JP7222903B2 - 多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャ - Google Patents

多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャ Download PDF

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Description

［クロスリファレンス］
特許のための本出願は、２０１７年３月２７日に出願の“Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｐｌａｔｅ Ｌｉｎｅ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ ｆｏｒ Ｍｕｌｔｉｄｅｃｋ Ｍｅｍｏｒｙ
Ａｒｒａｙ”という名称のＢｅｄｅｓｃｈｉによる米国特許出願番号１５／４６９，８６５の優先権を主張する２０１８年３月９日に出願の“Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｐｌａｔｅ Ｌｉｎｅ Ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ ｆｏｒ Ｍｕｌｔｉｄｅｃｋ Ｍｅｍｏｒｙ Ａ
ｒｒａｙ”という名称のＢｅｄｅｓｃｈｉによるＰＣＴ出願番号ＰＣＴ／ＵＳ２０１８／０２１８０７の優先権を主張し、それらの各々は、本願の譲受人に与えられ、それらの各々は、参照によりその全体が本明細書に明確に組み込まれる。
以下は、一般的に、メモリアレイに関し、より具体的には、多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャに関する。
メモリデバイスは、コンピュータ、無線通信デバイス、カメラ、及びデジタル表示装置等の様々な電子デバイス内に情報を蓄積するために広く使用される。情報は、メモリデバイスの異なる状態をプログラムすることによって蓄積される。例えば、バイナリデバイスは、論理“１”又は論理“０”によりしばしば示される２つの状態を有する。他のシステムでは、３つ以上の状態が蓄積され得る。蓄積された情報にアクセスするために、電子デバイスのコンポーネントは、メモリデバイス内の蓄積状態を読み出し得、又はセンシングし得る。スペック情報を蓄積するために、電子デバイスのコンポーネントは、メモリデバイス内に状態を書き込み得、又はプログラムし得る。
磁気ハードディスク、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、同期型ダイナミックＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ）、磁気ＲＡＭ（ＭＲＡＭ）、抵抗変化ＲＡＭ（ＲＲＡＭ）、フラッシュメモリ、及び相変化メモリ（ＰＣＭ）等を含む様々な種類のメモリデバイスが存在する。メモリデバイスは揮発性又は不揮発性であり得る。不揮発性メモリ、例えば、ＦｅＲＡＭは、外部電源が存在しなくても長時間、それらの蓄積された論理状態を維持し得る。揮発性メモリデバイス、例えば、ＤＲＡＭは、外部電源により定期的にリフレッシュされない限り、それらの蓄積状態を時間と共に喪失し得る。ＦｅＲＡＭは、揮発性メモリと同様のデバイスアーキテクチャを使用し得るが、蓄積デバイスとしての強誘電体コンデンサの使用に起因して不揮発性の特性を有し得る。ＦｅＲＡＭデバイスは、したがって、他の不揮発性及び揮発性のメモリデバイスと比較して改善した性能を有し得る。
メモリデバイスの改善は、一般的に、メトリックの中でもとりわけ、メモリセル密度の増加、読み出し／書き込み速度の増加、信頼性の増加、データ保持の増加、電力消費の削減、又は製造コストの削減を含み得る。しかしながら、プレート線及びその他のアクセス線のルーティングに対する物理的限界は、メモリセル密度にマイナスの影響を及ぼし得る。
本明細書の開示は、以下の図面を参照し、該図面を含む。
本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリセルの３次元メモリアレイを有するメモリデバイスの概略図の一例を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持する強誘電体メモリセル及び回路コンポーネントの一例を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持する強誘電体メモリセルに対するヒステリシス曲線を用いた非線形電気特性の一例を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持する２段強誘電体メモリセルの例示的断面図を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するオンピッチビア（ＯＰＶ）スキームのトップダウン図の例を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの強誘電体メモリアレイアーキテクチャの例示的概略図を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのメモリタイルの構成の一例を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのメモリタイルの構成の一例を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの２段強誘電体メモリセルの例示的断面図を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの２段強誘電体メモリセルの例示的断面図を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの２段強誘電体メモリセルの例示的断面図を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの２段強誘電体メモリセルの例示的断面図を説明する。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのメモリアレイのブロック図を示す。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのメモリアレイを含むシステムのブロック図を示す。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのアクセス動作マネージャのブロック図を示す。 本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャのための方法を説明するフローチャートを示す。
多段メモリデバイスは、多段メモリデバイスの様々な段の間に結合され、該段の間でルーティングされたプレート線若しくはアクセス線、又はそれら両方を用いて構成され得る。これは、アレイ内に用いられる、強誘電体メモリセル等の不揮発性メモリセルを可能にし得る。ここで説明される多数プレート線アーキテクチャは、メモリセル密度の増加、読み出し／書き込み速度の増加、信頼性の増加、データ保持の増加、電力消費の削減、又は製造コストの削減をもたらし得る。
例として、幾つかのメモリデバイスは、クロスポイントアーキテクチャを有するメモリアレイの構成を使用して構築される。幾つかの例では、該アーキテクチャは２次元クロスポイントアーキテクチャであり得る。幾つかの例では、該アーキテクチャは３次元クロスポイントアーキテクチャであり得る。クロスポイントは、メモリセルと関連付けられたアクセス線がメモリセルの異なるノードへのアクセス線接続としてトポロジー的に相互に“クロス”するようにメモリセルが形成された場所を指す。クロスポイントアーキテクチャ
は、アクセス線の最小ピッチにより決定される理論的に最小のセル領域を可能にする。３次元クロスポイントアーキテクチャは、基板層内に構築された支持回路の上にある、メモリセルのアレイの２つ以上の“段”を、従って多段メモリアレイを組み立てることを可能にする。３次元クロスポイントアーキテクチャ内には、メモリデバイスは、メモリタイルと称される区域で構成され得る。メモリデバイスは、アレイ内に該区域（例えば、メモリタイル）を配置することによって構築され得る。
各メモリタイルは、他のメモリタイルと同様の、コンポーネントの構成を含み得る。メモリタイルは、デコーダ及びセンス要素等のコンポーネントを含む支持回路を含む基板層と、該基板層の上方に位置付けられたメモリセルとを含み得る。基板層と、その中の支持回路のコンポーネントとは、相補型金属－酸化物－半導体（ＣＭＯＳ）アンダーアレイ（ＣｕＡ）と称され得る。また、メモリタイルは、タイル内の（複数の）メモリセルを接続するためのアクセス線を含み得、アクセス線は、下にある支持回路への接続を必要とし得る。基板層の上方にメモリアレイのより多くの段が位置付けられるにつれて、アクセス線及び支持回路のコンポーネント（例えば、デコーダ）の数も、領域の有効利用が挑戦的になるように増加する。幾つかの場合、メモリセルの動作は、メモリセルにルーティングされた付加的なアクセス線を必要とする、メモリセルの２つ以上のノードに同時にアクセスすることを必要とし、メモリタイルの全体的な構成は、支持回路の数が増加するにつれて、多段メモリアレイでは更に挑戦的になり得る。
メモリタイルの全体的な構成に有効な領域利用を提供し得る、多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持する技術が本明細書で説明される。本明細書で使用されるように、該技術は、３つのアクセス線、すなわち、プレート線、デジット線、及びワード線を有する強誘電体メモリセルを使用して説明される。全ての支持回路コンポーネント（例えば、３つのアクセス線に対するデコーダ）は、幾つかの場合、強誘電体メモリセルの多段アレイの下に、すなわち、ＣｕＡの一部として配置され得る。支持回路コンポーネントの内の幾つか（例えば、プレート線に対するデコーダ）は、ＣｕＡの一部ではない制御回路部分内に配置され得る。支持回路コンポーネントの内の幾つかがＣｕＡの外側に配置される場合、ＣｕＡの外側に配置された支持回路と関連付けられたアクセス線は、多段メモリアレイの構成内のメモリセルに到達するための新たなスキームを必要とし得る。
上で紹介した開示の機構は、メモリデバイスの文脈で以下で更に説明される。多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャに関連するメモリアレイ及びメモリ部分に対する具体例がその後説明される。開示のこれら及びその他の機構は、多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャに関連する装置図、システム図、及びフローチャートによって更に説明され、それらを参照しながら更に説明される。
図１は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリセルの３次元メモリアレイ１００を有するメモリデバイスの概略図の一例を説明する。図１は、メモリアレイ１００の様々なコンポーネント及び機構の説明される概略的表現である。そのようなものだとして、メモリアレイ１００のコンポーネント及び機構は、メモリアレイ１００内のそれらの実際の物理的位置ではなく、機能的な相互関係を説明するために示されると評価すべきである。メモリアレイ１００は、電子メモリ装置とも称され得る。メモリアレイ１００は、異なる状態を蓄積するようにプログラム可能なメモリセル１０５を含む。幾つかの場合、メモリセル１０５は、絶縁材料として強誘電体材料を有するコンデンサを含み得る強誘電体メモリセルであり得る。幾つかの場合、該コンデンサは強誘電体コンテナと称され得る。各メモリセル１０５は、論理０及び論理１で示される２つの状態を蓄積するようにプログラム可能であり得る。各メモリセル１０５は、相互に重ねられて積み重ねられ得、２段のメモリセル１４５をもたらす。した
がって、図１の例は、メモリアレイの２段を描写する一例であり得る。
幾つかの場合、メモリセル１０５は３つ以上の論理状態を蓄積するように構成される。メモリセル１０５は、プログラム可能な状態を表す電荷をコンデンサ内に蓄積し得、例えば、充電及び非充電のコンデンサは２つの論理状態を夫々表し得る。ＤＲＡＭアーキテクチャはこうした設計を一般的に使用し得、用いられるコンデンサは、常誘電性又は線形の分極特性を有する誘電材料を絶縁体として含み得る。一方、強誘電体メモリセルは、絶縁材料として強誘電体材料を有するコンデンサを含み得る。強誘電体コンデンサの電荷の異なるレベルは異なる論理状態を表し得る。強誘電体材料は非線形の分極特性を有し、強誘電体メモリセル１０５の幾つかの詳細及び利点は以下で論じられる。
アクセス動作と称され得る、読み出し及び書き込み等の動作は、ワード線１１０及びデジット線１１５を活性化又は選択することによってメモリセル１０５上で実施され得る。ワード線１１０は、行線、センス線、及びアクセス線としても知られている。デジット線１１５は、ビット線、列線、アクセス線としても知られている。ワード線及びデジット線、又はそれらの類似物への言及は、理解又は動作を失うことなく相互に置き換え可能である。ワード線１１０とデジット線１１５とは、アレイを創出するように相互に直角（又はほぼ直角）であり得る。メモリセルの種類（例えば、ＦｅＲＡＭ、ＲＲＡＭ）に依存して、例えば、プレート線等のその他のアクセス線が存在し得る（図示せず）。メモリデバイスで使用されるメモリセルの種類及び／又は具体的なアクセス線に基づいて、メモリデバイスの正確な動作は変更され得ると評価すべきである。
ワード線１１０又はデジット線１１５を活性化又は選択することは、個別の線に電圧を印加することを含み得る。ワード線１１０及びデジット線１１５は、金属（例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ））、金属合金、炭素、導電的ドープ半導体等の導電性材料、又はその他の導電性材料、合金、若しくは化合物等で作られてもよい。
図１の例に従えば、メモリセル１０５の各行は単一のワード線１１０に接続され、メモリセル１０５の各列は単一のデジット線１１５に接続される。１つのワード線１１０及び１つのデジット線１１５を活性化する（例えば、ワード線１１０又はデジット線１１５に電圧を印加する）ことによって、それらの交点で単一のメモリセル１０５がアクセスされ得る。メモリセル１０５にアクセスすることは、メモリセル１０５を読み出すこと又は書き込むことを含み得る。ワード線１１０とデジット線１１５との交点はメモリセルのアドレスと称され得る。幾つかの場合、ワード線が上段及び下段内の両メモリセルに同時にアクセスし得るように、ワード線は、メモリセルの上段と下段との間で共通であり得る。幾つかの場合、デジット線が上段及び下段内の両メモリセルに同時にアクセスし得るように、デジット線は、同様の方法で共通であり得る。
幾つかのアーキテクチャでは、セルの論理蓄積デバイス、例えば、コンデンサは、選択デバイスによってデジット線から電気的に絶縁され得る。ワード線１１０は、選択デバイスに接続され得、選択デバイスを制御し得る。例えば、選択デバイスはトランジスタ（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））であり得、該トランジスタのゲートにワード線１１０が接続され得る。ワード線１１０を活性化することは、メモリセル１０５のコンデンサとその対応するデジット線１１５との間の電気的接続又は閉回路をもたらす。デジット線は、メモリセル１０５の読み出し又は書き込みの何れかのためにその後アクセスされ得る。また、図２に以下で説明するように、強誘電体メモリセルのアクセス動作は、強誘電体メモリセルのノード、すなわち、セルプレートノードへのプレート線を介した付加的な接続を必要とし得る。
