JPH02139283A - 光学情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH02139283A JPH02139283A JP1195902A JP19590289A JPH02139283A JP H02139283 A JPH02139283 A JP H02139283A JP 1195902 A JP1195902 A JP 1195902A JP 19590289 A JP19590289 A JP 19590289A JP H02139283 A JPH02139283 A JP H02139283A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ光線を用いた情報記録再生装置に用い
る光学情報記録媒体、とりわけ書き換え可能な光ディス
クに関する。
る光学情報記録媒体、とりわけ書き換え可能な光ディス
クに関する。
従来の技術
信号を記録、再生、及び消去可能な光ディスクとして、
記録薄膜材料にカルコゲン化物を用いた相変化型の光デ
ィスクが知られている。
記録薄膜材料にカルコゲン化物を用いた相変化型の光デ
ィスクが知られている。
通常、消去可能な相変化型光デイスク装置の場合には、
非晶質相を記録信号に対応させ、結晶相を消去した場合
に対応させる。
非晶質相を記録信号に対応させ、結晶相を消去した場合
に対応させる。
具体的な記録薄膜材料としては、Ｔｅ或いはＩｎを主成
分としたものが広く知られている。とりわけＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ３元組成の′ｆｉ膜は、適当な組成を選ぶことに
より１ｏＯｎｓｅｃ以下という極めて短時間の光照射加
熱で結晶化が完了する（例えば特開昭６２−２０９７４
２号公報）。結晶化に要する時間（以下結晶化時間）が
短い、すなわち消去に嬰する時間が短いということは、
信号の高転送レート化につながる。充分に結晶化時間が
短い場合には、１つのレーザビームのみを用いて、その
強度を変調することにより、信号の記録、消去を同時に
行う−いわゆる単一ビームによる重ね書き−ことが原理
的に可能である。特定組成のＧｅ−Ｓｂ−”Ｆｅｌ１１
元組成を記録薄膜材料として有する相変化型光ディスク
は、記録薄膜の高速結晶化性故に、屯−ビームによる重
ね書きが可能である（例えば、特開昭６２−２０９７４
２号公輯）。
分としたものが広く知られている。とりわけＧｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ３元組成の′ｆｉ膜は、適当な組成を選ぶことに
より１ｏＯｎｓｅｃ以下という極めて短時間の光照射加
熱で結晶化が完了する（例えば特開昭６２−２０９７４
２号公報）。結晶化に要する時間（以下結晶化時間）が
短い、すなわち消去に嬰する時間が短いということは、
信号の高転送レート化につながる。充分に結晶化時間が
短い場合には、１つのレーザビームのみを用いて、その
強度を変調することにより、信号の記録、消去を同時に
行う−いわゆる単一ビームによる重ね書き−ことが原理
的に可能である。特定組成のＧｅ−Ｓｂ−”Ｆｅｌ１１
元組成を記録薄膜材料として有する相変化型光ディスク
は、記録薄膜の高速結晶化性故に、屯−ビームによる重
ね書きが可能である（例えば、特開昭６２−２０９７４
２号公輯）。
発明が解決しようとする課題
相変化型光ディスクの記録、消去の繰り返し回数は、記
録薄膜の材料、ディスク構成、記録、消去ビームパワー
等の最適化によって向上する。しかしパーソナルユース
として光ディスクが用いられる場合を考えると、必ずし
も良好な環境の下で光ディスクが使用されるとは限らな
い。例えば、レーザのパワー変動によって設定された最
適パワーからずれた場合においても、良好な繰り返し特
性が得られるような光ディスクであることが望ましい。
録薄膜の材料、ディスク構成、記録、消去ビームパワー
等の最適化によって向上する。しかしパーソナルユース
として光ディスクが用いられる場合を考えると、必ずし
も良好な環境の下で光ディスクが使用されるとは限らな
い。例えば、レーザのパワー変動によって設定された最
適パワーからずれた場合においても、良好な繰り返し特
性が得られるような光ディスクであることが望ましい。
Ｔｅ或いはＩｎを主成分とする記録薄膜を有する種々の
光ディスクを作成し、最適値からずれた記録、消去パワ
ーで記録、消去の繰り返しを行った。その結果、記録薄
膜の材料成分によらず、記録パワーが最適値より高くな
ると、記録薄膜が破壊されやすくなり、繰り返し回数が
制限されることがわかった。
光ディスクを作成し、最適値からずれた記録、消去パワ
ーで記録、消去の繰り返しを行った。その結果、記録薄
膜の材料成分によらず、記録パワーが最適値より高くな
ると、記録薄膜が破壊されやすくなり、繰り返し回数が
制限されることがわかった。
本発明は、記録、消去の操り返し特性を向上させること
を目的とする。
を目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、上記目的を達成するために、記録薄膜材料成
分にＢ或いはＣを加える、及び／或いは、記録薄膜に接
してＢ層或いはＣＭを設ける、及び／或いは、記ＬＨ’
ｊ［膜に接した保護層の材料成分にＢ１１３２いはＣを
加えるようにしたものである。
分にＢ或いはＣを加える、及び／或いは、記録薄膜に接
してＢ層或いはＣＭを設ける、及び／或いは、記ＬＨ’
ｊ［膜に接した保護層の材料成分にＢ１１３２いはＣを
加えるようにしたものである。
作用
記録薄膜材料成分にＢ或いはＣを加える、及び／或いは
、記録薄膜に接してＢ層或いはＣＮを設ける、及び／ｆ
ｆいは、記録薄膜に接した保護層の材料成分にＢ或いは
Ｃを加えることにより、最適パワーより高いパワーで記
録する場合でも繰り返しによる記録薄膜の破壊が生しに
くくなる。即ち、良好な繰り返しが得られる記録パワー
の許容範囲が広がる。
、記録薄膜に接してＢ層或いはＣＮを設ける、及び／ｆ
ｆいは、記録薄膜に接した保護層の材料成分にＢ或いは
Ｃを加えることにより、最適パワーより高いパワーで記
録する場合でも繰り返しによる記録薄膜の破壊が生しに
くくなる。即ち、良好な繰り返しが得られる記録パワー
の許容範囲が広がる。
実施例
Ｔｃ或いはＩｎを主成分とする種々の書き換え可能な相
変化型光ディスクにおいて、特定の領域に、同し信号パ
ターンを繰り返し記録すると、その領域の終端−一連の
信号を書き終えた部分−から記録薄膜が破れる現象が見
られた。以下、この現象を“記録領域終端部における繰
り返し劣化°゛と呼ぶ。記録領域終端部における繰り返
し劣化の現象は、レーザ照射時に、記録薄膜構成元素が
ディスク半径方向、或いはディスク周方向にわずかに拡
散移動し、繰り返しレーザ照射によって、記録薄膜構成
元素の拡散移動量が積算していくことに起因すると考え
ている。記録領域終端部における繰り返し劣化は、特に
、記録パワーが高い時に顕著である。この現象を解決す
る手段として、記録薄膜材料に新たに元素を加えること
を試みた。
変化型光ディスクにおいて、特定の領域に、同し信号パ
ターンを繰り返し記録すると、その領域の終端−一連の
信号を書き終えた部分−から記録薄膜が破れる現象が見
られた。以下、この現象を“記録領域終端部における繰
り返し劣化°゛と呼ぶ。記録領域終端部における繰り返
し劣化の現象は、レーザ照射時に、記録薄膜構成元素が
ディスク半径方向、或いはディスク周方向にわずかに拡
散移動し、繰り返しレーザ照射によって、記録薄膜構成
元素の拡散移動量が積算していくことに起因すると考え
ている。記録領域終端部における繰り返し劣化は、特に
、記録パワーが高い時に顕著である。この現象を解決す
る手段として、記録薄膜材料に新たに元素を加えること
を試みた。
周期律表のＩａ族と０族を除く、第２周期〜第６周期に
属する元素についてその添加効果を検、ｔｔ ｌ。
属する元素についてその添加効果を検、ｔｔ ｌ。
たところ、Ｂ及びＣが優れた効果を示すことを実験的に
見いだした。すなわちＢ或いはＣを適当量添加すること
