JP2588394B2 - 強誘電性記憶装置 - Google Patents
強誘電性記憶装置Info
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- JP2588394B2 JP2588394B2 JP61301946A JP30194686A JP2588394B2 JP 2588394 B2 JP2588394 B2 JP 2588394B2 JP 61301946 A JP61301946 A JP 61301946A JP 30194686 A JP30194686 A JP 30194686A JP 2588394 B2 JP2588394 B2 JP 2588394B2
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- Japan
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- electrodes
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- ferroelectric
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は強誘電性高分子薄膜を用いる記憶装置に関す
る。
る。
（従来の技術） 第４図に示されるように、強誘電性記憶装置の情報記
憶部分は、２枚の電極1,2に挟まれた強誘電体薄膜３か
らなっており、この強誘電性記憶装置の記憶の消去、書
き込み、読み出しは以下のようにして行われる。
憶部分は、２枚の電極1,2に挟まれた強誘電体薄膜３か
らなっており、この強誘電性記憶装置の記憶の消去、書
き込み、読み出しは以下のようにして行われる。
ｉ）消去：第5a図に示されるように、電源４によって強
誘電体薄膜３の抗電界より大きい電界を強誘電体薄膜３
に加え、薄膜の分極を一方向に揃える。
誘電体薄膜３の抗電界より大きい電界を強誘電体薄膜３
に加え、薄膜の分極を一方向に揃える。
ii）書き込み：第5b図に示されるように、消去時と逆極
性の抗電界以下の電界を薄膜３に加えながらレーザー光
５で薄膜３を局部的に加熱する。温度上昇による抗電界
の減少により照射部分のみの分極が反転する。
性の抗電界以下の電界を薄膜３に加えながらレーザー光
５で薄膜３を局部的に加熱する。温度上昇による抗電界
の減少により照射部分のみの分極が反転する。
iii）読み出し：第5c図に示されるように、不可逆な分
極変化が生じない程度の弱いレーザー光スポット５で薄
膜３表面を走査し、照射点の焦電電流を電流アンプ６お
よびそれにつながる信号処理システム７で検出して分極
の極性を読み取る。
極変化が生じない程度の弱いレーザー光スポット５で薄
膜３表面を走査し、照射点の焦電電流を電流アンプ６お
よびそれにつながる信号処理システム７で検出して分極
の極性を読み取る。
強誘電体薄膜３としてはフッ化ビニリデン・三フッ化
エチレン共重合からなるものを用いることができる。
エチレン共重合からなるものを用いることができる。
（発明が解決しようとする問題点） メモリー素子として用いられる厚さ１μｍの薄膜は1c
m2当たり約20nFの静電容量を持っている。大容量メモリ
ーを構成するため大面積化するとそれに比例して静電容
量が増加しインピーダンスが低下する。情報検出用の電
流アンプは一般に入力側のインピーダンスが低下すると
ノイズの増加と不安定を生じることになる。
m2当たり約20nFの静電容量を持っている。大容量メモリ
ーを構成するため大面積化するとそれに比例して静電容
量が増加しインピーダンスが低下する。情報検出用の電
流アンプは一般に入力側のインピーダンスが低下すると
ノイズの増加と不安定を生じることになる。
（問題点を解決するための手段） 上述された問題点は、 連続する板状に構成された強誘電体薄膜からなる情報
記憶部、 前記強誘電体薄膜を挟む一対の電極であって、これら
の電極の一方が、電気的に分けられた複数の小面積から
成っていて、前記情報記憶部を面内方向の領域に分割す
る、前記一対の電極、および 前記情報記憶部の内、レーザー光が照射されて、読み
出し操作が行われる領域に位置する前記小面積の電極の
一つを、電流アンプに選択して接続する選択回路を備え
て成る強誘電性記憶装置によって解決される。
記憶部、 前記強誘電体薄膜を挟む一対の電極であって、これら
の電極の一方が、電気的に分けられた複数の小面積から
成っていて、前記情報記憶部を面内方向の領域に分割す
る、前記一対の電極、および 前記情報記憶部の内、レーザー光が照射されて、読み
出し操作が行われる領域に位置する前記小面積の電極の
一つを、電流アンプに選択して接続する選択回路を備え
て成る強誘電性記憶装置によって解決される。
（作用および効果） 強誘電体薄膜からなる情報記憶部の内、読み出し操作
が行われている情報記憶部の部分が選択的に信号増幅器