メモリセル１０５へのアクセスは、行デコーダ１２０及び列デコーダ１３０を通じて制御され得る。例えば、行デコーダ１２０は、メモリコントローラ１４０から行アドレスを受信し、受信された行アドレスに基づいて適切なワード線１１０を活性化し得る。同様に、列デコーダ１３０は、メモリコントローラ１４０から列アドレスを受信し、適切なデジット線１１５を活性化する。例えば、メモリアレイ１００は、ＷＬ＿１～ＷＬ＿Ｍとラベルが付された多数のワード線１１０と、ＤＬ＿１～ＤＬ＿Ｎとラベルが付された多数のデジット線１１５とを含み得、Ｍ及びＮはアレイのサイズに依存する。したがって、ワード線１１０及びデジット線１１５、例えば、ＷＬ＿２及びＤＬ＿３を活性化することによって、それらの交点におけるメモリセル１０５がアクセスされ得る。また、強誘電体メモリセルのアクセス動作は、プレート線デコーダ（図示せず）と関連付けられた、メモリセル１０５に対する対応するプレート線を活性化することを必要とし得る。
メモリセル１０５は、各セルと関連付けられ、及び各セルに結合されたプレート線を選択又は通電することによってアクセスされ得る。アレイ１００の異なる段は、異なるプレート線に結合され得る。プレート線のルーティング及び多段デバイスのその他のコンポーネントを容易にするために、プレート線は、以下で図４に描写するようにアレイ内に構成され得、又は方向付けられ得る。本明細書で説明するように、プレート線のルーティングは、オンピッチビア（ＯＰＶ）構造を使用して容易にされ得、その例は、以下で図５に説明される。図１の例には示されていないが、図１に描写した例示的な多段アーキテクチャのアーキテクチャにおける、図４及び図５に描写したプレート線の方向付けとＯＰＶの配置との関係及び利益は当業者であれば分かるであろう。また、以下で説明するように、図７、図８、図９、図１０、図１１、及び図１２も、図１に表した多段デバイス内に具体化され得る例示的なコンポーネント、プレート線、並びにＯＰＶの方向付け及び配置を描写する。
アクセスすると、メモリセル１０５は、メモリセル１０５の蓄積状態を判定するために、センスコンポーネント１２５によって読み出され得、又はセンシングされ得る。例えば、メモリセル１０５へのアクセス後、メモリセル１０５の強誘電体コンデンサは、その対応するデジット線１１５上に放電し得る。強誘電体コンデンサを放電することは、強誘電体コンデンサに対してバイアスすること又は電圧を印加することからもたらされ得る。放電は、デジット線１１５の電圧に変化を生じさせ得、センスコンポーネント１２５は、メモリセル１０５の蓄積状態を判定するために、デジット線１１５の電圧をリファレンス電圧（図示せず）と比較し得る。例えば、デジット線１１５がリファレンス電圧よりも高い電圧を有する場合、センスコンポーネント１２５は、メモリセル１０５内の蓄積状態が論理１であったと判定し得、逆もまた同様である。センスコンポーネント１２５は、ラッチと称され得る、信号中の差を検出及び増幅するために、様々なトランジスタ又はアンプを含み得る。メモリセル１０５の検出された論理状態は、出力１３５として、列デコーダ１３０を通じてその後出力され得る。幾つかの場合、センスコンポーネント１２５は、列デコーダ１３０又は行デコーダ１２０の一部であり得る。又は、センスコンポーネント１２５は、列デコーダ１３０若しくは行デコーダ１２０に接続され得、又は列デコーダ１３０若しくは行デコーダ１２０と電子通信し得る。
メモリセル１０５は、関連するワード線１１０及びデジット線１１５を同様に活性化することによってセットされ得、又は書き込まれ得、すなわち、メモリセル１０５内に論理値が蓄積され得る。列デコーダ１３０又は行デコーダ１２０は、メモリセル１０５に書き込まれるデータ、例えば、入力／出力１３５を受け入れ得る。強誘電体メモリセル１０５は、強誘電体コンデンサに渡って電圧を印加することによって書き込まれ得る。このプロセスは、以下でより詳細に論じられる。
幾つかのメモリアーキテクチャでは、メモリセル１０５へのアクセスは、蓄積された論
理状態を劣化又は破壊し得、元の論理状態をメモリセル１０５に戻すために、再書き込み又はリフレッシュ動作が実施され得る。ＤＲＡＭでは、例えば、コンデンサは、センシング動作中に部分的に又は完全に放電され得、蓄積された論理状態を破損する。そのため、センシング動作後に論理状態が再書き込みされ得る。また、単一のワード線１１０を活性化することは、行内の全てのメモリセルの放電をもたらし得、したがって、行内の幾つか又は全てのメモリセル１０５は再書き込みされる必要があり得る。
ＤＲＡＭを含む幾つかのメモリアーキテクチャでは、メモリセルは、外部電源により定期的にリフレッシュされない限り、それらの蓄積状態を時間と共に喪失し得る。例えば、充電されたコンデンサは、リーク電流を通じて時間と共に放電され得、蓄積された情報の喪失をもたらす。これらのいわゆる揮発性メモリデバイスのリフレッシュレートは比較的高く、例えば、ＤＲＡＭアレイに対しては毎秒数十回のリフレッシュ動作であり得、それは、著しい電力消費をもたらし得る。より大きなメモリアレイの増加と共に、電力消費の増加は、特に、電池等の有限の電源に依存する携帯デバイスのためのメモリアレイの配備又は動作（例えば、電力供給、発熱、材料限界）を阻害し得る。以下で論じるように、強誘電体メモリセル１０５は、他のメモリアーキテクチャと比較して改善された性能をもたらし得る有益な特性を有し得る。
メモリコントローラ１４０は、様々なコンポーネント、例えば、行デコーダ１２０、列デコーダ１３０、及びセンスコンポーネント１２５を通じて、メモリセル１０５の動作（例えば、読み出し、書き込み、再書き込み、リフレッシュ、放電）を制御し得る。幾つかの場合、行デコーダ１２０、列デコーダ１３０、及びセンスコンポーネント１２５の内の１つ以上は、メモリコントローラ１４０と共同設置され得る。メモリコントローラ１４０は、所望のワード線１１０及びデジット線１１５を活性化するために、行及び列のアドレス信号を生成し得る。メモリコントローラ１４０はまた、メモリアレイ１００の動作中に使用される様々な電圧又は電流を生成及び制御し得る。例えば、メモリコントローラ１４０は、１つ以上のメモリセル１０５にアクセスした後に、ワード線１１０又はデジット線１１５に放電電圧を印加し得る。
一般的に、本明細書で論じられる印加電圧又は電流の振幅、形状、又は存続期間は、調節又は変更され得、メモリアレイ１００の動作において論じられる様々な動作に対して異なり得る。更に、メモリアレイ１００内の１つの、多数の、又は全てのメモリセル１０５は同時にアクセスされ得、例えば、メモリアレイ１００の多数の又は全てのセルは、全てのメモリセル１０５又はメモリセル１０５のグループが単一の論理状態にセット又はリセットされるアクセス（又は書き込み若しくはプログラム）動作中に同時にアクセスされ得る。メモリデバイスの正確な動作は、メモリデバイス内で使用されるメモリセルの種類及び／又は具体的なアクセス線に基づいて変更され得ると評価すべきである。その他のアクセス線、例えば、プレート線が存在し得る幾つかの例（図示せず）では、ワード線及びデジット線と連携する対応するプレート線は、メモリアレイのある一定のメモリセル１０５にアクセスするために活性化される必要があり得る。メモリデバイスの正確な動作は、メモリデバイス内で使用されるメモリセルの種類及び／又は具体的なアクセス線に基づいて変更され得ると評価すべきである。
図２は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持する強誘電体メモリセル及び回路コンポーネントの一例を説明する。回路２００は、図１を参照しながら説明したようなメモリセル１０５、ワード線１１０、デジット線１１５、及びセンスコンポーネント１２５の夫々例示であり得るメモリセル１０５－ａ、ワード線１１０－ａ、デジット線１１５－ａ、及びセンスコンポーネント１２５－ａを含む。メモリセル１０５－ａは、第１のプレート、セルプレート２３０と、第２のプレート、セル底部２１５とを有するコンデンサ２０５等の論理蓄積コンポーネントを含み得
る。セルプレート２３０及びセル底部２１５は、それらの間に位置付けられた強誘電体材料を通じて容量的に結合され得る。セルプレート２３０及びセル底部２１５の方向付けは、メモリセル１０５－ａの動作を変更することなく反転され得る。回路２００は、選択デバイス２２０及びリファレンス線２２５をも含む。セルプレート２３０はプレート線２１０を介してアクセスされ得、セル底部２１５はデジット線１１５－ａを介してアクセスされ得る。上で説明したように、コンデンサ２０５を充電又は放電することによって、様々な状態が蓄積され得る。
コンデンサ２０５の蓄積状態は、回路２００内に表された様々な要素を動作することによって読み出され得、又はセンシングされ得る。コンデンサ２０５はデジット線１１５－ａと電子通信し得る。例えば、コンデンサ２０５は、選択デバイス２２０が不活性化された場合にデジット線１１５－ａから絶縁され得、コンデンサ２０５は、選択デバイス２２０が活性化された場合にデジット線１１５－ａに接続され得る。選択デバイス２２０を活性化することは、メモリセル１０５－ａを選択することを指し得る。幾つかの場合、選択デバイス２２０は、トランジスタ（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））であり、その動作は、トランジスタのゲートに電圧を印加することによって制御され、該電圧の大きさは、トランジスタの閾値電圧の大きさよりも大きい。ワード線１１０－ａは選択デバイス２２０を活性化し得、例えば、ワード線１１０－ａに印加された電圧は、トランジスタのゲートに印加され、コンデンサ２０５をデジット線１１５－ａと接続する。
その他の例では、選択デバイス２２０がプレート線２１０とセルプレート２３０との間で接続されるように、及びコンデンサ２０５がデジット線１１５－ａと選択デバイス２２０の他の端子との間にあるように、選択デバイス２２０とコンデンサ２０５との位置は交換され得る。この実施形態では、選択デバイス２２０は、コンデンサ２０５を通じてデジット線１１５－ａとの電子通信を維持し得る。この構成は、読み出し及び書き込み動作に対する代替的なタイミング及びバイアスと関連付けられ得る。
コンデンサ２０５のプレート間の強誘電体材料に起因して、以下でより詳細に論じるように、コンデンサ２０５は、デジット線１１５－ａに接続されると放電しないことがある。一スキームでは、強誘電体コンデンサ２０５により蓄積された論理状態をセンシングするために、ワード線１１０－ａはメモリセル１０５－ａを選択するためにバイアスされ得、プレート線２１０に電圧が印加され得る。幾つかの場合、デジット線１１５－ａは、仮想接地され、及びプレート線２１０及びワード線１１０－ａをバイアスする前に仮想接地からその後絶縁され、それは、“フローティング”と称され得る。プレート線２１０をバイアスすることは、コンデンサ２０５に渡る電圧差（例えば、プレート線２１０の電圧 － デジット線１１５－ａの電圧）をもたらし得る。該電圧差は、コンデンサ２０５上の蓄積電荷に変化を生み出し得、蓄積電荷の変化の大きさは、コンデンサ２０５の最初の状態、例えば、最初の状態が論理１又は論理０の何れを蓄積したかに依存し得る。このことは、コンデンサ２０５上に蓄積された電荷に基づいて、デジット線１１５－ａの電圧に変化を生じさせ得る。セルプレート２３０への電圧を変化させることによるメモリセル１０５－ａの動作は、“移動するセルプレート”と称され得る。
デジット線１１５－ａの電圧の変化は、その固有の静電容量に依存し得る。すなわち、デジット線１１５－ａを通じて電荷が流れると、ある有限の電荷がデジット線１１５－ａ内に蓄積され得、もたらされる電圧は、固有の静電容量に依存し得る。固有の静電容量は、デジット線１１５－ａの、寸法を含む物理的特徴に依存し得る。デジット線１１５－ａは多数のメモリセル１０５と接続し得るので、デジット線１１５－ａは、無視できない（例えば、ピコファラッド（ｐＦ）オーダの）静電容量をもたらす長さを有し得る。デジット線１１５－ａのもたらされる電圧は、メモリセル１０５－ａ内の蓄積された論理状態を判定するために、センスコンポーネント１２５－ａによってリファレンス（例えば、リフ
ァレンス線２２５の電圧）とその後比較され得る。
センスコンポーネント１２５－ａは、ラッチと称され得る、信号中の差を検出及び増幅するための様々なトランジスタ又はアンプを含み得る。センスコンポーネント１２５－ａは、デジット線１１５－ａと、リファレンス電圧であり得るリファレンス線２２５との電圧を受信及び比較するセンスアンプを含み得る。センスアンプの出力は、該比較に基づいて、より高い（例えば、正の）又はより低い（例えば、負の又はグランドの）供給電圧に駆動され得る。実例として、デジット線１１５－ａがリファレンス線２２５よりも高い電圧を有する場合、センスアンプの出力は正の供給電圧に駆動され得る。幾つかの場合、センスアンプは、デジット線１１５－ａを供給電圧に付加的に駆動し得る。センスコンポーネント１２５－ａは、センスアンプの出力及び／又はデジット線１１５－ａの電圧をその後ラッチし得、それは、メモリセル１０５－ａ内の蓄積状態、例えば、論理１を判定するために使用され得る。或いは、デジット線１１５－ａがリファレンス線２２５よりも低い電圧を有する場合、センスアンプの出力は、負又はグランドの電圧に駆動され得る。センスコンポーネント１２５－ａは、メモリセル１０５－ａ内の蓄積状態、例えば、論理０を判定するために、センスアンプの出力を同様にラッチし得る。メモリセル１０５－ａのラッチされた論理状態は、例えば、図１に関する出力１３５として、列デコーダ１３０を通じてその後出力され得る。
メモリセル１０５－ａに書き込むために、コンデンサ２０５に渡って電圧が印加され得る。様々な方法が使用され得る。一例では、選択デバイス２２０は、コンデンサ２０５をデジット線１１５－ａに電気的に接続するために、ワード線１１０－ａを通じて活性化され得る。（プレート線２１０を通じて）セルプレート２３０と（デジット線１１５－ａを通じて）セル底部２１５との電圧を制御することによって、コンデンサ２０５に渡って電圧が印加され得る。論理０を書き込むために、セルプレート２３０は高くされ得、すなわち、正の電圧がプレート線２１０に印加され得、セル底部２１５は低くされ得、例えば、デジット線１１５－ａを仮想接地し、又はデジット線１１５－ａに負の電圧を印加する。論理１を書き込むために反対のプロセスが実施され、セルプレート２３０は低くされ、セル底部２１５は高くされる。
図３は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持する強誘電体メモリセルに対するヒステリシス曲線３００－ａ及び３００－ｂを用いた非線形電気特性の一例を説明する。ヒステリシス曲線３００－ａ及び３００－ｂは、例示的な強誘電体メモリセルの書き込み及び読み出しプロセスを夫々説明する。ヒステリシス曲線３００は、電圧差Ｖの関数として、強誘電体コンデンサ（例えば、図２のコンデンサ２０５）上に蓄積された電荷Ｑを描写する。
強誘電体材料は、自発的電気分極により特徴付けられ、すなわち、該材料は、電界がない場合に非ゼロの電気分極を維持する。例示的な強誘電体材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、及びタンタル酸ストロンチウムビスマス（ＳＢＴ）を含む。本明細書で説明される強誘電体コンデンサは、これら又はその他の強誘電体材料を含み得る。強誘電体コンデンサ内の電気分極は、強誘電体材料の表面に正味電荷をもたらし、コンデンサ端子を通じて反対の電荷を引き付ける。したがって、強誘電体材料とコンデンサ端子との境界に電荷が蓄積される。電気分極は、比較的長時間、無期限にさえ、外部に印加された電界がない場合にも維持され得るので、電荷漏洩は、例えば、ＤＲＡＭアレイに用いられるコンデンサと比較して顕