によって、記録領域終端部における繰り返し劣化が軽減
した。特に、記録パワーが最適値よりも若干高いときに
繰り返し劣化の軽減が顕著であった。しかもＢ或いはＣ
を添加したことによって記録薄膜の結晶化速度はほとん
ど遅くならない。
見いだした。すなわちＢ或いはＣを適当量添加すること
によって、記録領域終端部における繰り返し劣化が軽減
した。特に、記録パワーが最適値よりも若干高いときに
繰り返し劣化の軽減が顕著であった。しかもＢ或いはＣ
を添加したことによって記録薄膜の結晶化速度はほとん
ど遅くならない。
さらに検討を重ねた結果、記録ｙｉ膜と保護層の間にＢ
層或いは０層を設ける等の工夫をすることによっても、
繰り返しに対する記録パワーの許容範囲を広げることが
できた。
層或いは０層を設ける等の工夫をすることによっても、
繰り返しに対する記録パワーの許容範囲を広げることが
できた。
Ｔｅ或いはＩｎを主成分とし、記録、消去の繰り返し可
能な相変化型記録簿Ｓ組成は無限の組み合わせがあり、
その総てに対してＢ或いはＣの添加効果を実験的に確認
することは不可能である。
能な相変化型記録簿Ｓ組成は無限の組み合わせがあり、
その総てに対してＢ或いはＣの添加効果を実験的に確認
することは不可能である。
しかし、すでに公知になっている、Ｔｅ或いはｉｎを主
成分とし記録、消去の繰り返し可能な代表的相変化型記
録′１Ｉ４１Ｉｌの主成分は、Ｔｅ−Ｓｂ。
成分とし記録、消去の繰り返し可能な代表的相変化型記
録′１Ｉ４１Ｉｌの主成分は、Ｔｅ−Ｓｂ。
Ｔｅ−Ｇｅ、Ｔｅ−５ｅ、Ｉｎ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ。
Ｉｎ−Ｓｅと大きく分類することができる。上記分類で
代表的な記録薄膜組成についてＢ及びＣの添加効果を調
べたところ、いずれの場合についても、記録、消去の繰
り返し劣化の抑制効果が見られた。実験結果から、Ｂ及
びＣの添加が、Ｔｅ或いはＩｎを主成分とし、記録、消
去の繰り返し可能な相変化型記録薄膜の記録特性、或い
は消去特性の一部を損なうことがあるとしても、記録、
消去の繰り返し劣化−より具体的には記録領域終端部の
繰り返し劣化−の抑制に効果があると推察できる。
代表的な記録薄膜組成についてＢ及びＣの添加効果を調
べたところ、いずれの場合についても、記録、消去の繰
り返し劣化の抑制効果が見られた。実験結果から、Ｂ及
びＣの添加が、Ｔｅ或いはＩｎを主成分とし、記録、消
去の繰り返し可能な相変化型記録薄膜の記録特性、或い
は消去特性の一部を損なうことがあるとしても、記録、
消去の繰り返し劣化−より具体的には記録領域終端部の
繰り返し劣化−の抑制に効果があると推察できる。
前述したように、通常、消去可能な相変化型光デイスク
装置の場合には、記録薄膜の非晶質相を記録信号に対応
させ、結晶相を消去状態に対応させる。又、光学的に識
別しうる２つの異なる結晶状態をそれぞれ記録、消去に
対応させる場合もある。いずれの場合でも、光学的に識
別しうる２つの記録薄膜の状態のうち、少な（ともいず
れかの状態を得るには、レーザ光線の照射によって、記
録薄膜を溶融させる、或いは相変態の転移温度以上に昇
温させる必要がある。溶融している状態、或いは高温状
態の記録薄膜では、記録薄膜の構成元素が拡散移動しや
すい、すなわち、記録、消去の繰り返しの可能な相変化
型光ディスクは、その記録、消去メカニズム上、記録薄
膜が繰り返し劣化する可能性を内在していると言える。
装置の場合には、記録薄膜の非晶質相を記録信号に対応
させ、結晶相を消去状態に対応させる。又、光学的に識
別しうる２つの異なる結晶状態をそれぞれ記録、消去に
対応させる場合もある。いずれの場合でも、光学的に識
別しうる２つの記録薄膜の状態のうち、少な（ともいず
れかの状態を得るには、レーザ光線の照射によって、記
録薄膜を溶融させる、或いは相変態の転移温度以上に昇
温させる必要がある。溶融している状態、或いは高温状
態の記録薄膜では、記録薄膜の構成元素が拡散移動しや
すい、すなわち、記録、消去の繰り返しの可能な相変化
型光ディスクは、その記録、消去メカニズム上、記録薄
膜が繰り返し劣化する可能性を内在していると言える。
記録薄膜の繰り返し劣化を抑制するには、レーザ照射時
における記録薄膜構成元素の拡散移動を妨げる働きをす
る元素を記録薄膜材料に添加すればよい、この時、添加
元素は、それ以外の記録ｌＩ膜構戊元素と固溶しないこ
とが望ましい、Ｂの融点は約２０７０”ｃ、ｃの融点は
約３６００°Ｃと高温であることから、記録薄膜に添加
されたＢ或いはＣ５或いは記録薄膜の界面に存在するＢ
或いはＣは、記録或いは消去のためのレーザ照射時に溶
融しないと考えられる。レーザ照射時に溶融しないＢ或
いはＣが他の記録薄膜構成元素の拡散移動を妨げる働き
をし、その結果、前述の記録領域終端部の繰り返し劣化
が軽減すると考えられる。それ故、記録、消去の繰り返
しが可能な相変化型記録１ｔ！ｌ材料であるならば、基
本的に構成元素を選ばずに、Ｂ添加或いはＣ添加は、記
録、消去の繰り返し劣化の抑制に効果があると言える。
における記録薄膜構成元素の拡散移動を妨げる働きをす
る元素を記録薄膜材料に添加すればよい、この時、添加
元素は、それ以外の記録ｌＩ膜構戊元素と固溶しないこ
とが望ましい、Ｂの融点は約２０７０”ｃ、ｃの融点は
約３６００°Ｃと高温であることから、記録薄膜に添加
されたＢ或いはＣ５或いは記録薄膜の界面に存在するＢ
或いはＣは、記録或いは消去のためのレーザ照射時に溶
融しないと考えられる。レーザ照射時に溶融しないＢ或
いはＣが他の記録薄膜構成元素の拡散移動を妨げる働き
をし、その結果、前述の記録領域終端部の繰り返し劣化
が軽減すると考えられる。それ故、記録、消去の繰り返
しが可能な相変化型記録１ｔ！ｌ材料であるならば、基
本的に構成元素を選ばずに、Ｂ添加或いはＣ添加は、記
録、消去の繰り返し劣化の抑制に効果があると言える。
ただし、高融点の添加元素ならばどれでも繰り返し劣化
の抑制効果があるというわけではない・。
の抑制効果があるというわけではない・。
例えば、Ｗ、Ｍｏのような高融点元素は、繰り返し劣化
の抑制効果が小さいことが実験的に確かめられた。実験
事実としていえることは、周期律表のｌａ族とＯ族を除
く、第２周期〜第６周期に属する元素の中では、Ｂ及び
Ｃが、記録領域終端部における繰り返し劣化を抑制する
効果の大きい添加元素として用いることができる、とい
うことである。
の抑制効果が小さいことが実験的に確かめられた。実験
事実としていえることは、周期律表のｌａ族とＯ族を除
く、第２周期〜第６周期に属する元素の中では、Ｂ及び
Ｃが、記録領域終端部における繰り返し劣化を抑制する
効果の大きい添加元素として用いることができる、とい
うことである。
本発明の記録媒体の代表的な構造例を第１図（ａ）に示
す、記録、再生、及び消去を行うレーザ光は基板１側か
ら入射させる。
す、記録、再生、及び消去を行うレーザ光は基板１側か
ら入射させる。
基板１として、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート等の樹脂或
いはガラス等、表面の平滑なものを用いる。光ディスク
の場合、通常基板平面８はレーザ光を導くためにスパイ
ラル或いは同心円状のトラックで覆われている。
いはガラス等、表面の平滑なものを用いる。光ディスク
の場合、通常基板平面８はレーザ光を導くためにスパイ
ラル或いは同心円状のトラックで覆われている。
記録Ｆ［！１３は、Ｔｅ或いはＩｎを主成分とする相変
化材料、例えば、Ｔｅ ５ｂ−Ｇｅ、ＴｅＧｅ 、Ｔ
ｅ −Ｇｅ −３ｎ、Ｔｅ −Ｇｅ −３ｎ−Ａｕ。
化材料、例えば、Ｔｅ ５ｂ−Ｇｅ、ＴｅＧｅ 、Ｔ
ｅ −Ｇｅ −３ｎ、Ｔｅ −Ｇｅ −３ｎ−Ａｕ。
５ｂ−Ｔｅ、 ５ｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、 Ｉｎ−Ｔｅ。
Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉｎ−ＳｂＩｎ−Ｓｂ
−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、及びＢ或いはＣからなる。
