲温度の変化などにより書き込みレーザーパワー
の最適値などが変化するが、このピーク電流の大きさが
一定になる様にレーザーパワーを制御することにより常
に最適な書き込み条件での書き込みが可能となり、書き
込みの信頼性を上げるのにも有用である。
号の代表的時間変化を示す。書き込み信号１はレーザー
光が照射されている時をあらわす。分極反転電流は図の
ように流れるが、分極反転に失敗したときは点線のよう
に僅かな電流しか流れない。サンプリングのタイミング
をこのピーク位置にとり、また判定レベルを分極反転を
した時のしない時の中間にとることにより、正常に記録
できた場合は書き込みと同じ確認波形を（僅かな時間遅
れをともなって）得ることができる。記録に失敗した場
合は、確認波形が書き込み波形と異なるため、この二つ
の波形を比較することにより書き込みの確認が可能とな
る。周囲温度の変化などにより書き込みレーザーパワー
の最適値などが変化するが、このピーク電流の大きさが
一定になる様にレーザーパワーを制御することにより常
に最適な書き込み条件での書き込みが可能となり、書き
込みの信頼性を上げるのにも有用である。
第１図は、本発明の一実施例の概略図であり、第２図は
各信号の代表的時間変化を示す図面である。 １……強誘電性高分子、２……電極、３……光学系、４
……電源、５……電流アンプ、５……増幅器。
各信号の代表的時間変化を示す図面である。 １……強誘電性高分子、２……電極、３……光学系、４
……電源、５……電流アンプ、５……増幅器。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−183092（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−16422（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−56242（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】強誘電性高分子とそれのみを挟む一対の電
極から構成される記録媒体と、前記記録媒体にレーザー
光をスポット状に集光し、レーザー光をON/OFFする光学
系と、前記一対の電極間に電圧を印加する電源とを有し
た強誘電体高分子メモリーにおいて、記録時に、前記強
誘電性高分子の抗電界以下の電界を生じる電圧を前記一
対の電極間に印加するという条件下で、前記記録媒体の
レーザー光照射部分から発生した分極反転電流を検出す
ることを特徴とする強誘電体高分子メモリー書き込み確
認方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082679A JP2996976B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電体高分子メモリー書き込み確認方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082679A JP2996976B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電体高分子メモリー書き込み確認方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256098A JPH01256098A (ja) | 1989-10-12 |
| JP2996976B2 true JP2996976B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=13781106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082679A Expired - Fee Related JP2996976B2 (ja) | 1988-04-04 | 1988-04-04 | 強誘電体高分子メモリー書き込み確認方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2996976B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1568719B1 (en) | 2002-09-25 | 2010-04-14 | Kureha Corporation | Process for preparing polyvinylidene fluoride copolymer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750539B2 (ja) * | 1986-02-06 | 1995-05-31 | ソニー株式会社 | 記録再生装置 |
-
1988
- 1988-04-04 JP JP63082679A patent/JP2996976B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01256098A (ja) | 1989-10-12 |
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Legal Events
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