著に減少し得る。このことは、幾つかのＤＲＡＭアーキテクチャに対して上で説明したようなリフレッシュ動作を実施する必要性を削減し得る。
ヒステリシス曲線３００は、コンデンサの単一の端子の視点から理解され得る。例とし
て、強誘電体材料が負の分極を有する場合、正の電荷が端子に蓄積される。同様に、強誘電体材料が正の分極を有する場合、負の電荷が端子に蓄積される。また、ヒステリシス曲線３００中の電圧は、コンデンサに渡る電圧差を表し、方向性があることを理解すべきである。例えば、正の電圧は、当該端子（例えば、セルプレート２３０）に正の電圧を印加し、第２の端子（例えば、セル底部２１５）をグランド（又は約ゼロボルト（０Ｖ））に維持することによって実現され得る。負の電圧は、当該端子をグランドに維持し、第２の端子に正の電圧を印加することによって印加され得、すなわち、正の電圧は、当該端子を負に分極するように印加され得る。同様に、ヒステリシス曲線３００に示される電圧差を生成するために、２つの正の電圧、２つの負の電圧、又は正及び負の電圧の任意の組み合わせが適切なコンデンサ端子に印加され得る。
ヒステリシス曲線３００－ａに描写するように、強誘電体材料は、ゼロの電圧差で正又は負の分極を維持し得、２つの可能な充電状態：電荷状態３０５及び電荷状態３１０をもたらす。図３の例に従うと、電荷状態３０５は論理０を表し、電荷状態３１０は論理１を表す。幾つかの例では、メモリセルを動作するための他のスキームに適応するために、個別の電荷状態の論理値は逆にされてもよい。
論理０又は１は、強誘電体材料の電気分極、したがってコンデンサ端子上の電荷を、電圧の印加により制御することによって、メモリセルに書き込まれ得る。例えば、正味正の電圧３１５をコンデンサに渡って印加することは、電荷状態３０５－ａに到達するまで電荷の蓄積をもたらす。電圧３１５を除去すると、電荷状態３０５－ａは、ゼロの電圧において電荷状態３０５に到達するまで経路３２０に従う。同様に、電荷状態３１０は、正味負の電圧３２５を印加することによって書き込まれ、それは電荷状態３１０－ａをもたらす。負の電圧３２５を除去した後、電荷状態３１０－ａは、ゼロの電圧において電荷状態３１０に到達するまで経路３３０に従う。電荷状態３０５－ａ及び３１０－ａは、残留分極（Ｐｒ）値、すなわち、外部のバイアス（例えば、電圧）を除去すると残留する分極（又は電荷）とも称され得る。抗電圧は、電荷（又は分極）がゼロである電圧である。
強誘電体コンデンサの蓄積状態を読み出す又はセンシングするために、コンデンサに渡って電圧が印加され得る。これに応じて、蓄積された電荷Ｑは変化し、該変化の程度は最初の電荷状態に依存し、すなわち、最終的な蓄積電荷（Ｑ）は、電荷状態３０５－ｂ又は３１０－ｂの何れが最初に蓄積されたかに依存する。例えば、ヒステリシス曲線３００－ｂは、蓄積された２つの可能な電荷状態３０５－ｂ及び３１０－ｂを説明する。図２を参照しながら論じたように、コンデンサに渡って電圧３３５が印加され得る。その他の場合、セルプレートに固定電圧が印加されてもよく、正の電圧として描写されているが、電圧３３５は負であってもよい。電圧３３５に応じて、電荷状態３０５－ｂは経路３４０に従い得る。同様に、電荷状態３１０－ｂが最初に蓄積された場合、その後、それは経路３４５に従う。電荷状態３０５－ｃ及び電荷状態３１０－ｃの最終位置は、具体的なセンシングスキーム及び回路を含む複数の要因に依存する。
幾つかの場合、最終的な電荷は、メモリセルに接続されたデジット線の固有の静電容量に依存し得る。例えば、コンデンサがデジット線に電気的に接続され、電圧３３５が印加された場合、デジット線の電圧は、その固有の静電容量に起因して上昇し得る。そのため、センスコンポーネントにおいて測定される電圧は、電圧３３５と等しくないことがあり、代わりに、デジット線の電圧に依存し得る。ヒステリシス曲線３００－ｂ上の最終的な電荷状態３０５－ｃ及び３１０－ｃの位置は、したがって、デジット線の静電容量に依存し得、負荷線分析を通じて判定され得、すなわち、電荷状態３０５－ｃ及び３１０－ｃは、デジット線の静電容量に関して定義され得る。結果として、コンデンサの電圧、電圧３５０又は電圧３５５は、異なり得、コンデンサの最初の状態に依存し得る。
デジット線電圧をリファレンス電圧と比較することによって、コンデンサの最初の状態が判定され得る。デジット線電圧は、電圧３３５と、コンデンサに渡る最終電圧、電圧３５０又は電圧３５５との差、すなわち、（電圧３３５ － 電圧３５０）又は（電圧３３５ － 電圧３５５）であり得る。蓄積された論理状態を判定するために、すなわち、デジット線電圧がリファレンス電圧よりも高いか、それとも低いかを判定するために、リファレンス電圧は、その大きさが２つの可能なデジット線電圧の２つの可能な電圧間にあるように生成され得る。例えば、リファレンス電圧は、２つの量、（電圧３３５ － 電圧３５０）及び（電圧３３５ － 電圧３５５）の平均であってもよい。センスコンポーネントにより比較されると、センシングされたデジット線電圧は、リファレンス電圧よりも高い又は低いと判定され得、強誘電体メモリセルの蓄積された論理値（すなわち、論理０又は１）が判定され得る。
上で論じたように、強誘電体コンデンサを使用しないメモリセルの読み出しは、蓄積された論理状態を劣化又は破壊し得る。強誘電体メモリセルは、しかしながら、読み出し動作後に最初の論理状態を維持し得る。例えば、電荷状態３０５－ｂが蓄積された場合、電荷状態は、読み出し動作中、電荷状態３０５－ｃへの経路３４０に従い得、電圧３３５を除去した後、電荷状態は、反対方向に経路３４０に従うことによって最初の電荷状態３０５－ｂに戻り得る。
図４は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持する２段強誘電体メモリアレイ４００の例示的な断面図を説明する。アレイ４００の断面図は、図１を参照しながら説明したような、デジット線１１５の方向に沿った一連の２段強誘電体メモリセル１４５（例えば、図４には４つの２段強誘電体メモリセルが描写されている）の断面とみなされ得る。断面図は、アクセス線及び強誘電体メモリセル等の、ＣｕＡの上方のコンポーネントのみを説明するが、ＣｕＡは、説明されるコンポーネントの下にあり得ると当業者は評価するであろう。異なる段と関連付けられたデジット線は、断面図では、異なる高さで位置付けられるように説明されている。各強誘電体メモリセル４０５は、３つのノードを有するメモリセルとして説明され得、各ノードは、デジット線４１５、プレート線４１０、及びワード線１１０に接続される。デジット線及びプレート線は、図１及び図２を参照しながら説明したようなデジット線１１５及びプレート線２１０の例示であり得る。ワード線１１０は、デジット線の方向に実質的に直交する方向に拡張すると評価すべきである。プレート線は、デジット線の方向と同じ方向に拡張する。幾つかの場合、効果的なレイアウトを実現するために、又はプロセスの制限に起因して、アクセス線は、設計によっては直線でなくてもよい。そのようなものだとして、ワード線１１０は、デジット線の方向に正確に直交する方向に拡張しなくてもよい。
強誘電体メモリセル４０５は、デジット線とプレート線との間の空間内に形成され得る。強誘電体メモリセルは、図２を参照しながら説明したような強誘電体コンデンサ２０５及び選択デバイス２２０を更に含む。強誘電体コンデンサは、強誘電体コンテナと称され得る。選択デバイス２２０はトランジスタ（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））であり得、該トランジスタのゲートはワード線１１０に接続され得る。強誘電体メモリセルは、強誘電体メモリのアレイを形成するように繰り返され得る。図４の断面図は、グローバルプレート線４１０ｂが連続的であり得、ローカルプレート線４１０－ａよりも長くてもよいことを表すと評価すべきである。
３次元アレイの第１及び第２の段は、図４及び図９～図１２に説明するように、メモリセルの視点からは実質的に同じであり得ると評価すべきである。言い換えれば、幾つかの例では、各段のメモリセルは、同じ製作プロセスモジュール、例えば、図４及び図９～図１１に描写するようにワード線及びその次に強誘電体コンデンサ、又は図１２に描写するようにその逆を複製することによって組み立てられる。したがって、多段メモリアーキテ
クチャ内の各段は、同じ方向に方向付けられた強誘電体コンデンサを用いて組み立てられ得る。製造の視点からの製作プロセスの検討は、強誘電体コンデンサの具体的な方向付けを決定し得る。
図５は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するＯＰＶスキーム５００の例示的なトップダウン図又は平面図を説明する。ビア構造はコンタクト構造と称され得る。従来の構成を有するビア５０５－ａの構造は、線構造の上に着地するビア構造を示す。ビア構造及び線構造の両方が、所定のテクノロジーノードの最小機構サイズＦでパターニングされる場合、両構造に対して２Ｆの最小ピッチが維持される。しかしながら、線構造がピッチマルチプリケーション技術、例えば、自己整合型ダブルパターニング（ＳＡＤＰ）技術を使用してパターニングされる場合、線構造の最小機構サイズは、元の最小機構サイズの半分、すなわち、１／２ Ｆに削減され得る。結果として、ビア構造が２Ｆの最小ピッチを有する一方で、線構造は、Ｆの新たな最小ピッチを有する。
異なる構成を有するＯＰＶ５０５－ｂの構造は、ビア構造と線構造との間の最小ピッチの不釣り合いを解決するために利用され得る。ＯＰＶ５０５－ｂの構造は、各線構造がそれと関連付けられたビア構造を有するように組み立てられつつ、行われるビア構造のパターニングが所定のテクノロジーノードの最小ピッチ要件を充足することを可能にする。或いは、ＯＰＶ５０５－ｃの構造が利用され得る。ＯＰＶ５０５－ｃの構造は、支持回路コンポーネント（例えば、デコーダ）の２つの別個のグループをアクセス線の２つのグループ、例えば、偶数アドレスと奇数アドレスとを有するアクセス線と接続するために使用され得る。
図６は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの強誘電体メモリアレイアーキテクチャ６００の例示的な概略図を説明する。図６に描写するように、メモリアレイ６６０は、メモリタイル６５５のアレイを含み得る。各メモリタイルは、それらの繰り返しの配置が図７を参照しながら以下で説明するような連続的なメモリアレイを組み立てるように、同様の構成を有し得る。メモリアレイ６６０は、１つ以上の回路コンポーネント（例えば、プレート線デコーダ６５０）が配置され得る制御回路部分６７０に隣接し得る。図６は、メモリデバイスの一部のトップダウン図を説明し、それは、明確にするために、メモリタイルと、プレート線デコーダを含む制御回路部分と、僅かなプレート線との全体的なレイアウトを単に説明する。
幾つかの場合、各メモリタイルは、図１及び図４を参照しながら説明したような強誘電体メモリアレイの２段と、１つ以上のデコーダ（例えば、ワード線デコーダ、デジット線デコーダ）が配置され得る、該メモリアレイの下にある支持回路（例えば、ＣｕＡ）とを含み得る。また、各メモリタイルは、メモリセルと関連付けられたアクセス線を含み得る。幾つかの例では、メモリタイルは、メモリアレイの２段の内に約４００万個の強誘電体メモリセルを含み得、それは、更に、タイル内の２０４８個のワード線、２０４８個のデジット線、及び２０４８個のプレート線に言い換えられ得る。メモリタイル及びメモリアレイの実際のサイズは、性能及び容量の仕様により決定される様々な要件に依存し得る。図６の例示的な概略図に描写するように、説明目的のために、下段に対する２つのプレー
ト線と、上段に対する２つのプレート線とのみがメモリタイル毎に図示されている。グローバルプレート線６１０－ｂは、図４を参照しながら説明したようなプレート線４１０－ｂの例示であり得る。ローカルプレート線６１０－ａは、図４を参照しながら説明したようなプレート線４１０－ａの例示であり得る。各メモリタイルは、メモリアレイの下にあるＣｕＡ内にワード線デコーダ及びデジット線デコーダを含み得るので、ワード線及びデジット線を介したメモリタイル６５５－ａのメモリセルへのアクセスは、メモリタイル６５５－ａのワード線デコーダ及びデジット線デコーダ、又は隣接するメモリタイル６５５－ｂ内に存在するデコーダによって実現され得る。しかしながら、メモリタイルの組み立てにおいて不合理な複雑性、又は不要なＣｕＡ領域、それ故メモリタイル領域の増加を避けるために、プレート線デコーダ６５０は制御回路部分内に配置され得るので、プレート線を介したメモリセルへのアクセスは、制御回路部分６７０から外部にルーティングされる必要があり得る。
図６の例示的な概略図に描写したように、プレート線デコーダは２つのグループにグループ化され得る。プレート線デコーダ６５０－ａの一方のグループは、メモリセルの偶数の番号が付されたプレート線アドレスと関連付けられ得、制御回路部分６７０－ａ内に配置され得る。プレート線デコーダ６５０－ｂの他方のグループは、メモリセルの奇数の番号が付されたプレート線アドレスと関連付けられ得、制御回路部分６７０－ｂ内に配置され得る。プレート線デコーダは、“グローバル”プレート線と称され得る、上段内のメモリセルのプレート線と関連付けられ得る。グローバルプレート線６１０－ｂは、それらに接続された多数のメモリタイルに渡る“グローバル”アクセスを提供する２つ以上のメモリタイルに渡って拡張する。幾つかの場合、グローバルプレート線は、多段メモリデバイスの最上部のプレート線であり得る。その他の構成が可能であり、例えば、プレート線デコーダは、ＣｕＡ内に少なくとも部分的に実装され得、及び／又はそれらは、隣接するメモリアレイ間で共有され得る。
プレート線デコーダ６５０とグローバルプレート線６１０－ｂとの間の接続は、ビア構造（例えば、ＯＰＶ）と線構造（例えば、グローバルプレート線）との間の最小ピッチの差を調整するために、図５を参照しながら説明したようなＯＰＶ５０５－ｃによって実現され得る。ＯＰＶ５０５－ｃがグローバルプレート線への接続をなす領域は、図６に領域６８０として示されている。領域６８０の断面の例は、ＯＰＶ１１８０がグローバルプレート線を制御回路部分内のプレート線デコーダに接続する図１１において見つけられ得る。また、図６に概略的に描写するように、単一のグローバルプレート線６１０－ｂは、下段内のメモリセルの多数のローカルプレート線６１０－ａに接続し得る。ローカルプレート線６１０－ａは、メモリタイルを越えて拡張しなくてもよいので、下段のメモリセルと関連付けられたプレート線６１０－ａは、“グローバル”プレート線と対比して“ローカル”プレート線と称され得る。ローカルプレート線６１０－ａは、図４を参照しながら説明したようなプレート線４１０－ａの一例であり得る。グローバルプレート線６１０－ｂとローカルプレート線６１０－ａとの接続は、ビア構造と線構造との間の最小ピッチの差を調整するために、図５を参照しながら説明したようなＯＰＶ５０５－ｂによって実現され得る。（図６のトップダウン図には横側の機構として図示されているが）ＯＰＶ５０５－ｂは、その組み立てにおいて基板層に関して垂直な機構であると評価すべきである。言い換えれば、ＯＰＶ５０５－ｂは、図４及び図９～図１２の様々な断面図で説明したように、相互に重ねられて空間的に位置付けられたローカルプレート線６１０－ａとグローバルプレート線６１０－ｂとを接続する。メモリタイルの構成の更なる詳細は図７及び図８で説明される。
図７は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのメモリタイルの構成７００の一例を説明する。図７は、明確目的のために、メモリタイルの基板層内のコンポーネントの内の幾つかのみを説明する。メモリタイル７５５は、支持回路コンポーネント、例えば、ワード線デコーダ及びデジット線デコーダをＣｕＡの一部として含み得る。幾つかの例では、ＣｕＡは、プレート線デコーダ、センスアンプ等の付加的なコンポーネントを含み得る。メモリタイル内の支持回路コンポーネントは、水平及び垂直の両方向におけるメモリタイルの繰り返しの配置が全体として支持回路コンポーネントの一様なパターンを組み立てることが可能であるような方法で配置される必要がある。例として、図７は、タイル７５５の例示的な３×３