−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、及びＢ或いはＣからなる。
保護Ｎ２．４の材料は、Ａｌ２Ｏ８，５ｉｎ２．Ｓｉｎ
、ＴｅＯ２，ＭｏＯ２゜ＷＯ，、ＺｎＳ、 Ｓ ｉＮ、
ＰｂＦ２． ＭｇＦ２等の誘電体或いはこれらの適当
な組み合わせからなる。相変化型記録媒体は、基本的に
は基板上に記録薄膜を形成することで記録、或いは記録
、消去が可能である。しかし、一般には記録薄膜に接し
て保Ｗｉ層を設ける。これらの層の働きは、１つには、
録薄膜３が記録、消去を繰り返した時に破壊されるのを
防止することであり、１つには多重干渉効果を利用して
記録薄膜３への光吸収効率を高めることであり、同時に
記録前後の反射光の変化量を大きくして高いＳ／Ｎを得
ることである。
、ＴｅＯ２，ＭｏＯ２゜ＷＯ，、ＺｎＳ、 Ｓ ｉＮ、
ＰｂＦ２． ＭｇＦ２等の誘電体或いはこれらの適当
な組み合わせからなる。相変化型記録媒体は、基本的に
は基板上に記録薄膜を形成することで記録、或いは記録
、消去が可能である。しかし、一般には記録薄膜に接し
て保Ｗｉ層を設ける。これらの層の働きは、１つには、
録薄膜３が記録、消去を繰り返した時に破壊されるのを
防止することであり、１つには多重干渉効果を利用して
記録薄膜３への光吸収効率を高めることであり、同時に
記録前後の反射光の変化量を大きくして高いＳ／Ｎを得
ることである。
反射層５は、Ａｕ、Ａ／！、Ｎｉ、Ｆｅ、ＣｒＴｉ等の
金属元素、或いはこれらの合金からなり、記録薄膜３へ
の光吸収効率を高める動きをする。
金属元素、或いはこれらの合金からなり、記録薄膜３へ
の光吸収効率を高める動きをする。
しかし、例えば記録薄膜の膜厚を厚くして光吸収効率を
高める工夫をすることによって、反射層５を設けない構
成とすることも可能である。保護基板７は、樹脂をスピ
ンコードしたり、基板と同様の樹脂板、ガラス板或いは
金属板等を接着剤６を用いて貼り合わせることによって
形成する。
高める工夫をすることによって、反射層５を設けない構
成とすることも可能である。保護基板７は、樹脂をスピ
ンコードしたり、基板と同様の樹脂板、ガラス板或いは
金属板等を接着剤６を用いて貼り合わせることによって
形成する。
さらには、２ｍの記録媒体を中間基板或いは反射層を内
側にして接着剤を用いて貼り合わせることにより、両面
から記録、再生、消去可能な構造としてもよい。
側にして接着剤を用いて貼り合わせることにより、両面
から記録、再生、消去可能な構造としてもよい。
各層は電子ビーム蒸着法、スパッタリング法。
イオンプレイティング法、ＣＶＤ法等によって成膜され
る。
る。
得られた記録薄膜すべてについて、Ｂ或いはＣを添加す
ることによって結晶化感度（消去感度）。
ることによって結晶化感度（消去感度）。
及び非晶質化感度（記録感度）がどのように変化するの
かを調べた。
かを調べた。
結晶化感度は静的な方法で測定した。すなわち、ガラス
基板上に保護層、記録薄膜１反射層を設けて、構造を光
ディスクと同一とした試料片を静止させたまま、波長限
界まで絞りこんだレーザ光を照射して測定した。特定強
度を有するレーザパルスを照射したあとの反射率変化の
有無を測定し、反射率変化を生じさせるのに必要な最短
パルス幅を求め、結晶化のしきい値とする。
基板上に保護層、記録薄膜１反射層を設けて、構造を光
ディスクと同一とした試料片を静止させたまま、波長限
界まで絞りこんだレーザ光を照射して測定した。特定強
度を有するレーザパルスを照射したあとの反射率変化の
有無を測定し、反射率変化を生じさせるのに必要な最短
パルス幅を求め、結晶化のしきい値とする。
又、結晶質化のしきい値も、−旦結晶化させた試料に再
度レーザを照射して、結晶化の場合と同様に測定を行っ
た。
度レーザを照射して、結晶化の場合と同様に測定を行っ
た。
動的な測定は、実際に光ディスクを作成して、記録、消
去、及び繰り返し特性を測定した。
去、及び繰り返し特性を測定した。
前述のように、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ８元組成を記録薄膜材
料として用いる場合、記録信号（非晶質状態）の安定性
にすぐれ、結晶化速度が速く、かつ記録（非晶質状態）
、消去（結晶状Ｂ）の繰り返しにお晶化速度の関係を示
す、 （ＧｅＴｅ）ｍ（Ｓｂ２ ＴｅＢ ）＋−ａで
表される組成の時に高速で結晶化する。繰り返し特性と
いう観点からみると化合物組成Ｃｕｅ２Ｓｂ２ＣｅＳｂ
５．Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４ＧｅＳｂ、Ｔｅ、、及びその近傍
組成において長い繰り返し寿命が得られる。
料として用いる場合、記録信号（非晶質状態）の安定性
にすぐれ、結晶化速度が速く、かつ記録（非晶質状態）
、消去（結晶状Ｂ）の繰り返しにお晶化速度の関係を示
す、 （ＧｅＴｅ）ｍ（Ｓｂ２ ＴｅＢ ）＋−ａで
表される組成の時に高速で結晶化する。繰り返し特性と
いう観点からみると化合物組成Ｃｕｅ２Ｓｂ２ＣｅＳｂ
５．Ｇｅ５ｂ２Ｔｅ４ＧｅＳｂ、Ｔｅ、、及びその近傍
組成において長い繰り返し寿命が得られる。
第３図に非晶質状態における安定性の１つの目安とする
結晶化温度（ここでは、昇温速度１００’ｃ／ｍｉｎで
加熱した時に結晶化の始まる温度とする）の組成依存性
を示す。例えばＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５化合物は結晶化温度
が１７０°Ｃ以上と高く、非晶質状態での安定性が高い
。
結晶化温度（ここでは、昇温速度１００’ｃ／ｍｉｎで
加熱した時に結晶化の始まる温度とする）の組成依存性
を示す。例えばＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５化合物は結晶化温度
が１７０°Ｃ以上と高く、非晶質状態での安定性が高い
。
例えば記録薄膜としてＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５化合物及びそ
の近傍組成の薄膜を用いて光ディスクを構成した結果、
良好な記録、消去特性、及び繰り返し特性が得られた。
の近傍組成の薄膜を用いて光ディスクを構成した結果、
良好な記録、消去特性、及び繰り返し特性が得られた。
特にＧｅ２ Ｓｂ２ Ｔａ２化合物を記録Ｆ３’ＨＱ材
料とする光ディスクの操り返し特性が優れていた（特開
昭６２−２０９７４２号公報）。さらに発明者等は、デ
ィスク特性の向上特に繰り返しに対する記録パワーの許
容範囲を広げる−を目的として種々の検討を行った。
料とする光ディスクの操り返し特性が優れていた（特開
昭６２−２０９７４２号公報）。さらに発明者等は、デ
ィスク特性の向上特に繰り返しに対する記録パワーの許
容範囲を広げる−を目的として種々の検討を行った。
次に具体的な例をもって本発明を詳述する。
（実施例１）
代表的な組成として、（Ｑｅ４ＳｂｔＴｅｓ） １１＋
６−−Ｂａｃで表される組成の記録薄膜を有する試料片
を形成し、結晶、非晶質化感度を測定した。
６−−Ｂａｃで表される組成の記録薄膜を有する試料片
を形成し、結晶、非晶質化感度を測定した。
第１図（ａ）にディスク構造を示す。基板の材質はガラ
スとした。記録薄膜の膜厚は６０ｎｍで、硫化亜鉛（Ｚ
ｎＳ）からなる保護層が、その両側をサンドイッチして
いる。保護層の膜厚は、光学的に最適な特性が得られる
ように決定した。具体的には基板側の膜厚が１５０ｎｍ
、記録薄膜上には２００ｎｍ設けた。反射層材料には金
（Ａｕ）を用い、膜厚は２０ｎｍとした。
スとした。記録薄膜の膜厚は６０ｎｍで、硫化亜鉛（Ｚ
ｎＳ）からなる保護層が、その両側をサンドイッチして
いる。保護層の膜厚は、光学的に最適な特性が得られる
ように決定した。具体的には基板側の膜厚が１５０ｎｍ
、記録薄膜上には２００ｎｍ設けた。反射層材料には金
（Ａｕ）を用い、膜厚は２０ｎｍとした。
第４図に、静的な測定による結晶化特性の測定例として
（Ｇｅ２５ｂ２Ｔｅ５ ）ｏ、ａｓＢ ｏ、＋ｓの組成