に接続されるので、大容量化したことによる信号増幅器
の入力インピーダンスの低下を防ぐことができ、大容量
化にともなうノイズの増加と不安定さを避けることがで
きる。
が行われている情報記憶部の部分が選択的に信号増幅器
に接続されるので、大容量化したことによる信号増幅器
の入力インピーダンスの低下を防ぐことができ、大容量
化にともなうノイズの増加と不安定さを避けることがで
きる。
（実施例１） 以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。第
1A図および第1B図は本発明の第１実施例のそれぞれ平面
図および断面図である。ディスク支持体10が軸11によっ
て回転される。このディスク支持体10には上部電極１と
下部電極２との間に挟まれた強誘電体薄膜３が設けられ
ている。この強誘電体薄膜３は、連続する円板状に構成
されており、上部電極１は、小面積の電極1a,1b,1cに互
いに電気的に分けられており、各々半径方向内側に設け
られた選択回路12a,12b,12cを介して共通電極13に接続
されている。選択回路12a,12b,12cは光導電体或いは光
制御型薄膜トランジスタのような光によってゲートのオ
ンオフを行う素子によって構成される。書き込み読み出
し用レーザー光スポット５と選択回路駆動用レーザー光
14がディスク支持体10の半径方向に並んでいる。書き込
み読み出し用レーザー光スポット５はデータ書き込み読
み出し時に半径方向に移動して、情報記憶部の一つの部
分に半径方向に沿って複数個の情報の記憶読出を行える
ようになっている。上部電極1bを有する部分の情報記憶
部に書き込み読み出し用レーザー光スポット５が照射さ
れる時、選択用回路駆動用レーザー光14が選択回路12b
に位置してこれを照射し、情報を読み取っている情報記
憶部の上部電極1bが共通電極13に電気的に接続される。
共通電極13は接触子15を介して電流アンプと接続されて
おり、情報の検出が行われる。
1A図および第1B図は本発明の第１実施例のそれぞれ平面
図および断面図である。ディスク支持体10が軸11によっ
て回転される。このディスク支持体10には上部電極１と
下部電極２との間に挟まれた強誘電体薄膜３が設けられ
ている。この強誘電体薄膜３は、連続する円板状に構成
されており、上部電極１は、小面積の電極1a,1b,1cに互
いに電気的に分けられており、各々半径方向内側に設け
られた選択回路12a,12b,12cを介して共通電極13に接続
されている。選択回路12a,12b,12cは光導電体或いは光
制御型薄膜トランジスタのような光によってゲートのオ
ンオフを行う素子によって構成される。書き込み読み出
し用レーザー光スポット５と選択回路駆動用レーザー光
14がディスク支持体10の半径方向に並んでいる。書き込
み読み出し用レーザー光スポット５はデータ書き込み読
み出し時に半径方向に移動して、情報記憶部の一つの部
分に半径方向に沿って複数個の情報の記憶読出を行える
ようになっている。上部電極1bを有する部分の情報記憶
部に書き込み読み出し用レーザー光スポット５が照射さ
れる時、選択用回路駆動用レーザー光14が選択回路12b
に位置してこれを照射し、情報を読み取っている情報記
憶部の上部電極1bが共通電極13に電気的に接続される。
共通電極13は接触子15を介して電流アンプと接続されて
おり、情報の検出が行われる。
このようにして記憶素子のインピーダンスを電極の分
割数倍に増加させることができる。
割数倍に増加させることができる。
（実施例２） 第2A図および第2B図は本発明の第２実施例の断面図お
よび平面図である。カード状の支持体10には下部電極２
と複数の上部電極1a,1b,1c,1dとに挟まれた強誘電体薄
膜３が設置されている。この強誘電体薄膜３は、連続す
る板状に構成されており、上部電極１の小面積の電極1
a,1b,1c,1dはそれぞれ選択回路12a,12b,12c,12dを介し
て共通電極13に接続されている。選択回路12a,12b,12c,
12dは光照射によって導通状態になる光導電体或いは光
制御型薄膜トランジスタ等である。上部電極1aを備える
部分の情報記憶部に記憶されている情報を読み出す場合
は、選択回路12aに選択回路駆動用のレーザー光14を照
射して上部電極1aを共通電極13に接続する。この時上部
電極1a以外の上部電極は共通電極13から切り離されてい
るので、インピーダンスの低下が避けられる。図示され
るように複数個の情報記憶部と選択回路とが平行に並べ
られていると、第2B図中に示される矢印方向にカード全
体を移動した際に、上部電極1aの位置に読み出し用レー
ザー光スポット10が照射される場合は、選択回路駆動用
レーザー光14が選択回路12aを照射し、上部電極1bの位
置に読み出し用レーザー光スポット５が照射される場合
は、選択回路駆動レーザー光14が選択回路12bを照射す
ることになり、電極切り替えのための信号を特に外部か
ら与える必要はない。