の繰り返し７６０を説明する。多数のより小さなその構成要素を使用することによって大きなキルトをステッチするプロセスの類似性に照らしてキルトアーキテクチャとも称される、メモリタイルのこの構成は、その構成要素を繰り返すことによりキルトを構築するのと同じようにメモリタイルを単純に繰り返すことによって、自由自在なメモリアレイサイズの組み立てを可能にする。デコーダ、及びそれ故ＣｕＡのコンポーネントの周期的なパターンは、水平及び垂直の両方向においてメモリタイルを繰り返すことによって出現すると評価すべきである。例えば、ワード線デコーダ、デジット線１デコーダ、及びデジット線２デコーダを含む交互のパターンが水平及び垂直の両方向において出現し得る。
図８は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのメモリタイルの構成８００の一例を説明する。図８は、明確目的のために、幾つかのアクセス線に加えて、メモリタイルの基板層内の幾つかのコンポーネントのみを説明する。図４及び図９～図１２の断面図に示したように、デジット線及びプレート線は、相互に重ねられて空間的に配置され得、一方向に拡張する。同時に、上段のメモリセルと関連付けられたワード線は、下段のメモリセルと関連付けられたワード線と重ねられて空間的に配置される一方、ワード線は、デジット線及びプレート線に関して実質的に直交する方向に拡張し得る。したがって、全てのアクセス線を２次元の図に表すトップダウン図は、不合理に複雑になり得る。幾つかの場合、効果的なレイアウトを実現するために、又はプロセスの制限に起因して、アクセス線は設計によっては直線でなくてもよい。そのようなものだとして、ワード線は、デジット線の方向に正確に直交する方向に拡張しなくてもよい。
明確にするために、図８には、２つのメモリタイル８５５－ａ及び８５５－ｂのみが示されている。メモリタイル８５５は、図６及び図７を参照しながら説明したようなメモリタイル６５５及び７５５の例示であり得る。図８には、メモリタイルのワード線が該メモリタイル内に設置されたメモリセル、又は隣接するメモリタイル内に設置されたメモリセルと関連付けられ得るように、メモリタイルの境界線を越えてワード線が拡張し得ることを説明するために、僅かなワード線１１０のみが図示されている。同様に、メモリタイルのデジット線が該メモリタイル内に設置されたメモリセル、又は隣接するメモリタイル内のメモリセルと関連付けられ得るように、メモリタイルの境界線を越えてデジット線が拡張し得ることを説明するために、僅かなデジット線８１５のみが図示されている。デジット線８１５－ａは、図４を参照しながら説明したようなデジット線４１５－ａの一例であり得、デジット線８１５－ｂはデジット線４１５－ｂの一例であり得る。コンタクト９９０、９９５の機構は、図９～図１１で以下で説明するようなＣｕＡ内のデジット線とデジット線デコーダとの間を接続するコンタクトの例示であり得る。ワード線を対応するワード線デコーダに接続する同様のコンタクト９９６の機構も示されている。
図８はまた、グローバルプレート線８１０－ｂと、メモリタイル８５５－ａ及び８５５－ｂ毎のローカルプレート線８１０－ａ（夫々、８１０－ａ１及び８１０－ａ２）とを説明する。グローバルプレート線８１０－ｂは、図４及び図６を参照しながら説明したようなグローバルプレート線４１０－ｂ及び６１０－ｂの一例であり得る。ローカルプレート線８１０－ａは、図４及び図６を参照しながら説明したようなローカルプレート線４１０－ａ及び６１０－ａの例示であり得る。グローバルプレート線８１０－ｂは、途切れることなく多数のメモリタイルに渡って拡張し得る一方、ローカルプレート線８１０－ａはメモリタイルの境界線を越えて拡張しなくてもよい。ＯＰＶ５０５－ｂは、メモリアレイの下段内のメモリセルへのアクセスを提供するためにメモリタイル内に閉じ込められたローカルプレート線８１０－ａ１及び８１０－ａ２にグローバルプレート線８１０－ｂを接続し得る。したがって、ローカルプレート線８１０－ａ１及び８１０－ａ２に接続されたグローバルプレート線８１０－ｂは、メモリアレイの下段内のメモリセルへのアクセスを提供する。上段及び下段の両方内のメモリセルにアクセスするために、プレート線デコーダ
がメモリタイルのＣｕＡ内のワード線デコーダ及びデジット線デコーダと連携することを可能にするように、グローバルプレート線は、制御回路部分内に配置されたプレート線デコーダと関連付けられ得る。（図８のトップダウン図には横側の機構として図示されているが）ＯＰＶ５０５－ｂは、その物理的組み立てにおいて、基板層に関して垂直な機構であると評価すべきである。言い換えれば、ＯＰＶ５０５－ｂは、図４及び図９～図１２の様々な断面図で説明したように、相互に重ねられて空間的に位置付けられたローカルプレート線８１０－ａとグローバルプレート線８１０－ｂとを接続する。
図９は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの２段強誘電体メモリセル９００の例示的な断面図を説明する。該断面図は、僅かな強誘電体メモリセル９０５と、それらと関連付けられたワード線１１０とに加えて、明確のために、基板層内の選択されたコンポーネントとアクセス線とを説明する。プレート線とデジット線との間の空間は、強誘電体メモリセル９０５のアレイが形成されるが、明確のために、それらの内の４つのみが説明されている。下段のデジット線デコーダ９８５及び上段のデジット線デコーダ９８０は、基板層内のＣｕＡの一部として説明されている。ＣｕＡ内のデコーダは、ＣＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を使用して典型的には構築されるので、デコーダ回路を表すためにＦＥＴの象徴的な断面（例えば、ゲート、ソース若しくはドレイン、及びコンタクトの構造）が説明されている。ワード線デコーダ、センスアンプ等の基板層内のその他のＣｕＡのコンポーネント（図示せず）があり得る。幾つかの場合、プレート線デコーダは、メモリタイルのＣｕＡ内に含まれ得る。コンタクト９９５は、下段のデジット線デコーダ９８５を下段のデジット線９１５－ａに接続し得る。下段のデジット線９１５－ａは、図４及び図８を参照しながら説明したような下段のデジット線４１５－ａ及び８１５－ａの例示であり得る。また、コンタクト９９０は、上段のデジット線デコーダ９８０を上段のデジット線９１５－ｂに接続し得る。上段のデジット線９１５－ｂは、図４及び図８を参照しながら説明したような上段のデジット線４１５－ｂ及び８１５－ｂの例示であり得る。コンタクト９９０は、単一のコンタクト又は積み重ねられたコンタクトであり得る。幾つかの場合、メモリタイルのＣｕＡ内のワード線デコーダ（図示せず）は、該ワード線デコーダがワード線１１０と関連付けられ得るように、ビア又はコンタクトの構成を通じてワード線１１０に接続し得る。幾つかの場合、上段及び下段の両方内のメモリセルの両ワード線にワード線デコーダが同時にアクセスし得るように、両段に対するワード線は接続され得る。
図９はまた、下段及び上段の両方内のセルへのアクセスをグローバルプレート線９１０－ｂが提供し得ることを説明する。グローバルプレート線９１０－ｂは、図４、図６、及び図８を参照しながら説明したようなグローバルプレート線４１０－ｂ、６１０－ｂ、及び８１０－ｂの一例であり得る。グローバルプレート線９１０－ｂは、図６及び図１１で説明するような制御回路部分内のプレート線デコーダと関連付けられ得る。グローバルプレート線９１０－ｂは、ＯＰＶ５０５－ｂを通じてローカルプレート線９１０－ａに接続し得る。メモリタイルのＣｕＡ内のその他のデコーダ（例えば、デジット線デコーダ及びワード線デコーダ）は、メモリの上段及び下段内のメモリセルに対するデジット線及びワード線への“ボトムアップ”接続を提供する一方、制御回路部分内のプレート線デコーダと関連付けられたグローバルプレート線は、メモリの上段及び下段内のメモリセルのプレート線への“トップダウン”接続を提供し得ると評価すべきである。したがって、上で説明した“トップダウン”接続と“ボトムアップ”接続との連携は、過度な数のＣｕＡのコンポーネントを含めようと、メモリタイルのＣｕＡ領域の不要な増加を招く必要なく、多段メモリの構成内のメモリセルへの全ての必要なアクセス線を提供する。幾つかの場合、ワード線デコーダ又はデジット線デコーダは、プレート線デコーダの代わりに、制御回路部分内に配置され得る。幾つかの場合、様々なメモリ技術の異なる機構及び要件に依存して、より効果的なメモリタイルの構成をこうした配置が提供し得る場合には、２つ以上のＣｕＡのコンポーネントが制御回路部分内に配置され得る。
図９に描写した様々なアクセス線、コンタクト、及びＯＰＶの全体的な構成は、該構成の物理的形状を指し得る、垂直に交互配置された“Ｔ”及び“逆Ｔ”の電気経路の形成として説明され得る。例えば、ローカルプレート線９１０－ａに接続されたＯＰＶ５０５－ｂは、“逆Ｔ”の構成とみなされる一方、上段のデジット線９１５－ｂに接続されたコンタクト９９０は、“Ｔ”の構成とみなされ得る。例として、“逆Ｔ”の構成は、上部の信号源（例えば、制御回路部分内のプレート線デコーダにより駆動されたグローバルプレート線９１０－ｂ）から下段のアクセス線へ第２の信号を移動させる一方、“Ｔ”の構成は、下部の信号源（例えば、ＣｕＡ内の上段のデジット線デコーダ９８０）から上段のアクセス線へ第１の信号を移動させる。コンタクト及びＯＰＶが適切な接続、例えば、上段のデジット線９１５－ｂへのコンタクト９９０と、ローカルプレート線９１０－ａへのＯＰＶ５０５－ｂとをなすことを可能にするように、デジット線９１５とローカルプレート線９１０－ａとは交互配置され得ると評価すべきである。基板から異なる高さで位置付けられたデジット線とプレート線とは、相互に平行して伸びてもよく、トップダウンの視点からは、実質的に重なり合ってもよい。幾つかの場合、デジット線の一部はプレート線の一部の上にある。
図１０は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの２段強誘電体メモリセル１０００の例示的な断面図を説明する。断面の全体的な構成は図９と同じである。しかしながら、図１０は、メモリアレイの下段内のメモリセルに選択的にアクセスする観点で別の自由度を提供するように、グローバルプレート線９１０－ｂとローカルプレート線９１０－ａとの間を接続するＯＰＶが選択デバイス１０２０を含み得ることを説明する。選択デバイスはＴＦＴであり得る。幾つかの例（図示せず）では、選択デバイス１０２０は、ワード線１１０と同じ高さであり得、ワード線１１０と同時に形成され得る。グローバルプレート線９１０－ｂとローカルプレート線９１０－ａとの選択的な接続におけるＴＦＴの制御を提供するために、ＯＰＶ内のＴＦＴのゲートに付加的なアクセス線（例えば、ＯＰＶアクセス線）が結合され得る。ＯＰＶアクセス線と関連付けられた付加的なデコーダ（例えば、ＯＰＶアクセス線デコーダ、図示せず）は、ＣｕＡの一部として、又は制御回路部分内に配置される必要があり得る。
図１１は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの２段強誘電体メモリセル１１００の例示的な断面図を説明する。断面の全体的な構成は図９と同じである。図１１は、メモリタイルのＣｕＡ内に配置されたプレート線デコーダを有する必要なく、下段及び上段の両方のメモリセルへのアクセスを提供するために、制御回路部分内に配置されたプレート線デコーダ１１５０がグローバルプレート線９１０－ｂと関連付けられ得ることを説明する。プレート線デコーダ１１５０は、図６を参照しながら説明したような制御回路部分６７０内に配置されたプレート線デコーダ６５０の例示であり得る。ＯＰＶ１１８０は、グローバルプレート線９１０－ｂとプレート線デコーダ１１５０とを接続し得る。ＯＰＶ１１８０は、図５を参照しながら説明したようなＯＰＶ５０５－ｃの例示であり得る。ＯＰＶ１１８０は、単一のビア又は積み重ねられたビアであり得る。メモリセルは、制御回路部分の上方には不存在であり、プレート線デコーダ１１５０はメモリタイルのＣｕＡの一部でなくてもよいと評価すべきである。奇数の番号が付されたアドレスを有するメモリセルと関連付けられたグローバルプレート線がすぐ隣に配置され得る（図示せず）一方で、グローバルプレート線９１０－ｂは、偶数の番号が付されたアドレスを有するメモリセルと関連付けられ得る。メモリタイルのＣｕＡと制御回路部分との境界線は、図１１に示すように正確でなくてもよい。幾つかの例では、境界線は、メモリタイルのＣｕＡ内のデコーダの端と実質的に整列され得、メモリセルのアレイは、デコーダのフットプリント内にあり得る。その他の例では、境界線は、メモリセルのアレイの端と実質的に整列され得、ＣｕＡ内のデコー
ダは、メモリセルのアレイのフットプリント内にあり得る。
幾つかの場合、電子メモリデバイスと称され得るメモリデバイスは、クロスポイントアーキテクチャで構成されたメモリセルの第１のアレイであって、第１のアレイは複数の区域を含み、第１のアレイの各セルは、第１の方向に方向付けられたアクセス線及び第１の方向に実質的に直交し得る第２の方向に方向付けられたアクセス線と結合された強誘電体メモリセルを含み、第１のプレート線は、第１の方向に方向付けられ、第１のアレイの２つ以上の区域内の強誘電体メモリセルと結合される、該第１のアレイと、クロスポイントアーキテクチャで構成されたメモリセルの第２のアレイであって、第２のアレイは複数の区域を含み、第１のアレイは第２のアレイの上にあり、第２のアレイの各セルは、第１の方向に方向付けられたアクセス線及び第２の方向に方向付けられたアクセス線と結合された強誘電体メモリセルを含み、複数の第２のプレート線は第１の方向に方向付けられ、複数の第２のプレート線の各々は、第１のプレート線と、第２のアレイの区域の強誘電体メモリセルとに結合される、該第２のアレイと、第１のアレイ及び第２のアレイと結合された支持回路とを含み得る。幾つかの場合、第１の方向に方向付けられたアクセス線の一部はプレート線の一部の上にあり得、メモリセルの第１のアレイ内の第１の方向に方向付けられたアクセス線は、メモリセルの第１のアレイ内の第１の方向に方向付けられたアクセス線の下方の第１の電気接続に結合され得、第１の方向に方向付けられた複数の第２のプレート線は、該複数の第２のプレート線の上方の第２の電気接続に結合され得る。幾つかの場合、デバイスは、ＯＰＶを通じて第１のプレート線と、該第１のプレート線を介して複数の第２のプレート線とに結合されたプレート線デコーダを含む制御回路部分を含み得る。
幾つかの場合、支持回路は、第１のアレイの強誘電体メモリセルと結合され得る第１の方向に方向付けられたアクセス線と結合された第１のデジット線デコーダと、第２のアレイの強誘電体メモリセルと結合され得る第１の方向に方向付けられたアクセス線と結合された第２のデジット線デコーダと、第１のアレイの強誘電体メモリセルと結合され得る第
２の方向に方向付けられたアクセス線、及び第２のアレイの強誘電体メモリセルと結合され得る第２の方向に方向付けられたアクセス線の両方と結合されたワード線デコーダとを含み得る。幾つかの場合、第１のプレート線は、ＯＰＶを通じて複数の第２のプレート線の各々と結合され得る。幾つかの場合、ＯＰＶは、（複数の）デジット線デコーダが分断された位置に設置され得る。幾つかの場合、ＯＰＶの内の１つ以上は、第１のプレート線と複数の内の第２のプレート線との間に選択デバイスを含み得る。幾つかの場合、複数の付加的なアクセス線は、１つ以上のＯＰＶの選択デバイスと各々結合される。幾つかの場合、デバイスは、第１の方向に方向付けられ、第１のアレイの２つ以上の区域内の他の強誘電体メモリセルと結合された第３のプレート線と、第１の方向に方向付けられた複数の第４のプレート線であって、複数の第４のプレート線の各々は、第３のプレート線、及び第２のアレイの区域の他の強誘電体メモリセルと結合された、該複数の第４のプレート線とを含み得る。