の記録薄膜を有する試験片の結果を示す、結晶化感度を
測定するにあたって、まずパワー２０ｍＷでパルス幅１
００ｎｓｅｃの単発パルス（波長：８３０ｎｍ）を照射
した。この結果、記録薄膜は一旦溶融した後、急冷され
て非晶質状態に戻ることを確かめた。続いて同じ位置に
、より低いパワーのレーザ光を照射して結晶化の様子を
調べた。
（Ｇｅ２５ｂ２Ｔｅ５ ）ｏ、ａｓＢ ｏ、＋ｓの組成
の記録薄膜を有する試験片の結果を示す、結晶化感度を
測定するにあたって、まずパワー２０ｍＷでパルス幅１
００ｎｓｅｃの単発パルス（波長：８３０ｎｍ）を照射
した。この結果、記録薄膜は一旦溶融した後、急冷され
て非晶質状態に戻ることを確かめた。続いて同じ位置に
、より低いパワーのレーザ光を照射して結晶化の様子を
調べた。
第４図に示すように、照射レーザパワーを２ｍＷから８
ｍＷへと増加させるにしたがって、結晶化開始パルス幅
が短パルス側へシフトし８ｍＷ以上としても結晶化開始
パルス幅は短くならない。本実施例では８ｍＷのレーザ
パワーで２０ｎｓｅｃの結晶化開始しきい値が得られて
いる。
ｍＷへと増加させるにしたがって、結晶化開始パルス幅
が短パルス側へシフトし８ｍＷ以上としても結晶化開始
パルス幅は短くならない。本実施例では８ｍＷのレーザ
パワーで２０ｎｓｅｃの結晶化開始しきい値が得られて
いる。
非晶質化特性は、−旦パワー４ｍＷでパルス幅２μｓｅ
ｃの単発パルスを照射して記録薄膜各充分に結晶化させ
た後、同じ位置に、より高いパワーのレーザ光を照射し
て調べた。−例として（Ｇｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５ ）ｏ
、ｓｓＢ ｏ、＋ｓ記録薄膜を有する試験片の結果を第
５図に示す。１２ｍＷのパワーで、８０ｎｓｅｃ以上の
パルス幅のときに反射率変化が生じていることから、非
晶質化が実現していることがわかる。
ｃの単発パルスを照射して記録薄膜各充分に結晶化させ
た後、同じ位置に、より高いパワーのレーザ光を照射し
て調べた。−例として（Ｇｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５ ）ｏ
、ｓｓＢ ｏ、＋ｓ記録薄膜を有する試験片の結果を第
５図に示す。１２ｍＷのパワーで、８０ｎｓｅｃ以上の
パルス幅のときに反射率変化が生じていることから、非
晶質化が実現していることがわかる。
このようにして測定した結晶化開始のしきい値、及び非
晶質化開始のしきい値の、Ｂ添加量依存性を第６図（ａ
）、 （ｔ））にそれぞれ示す。
晶質化開始のしきい値の、Ｂ添加量依存性を第６図（ａ
）、 （ｔ））にそれぞれ示す。
第６図から、（Ｇ ｅ ２ Ｓ ｂ ２ Ｔ ｅ ５
） Ｉ−ａＢｅｘを記録薄膜として有する試験片の結晶
化開始しきい値は、α≦０．４の範囲ではＢｌにほとん
ど依存しないが、α〈０．４の範囲ではＢ量に依存して
急激に大きくなる（結晶化感度が劣化する）ことがわか
る。又、非晶質化開始のしきい値は、Ｂｉｌが増加する
とともに小さくなる（非晶質化感度が向上する）。
） Ｉ−ａＢｅｘを記録薄膜として有する試験片の結晶
化開始しきい値は、α≦０．４の範囲ではＢｌにほとん
ど依存しないが、α〈０．４の範囲ではＢ量に依存して
急激に大きくなる（結晶化感度が劣化する）ことがわか
る。又、非晶質化開始のしきい値は、Ｂｉｌが増加する
とともに小さくなる（非晶質化感度が向上する）。
さらに、組成が（Ｇ ｅ ２ Ｓ ｂ ２ Ｔ ｅ ５
） ＋−ａＢａで表される記録薄膜を真空蒸着法で作
成し、光ディスクとしての動的な特性を測定した。記録
薄膜の膜厚は６０ｎｍ、基板側及び反射層側の保護層は
それぞれ膜厚１５０，２００ｎｍのＺｎＳ薄膜、反射層
は膜厚２０ｎｍのＡｕｌ膜で形成した。ディスクは５．
２５インチ径のポリカーボネートを用い、レーザビーム
（波長：８３０ｎｍ）とディスクの相対速度はｌｏｍ／
ｓｅｃとした。第７図に一例として（Ｇ ｅ２ Ｓ ｂ
２ Ｔ ｅ５ ） ｏ、ｓｓＢ ｏ、＋ｓ記録薄膜を有
するディスクに１０周波数５ＭＨｚで信号を記録した時
の書き込みパワーとＣＮ比（搬送波対ノイズ比）との関
係を示す、第７図かられかるように、記録パワーが１５
ｍＷ以上の時にＣＮ比が４５ｄＢを越える。Ｂ添加量を
変えて記録特性を調べた結果、８５６０％の範囲では４
５ｄＢ以上のＣＮ比が得られることがわかった。
） ＋−ａＢａで表される記録薄膜を真空蒸着法で作
成し、光ディスクとしての動的な特性を測定した。記録
薄膜の膜厚は６０ｎｍ、基板側及び反射層側の保護層は
それぞれ膜厚１５０，２００ｎｍのＺｎＳ薄膜、反射層
は膜厚２０ｎｍのＡｕｌ膜で形成した。ディスクは５．
２５インチ径のポリカーボネートを用い、レーザビーム
（波長：８３０ｎｍ）とディスクの相対速度はｌｏｍ／
ｓｅｃとした。第７図に一例として（Ｇ ｅ２ Ｓ ｂ
２ Ｔ ｅ５ ） ｏ、ｓｓＢ ｏ、＋ｓ記録薄膜を有
するディスクに１０周波数５ＭＨｚで信号を記録した時
の書き込みパワーとＣＮ比（搬送波対ノイズ比）との関
係を示す、第７図かられかるように、記録パワーが１５
ｍＷ以上の時にＣＮ比が４５ｄＢを越える。Ｂ添加量を
変えて記録特性を調べた結果、８５６０％の範囲では４
５ｄＢ以上のＣＮ比が得られることがわかった。
第８図に一例として（ＧｅｔＳｂｚＴｅｓ）ｏ、５ｓＢ
ａ、＋ｓ記録薄膜を有するディスクの消去特性を示す。
ａ、＋ｓ記録薄膜を有するディスクの消去特性を示す。
横軸は消去レーザ光のパワー、縦軸は消去率である。
消去を行うレーザビームの形状は円形で、パワーはガウ
ス分布である。前もって１８ｍＷの記録レーザパワーで
信号を記録し、しかる後に直流的にレーザ光を照射して
信号の消去（結晶化）を行った。結晶化（消去）に要す
る時間が、信号の記録に要する時間と同程度に短いため
に、信号記録用と同一のレーザスポットでも記録部の結
晶化（消去）が充分に行える。すなわち、いわゆる単一
ビームによる重ね書きが可能である。Ｂ添加量を変えて
消去特性を調べた結果、８６４０％の範囲で２５ｄＢ以
上の消去率が得られることがわかった。
ス分布である。前もって１８ｍＷの記録レーザパワーで
信号を記録し、しかる後に直流的にレーザ光を照射して
信号の消去（結晶化）を行った。結晶化（消去）に要す
る時間が、信号の記録に要する時間と同程度に短いため
に、信号記録用と同一のレーザスポットでも記録部の結
晶化（消去）が充分に行える。すなわち、いわゆる単一
ビームによる重ね書きが可能である。Ｂ添加量を変えて
消去特性を調べた結果、８６４０％の範囲で２５ｄＢ以
上の消去率が得られることがわかった。
Ｂの添加量が４０％を越えると消去率が２５ｄＢ以下と
なり、記録、消去可能な光ディスクの記録薄膜としては
好ましくない。
なり、記録、消去可能な光ディスクの記録薄膜としては
好ましくない。
さらに記録、消去の操り返し試験を行った。第９図に周
波数５Ｍｌ１ｚで信号を１万回重ね書き（オーバーライ
ド記録）した時の、記録パワーと記録領域終端部におけ
る劣化長さ（記録マークの再生信号の振幅が小さくなっ
ている領域の長さ）の関係を示す。第９図（ａ）より、
Ｂを添加することによって記録領域終端部における繰り
返し劣化が抑制されることがわかる。さらに、Ｂを添加
することによって、繰り返しに対する記録パワーの許容
範囲が広がる−特に、記録パワーが最適値よりも若１−
大きい場合に、Ｂの繰り返し劣化の抑制効果が大きい−
ことも確かめられた。
波数５Ｍｌ１ｚで信号を１万回重ね書き（オーバーライ
ド記録）した時の、記録パワーと記録領域終端部におけ
る劣化長さ（記録マークの再生信号の振幅が小さくなっ
ている領域の長さ）の関係を示す。第９図（ａ）より、
Ｂを添加することによって記録領域終端部における繰り
返し劣化が抑制されることがわかる。さらに、Ｂを添加
することによって、繰り返しに対する記録パワーの許容
範囲が広がる−特に、記録パワーが最適値よりも若１−
大きい場合に、Ｂの繰り返し劣化の抑制効果が大きい−
ことも確かめられた。
このように、 （ＧｅｚＳｔ＋ｔＴｅｓ） ｌ−＃Ｌ
、 Ｏ＜ ａ≦０．４で表される記録薄膜を有する光
ディスクは、優れた信号の記録、消去特性、及び繰り返