よび平面図である。カード状の支持体10には下部電極２
と複数の上部電極1a,1b,1c,1dとに挟まれた強誘電体薄
膜３が設置されている。この強誘電体薄膜３は、連続す
る板状に構成されており、上部電極１の小面積の電極1
a,1b,1c,1dはそれぞれ選択回路12a,12b,12c,12dを介し
て共通電極13に接続されている。選択回路12a,12b,12c,
12dは光照射によって導通状態になる光導電体或いは光
制御型薄膜トランジスタ等である。上部電極1aを備える
部分の情報記憶部に記憶されている情報を読み出す場合
は、選択回路12aに選択回路駆動用のレーザー光14を照
射して上部電極1aを共通電極13に接続する。この時上部
電極1a以外の上部電極は共通電極13から切り離されてい
るので、インピーダンスの低下が避けられる。図示され
るように複数個の情報記憶部と選択回路とが平行に並べ
られていると、第2B図中に示される矢印方向にカード全
体を移動した際に、上部電極1aの位置に読み出し用レー
ザー光スポット10が照射される場合は、選択回路駆動用
レーザー光14が選択回路12aを照射し、上部電極1bの位
置に読み出し用レーザー光スポット５が照射される場合
は、選択回路駆動レーザー光14が選択回路12bを照射す
ることになり、電極切り替えのための信号を特に外部か
ら与える必要はない。
なお、上述した第１および第２実施例において、光制
御による選択回路12を用いる他に、読み出しの行われて
いる情報記憶部の上部電極1aに接触子15を選択的に接触
させる切り替え手段を用いることもできる。
御による選択回路12を用いる他に、読み出しの行われて
いる情報記憶部の上部電極1aに接触子15を選択的に接触
させる切り替え手段を用いることもできる。
（実施例３） 第３図は本発明の第３実施例の側断面図である。本実
施例においては、支持体10、下部電極２、選択回路（光
導電体）12、中間電極16a,16b,16c,16d,連続する板状に
構成された強誘電体薄膜３、上部電極１がこの順で積層
されている。中間電極16a,16b,16c,16dは互いに電気的
に分割された複数の小面積の部分から成る。読み出しの
際には、上部より書き込み読み出し用レーザー光スポッ
ト５を照射し、読み出しを行っている領域の下部より選
択用レーザー光14を照射する。この選択用ビームにより
選択回路（光導電体）12が導通し中間電極16aと下部電
極２との間のインピーダンスが下がりその部分のみが選
択される。中間電極16a,16b,16c,16dを除去した状態に
おいても、選択用レーザー光14が照射された位置の強誘
電体薄膜３の端面のみが下部電極２に電気的に接続され
るので、中間電極16a,16b,16c,16dは原理的には必要な
いが、光導電体の一部に電流が集中しインピーダンスの
増加をまねき、書き込み読み出しが完全に行われない。
この中間電極を設けることにより、下部電極２とのイン
ピーダンスが低下し、書き込み読み出しが完全に行われ
るようになる。また、支持体10と下部電極２とは透明で
あることが必要である。
施例においては、支持体10、下部電極２、選択回路（光
導電体）12、中間電極16a,16b,16c,16d,連続する板状に
構成された強誘電体薄膜３、上部電極１がこの順で積層
されている。中間電極16a,16b,16c,16dは互いに電気的
に分割された複数の小面積の部分から成る。読み出しの
際には、上部より書き込み読み出し用レーザー光スポッ
ト５を照射し、読み出しを行っている領域の下部より選
択用レーザー光14を照射する。この選択用ビームにより
選択回路（光導電体）12が導通し中間電極16aと下部電
極２との間のインピーダンスが下がりその部分のみが選
択される。中間電極16a,16b,16c,16dを除去した状態に
おいても、選択用レーザー光14が照射された位置の強誘
電体薄膜３の端面のみが下部電極２に電気的に接続され
るので、中間電極16a,16b,16c,16dは原理的には必要な
いが、光導電体の一部に電流が集中しインピーダンスの
増加をまねき、書き込み読み出しが完全に行われない。
この中間電極を設けることにより、下部電極２とのイン
ピーダンスが低下し、書き込み読み出しが完全に行われ
るようになる。また、支持体10と下部電極２とは透明で
あることが必要である。
なお、上記各実施例において、上部電極は透明にして
強誘電体薄膜そのものにレーザー光を吸収させ熱に変換
させてもよいし、不透明な上部電極に熱を吸収させて間
接的に強誘電体薄膜を加熱してもよい。また、選択用レ
ーザー光の照射は読み出し書き込み用レーザー光スポッ
トの照射より先行させ導通の時間的な遅れを補償するよ
うにするのが好ましい。
強誘電体薄膜そのものにレーザー光を吸収させ熱に変換
させてもよいし、不透明な上部電極に熱を吸収させて間
接的に強誘電体薄膜を加熱してもよい。また、選択用レ
ーザー光の照射は読み出し書き込み用レーザー光スポッ