幾つかの場合、第１のプレート線及び複数の第２のプレート線は、偶数の番号が付されたアドレスを有するセルと関連付けられ、第３のプレート線及び複数の第４のプレート線は、奇数の番号が付されたアドレスを有するセルと関連付けられる。幾つかの場合、第３のプレート線は、ＯＰＶを通じて複数の第４のプレート線の各々と結合され得る。幾つかの場合、第１のアレイ及び第２のアレイは支持回路の上にある。
幾つかの場合、電子メモリデバイスと称され得るメモリデバイスは、強誘電体メモリセルの第２の３次元アレイの上にある強誘電体メモリセルの第１の３次元アレイであって、各メモリセルは、強誘電体コンテナ及び選択デバイスを有する、該第１の３次元アレイと、第１の３次元アレイの強誘電体メモリセルと結合された第１のプレート線、及び第２の
３次元アレイの強誘電体メモリセルと結合された第２のプレート線と、第１の３次元アレイ及び第２の３次元アレイの下にある支持回路であって、下にある該支持回路は、第１の３次元アレイ及び第２の３次元アレイ内のメモリセルに別個にアクセスするように構成されたワード線と結合された複数のワード線デコーダ、第１の３次元アレイ及び第２の３次元アレイ内のメモリセルに別個にアクセスするように構成されたデジット線と結合された複数のデジット線デコーダ、又は複数のプレート線デコーダの内の少なくとも１つを含み、該複数の内の少なくとも１つのプレート線デコーダは、第１のプレート線又は第２のプレート線と結合され得る、該支持回路と、支持回路に隣接し得る制御回路部分とを含み得る。幾つかの場合、第１のプレート線はグローバルプレート線であり得、第２のプレート線はローカルプレート線であり得る。
幾つかの場合、第１の３次元アレイの強誘電体コンテナの内の１つ以上は第１のプレート線と結合され、第２の３次元アレイの強誘電体コンテナの内の１つ以上は第２のプレート線と結合され、第１のプレート線及び第２のプレート線は相互に結合される。幾つかの場合、各セルの選択デバイスは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含み、各ＴＦＴのゲート端子は、ワード線の内の１つと結合され得、各ＴＦＴのドレイン端子は、デジット線の内の１つと結合され得る。幾つかの場合、制御回路部分は複数のワード線デコーダを含む。幾つかの場合、制御回路部分は複数のデジット線デコーダを含む。幾つかの場合、制御回路部分は複数のプレート線デコーダを含む。
図１２は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスの２段強誘電体メモリセル１２００の例示的な断面図を説明する。図１２は、図９～図１１に示したメモリセルの構成と比較して、逆さまに逆にされたメモリセルの構成を有する代替的な多段メモリアーキテクチャの一例であり得る。同時に、プレート線は、図９～図１１に示したアーキテクチャと比較した視点では、グローバルプレート線、すなわち最上部のプレート線から１レベルより深く埋設される。それにもかかわらず、制御回路部分内に配置されたプレート線デコーダは、プレート線及びＯＰＶのもう１つのセットを追加することによって、上段及び下段の両方のメモリセルと関連付けられたプレート線へのアクセスを依然として提供し得る。例として、グローバルプレート線１２１０－ｃは、ＯＰＶ５０５－ｂ１を通じて上段のプレート線１２０１－ｂに接続し、続いて、上段のプレート線１２１０－ｂは、ＯＰＶ５０５－ｂ２の別のセットを通じて下段のプレート線に接続する。この構成は、プレート線及びＯＰＶの多数のセットを通じた制御回路部分内のプレート線デコーダに対する“トップダウン”アクセススキームを完成させる。“ボトムアップ”アクセススキームに関しては、デジット線デコーダ９８０及び９８５は、コンタクト９９０及び９９５を通じてデジット線９１５－ｂ及び９１５－ａへのアクセスを提供し得る。ワード線デコーダ等のその他のＣｕＡのコンポーネントは、上段及び下段の両方のワード線１１０へのアクセスを提供し得る（図示せず）。垂直に交互配置された“Ｔ”及び“逆Ｔ”の電気経路の形成は、図１２に描写するように達成されると評価すべきである。例えば、ローカルプレート線１２１０－ｂに接続されたＯＰＶ５０５－ｂ１と、ローカルプレート線１２１０－ａに接続されたＯＰＶ５０５－ｂ２とは“逆Ｔ”の構成とみなされ得る一方、上段のデジット線９１５－ｂに接続されたコンタクト９９０は“Ｔ”の構成とみなされ得る。また、コンタクト及びＯＰＶが適切な接続をなすことを可能にするように、デジット線９１５とローカルプレート線１２１０とは交互配置される。
幾つかの場合、電子メモリデバイスと称され得るメモリデバイスは、クロスポイントアーキテクチャで構成されたメモリセルの第１のアレイであって、第１のアレイは複数の区域を含み、第１のアレイの各セルは、第１の方向に方向付けられたアクセス線及び第１の方向に実質的に直交し得る第２の方向に方向付けられたアクセス線と結合された強誘電体メモリセル含む、該第１のアレイと、クロスポイントアーキテクチャで構成されたメモリ
セルの第２のアレイであって、第２のアレイは複数の区域を含み、第１のアレイは第２のアレイの上にあり、第２のアレイの各セルは、第１の方向に方向付けられたアクセス線及び第２の方向に方向付けられたアクセス線と結合された強誘電体メモリセルを含む、該第２のアレイと、第１の方向に方向付けられ、第１のアレイの区域の強誘電体メモリセルと結合された複数の第１のプレート線と、第１の方向に方向付けられた複数の第２のプレート線であって、複数の第２プレート線の各々は、第１のプレート線と、第２のアレイの区域の強誘電体メモリセルとに結合される、該複数の第２のプレート線と、第１の方向に方向付けられ、第１のアレイ又は第２のアレイの２つ以上の区域に及ぶ第３のプレート線であって、第３のプレート線は第１の複数の内のプレート線と結合される、該第３のプレート線とを含み得る。
幾つかの場合、複数の第１のプレート線の内の第１のプレート線は、第１のＯＰＶを通じて第３のプレート線と結合され得る。幾つかの場合、複数の第１のプレート線の内の該第１のプレート線は、第２のＯＰＶを通じて複数の第２のプレート線の内の第２のプレート線と結合され得る。幾つかの場合、第１のＯＰＶは、第１の方向に方向付けられた第１のアレイのアクセス線の不連続を含む第１のアレイの部分内に配置され得、第２のＯＰＶは、第１の方向に方向付けられた第２のアレイのアクセス線の不連続を含む第２のアレイの部分内に配置され得る。
図１３は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのメモリアレイ１００－ａのブロック図１３００を示す。メモリアレイ１００－ａは、電子メモリ装置と称され得、図１を参照しながら説明したメモリコントローラ１４０及びメモリセル１０５の例示であり得るメモリコントローラ１４０－ａ及びメモリセル１０５－ｂを含む。メモリコントローラ１４０－ａは、バイアスコンポーネント１３１０及びタイミングコンポーネント１３１５を含み得、図１を参照しながら説明したようにメモリアレイ１００－ａを動作し得る。メモリコントローラ１４０－ａは、図１及び図２を参照しながら説明したワード線１１０、デジット線１１５、プレート線２１０、及びセンスコンポーネント１２５の例示であり得るワード線１１０－ｂ、デジット線１１５－ｂ、プレート線２１０－ａ、及びセンスコンポーネント１２５－ｂと電子通信し得る。メモリアレイ１００－ａはリファレンスコンポーネント１３２０及びラッチ１３２５をも含み得る。メモリアレイ１００－ａのコンポーネントは、相互に電子通信し得、図１～図３を参照しながら説明した機能を実施し得る。幾つかの場合、リファレンスコンポーネント１３２０、センスコンポーネント１２５－ｂ、及びラッチ１３２５はメモリコントローラ１４０－ａのコンポーネントであり得る。
メモリコントローラ１４０－ａは、ワード線１１０－ｂ、プレート線２１０－ａ、又はデジット線１１５－ｂを、それらの様々なノードに電圧を印加することによって活性化するように構成され得る。例えば、バイアスコンポーネント１３１０は、上で説明したようにメモリセル１０５－ｂを読み出す又は書き込むために、メモリセル１０５－ｂを動作させるための電圧を印加するように構成され得る。幾つかの場合、メモリコントローラ１４０－ａは、図１を参照しながら説明したように、行デコーダ、列デコーダ、又はそれら両方を含み得る。このことは、メモリコントローラ１４０－ａが１つ以上のメモリセル１０５にアクセスすることを可能にし得る。バイアスコンポーネント１３１０はまた、センスコンポーネント１２５－ｂに対するリファレンス信号を生成するための電位をリファレンスコンポーネント１３２０に提供し得る。また、バイアスコンポーネント１３１０は、センスコンポーネント１２５－ｂの動作のための電位を提供し得る。
幾つかの場合、メモリコントローラ１４０－ａは、その動作をタイミングコンポーネント１３１５を使用して実施し得る。例えば、タイミングコンポーネント１３１５は、本明細書で論じた、読み出し及び書き込み等のメモリ機能を実施するためのスイッチング及び
電圧印加に対するタイミングを含む、様々なワード線選択又はプレート線バイアスのタイミングを制御し得る。幾つかの場合、タイミングコンポーネント１３１５はバイアスコンポーネント１３１０の動作を制御し得る。
リファレンスコンポーネント１３２０は、センスコンポーネント１２５－ｂに対するリファレンス信号を生成するための様々なコンポーネントを含み得る。リファレンスコンポーネント１３２０は、リファレンス信号を生み出すように構成された回路を含み得る。幾つかの場合、リファレンスコンポーネント１３２０は、他の強誘電体メモリセル１０５を含み得る。幾つかの例では、リファレンスコンポーネント１３２０は、図３を参照しながら説明したように、２つのセンス電圧の間の値を有する電圧を出力するように構成され得る。又は、リファレンスコンポーネント１３２０は、仮想接地の電圧（すなわち、約０Ｖ）を出力するように設計され得る。
センスコンポーネント１２５－ｂは、（デジット線１１５－ｂを通じた）メモリセル１０５－ｂからの信号を、リファレンスコンポーネント１３２０からのリファレンス信号と比較し得る。論理状態を判定すると、センスコンポーネントは、該出力をラッチ１３２５内にその後蓄積し得、該出力は、メモリアレイ１００－ａが一部である電子デバイスの動作に従って使用され得る。
幾つかの場合、電子メモリデバイスと称され得るメモリデバイスは、強誘電体メモリセルの第２の３次元アレイの上にある強誘電体メモリセルの第１の３次元アレイと、第１の３次元アレイの強誘電体メモリセルと結合された第１のプレート線と、ＯＰＶを通じて第１のプレート線と結合され、第２の３次元アレイの強誘電体メモリセルと結合された第２のプレート線と、第１のプレート線と電子通信するコントローラであって、該コントロー
ラは、強誘電体メモリセルの第１の３次元アレイから第１のセルを識別することと、第１のプレート線を使用して第１の３次元アレイの第１のセル上でアクセス動作を実行することと、強誘電体メモリセルの第２の３次元アレイから第２のセルを識別することと、第１のプレート線及び第２のプレート線を使用して第２の３次元アレイの第２のセル上でアクセス動作を実行することとを動作可能であり得る、該コントローラとを含み得る。
図１４は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのメモリアレイを含むシステム１４００のブロック図を示す。システム１４００はデバイス１４０５を含み得、デバイス１４０５は、例えば、図１及び図１３を参照しながら上で説明したようなメモリコントローラ１４０のコンポーネントの一例であり得、又は該コンポーネントを含み得る。デバイス１４０５は、図１及び図１３を参照しながら説明したメモリアレイ１００の一例であり得るメモリアレイ１００－ｂを含み得る。デバイス１４０５は、プロセッサ１４１０、ＢＩＯＳコンポーネント１４１５、周辺コンポーネント１４２０、アクセス動作マネージャ１４５０、及び入力／出力制御コンポーネント１４２５をも含み得る。デバイス１４０５のコンポーネントは、バス１４３０を通じて相互に電子通信し得る。
プロセッサ１４１０はメモリアレイ１００－ｂを動作するように構成され得る。幾つかの場合、プロセッサ１４１０は、図１及び図１３を参照しながら説明したメモリコントローラ１４０の機能を実施し得る。他の場合、メモリコントローラ１４０は、プロセッサ１４１０に統合され得る。プロセッサ１４１０は、汎用プロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）若しくはその他のプログラム可能論理デバイス、分離したゲート若しくはトランジスタ論理、分離したハードウェアコンポーネントであり得、又はこれらの種類のコンポーネントの組み合わせであり得、プロセッサ１４１０は、多段メモリアレイ
のための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリアレイの動作を含む、本明細書で説明される様々な機能を実施し得る。プロセッサ１４１０は、例えば、様々な機能又はタスクをデバイス１４０５に実施させるために、メモリアレイ１００－ｂ内に蓄積されたコンピュータ可読命令を実行するように構成され得る。
ＢＩＯＳコンポーネント１４１５は、ファームウェアとして動作するベーシックインプット／アウトプットシステム（ＢＩＯＳ）を含むソフトウェアコンポーネントであり得、それは、システム１４００の様々なハードウェアコンポーネントを初期化し得、稼働し得る。ＢＩＯＳコンポーネント１４１５は、プロセッサ１４１０と様々なコンポーネント、例えば、周辺コンポーネント１４２０、入力／出力制御コンポーネント１４２５等との間のデータの流れをも管理し得る。ＢＩＯＳコンポーネント１４１５は、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、又は任意のその他の不揮発性メモリ内に蓄積されたプログラム又はソフトウェアを含み得る。
周辺コンポーネント１４２０は、デバイス１４０５に統合される、任意の入力若しくは出力デバイス、又はそうしたデバイスに対するインタフェースであり得る。例示として、ディスクコントローラ、音声コントローラ、画像コントローラ、イーサネットコントローラ、モデム、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）コントローラ、シリアル若しくはパラレルポート、又はペリフェラルコンポーネントインターコネクト（ＰＣＩ）若しくはアクセラレーテッドグラフィックスポート（ＡＧＰ）スロット等の周辺カードスロットが挙げられ得る。
入力／出力制御コンポーネント１４２５は、プロセッサ１４１０と周辺コンポーネント１４２０、入力デバイス１４３５、又は出力デバイス１４４０との間のデータ通信を管理し得る。入力／出力制御コンポーネント１４２５は、デバイス１４０５内に統合されない周辺装置をも管理し得る。幾つかの場合、入力／出力制御コンポーネント１４２５は、外部周辺装置への物理的接続又はポートを表し得る。
入力デバイス１４３５は、デバイス１４０５又はそのコンポーネントへの入力を提供する、デバイス１４０５の外にあるデバイス又は信号を表し得る。これは、ユーザインタフェース、又はその他のデバイスとのインタフェース若しくはその他のデバイス間のインタフェースを含み得る。幾つかの場合、入力デバイス１４３５は、周辺コンポーネント１４２０を介してデバイス１４０５とインタフェースで連結される周辺装置であり得、又は入力／出力制御コンポーネント１４２５によって管理され得る。