し特性を有している。
、 Ｏ＜ ａ≦０．４で表される記録薄膜を有する光
ディスクは、優れた信号の記録、消去特性、及び繰り返
し特性を有している。
（実施例２）
実施例１で、Ｇ ｅ ２ Ｓ ｂ ２１’ ｅ ５記録
薄膜組成にＢを添加することによって、記録、消去の繰
り返し時の記録領域終端部劣化が生しにくくなることを
示した。Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５記録薄膜組成にＣを添加し
た場合についても、Ｂの添加の場合と同様に、０６４０
％の範囲で良好な記録、消去の繰り返し特性が向上する
ことが実験的に６′伍かめられた。記録、消去感度、消
去率、熱的な安定性についても、Ｂ添加の場合と同様に
、書き換え可能な光ディスクとして、実用的に十分な特
性であった。第９図に周 波数５ＭＨｚで信号を１万回
重ね書き（オーバーライド記録）した時の、記録パワー
と記録領域終端部における劣化長さ（記録マークの再生
信号の振幅が小さくなっている領域の長さ）の関係を示
す。第９図（ｂ）より、Ｃを添加することによって記録
領域終端部における繰り返し劣化が抑制されることがわ
かる。さらに、Ｃを添加することによって、繰り返しに
対する記録パワーの許容範囲が広がる−特に、記録パワ
ーが最適値よりも若干大きい場合に、Ｂの繰り返し劣化
の抑制効果が大きい−ことも確かめられた。
薄膜組成にＢを添加することによって、記録、消去の繰
り返し時の記録領域終端部劣化が生しにくくなることを
示した。Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５記録薄膜組成にＣを添加し
た場合についても、Ｂの添加の場合と同様に、０６４０
％の範囲で良好な記録、消去の繰り返し特性が向上する
ことが実験的に６′伍かめられた。記録、消去感度、消
去率、熱的な安定性についても、Ｂ添加の場合と同様に
、書き換え可能な光ディスクとして、実用的に十分な特
性であった。第９図に周 波数５ＭＨｚで信号を１万回
重ね書き（オーバーライド記録）した時の、記録パワー
と記録領域終端部における劣化長さ（記録マークの再生
信号の振幅が小さくなっている領域の長さ）の関係を示
す。第９図（ｂ）より、Ｃを添加することによって記録
領域終端部における繰り返し劣化が抑制されることがわ
かる。さらに、Ｃを添加することによって、繰り返しに
対する記録パワーの許容範囲が広がる−特に、記録パワ
ーが最適値よりも若干大きい場合に、Ｂの繰り返し劣化
の抑制効果が大きい−ことも確かめられた。
に
のように、（ＧｅｚＳｂｚＴｅｓ） ＋ −ｔｘ８ｃｍ
、 Ｏ＜ ＬＸ≦０．４で表される記録薄膜を存す
る光ディスクは、優れた信号の記録、消去特性、及び繰
り返し特性を有している。
、 Ｏ＜ ＬＸ≦０．４で表される記録薄膜を存す
る光ディスクは、優れた信号の記録、消去特性、及び繰
り返し特性を有している。
（実施例３）
Ｍｌｒ戊が（Ｇｅ＋＋ＳｂｙＴｅｚｌ１１−ｍＢａ、
ｘ ＋ ｙ 十ｚ ＝ １． 。
ｘ ＋ ｙ 十ｚ ＝ １． 。
０≦α≦０．８で表される記録薄膜を有する試験片を真
空蒸着法で作成し、結晶化特性５非晶質化特性、及び記
録、消去の繰り返し時に生じる゛記録領域終端部の劣化
“に対する記録パワーの影響を調べた。記録薄膜の膜厚
は６０ｎｍ、基板側及び反射層側の保＃１層はそれぞれ
膜厚が１５０ｎｍ。
空蒸着法で作成し、結晶化特性５非晶質化特性、及び記
録、消去の繰り返し時に生じる゛記録領域終端部の劣化
“に対する記録パワーの影響を調べた。記録薄膜の膜厚
は６０ｎｍ、基板側及び反射層側の保＃１層はそれぞれ
膜厚が１５０ｎｍ。
２００ｎｍのＺｎ５Ｆｊｌｌｌｌ、反射層は膜厚２０ｎ
ｍのＡｕ薄膜で形成した。
ｍのＡｕ薄膜で形成した。
実験の結果、結晶化７非晶質化感度がともに良好（単一
ビームによる重ね書きを考慮して、結晶化速度１００ｎ
ｓｅｃ以下）で、又、非晶質状態の記録薄膜が熱的に安
定に存在することができ、かつ記録、消去の繰り返し時
の記録領域終端部劣化が生じにくいＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、
元組成の範囲、及びＢの添加量は、 （ｃ ｅ Ｘ Ｓ ｂ ｙ Ｔ ｅ Ｚ ） ＋−ｃｔ
Ｂｔｘ０．１−αＢα０．１０≦ｘ≦０．３５ ０
．１０≦ｙ０．４５≦ｚ≦０．６５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１０くα≦０．４ で表されることがわかった。なおこの領域は、第１Ｏ図
のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅで囲まれた範囲に、組成全体に対
してＢを４０ａｔ％以上の割合で添加した領域である。
ビームによる重ね書きを考慮して、結晶化速度１００ｎ
ｓｅｃ以下）で、又、非晶質状態の記録薄膜が熱的に安
定に存在することができ、かつ記録、消去の繰り返し時
の記録領域終端部劣化が生じにくいＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、
元組成の範囲、及びＢの添加量は、 （ｃ ｅ Ｘ Ｓ ｂ ｙ Ｔ ｅ Ｚ ） ＋−ｃｔ
Ｂｔｘ０．１−αＢα０．１０≦ｘ≦０．３５ ０
．１０≦ｙ０．４５≦ｚ≦０．６５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１０くα≦０．４ で表されることがわかった。なおこの領域は、第１Ｏ図
のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅで囲まれた範囲に、組成全体に対
してＢを４０ａｔ％以上の割合で添加した領域である。
このように実験的に得られた記録薄膜の組成のうち、Ｂ
を除（Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比について注目する。こ
の組成比は、すでに述べたように、結晶加速度のはやい
（ＧｅＴｅ）α（Ｓｂ２Ｔｅ３）＋−＊組成近傍（第２
図）で、非晶質状態でも安定に存在できるよう適当なＧ
ｅ量を有しく第３図）、かつＢの添加がなくても相対的
に記録、消去の繰り返し特性が高い組成比となっている
。Ｂの添加が記録薄膜の光ディスクとしての特性をさら
に向上させることがわかる。
を除（Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比について注目する。こ
の組成比は、すでに述べたように、結晶加速度のはやい
（ＧｅＴｅ）α（Ｓｂ２Ｔｅ３）＋−＊組成近傍（第２
図）で、非晶質状態でも安定に存在できるよう適当なＧ
ｅ量を有しく第３図）、かつＢの添加がなくても相対的
に記録、消去の繰り返し特性が高い組成比となっている
。Ｂの添加が記録薄膜の光ディスクとしての特性をさら
に向上させることがわかる。
（実施例４）
組成が（ＧｅｍＳｂ、Ｔｅｇ）＋−ａｃａ、 ｘ ＋
ｙ ＋ ｚ ＝ １０≦α≦０，８で表される記録薄
膜を有する試験片を真空蒸着法で作成し、結晶化特性、
非晶質化特性、及び記録、消去の繰り返し時に生じる“
記録領域終端部の劣化”に対する記録パワーの影響を調
べた。記録薄膜の膜厚は６０ｎｍ、基板側及び反射層側
の保護層はそれぞれ膜厚が１５０ｎｍ２００ｎｍのＺｎ
Ｓ薄膜、反射層は膜厚２０ｎｍのＡｕ薄膜で形成した。
ｙ ＋ ｚ ＝ １０≦α≦０，８で表される記録薄
膜を有する試験片を真空蒸着法で作成し、結晶化特性、
非晶質化特性、及び記録、消去の繰り返し時に生じる“
記録領域終端部の劣化”に対する記録パワーの影響を調
べた。記録薄膜の膜厚は６０ｎｍ、基板側及び反射層側
の保護層はそれぞれ膜厚が１５０ｎｍ２００ｎｍのＺｎ
Ｓ薄膜、反射層は膜厚２０ｎｍのＡｕ薄膜で形成した。
実験の結果、結晶化、非晶質化感度がともに良好（単一
ビームによる重ね書きを考慮して、結晶化速度１００ｎ
ｓｅｃ以下）で、又、非晶質状態の記録１ｍが熱的に安
定に存在することができ、かつ記録２消去の繰り返し時
の記録領域終端部劣化が生じにくいＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ３