トの照射より先行させ導通の時間的な遅れを補償するよ
うにするのが好ましい。
第1A図および第1B図はそれぞれ本発明の第１実施例の平
面図および断面図、 第2A図および第2B図はそれぞれ本発明の第２実施例の平
面図および断面図、 第３図は本発明の第３実施例の側断面図、 第４図は従来の強誘電体記憶装置の基本構成を示す断面
図、 第5A図、第5B図および第5C図はそれぞれ強誘電体記憶装
置の消去、書き込みおよび読み出しの基本的な操作を説
明する図。 1,1a,1b,1c……上部電極、 ２……下部電極、３……強誘電体薄膜、 ４……電源、 ５……書き込み読み出し用レーザー光スポット、 ６……電流アンプ、７……信号処理システム、 10……支持体、11……軸、 12,12a,12b,12c,12d……選択回路、13……共通電極、 14……選択回路駆動用レーザー光、 15……接触子、 16a,16b,16c,16d……中間電極。
面図および断面図、 第2A図および第2B図はそれぞれ本発明の第２実施例の平
面図および断面図、 第３図は本発明の第３実施例の側断面図、 第４図は従来の強誘電体記憶装置の基本構成を示す断面
図、 第5A図、第5B図および第5C図はそれぞれ強誘電体記憶装
置の消去、書き込みおよび読み出しの基本的な操作を説
明する図。 1,1a,1b,1c……上部電極、 ２……下部電極、３……強誘電体薄膜、 ４……電源、 ５……書き込み読み出し用レーザー光スポット、 ６……電流アンプ、７……信号処理システム、 10……支持体、11……軸、 12,12a,12b,12c,12d……選択回路、13……共通電極、 14……選択回路駆動用レーザー光、 15……接触子、 16a,16b,16c,16d……中間電極。
Claims (2)
- 【請求項１】連続する板状に構成された強誘電体薄膜か
らなる情報記憶部、 前記強誘電体薄膜を挟む一対の電極であって、これらの
電極の一方が、電気的に分けられた複数の小面積から成
っていて、前記情報記憶部を面内方向の領域に分割す
る、前記一対の電極、および 前記情報記憶部の内、レーザー光が照射されて、読み出
し操作が行われる領域に位置する前記小面積の電極の一
つを、電流アンプに選択して接続する選択回路を備えて
成る強誘電性記憶装置。 - 【請求項２】前記選択回路が、光によってゲートのオン
オフを行う素子によって構成されている請求項１記載の
強誘電性記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301946A JP2588394B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 強誘電性記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61301946A JP2588394B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 強誘電性記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153748A JPS63153748A (ja) | 1988-06-27 |
| JP2588394B2 true JP2588394B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=17903013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61301946A Expired - Lifetime JP2588394B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 強誘電性記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588394B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091880A (en) * | 1989-02-02 | 1992-02-25 | Olympus Optical Co., Ltd. | Memory device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750540B2 (ja) * | 1986-02-06 | 1995-05-31 | ソニー株式会社 | 記録再生装置 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61301946A patent/JP2588394B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63153748A (ja) | 1988-06-27 |
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