出力デバイス１４４０は、デバイス１４０５又はその何れかのコンポーネントからの出力を受信するように構成された、デバイス１４０５の外にあるデバイス又は信号を表し得る。出力デバイス１４４０の例は、表示装置、音声スピーカ、プリントデバイス、別のプロセッサ、又はプリント回路基板等を含み得る。幾つかの場合、出力デバイス１４４０は、周辺コンポーネント１４２０を介してデバイス１４０５とインタフェースで連結する周辺装置であり得、又は入力／出力制御コンポーネント１４２５によって管理され得る。
デバイス１４０５、メモリコントローラ１４０、及びメモリアレイ１００－ｂのコンポーネントは、それらの機能を実行するように設計された回路で構成され得る。これは、本明細書で説明される機能を実行するように構成された様々な回路要素、例えば、導電線、トランジスタ、コンデンサ、インダクタ、抵抗器、アンプ、又はその他の能動素子若しくは非能動素子を含み得る。
幾つかの例では、メモリアレイ１００－ｂは、強誘電体メモリセルの第１の３次元アレイ及び強誘電体メモリセルの第２の３次元アレイ内の複数のセルからセルを識別するため
の手段であって、第１の３次元アレイは第２の３次元アレイの上にあり、該セルは第２の３次元アレイ内にある、識別するための該手段を含み得る。幾つかの例では、メモリアレイ１００－ｂは、第１のプレート線及び第２のプレート線を介して第２の３次元アレイのセルにアクセスするための手段を含み得、第１のプレート線は、ＯＰＶを通じて第２のプレート線と結合され、第２のプレート線は該セルと結合される。
幾つかの例では、メモリアレイ１００－ｂは、第１の３次元アレイ及び第２の３次元アレイ内のメモリセルに同時にアクセスするように構成されたワード線を介して該セルと結合されたワード線デコーダを活性化するための手段を含み得る。幾つかの例では、メモリアレイ１００－ｂは、第１の３次元アレイ及び第２の３次元アレイ内のメモリセルに別個にアクセスするように構成されたデジット線を介して該セルと結合されたデジット線デコーダを活性化するための手段を含み得る。幾つかの例では、メモリアレイ１００－ｂは、デジット線デコーダを活性化することに少なくとも部分的に基づいて、デジット線を介して該セルに書き込む又は該セルから読み出すための手段を含み得る。幾つかの例では、アクセスするための手段は、該セルのアドレスに少なくとも部分的に基づき、第１のプレート線及び第２のプレート線は該セルのアドレスと関連付けられる。
図１５は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャを支持するメモリデバイスのアクセス動作マネージャ１５５０のブロック図１５００を示す。アクセス動作マネージャ１５５０は、図１４を参照しながら説明したアクセス動作マネージャ１４５０の実施形態の一例であり得る。アクセス動作マネージャ１５５０は、バイアスコンポーネント１５２０、タイミングコンポーネント１５２５、メモリセルマネージャ１５３０、デコーダマネージャ１５３５、アクセス線マネージャ１５４０、及び部分マネージャ１５４５を含み得る。これらのモジュールの各々は、（例えば、１つ以上のバスを介して）相互に直接又は間接的に通信し得る。
メモリセルマネージャ１５３０は、強誘電体メモリセルの第１の３次元アレイ及び強誘電体メモリセルの第２の３次元アレイ内の複数のセルからセルを識別し得、第１の３次元アレイは第２の３次元アレイの上にあり、該セルは第２の３次元アレイ内にあり得る。
デコーダマネージャ１５３５は、ワード線デコーダ、デジット線デコーダ、及びプレート線デコーダを使用して、少なくとも１つのセルにアクセスし得る。幾つかの場合、デコーダマネージャ１５３５は、第１の３次元アレイ及び第２の３次元アレイ内のメモリセルに別個にアクセスするように構成されたデジット線を介して該セルに結合されたデジット線デコーダを活性化し得る。幾つかの場合、メモリセルマネージャ１５３０は、デジット線デコーダを活性化することに少なくとも部分的に基づいて、デジット線を介して該セルに書き込み得、又は該セルから読み出し得る。
アクセス線マネージャ１５４０は、ワード線、デジット線、又はプレート線等のアクセス線を管理するように構成され得る。幾つかの場合、アクセス線マネージャは、第１のプレート線及び第２のプレート線を介して第２の３次元アレイの該セルにアクセスし得、第１のプレート線は、ＯＰＶを通じて第２のプレート線と結合され得、第２のプレート線は該セルと結合され得る。
部分マネージャ１５４５は、メモリデバイスの様々な部分を管理するように構成され得る。幾つかの場合、該セルにアクセスすることは、メモリアレイの下にある支持回路（例えば、ＣｕＡのコンポーネント）の他のデコーダと連携して、制御回路部分内に配置されたデコーダを使用することによって達成され得る。
図１３～図１５の様々なマネージャ、コンポーネント、及び要素は、本明細書で列挙し
た機能を実施するための手段であり得る。例えば、本明細書で説明するように、本明細書で説明する様々な方法の機構は、図１３～図１５に描写したコンポーネントによって実施され得る。
図１６は、本開示の実施形態に従った多段メモリアレイのための多数プレート線アーキテクチャのための方法１６００を説明するフローチャートを示す。方法１６００の動作は、本明細書で説明するように、メモリコントローラ１４０又はそのコンポーネントによって実装され得る。例えば、方法１６００の動作は、図１４及び図１５を参照しながら説明したようなアクセス動作マネージャにより実施され得る。幾つかの例では、メモリコントローラ１４０は、以下で説明する機能を実施するために、デバイスの機能的要素を制御するためのコードのセットを実行し得る。付加的に又は代替的に、メモリコントローラ１４０は、以下で説明される機能の内の幾つか又は全てを専用のハードウェアを使用して実施し得る。
ブロック１６０５において、メモリコントローラ１４０は、強誘電体メモリセルの第１の３次元アレイ及び強誘電体メモリセルの第２の３次元アレイ内の複数のセルからセルを識別し得、第１の３次元アレイは第２の３次元アレイの上にあり、該セルは第２の３次元アレイ内にあり得る。ブロック１６０５の動作は、図１～図１５を参照しながら説明した方法に従って実施され得る。幾つかの例では、ブロック１６０５の動作の内の幾つかは、図１４及び図１５を参照しながら説明したように、メモリセルマネージャによって実施され得る。
ブロック１６１０において、メモリコントローラ１４０は、第１のプレート線及び第２のプレート線を介して第２の３次元アレイの該セルにアクセスし得、第１のプレート線は、ＯＰＶを通じて第２のプレート線と結合され得、第２のプレート線は該セルと結合され得る。ブロック１６１０の動作は、図１～図１５を参照しながら説明した方法に従って実施され得る。幾つかの例では、ブロック１６１０の動作の内の幾つかは、図１４及び図１５を参照しながら説明したように、アクセス線マネージャによって実施され得る。
幾つかの場合、該セルは、強誘電体コンテナ及び選択デバイスを含み、該セルにアクセスすることは、第１の３次元アレイ及び第２の３次元アレイ内のメモリセルに同時にアクセスするように構成されたワード線を介して該セルと結合されたワード線デコーダを活性化することを含む。
幾つかの場合、該アクセスすることは、該セルのアドレスに少なくとも部分的に基づき得、第１のプレート線及び第２のプレート線は、該セルのアドレスと関連付けられる。
上で説明した方法は、可能的実装を説明すること、動作及びステップは、再配置され得、さもなければ変更され得ること、及びその他の実装が可能であることに留意すべきである。更に、（複数の）方法の内の２つ以上からの機構は組み合わせられ得る。
本明細書で説明される情報及び信号は、様々な異なるテクノロジー及び技術の内の何れかを使用して表され得る。例えば、上の説明全体通じて言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁界若しくは磁性粒子、光場若しくは光粒子、又はそれらの任意の組み合わせにより表され得る。幾つかの図面は、複数の信号を単一の信号として説明し得るが、バスが様々なビット幅を有し得る場合に、信号は複数の信号のバスを表し得ることを当業者は理解するであろう。
本明細書で使用されるとき、用語“仮想接地（virtual ground）”は、約ゼロボルト（
０Ｖ）の電圧に保持されるがグランドと直接接続されない電気回路のノードを指す。したがって、仮想接地の電圧は、一時的に変動し得、定常状態で約０Ｖに戻り得る。仮想接地は、オペアンプ及び抵抗器を含む電圧分圧器等の様々な電子回路要素を使用して実装され得る。その他の実装も可能である。“仮想接地する（virtual grounding）”又は“仮想
接地される（virtuallygrounded）”は約０Ｖに接続されることを意味する。
用語“電子通信”並びに“結合”は、コンポーネント間の電子流動を支持するコンポーネント間の関係を指す。これは、コンポーネント間の直接接続を含み得、又は仲介コンポーネントを含み得る。相互に電子通信する又は相互に結合されたコンポーネントは、（例えば、通電された回路内の）電子若しくは信号を能動的に交換し得、又は（例えば、非通電の回路内の）の電子若しくは信号を能動的に交換しないことがあるが、回路が通電されると電子若しくは信号を交換するように構成され得、動作可能であり得る。例として、スイッチ（例えば、トランジスタ）を介して物理的に接続された２つのコンポーネントは、スイッチの状態（すなわち、開放又は閉鎖）に関わらず電子通信し、又は結合され得る。
本明細書で使用される用語“層（layer）”は、幾何学的構造の階層又はシートを指す
。各層は、３つの寸法（例えば、高さ、幅、及び深さ）を有し得、表面の幾つか又は全てをカバーし得る。例えば、層は、２つの寸法が第３の寸法よりも大きい３次元構造、例えば、薄膜であり得る。層は、異なる要素、コンポーネント、及び／又は材料を含み得る。幾つかの場合、１つの層は、２つ以上のサブレイヤを含み得る。添付図の内の幾つかでは、説明の目的のために、３次元の層の内の２つの次元が描写されている。当業者は、しかしながら、該層が本来３次元であると分かるであろう。
本明細書で使用されるとき、用語“実質的に”は、変更される特徴（例えば、用語、実質的に、により変更される動詞又は形容詞）が絶対に必要ではないが、該特徴の利点を実現するのに十分に近いことを意味する。
本明細書で使用されるとき、用語“電極”は、電気導体を指し得、幾つかの場合、メモリセル又はメモリアレイのその他のコンポーネントへの電気的コンタクトとして用いられ得る。電極は、メモリアレイ１００の要素又はコンポーネント間の導電経路を提供するトレース、ワイヤ、導電線、又は導電層等を含み得る。
用語“フォトリソグラフィ”は、本明細書で使用されるときには、フォトレジスト材料を使用してパターニングし、こうした材料を電磁放射線を使用して露出するプロセスを指し得る。例えば、フォトレジスト材料は、例えば、ベース材料上にフォトレジストをスピンコーティングすることによって、ベース材料上に形成され得る。フォトレジストを放射線に露出することによって、フォトレジスト内にパターンが創出され得る。該パターンは、例えば、放射線がフォトレジストを露出する場所を空間的に描くフォトマスクによって画定され得る。露出されたフォトレジスト領域は、例えば、化学処理によってその後除去され得、所望のパターンを置き去る。幾つかの場合、露出された地域は維持され得、露出されていない地域が除去され得る。
用語“絶縁”は、コンポーネント間を電子が現在流れることができないコンポーネント間の関係を指し、コンポーネントは、それらの間に開回路がある場合に相互から絶縁される。例えば、スイッチにより物理的に接続された２つのコンポーネントは、スイッチが開放された場合に相互から絶縁され得る。
本明細書で使用されるとき、用語“短絡”は、当該２つのコンポーネント間の単一の仲介コンポーネントの活性化を介して、コンポーネント間に導電経路を確立するコンポーネント間の関係を指す。例えば、第２のコンポーネントに短絡された第１のコンポーネント
は、２つのコンポーネント間のスイッチが閉鎖された場合に第２のコンポーネントと電子を交換し得る。したがって、短絡は、電子通信するコンポーネント（又は線）間の電荷の流れを可能にする動的動作であり得る。
メモリアレイ１００を含む本明細書で論じられるデバイスは、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム合金、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム等の半導体基板上に形成され得る。幾つかの場合、該基板は半導体ウエハである。その他の場合、該基板は、シリコンオングラス（ＳＯＧ）若しくはシリコンオンサファイア（ＳＯＳ）等のシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板、又は別の基板上の半導体材料のエピタキシャル層であり得る。基板又は基板のサブ領域の導電性は、リン、ホウ素、又はヒ素を含むがそれらに限定されない様々な化学種を使用したドーピングを通じて制御され得る。ドーピングは、イオン注入によって、又は任意のその他のドーピング手段によって、基板の初期の形成又は成長中に実施され得る。
本明細書で論じられる１つ以上のトランジスタは、ＦＥＴを表し得、ソース、ドレイン、及びゲートを含む３端子デバイスを含み得る。端子は、導電性材料、例えば、金属を通じて他の電子素子に接続され得る。ソース及びドレインは、導電性であり得、高濃度にドープされた、例えば縮退した、半導体領域を含み得る。ソース及びドレインは、低濃度にドープされた半導体領域又はチャネルによって分離され得る。チャネルがｎ型（すなわち、主たるキャリアが電子）である場合、該ＦＥＴはｎ型ＦＥＴと称され得る。チャネルがｐ型（すなわち、主たるキャリアがホール）である場合、該ＦＥＴはｐ型ＦＥＴと称され得る。チャネルは、絶縁ゲート酸化物によって覆われ得る。チャネルの導電性は、ゲートに電圧を印加することによって制御され得る。例えば、正の電圧又は負の電圧をｎ型ＦＥＴ又はｐ型ＦＥＴに夫々印加することは、チャネルが導電性になる結果をもたらし得る。トランジスタの閾値電圧以上の電圧がトランジスタのゲートに印加された場合、トランジスタは“オン”又は“活性化”にされ得る。トランジスタの閾値電圧未満の電圧がトランジスタのゲートに印加された場合、トランジスタは“オフ”又は“不活性化”にされ得る。
添付の図面に関連して本明細書に記載される説明は、例示的構成を説明し、実装され得る又は請求項の範囲内にある全ての例を表さない。本明細書で使用される用語“例示的”は、“好適”又は“その他の例よりも有利”ではなく“一例、実例、又は説明として役立つこと”を意味する。詳細な説明は、説明される技術の理解を提供する目的のための具体的詳細を含む。これらの技術は、しかしながら、これらの具体的詳細なしに実践され得る。幾つかの実例では、説明される例の内容を不明確にすることを避けるために、周知の構造体及びデバイスはブロック図の形式で示される。
添付の図において、同様のコンポーネント又は機構は、同じ参照ラベルを有し得る。更に、同じ種類の様々なコンポーネントは、ダッシュと、同様のコンポーネント間で区別する第２のラベルとを参照ラベルに続けることによって区別され得る。明細書中にただ第１の参照ラベルが使用される場合、説明は、第２の参照ラベルに関係なく、同じ第１の参照ラベルを有する同様のコンポーネントの内の何れか１つに適用できる。
本明細書に説明される情報及び信号は、様々な異なるテクノロジー及び技術の何れかを使用して表され得る。例えば、上の説明全体通じて言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁界若しくは磁性粒子、光場若しくは光粒子、又はそれらの任意の組み合わせにより表され得る。