元組成の範囲、及びＣの添加量は、 （’Ｃｅ ｘＳ ｂ ｙ Ｔ ｅ ２ ）＋−ｄＣ＊
。
ビームによる重ね書きを考慮して、結晶化速度１００ｎ
ｓｅｃ以下）で、又、非晶質状態の記録１ｍが熱的に安
定に存在することができ、かつ記録２消去の繰り返し時
の記録領域終端部劣化が生じにくいＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ３
元組成の範囲、及びＣの添加量は、 （’Ｃｅ ｘＳ ｂ ｙ Ｔ ｅ ２ ）＋−ｄＣ＊
。
０．１−αＢα０．１０≦ｘ≦０．３５ ０．１０≦
ｙ０．４５≦ｚ≦０．６５ ｘ＋ｙ＋ｚ ＝１０＜
α≦０．４ で表されることがわかった。
ｙ０．４５≦ｚ≦０．６５ ｘ＋ｙ＋ｚ ＝１０＜
α≦０．４ で表されることがわかった。
（実施例５）
実施例３及び４では、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録薄膜組成に
Ｂ或いはＣを添加することによって、記録。
Ｂ或いはＣを添加することによって、記録。
消去の繰り返し時の記録ｗｉ域終端部劣化が生じにくく
なることを示した。他にもＴｅ或いはＩｎを主成分とす
る記録薄膜、例えばＴｅ−Ｇｅ。
なることを示した。他にもＴｅ或いはＩｎを主成分とす
る記録薄膜、例えばＴｅ−Ｇｅ。
Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎ Ｔｅ−Ｇｅ−３ｎ−ＡｕＳｂ−Ｔ
ｅ、５ｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ。
ｅ、５ｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ。
Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉｎ−５ｂ。
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ−ＴｅにＢ或いはＣを添
加した結果、いずれも記録、消去繰り返し時の記録領域
終端劣化が生じにくくなった。第１１図に一例として、
１ビームによる重ね書き可能なＩ ｎ５ｅｓ ｅ、１ｓ
Ｔｆｆｉ＋ｓ Ｂ記録ｉ１膜、及びｌ ｎ５ａｓｅ！
５Ｔｌｌｓ Ｃ記録薄膜を有する光ディスクに重ね書
きで信号を１０００回記録した後の記録領域終端劣化長
さを示す、第１１図より、Ｂ添加、及びＣ添加によって
劣化が抑制されることがわかる。又、結晶化速度が比較
的遅く、ｌビームによる重ね書きができない、或いは困
難な材料からなる記録薄膜に対しても、Ｂ及びＣの添加
効果が認められた０例えば、Ｔｅ −Ｇｅ −５ｎＡｕ
記録薄膜を有する光ディスクは、記録薄膜の結晶化速度
が比較的遅く、ｌビームによる重ね書きは困難であるが
、記録５再生用と、消去用の２つのレーザ光を用い、消
去用のレーザスポットを記録用のレーザスポットよりも
相対的に長（することで、記録、消去の繰り返しを行う
ことができる（特願昭６０−１１２４２０号） 、 Ｔ
ｅ −ＧｅＳｎ−Ａｕ記録薄膜の場合でも、適当量のＢ
添加、及び適当量のＣ添加によって、記録領域終端部の
繰り返し劣化が抑制されることが確かめられた。
加した結果、いずれも記録、消去繰り返し時の記録領域
終端劣化が生じにくくなった。第１１図に一例として、
１ビームによる重ね書き可能なＩ ｎ５ｅｓ ｅ、１ｓ
Ｔｆｆｉ＋ｓ Ｂ記録ｉ１膜、及びｌ ｎ５ａｓｅ！
５Ｔｌｌｓ Ｃ記録薄膜を有する光ディスクに重ね書
きで信号を１０００回記録した後の記録領域終端劣化長
さを示す、第１１図より、Ｂ添加、及びＣ添加によって
劣化が抑制されることがわかる。又、結晶化速度が比較
的遅く、ｌビームによる重ね書きができない、或いは困
難な材料からなる記録薄膜に対しても、Ｂ及びＣの添加
効果が認められた０例えば、Ｔｅ −Ｇｅ −５ｎＡｕ
記録薄膜を有する光ディスクは、記録薄膜の結晶化速度
が比較的遅く、ｌビームによる重ね書きは困難であるが
、記録５再生用と、消去用の２つのレーザ光を用い、消
去用のレーザスポットを記録用のレーザスポットよりも
相対的に長（することで、記録、消去の繰り返しを行う
ことができる（特願昭６０−１１２４２０号） 、 Ｔ
ｅ −ＧｅＳｎ−Ａｕ記録薄膜の場合でも、適当量のＢ
添加、及び適当量のＣ添加によって、記録領域終端部の
繰り返し劣化が抑制されることが確かめられた。
（実施例６）
相変化型光ディスクの記録薄膜は、多くの場合成膜され
た時点では非晶質状態である０通常、消去可能な相変化
型光デイスク装置の場合には、非晶質相を記録信号に対
応させ、結晶相を消去した状態に対応させる。従って、
成膜後のディスクは、ディスク全面を結晶化させる必要
がある。そこで、例えば、特開昭６０−１０６０３１号
公報に示されたような、高速ディスク結晶化装置を用い
て結晶化を行う。この結晶化装置は、レーザ光を一定の
形状にして、記録媒体への照射位置を移動させながら照
射し、高速で記録薄膜の結晶化を行うものである。
た時点では非晶質状態である０通常、消去可能な相変化
型光デイスク装置の場合には、非晶質相を記録信号に対
応させ、結晶相を消去した状態に対応させる。従って、
成膜後のディスクは、ディスク全面を結晶化させる必要
がある。そこで、例えば、特開昭６０−１０６０３１号
公報に示されたような、高速ディスク結晶化装置を用い
て結晶化を行う。この結晶化装置は、レーザ光を一定の
形状にして、記録媒体への照射位置を移動させながら照
射し、高速で記録薄膜の結晶化を行うものである。
実施例５で述べたようにＴｅ或いはＩｎを主成分とする
記録薄膜にＢ或いはＣを添加した結果、いずれも記録、
消去の繰り返し時の記録領域終端劣化が生じにくくなっ
た。又、添加量が適当であると（おおむね４０％以下）
Ｂ、Ｃ添加による記録薄膜の結晶化速度は遅くならない
、ところが、Ｂ及びＣを添加することにより、上記高速
結晶化装置を用いた結晶化過程における適正な照射レー
ザ、パワーの許容範囲が狭くなることがわかった。
記録薄膜にＢ或いはＣを添加した結果、いずれも記録、
消去の繰り返し時の記録領域終端劣化が生じにくくなっ
た。又、添加量が適当であると（おおむね４０％以下）
Ｂ、Ｃ添加による記録薄膜の結晶化速度は遅くならない
、ところが、Ｂ及びＣを添加することにより、上記高速
結晶化装置を用いた結晶化過程における適正な照射レー
ザ、パワーの許容範囲が狭くなることがわかった。
すなわち、適正なパワー以上で結晶化を行おうとすると
、記録薄膜にクラックが生じやすくなった。
、記録薄膜にクラックが生じやすくなった。
この現象を解決するために種々実験を行った結果、記録
薄膜成膜時において、記録薄膜膜厚方向で少なくとも一
部は添加元素、−すなわちＢ或いはＣ−を含まないよう
にする、或いは添加元素を少なくするようにすればよい
ことがわかった、第１２図に記録Ｆｊｉｌｌａ膜厚方向
の８分布の一例を示す。実際にこのような記録薄膜を成
膜するには、例えば記録薄膜の母材料とＢとを独立の蒸
着源から、各々の蒸着レートを独立に制御しながら成膜
すればよい。
薄膜成膜時において、記録薄膜膜厚方向で少なくとも一
部は添加元素、−すなわちＢ或いはＣ−を含まないよう
にする、或いは添加元素を少なくするようにすればよい
ことがわかった、第１２図に記録Ｆｊｉｌｌａ膜厚方向
の８分布の一例を示す。実際にこのような記録薄膜を成
膜するには、例えば記録薄膜の母材料とＢとを独立の蒸
着源から、各々の蒸着レートを独立に制御しながら成膜
すればよい。
（実施例７）
実施例１及び２ではＧｅ２ｓｂ２Ｔｅ５記録薄膜にＢ或
いはＣを添加することによって、記録。
いはＣを添加することによって、記録。
消去の繰り返し劣化が抑制されることを示した。
次に、記録薄膜中にＢやＣを加えず、代わりに記録薄膜
に接して記録薄膜の両側、或いは片側にＢ層或いは０層
を設けることによって、繰り返しにおける記録領域終端
部劣化が抑制されるかを調べた。
に接して記録薄膜の両側、或いは片側にＢ層或いは０層
を設けることによって、繰り返しにおける記録領域終端
部劣化が抑制されるかを調べた。