本明細書の開示と関連して説明される様々な説明ブロック及びモジュールは、本明細書で説明される機能を実施するように設計された汎用プロセッサ、ＤＳＰ、ＡＳＩＣ、ＦＰ
ＧＡ若しくはその他のプログラム可能論理デバイス、分離したゲート若しくはトランジスタ論理、分離したハードウェアコンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせで実装又は実施され得る。汎用プロセッサは、マイクロプロセッサであり得るが、代わりに、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又はステートマシーンであり得る。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組み合わせ（例えば、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）とマイクロプロセッサとの組み合わせ、多数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携した１つ以上のマイクロプロセッサ、又は任意のその他のそうした構成）として実装され得る。
本明細書に説明される機能は、ハードウェア、プロセッサにより実行されるソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実装され得る。プロセッサにより実行されるソフトウェアで実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つ以上の命令又はコードとして蓄積され得、又は送信され得る。その他の例及び実装は、本開示及び添付の請求項の範囲内である。例えば、ソフトウェアの性質に起因して、上で説明した機能は、プロセッサにより実行されるソフトウェア、ハードウェア、ファームウェア、配線、又はこれらの任意の組み合わせを使用して実装できる。機能を実装する機構はまた、機能の（複数の）部分が異なる物理的位置に実装されるように分散されることを含む、様々な位置に物理的に設置され得る。また、請求項を含む本明細書で使用されるとき、項目のリスト（例えば、“少なくとも１つの”又は“の内の１つ以上”等の句により前置きされる項目のリスト）に使用されるような“又は”は、例えば、Ａ、Ｂ、又はＣの内の少なくとも１つのリストがＡ又はＢ又はＣ又はＡＢ又はＡＣ又はＢＣ又はＡＢＣ（すなわちＡ及びＢ及びＣ）を意味するように包含的リストを指し示す。また、本明細書で使用されるとき、句“基づいて”は、条件の閉集合への言及として解釈されないであろう。例えば、“条件Ａに基づいて”と説明される例示的ステップは、本開示の範囲から逸脱することなく、条件Ａ及び条件Ｂの両方に基づき得る。言い換えれば、本明細書で使用されるとき、句“基づいて”は、句“少なくとも部分的に基づいて”と同様の方法で解釈されるであろう。
コンピュータ可読媒体は、ある場所から別の場所へのコンピュータプログラムの転送を容易にする任意の媒体を含む非一時的コンピュータストレージ媒体及び通信媒体の両方を含む。非一時的ストレージ媒体は、汎用又は専用のコンピュータによりアクセスできる任意の利用可能な媒体であり得る。例として、非限定的に、非一時的コンピュータ可読媒体は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、コンパクトディスク（ＣＤ）ＲＯＭ若しくはその他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージ若しくはその他の磁気ストレージデバイス、又は所望のプログラムコード手段を命令若しくはデータ構造の形式で搬送若しくは蓄積するのに使用でき、且つ汎用若しくは専用コンピュータ又は汎用若しくは専用プロセッサによりアクセスできる任意のその他の非一時的媒体を含み得る。また、任意の接続は、コンピュータ可読媒体として適切に称される。例えば、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、又は赤外線、無線、及びマイクロ波等の無線技術を使用してウェブサイト、サーバ、又はその他の遠隔ソースからソフトウェアが送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、又は赤外線、無線、及びマイクロ波等の無線技術は媒体の定義に含まれる。磁気ディスク（disk）及び光学ディスク（disc）は、本明細書で使用されるときには、ＣＤ、レーザディスク、光ディスク、デジタル多目的ディスク（ＤＶＤ）、フロッピーディスク、及びブルーレイディスクを含み、光学ディスクがレーザでデータを光学的に再生する一方で、磁気ディスクはデータを磁気的に通常再生する。上記されたものの組み合わせもコンピュータ可読媒体の範囲に含まれる。
本明細書の説明は、当業者が開示を製作又は使用できるように提供される。開示への様
々な変更が当業者に容易に分かるであろうし、本明細書で定義される包括的な原理は開示の範囲を逸脱することなくその他の変形に適用し得る。したがって、開示は、本明細書で説明された例示及び設計に限定されず、本明細書に開示された原理及び新規の機構と一致する最も広い範囲に一致すべきである。

Claims (24)

  1. クロスポイントアーキテクチャで構成されたメモリセルの第１のアレイであって、前記第１のアレイは複数の区域を含み、前記第１のアレイの各セルは、第１の方向に方向付けられたアクセス線及び前記第１の方向に実質的に直交する第２の方向に方向付けられたアクセス線と結合された強誘電体メモリセルを含む、前記第１のアレイと、
    前記第１の方向に方向付けられた第１のプレート線であって、前記第１のプレート線は、前記第１のアレイの２つ以上の区域に渡って拡張し、前記第１のアレイの前記２つ以上の区域内の強誘電体メモリセルと結合される、前記第１のプレート線と、
    前記クロスポイントアーキテクチャで構成されたメモリセルの第２のアレイであって、前記第２のアレイは複数の区域を含み、前記第２のアレイの各セルは、前記第１のアレイの各セルとは異なり、前記第１のアレイは前記第２のアレイの上にあり、前記第２のアレイの各セルは、前記第１の方向に方向付けられたアクセス線及び前記第２の方向に方向付けられたアクセス線と結合された強誘電体メモリセルを含む、前記第２のアレイと、
    前記第１の方向に方向付けられた複数の第２のプレート線であって、前記複数の第２のプレート線の各プレート線は、前記第２のアレイの対応する区域に局在し、前記複数の第２のプレート線の各プレート線は、前記第１のプレート線、及び前記第２のアレイの対応する前記区域の強誘電体メモリセルと結合される、前記複数の第２のプレート線と、
    前記第１のアレイ及び前記第２のアレイと結合された支持回路と
    を含む、電子メモリデバイス。
  2. 前記第１の方向に方向付けられた前記アクセス線の一部は、前記第２のプレート線の一部の上にあり、
    メモリセルの前記第１のアレイ内の前記第１の方向に方向付けられた前記アクセス線は、メモリセルの前記第１のアレイ内の前記第１の方向に方向付けられた前記アクセス線の下方の第１の電気接続に結合され、
    前記第１の方向に方向付けられた前記複数の第２のプレート線は、前記複数の第２のプレート線の上方の第２の電気接続に結合される、
    請求項１に記載のデバイス。
  3. オンピッチビア（ＯＰＶ）を通じて前記第１のプレート線と、前記第１のプレート線を介して前記複数の第２のプレート線とに結合されたプレート線デコーダを含む制御回路部分を更に含む、請求項１に記載のデバイス。
  4. 前記支持回路は、
    前記第１のアレイの前記強誘電体メモリセルと結合された前記第１の方向に方向付けられた前記アクセス線と結合された第１のデジット線デコーダと、
    前記第２のアレイの前記強誘電体メモリセルと結合された前記第１の方向に方向付けられた前記アクセス線と結合された第２のデジット線デコーダと、
    前記第１のアレイの前記強誘電体メモリセルと結合された前記第２の方向に方向付けられた前記アクセス線と、前記第２のアレイの前記強誘電体メモリセルと結合された前記第２の方向に方向付けられた前記アクセス線との両方に結合されたワード線デコーダと
    を含む、請求項１に記載のデバイス。
  5. 前記第１のプレート線は、オンピッチビア（ＯＰＶ）を通じて前記複数の第２のプレート線の各々と結合される、請求項１に記載のデバイス。
  6. 前記ＯＰＶは、複数のデジット線デコーダが分断された位置に設置される、請求項５に記載のデバイス。
  7. 前記ＯＰＶの内の１つ以上は、前記第１のプレート線と前記複数の内の第２のプレート線との間に選択デバイスを含む、請求項５に記載のデバイス。
  8. 前記１つ以上のＯＰＶの前記選択デバイスと各々結合された複数の付加的なアクセス線を更に含む、請求項７に記載のデバイス。
  9. 前記第１の方向に方向付けられ、前記第１のアレイの前記２つ以上の区域内の他の強誘電体メモリセルと結合された第３のプレート線と、
    前記第１の方向に方向付けられた複数の第４のプレート線であって、前記複数の第４のプレート線の各々は、前記第３のプレート線と、前記第２のアレイの対応する前記区域の他の強誘電体メモリセルとに結合される、前記複数の第４のプレート線と
    を更に含む、請求項１に記載のデバイス。
  10. 前記第１のプレート線及び前記複数の第２のプレート線は、偶数の番号が付されたアドレスを有するセルと関連付けられ、
    前記第３のプレート線及び前記複数の第４のプレート線は、奇数の番号が付されたアドレスを有するセルと関連付けられる、
    請求項９に記載のデバイス。
  11. 前記第３のプレート線は、オンピッチビア（ＯＰＶ）を通じて前記複数の第４のプレート線の各々と結合される、請求項９に記載のデバイス。
  12. 前記第１のアレイ及び前記第２のアレイは前記支持回路の上にある、請求項１に記載のデバイス。
  13. 強誘電体メモリセルの第２の３次元アレイの上にある強誘電体メモリセルの第１の３次元アレイであって、前記第１の３次元アレイの各セルは、前記第２の３次元アレイの各セルとは異なり、前記第１の３次元アレイ又は前記第２の３次元アレイの各メモリセルは、強誘電体コンテナ及び選択デバイスを有する、前記第１の３次元アレイと、
    前記第１の３次元アレイの強誘電体メモリセルと結合された第１のプレート線、及び前記第２の３次元アレイの強誘電体メモリセルと各々結合された複数の第２のプレート線であって、前記第１のプレート線は、前記第１の３次元アレイの２つ以上の強誘電体メモリセルと結合され、前記複数の第２のプレート線の各プレート線は、前記第２の３次元アレイの対応するメモリセルに局在する、前記第１のプレート線及び前記複数の第２のプレート線と、
    前記第１の３次元アレイ及び前記第２の３次元アレイの下にある支持回路であって、下にある前記支持回路は、
    前記第１の３次元アレイ及び前記第２の３次元アレイ内の前記メモリセルに別個にアクセスするように構成されたワード線と結合された複数のワード線デコーダと、
    前記第１の３次元アレイ及び前記第２の３次元アレイ内の前記メモリセルに別個にアクセスするように構成されたデジット線と結合された複数のデジット線デコーダと、
    複数のプレート線デコーダであって、前記複数の内の少なくとも１つのプレート線デコーダは、前記第１のプレート線、又は前記複数の第２のプレート線の第２のプレート線と結合される、前記複数のプレート線デコーダと
    の内の少なくとも１つを含む、前記支持回路と、
    前記支持回路に隣接する制御回路部分と
    を含む、電子メモリデバイス。
  14. 前記第１のプレート線はグローバルプレート線であり、前記第２のプレート線の各々はローカルプレート線である、請求項１３に記載のデバイス。
  15. 前記第１の３次元アレイの前記強誘電体コンテナの内の１つ以上は前記第１のプレート線と結合され、
    前記第２の３次元アレイの前記強誘電体コンテナの内の１つ以上は前記第２のプレート線と結合され、
    前記第１のプレート線及び前記第２のプレート線は相互に結合される、
    請求項１３に記載のデバイス。
  16. 各セルの前記選択デバイスは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含み、
    各ＴＦＴのゲート端子は前記ワード線の内の１つと結合され、
    各ＴＦＴのドレイン端子は前記デジット線の内の１つと結合される、
    請求項１３に記載のデバイス。
  17. 前記制御回路部分は前記複数のワード線デコーダを含む、請求項１３に記載のデバイス。
  18. 前記制御回路部分は前記複数のデジット線デコーダを含む、請求項１３に記載のデバイス。
  19. 前記制御回路部分は前記複数のプレート線デコーダを含む、請求項１３に記載のデバイス。
  20. クロスポイントアーキテクチャで構成されたメモリセルの第１のアレイであって、前記第１のアレイは複数の区域を含み、前記第１のアレイの各セルは、第１の方向に方向付けられたアクセス線及び前記第１の方向に実質的に直交する第２の方向に方向付けられたアクセス線と結合された強誘電体メモリセルを含む、前記第１のアレイと、
    前記クロスポイントアーキテクチャで構成されたメモリセルの第２のアレイであって、前記第２のアレイは複数の区域を含み、前記第２のアレイの各セルは、前記第１のアレイの各セルとは異なり、前記第１のアレイは前記第２のアレイの上にあり、前記第２のアレイの各セルは、前記第１の方向に方向付けられたアクセス線及び前記第２の方向に方向付けられたアクセス線と結合された強誘電体メモリセルを含む、前記第２のアレイと、
    前記第１の方向に方向付けられた複数の第１のプレート線であって、前記複数の第１のプレート線の各プレート線は、前記第１のアレイの対応する区域に局在し、前記第１のアレイの対応する前記区域の強誘電体メモリセルと結合される、前記複数の第１のプレート線と、
    前記第１の方向に方向付けられた複数の第２のプレート線であって、前記複数の第２のプレート線の各プレート線は、前記第２のアレイの対応する区域に局在し、第１のプレート線と、前記第２のアレイの対応する前記区域の強誘電体メモリセルとに結合される、前記複数の第２のプレート線と、
    前記第１の方向に方向付けられ、前記第１のアレイ又は前記第２のアレイの２つ以上の区域に及ぶ第３のプレート線であって、前記第３のプレート線は前記複数の第１のプレート線と結合される、前記第３のプレート線と
    を含む、電子メモリデバイス。
  21. 前記複数の第１のプレート線の内の第１のプレート線は、第１のオンピッチビア（ＯＰＶ）を通じて前記第３のプレート線と結合される、請求項２０に記載のデバイス。
  22. 前記複数の第１のプレート線の内の前記第１のプレート線は、第２のＯＰＶを通じて前記複数の第２のプレート線の内の第２のプレート線と結合される、請求項２１に記載のデバイス。
  23. 前記第１のＯＰＶは、前記第１の方向に方向付けられた前記第１のアレイの前記アクセス線の不連続を含み、
    前記第２のＯＰＶは、前記第１の方向に方向付けられた前記第２のアレイの前記アクセス線の不連続を含む、
    請求項２２に記載のデバイス。
  24. 強誘電体メモリセルの第２の３次元アレイの上にある強誘電体メモリセルの第１の３次元アレイであって、前記第１の３次元アレイの各セルは、前記第２の３次元アレイの各セルとは異なる、前記第１の３次元アレイと、
    前記第１の３次元アレイの強誘電体メモリセルと結合された第１のプレート線と、
    オンピッチビア（ＯＰＶ）を通じて前記第１のプレート線と結合され、前記第２の３次元アレイの強誘電体メモリセルと結合された第２のプレート線であって、前記第１のプレート線は、前記第１の３次元アレイの２つ以上の強誘電体メモリセルと結合され、前記第２のプレート線は、前記第２の３次元アレイの対応するメモリセルに局在する、前記第２のプレート線と、
    前記第１のプレート線と電子通信するコントローラであって、前記コントローラは、
    強誘電体メモリセルの前記第１の３次元アレイから第１のセルを識別することと、
    前記第１のプレート線を使用して前記第１の３次元アレイの前記第１のセル上でアクセス動作を実行することと、
    強誘電体メモリセルの前記第２の３次元アレイから第２のセルを識別することと、
    前記第１のプレート線及び前記第２のプレート線を使用して前記第２の３次元アレイの前記第２のセル上でアクセス動作を実行することと
    を動作可能である、前記コントローラと
    を含む、電子メモリデバイス。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11088204B2 (en) * 2017-09-30 2021-08-10 Intel Corporation Three terminal selectors for memory applications and their methods of fabrication
US11417829B2 (en) * 2018-05-18 2022-08-16 Integrated Silicon Solution, (Cayman) Inc. Three dimensional perpendicular magnetic tunnel junction with thin film transistor array
US10559337B1 (en) 2018-11-30 2020-02-11 Micron Technology, Inc. Vertical decoder
US11182158B2 (en) * 2019-05-22 2021-11-23 Intel Corporation Technologies for providing adaptive memory media management
DE102020100777A1 (de) * 2019-08-30 2021-03-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Analoge nichtflüchtige Speichervorrichtung unter Verwendung eines polyferroelektrischen Films mit zufälligen Polarisationsrichtungen
KR20210048637A (ko) 2019-10-23 2021-05-04 삼성전자주식회사 가변 저항 메모리 장치
US11088170B2 (en) 2019-11-25 2021-08-10 Sandisk Technologies Llc Three-dimensional ferroelectric memory array including integrated gate selectors and methods of forming the same
US11908505B2 (en) 2020-01-24 2024-02-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ferroelectric FET-based content addressable memory
TWI763266B (zh) * 2020-01-24 2022-05-01 台灣積體電路製造股份有限公司 記憶體裝置、資料處理裝置及資料處理方法
US11232838B2 (en) 2020-01-24 2022-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Ferroelectric FET-based content addressable memory
EP4115417A1 (en) * 2020-03-03 2023-01-11 Micron Technology, Inc. Improved architecture for multideck memory arrays
US11829376B2 (en) * 2020-05-06 2023-11-28 Intel Corporation Technologies for refining stochastic similarity search candidates
US11437435B2 (en) * 2020-08-03 2022-09-06 Micron Technology, Inc. On-pitch vias for semiconductor devices and associated devices and systems
WO2022174430A1 (zh) * 2021-02-20 2022-08-25 华为技术有限公司 一种存储器及电子设备
US11475947B1 (en) * 2021-04-15 2022-10-18 Micron Technology, Inc. Decoding architecture for memory tiles
US11393822B1 (en) * 2021-05-21 2022-07-19 Micron Technology, Inc. Thin film transistor deck selection in a memory device
CN113903374A (zh) 2021-09-30 2022-01-07 武汉新芯集成电路制造有限公司 存储器件及其制备方法
CN113921056A (zh) * 2021-09-30 2022-01-11 武汉新芯集成电路制造有限公司 存储器件及其制备方法
US11937435B2 (en) 2021-10-28 2024-03-19 International Business Machines Corporation High density two-tier MRAM structure
CN116741227B (zh) * 2023-08-09 2023-11-17 浙江力积存储科技有限公司 一种三维存储器架构及其操作方法和存储器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209324A (ja) 2003-09-22 2005-08-04 Toshiba Corp 半導体集積回路装置、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、コンピュータシステム、携帯コンピュータシステム、論理可変ｌｓｉ装置、ｉｃカード、ナビゲーションシステム、ロボット、画像表示装置、光ディスク記憶装置
JP2009283681A (ja) 2008-05-22 2009-12-03 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置及びその製造方法
JP2012256847A (ja) 2011-03-10 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd メモリ装置、及びメモリ装置の作製方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5373463A (en) * 1993-07-06 1994-12-13 Motorola Inc. Ferroelectric nonvolatile random access memory having drive line segments
US5905672A (en) * 1997-03-27 1999-05-18 Micron Technology, Inc. Ferroelectric memory using ferroelectric reference cells
US5917746A (en) * 1997-08-27 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Cell plate structure for a ferroelectric memory
KR100324594B1 (ko) * 1999-06-28 2002-02-16 박종섭 강유전체 메모리 장치
JP2003123467A (ja) * 2001-10-17 2003-04-25 Sony Corp 強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイ及びその駆動方法
JP3918515B2 (ja) * 2001-11-05 2007-05-23 ソニー株式会社 強誘電体型不揮発性半導体メモリ
JP2003142661A (ja) * 2001-11-05 2003-05-16 Sony Corp 強誘電体型不揮発性半導体メモリ
TW582032B (en) 2001-11-30 2004-04-01 Toshiba Corp Magnetic random access memory
US6667896B2 (en) * 2002-05-24 2003-12-23 Agilent Technologies, Inc. Grouped plate line drive architecture and method
US6754124B2 (en) 2002-06-11 2004-06-22 Micron Technology, Inc. Hybrid MRAM array structure and operation
US6700811B1 (en) * 2002-09-04 2004-03-02 Macronix International Co., Ltd. Random access memory device and method for driving a plate line segment therein
US6894916B2 (en) * 2002-09-27 2005-05-17 International Business Machines Corporation Memory array employing single three-terminal non-volatile storage elements
JP2004288282A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Fujitsu Ltd 半導体装置
US7291878B2 (en) 2003-06-03 2007-11-06 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Ultra low-cost solid-state memory
JP2007013011A (ja) * 2005-07-01 2007-01-18 Seiko Epson Corp 強誘電体メモリ装置及び表示用駆動ｉｃ
CN101636840B (zh) * 2006-11-17 2011-05-25 松下电器产业株式会社 非易失性存储元件、非易失性存储器件、非易失性半导体器件以及非易失性存储元件的制造方法
KR100881292B1 (ko) 2007-01-23 2009-02-04 삼성전자주식회사 3차원 적층구조를 가지는 저항성 반도체 메모리 장치 및그의 제어방법
US7920404B2 (en) * 2007-12-31 2011-04-05 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric memory devices with partitioned platelines
US7848131B2 (en) * 2008-10-19 2010-12-07 Juhan Kim High speed ferroelectric random access memory
US8144506B2 (en) * 2009-06-23 2012-03-27 Micron Technology, Inc. Cross-point memory devices, electronic systems including cross-point memory devices and methods of accessing a plurality of memory cells in a cross-point memory array
US8320181B2 (en) * 2009-08-25 2012-11-27 Micron Technology, Inc. 3D memory devices decoding and routing systems and methods
US20120326113A1 (en) * 2010-06-10 2012-12-27 Shinichi Yoneda Non-volatile memory element and non-volatile memory device equipped with same
KR101710658B1 (ko) * 2010-06-18 2017-02-27 삼성전자 주식회사 관통 전극을 갖는 3차원 적층 구조의 반도체 장치 및 그 반도체 장치의 시그널링 방법
JP2012069199A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US20120307545A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Texas Instruments Incorporated Interleaved Bit Line Architecture for 2T2C Ferroelectric Memories
US8964474B2 (en) 2012-06-15 2015-02-24 Micron Technology, Inc. Architecture for 3-D NAND memory
US9281044B2 (en) * 2013-05-17 2016-03-08 Micron Technology, Inc. Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method
US20150063039A1 (en) * 2013-08-29 2015-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Redundancy in stacked memory structure
KR102151176B1 (ko) * 2014-08-22 2020-09-02 삼성전자 주식회사 크로스 포인트 어레이 구조의 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005209324A (ja) 2003-09-22 2005-08-04 Toshiba Corp 半導体集積回路装置、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、コンピュータシステム、携帯コンピュータシステム、論理可変ｌｓｉ装置、ｉｃカード、ナビゲーションシステム、ロボット、画像表示装置、光ディスク記憶装置
JP2009283681A (ja) 2008-05-22 2009-12-03 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置及びその製造方法
JP2012256847A (ja) 2011-03-10 2012-12-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd メモリ装置、及びメモリ装置の作製方法

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