第１３図にＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５記録薄膜の両側にＢ層を
設けた光ディスクに重ね書きで信号を１万回記録した後
の記録領域終端部劣化長さと両側Ｂ層の膜厚の関係を示
す、この時のディスク構造を第１図（＋））に示す、記
録薄膜の膜厚は６０ｎｍ、基板側及び反射層側の保護層
はそれぞれ膜厚１５０ｎｍ ２００ｎｍのＺｎＳ薄膜
、反射層は膜厚２０ｎｍのＡｕ薄膜で形成した。第１３
図かられかるように、Ｂ層を設けることによって繰り返
し劣化が抑制される。しかし、８層膜厚を１０ｎｍより
厚くすると繰り返しによって記録薄膜が破れやすくなっ
た。すなわちＢ層の膜厚は１０ｎｍ以下が適当である。
設けた光ディスクに重ね書きで信号を１万回記録した後
の記録領域終端部劣化長さと両側Ｂ層の膜厚の関係を示
す、この時のディスク構造を第１図（＋））に示す、記
録薄膜の膜厚は６０ｎｍ、基板側及び反射層側の保護層
はそれぞれ膜厚１５０ｎｍ ２００ｎｍのＺｎＳ薄膜
、反射層は膜厚２０ｎｍのＡｕ薄膜で形成した。第１３
図かられかるように、Ｂ層を設けることによって繰り返
し劣化が抑制される。しかし、８層膜厚を１０ｎｍより
厚くすると繰り返しによって記録薄膜が破れやすくなっ
た。すなわちＢ層の膜厚は１０ｎｍ以下が適当である。
又、Ｇ ｅ ２ Ｓ ｂ ２ Ｔ ｅ ｓ記録薄膜の片
側にＢ層を設けた場合でも、繰り返し劣化の抑制効果が
見られた。
側にＢ層を設けた場合でも、繰り返し劣化の抑制効果が
見られた。
同様に、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ、記録薄膜の両側、或いは片
側に０層を設けた場合にも、Ｂ層を設けた場合と同様に
、繰り返し劣化の抑制効果が見られた。この時、０層の
膜厚は１０ｎｍ以下が適当である。
側に０層を設けた場合にも、Ｂ層を設けた場合と同様に
、繰り返し劣化の抑制効果が見られた。この時、０層の
膜厚は１０ｎｍ以下が適当である。
さらに記録薄膜組成範囲を広げて、結晶化、非晶質化感
度がともに良好で、かつＢＦ３或いは０層を設けること
によって繰り返し劣化の抑制される構成を調べた。その
結果、Ｇｅ−５ｂ−Ｔｅ８元組成の範囲、及び記録薄膜
の両側、或いは片側に設けたＢ層或いは０層の膜厚が、 ＧｅｘＳｂ、Ｔｅ２ ０．１−αＢα０．１０≦ｘ≦０．３５ ０．１０≦
ｙ０．４５≦ｚ＜０．６５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝ＩＢ層或
いは０層の膜厚が１０ｎｍ以下で表される時に結晶化、
非晶質化感度がともに良好で、かつ繰り返し劣化が抑制
されることがわかった。
度がともに良好で、かつＢＦ３或いは０層を設けること
によって繰り返し劣化の抑制される構成を調べた。その
結果、Ｇｅ−５ｂ−Ｔｅ８元組成の範囲、及び記録薄膜
の両側、或いは片側に設けたＢ層或いは０層の膜厚が、 ＧｅｘＳｂ、Ｔｅ２ ０．１−αＢα０．１０≦ｘ≦０．３５ ０．１０≦
ｙ０．４５≦ｚ＜０．６５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝ＩＢ層或
いは０層の膜厚が１０ｎｍ以下で表される時に結晶化、
非晶質化感度がともに良好で、かつ繰り返し劣化が抑制
されることがわかった。
他にも、Ｔｅ或いはＩｎを主成分とする記録薄膜、例え
ば単一ビームによる重ね書きが可能なＩｎ、。５ｅｓｓ
ＴＬｓ記録薄膜−の両側、或いは片側にＢ層を設けるこ
とによって、いずれも記録。
ば単一ビームによる重ね書きが可能なＩｎ、。５ｅｓｓ
ＴＬｓ記録薄膜−の両側、或いは片側にＢ層を設けるこ
とによって、いずれも記録。
消去の繰り返し時の記録領域終端劣化が生じにく（なっ
た。
た。
（実施例日）
実施例７では、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録薄膜の両側、或い
は片側にＢ層或いは０層を設けることによって、記録、
消去の繰り返し時の記録領域終端部劣化が生じに（くな
ることを示した。実施例７及び実施例５を組み合わせる
、すなわち記録薄膜材料成分にＢｉｉ！いはＣを加え、
かつ記録薄膜の両側、或いは片側にＢｌ’ｌ或いはｃｌ
を設けることによっても、記録、消去の繰り返し時の記
録領域終端部劣化が抑制されることを確認した。
は片側にＢ層或いは０層を設けることによって、記録、
消去の繰り返し時の記録領域終端部劣化が生じに（くな
ることを示した。実施例７及び実施例５を組み合わせる
、すなわち記録薄膜材料成分にＢｉｉ！いはＣを加え、
かつ記録薄膜の両側、或いは片側にＢｌ’ｌ或いはｃｌ
を設けることによっても、記録、消去の繰り返し時の記
録領域終端部劣化が抑制されることを確認した。
（実施例９）
実施例７で、Ｇｅ２ Ｓｂ２ Ｔｅ５記録薄膜の両側、
或いは片側にＢ１１或いは０層を設けることによって、
記録、消去の繰り返し劣化が抑制されることを示した。
或いは片側にＢ１１或いは０層を設けることによって、
記録、消去の繰り返し劣化が抑制されることを示した。
そこで次に、記録薄膜に接する保護層の材料成分にＢ或
いはＣを加えることによって、繰り返しにおける記録領
域終端部劣化が抑制されるかを調べた。
いはＣを加えることによって、繰り返しにおける記録領
域終端部劣化が抑制されるかを調べた。
一例として、第１４図にＧ ｅ ２ Ｓ ｂ ２ Ｔ
ｅ ５記録薄膜の両側にＺｎ５−Ｂで表される保護層を
設けた光ディスクに重ね書きで信号を１万回記録した後
の、記録領域終端部劣化長さと保禮層材料に占めるＢ量
の関係を示す。記録薄膜の膜厚は６０ｎｍ、基板側及び
反射層側の保護層はそれぞれ膜厚が１５０ｎｍ、２００
ｎｍのＺｎ５−Ｂ薄膜、反射層は膜厚２０ｎｍのＡ ｕ
′ｉ！ｉ膜で形成した。第１４図かられかるように、
保護層中にＢが含まれる時に繰り返し劣化抑制効果が見
られる。記録薄膜の片側の保護層にのみＢを含む材料で
形成した場合でも、繰り返し劣化の抑制効果が見られた
。
ｅ ５記録薄膜の両側にＺｎ５−Ｂで表される保護層を
設けた光ディスクに重ね書きで信号を１万回記録した後
の、記録領域終端部劣化長さと保禮層材料に占めるＢ量
の関係を示す。記録薄膜の膜厚は６０ｎｍ、基板側及び
反射層側の保護層はそれぞれ膜厚が１５０ｎｍ、２００
ｎｍのＺｎ５−Ｂ薄膜、反射層は膜厚２０ｎｍのＡ ｕ
′ｉ！ｉ膜で形成した。第１４図かられかるように、
保護層中にＢが含まれる時に繰り返し劣化抑制効果が見
られる。記録薄膜の片側の保護層にのみＢを含む材料で
形成した場合でも、繰り返し劣化の抑制効果が見られた
。
同様に、Ｇｅ２５ｂ２Ｔｅ５記録薄膜の両側、或いは片
側にＺｎ５−Ｃで表される保護層を設けた場合にも、Ｚ
ｎ５−Ｃ保護層の場合と同様の繰り返し劣化の抑制効果
が見られた。
側にＺｎ５−Ｃで表される保護層を設けた場合にも、Ｚ
ｎ５−Ｃ保護層の場合と同様の繰り返し劣化の抑制効果
が見られた。
さらに記録簿ＰＩＪ、＆ｌｉ成範囲を広げて、結晶化、
非晶質化感度がともに良好で、かつＢ或いはＣを含む保
護層を設けることによって繰り返しの劣化抑制される構
成を調べた。その結果、Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅ、元組成の範
囲が ＧｅＸＳｂ、Ｔｅ２ ０、１−αＢα０．１０≦ｘ≦０．３５ ０．１０≦
ｙ０．４５≦ｚ≦０．６５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で表
される時に結晶化、非晶質化感度がともに良好で、かつ
繰り返し劣化が抑制されることがわかった。
非晶質化感度がともに良好で、かつＢ或いはＣを含む保
護層を設けることによって繰り返しの劣化抑制される構
成を調べた。その結果、Ｇｅ−８ｂ−Ｔｅ、元組成の範
囲が ＧｅＸＳｂ、Ｔｅ２ ０、１−αＢα０．１０≦ｘ≦０．３５ ０．１０≦
ｙ０．４５≦ｚ≦０．６５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１で表
される時に結晶化、非晶質化感度がともに良好で、かつ
繰り返し劣化が抑制されることがわかった。
又、保護層の母材はＺｎＳに限定する必要はない。例え
ば、ＡＩ！２０８．Ｓ ｔｏ、Ｓ ｔｏ２゜Ｔｅａ２２
Ｍｏｂ８．ＷＯ３，ＰｂＦ２．ＭｇＦ２ 。
ば、ＡＩ！２０８．Ｓ ｔｏ、Ｓ ｔｏ２゜Ｔｅａ２２
Ｍｏｂ８．ＷＯ３，ＰｂＦ２．ＭｇＦ２ 。
ＳｉＮ等の誘電体或いはこれらの適当な組み合わせから
なる保護層に対しても、Ｂ或いはＣを添加することによ
って記録、消去の繰り返し劣化を抑制することができる
。
なる保護層に対しても、Ｂ或いはＣを添加することによ
って記録、消去の繰り返し劣化を抑制することができる
。
又、Ｂ或いはＣを保３ｉ層全体に均一に分散、或いは固
溶させる必要はない。重要なのは、記録薄膜との界面付
近にＢ或いはＣが存在することである。
溶させる必要はない。重要なのは、記録薄膜との界面付
近にＢ或いはＣが存在することである。
他にもＴｅ或いはＩｎを主成分とする記録薄膜、例えば
単一ビームによる重ね書き可能なＩｎｓ。Ｓ ｅ ３５
Ｔ Ｉ！ ＋ｓ記録薄膜−の両側、或いは片側にＢ或い
はＣを含む保護層を設けることによって、いずれも記録
、消去の繰り返し時の記録領域終端劣化が生じにくくな
った。
単一ビームによる重ね書き可能なＩｎｓ。Ｓ ｅ ３５
Ｔ Ｉ！ ＋ｓ記録薄膜−の両側、或いは片側にＢ或い
はＣを含む保護層を設けることによって、いずれも記録
、消去の繰り返し時の記録領域終端劣化が生じにくくな
った。
（実施例１０）
実施例９では、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録薄１１りの両側、
或いは片側にＢ或いはＣを含む保護層を設けることによ
って、記録、消去の繰り返し時の記録領域終端部劣化が
生じにくくなることを示した。
或いは片側にＢ或いはＣを含む保護層を設けることによ
って、記録、消去の繰り返し時の記録領域終端部劣化が
生じにくくなることを示した。
実施例９、及び実施例５を組み合わせる、すなわち記録
薄膜材料成分にＢ或いはＣを加え、かつ記録薄膜の両側
、或いは片側にＢ或いはＣを含む保護層を設けることに
よっても、記録、消去の繰り返し時の記録領域終端部劣
化が抑制されることを６″信認した。
薄膜材料成分にＢ或いはＣを加え、かつ記録薄膜の両側
、或いは片側にＢ或いはＣを含む保護層を設けることに
よっても、記録、消去の繰り返し時の記録領域終端部劣
化が抑制されることを６″信認した。
発明の効果
記録薄膜材料成分にＢ層或いはＣを加える、及び／或い
は、記録薄膜に接してＢ或いは０層を設ける、及び／或
いは、記録薄膜に接した保＃ｌＩ層の材料成分にＢ或い
はＣを加えることにより、最適パワーより高いパワーで
記録する場合でも繰り返しによる記録薄膜の破壊が生じ
にくくなる。即ち、良好な繰り返しが得られる記録パワ
ーの許容範囲が広がる。
は、記録薄膜に接してＢ或いは０層を設ける、及び／或
いは、記録薄膜に接した保＃ｌＩ層の材料成分にＢ或い
はＣを加えることにより、最適パワーより高いパワーで
記録する場合でも繰り返しによる記録薄膜の破壊が生じ
にくくなる。即ち、良好な繰り返しが得られる記録パワ
ーの許容範囲が広がる。
第１図は記録媒体の樽造を示す断面図、第２図はＧ ｅ
Ｓ ｂ Ｔ ｅ １１元薄膜の組成と結晶化速度
の関係図、第３図はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ２元薄膜の組成と
結晶化温度の関係図、第４図は静的な結晶化特性図、第
５図は静的な非晶質化特性図、第６図はＧｅ２Ｓｂ２Ｔ
ｅ５記録薄膜にＢを添加した時の結晶化、非晶質化特性
図、第７図は動的記録特性図、第８図は動的消去特性図
、第９図、第１ｔ図は記録薄膜へのＢ或いはＣ添加によ
る記録消去の繰り返し劣化抑制効果を示す説明図、第１
Ｏ図はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂ４元系記録薄膜の材料組成
範囲を示す説明図、第１２図は記録薄膜中に含まれるＢ
の記録薄膜膜厚方向分布を示す説明図、第１３図は記録
薄膜に接して設けたＢ層による繰り返し劣化抑制効果を
示す説明図、第１４図は記録薄膜に接して設けたＢを含
む保護層による繰り返し劣化抑制効果を示す説明図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・透明体層、３・・
・・・・記録薄膜、４・・・・・・透明体層、５・・・
・・・反射層、６・・・・・・接着剤、７・・・・・・
保護基板、８・・・・・・基板平面、９・・・・・・Ｂ
層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 レープ光 第 図 ｂｚＴｅ３ Ｓｂ（ａｘｘ） 第 図 堵晶化バフ− ８常Ｗ Ｓｂｚ Ｔｅ３ Ｔｅ３５ｂ（ 渠 ９ 図 記 金子 ハ１フー （慨Ｗ） 反身↑卑（イ壬賽し単位 ） （ｎ リド晶貫化のしきい値 （ｎ５ｅＣ） ２之夛ｉ阜 （イ」＝黄（埠位 ） 皐 之 ぐ 泗 Ｃ） 結晶化のしきい値（九ｓｅｃ’） 囚 渠 ９ 図 浦大牽 （心０ 第１Ｏ図 全果 ハ″７− （慨Ｗ） 翰 （ｄＬａ （σｅχＳｂ＞ Ｔｅｚ）ｌ−ｍ ＢｃｔＯＩＯ≦工≦
０３５ ０４−５≦ｚ≦０．６５ ０＜べ≦ｏ４ ｏ、ｒｏ≦ノ ｊ ＋：／ ＊ ｚ＊ ｆ ｔｔｌ−九ｓｂ ｙへ職部劣化蚤さ （Ｐ帆） 范１３図 ／８ 記 舞バブ− 乙り （索Ｗ） 第１４図 Ｏ 就 多次 ノでワー （党〃）
Ｓ ｂ Ｔ ｅ １１元薄膜の組成と結晶化速度
の関係図、第３図はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ２元薄膜の組成と
結晶化温度の関係図、第４図は静的な結晶化特性図、第
５図は静的な非晶質化特性図、第６図はＧｅ２Ｓｂ２Ｔ
ｅ５記録薄膜にＢを添加した時の結晶化、非晶質化特性
図、第７図は動的記録特性図、第８図は動的消去特性図
、第９図、第１ｔ図は記録薄膜へのＢ或いはＣ添加によ
る記録消去の繰り返し劣化抑制効果を示す説明図、第１
Ｏ図はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｂ４元系記録薄膜の材料組成
範囲を示す説明図、第１２図は記録薄膜中に含まれるＢ
の記録薄膜膜厚方向分布を示す説明図、第１３図は記録
薄膜に接して設けたＢ層による繰り返し劣化抑制効果を
示す説明図、第１４図は記録薄膜に接して設けたＢを含
む保護層による繰り返し劣化抑制効果を示す説明図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・透明体層、３・・
・・・・記録薄膜、４・・・・・・透明体層、５・・・
・・・反射層、６・・・・・・接着剤、７・・・・・・
保護基板、８・・・・・・基板平面、９・・・・・・Ｂ
層。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第 図 レープ光 第 図 ｂｚＴｅ３ Ｓｂ（ａｘｘ） 第 図 堵晶化バフ− ８常Ｗ Ｓｂｚ Ｔｅ３ Ｔｅ３５ｂ（ 渠 ９ 図 記 金子 ハ１フー （慨Ｗ） 反身↑卑（イ壬賽し単位 ） （ｎ リド晶貫化のしきい値 （ｎ５ｅＣ） ２之夛ｉ阜 （イ」＝黄（埠位 ） 皐 之 ぐ 泗 Ｃ） 結晶化のしきい値（九ｓｅｃ’） 囚 渠 ９ 図 浦大牽 （心０ 第１Ｏ図 全果 ハ″７− （慨Ｗ） 翰 （ｄＬａ （σｅχＳｂ＞ Ｔｅｚ）ｌ−ｍ ＢｃｔＯＩＯ≦工≦
０３５ ０４−５≦ｚ≦０．６５ ０＜べ≦ｏ４ ｏ、ｒｏ≦ノ ｊ ＋：／ ＊ ｚ＊ ｆ ｔｔｌ−九ｓｂ ｙへ職部劣化蚤さ （Ｐ帆） 范１３図 ／８ 記 舞バブ− 乙り （索Ｗ） 第１４図 Ｏ 就 多次 ノでワー （党〃）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板と、前記基板上に形成され、記録、消去を目
的とするレーザ光線の照射により相変化を生じて光学特
性の異なる状態へと可逆的に移りうる記録薄膜とを少な
くとも備えてなる可逆的光学情報記録媒体において、前
記記録薄膜がＢ或いはＣを含むことを特徴とする光学情
報記録媒体。 （２）記録薄膜が、Ｔｅ化合物を主成分とし、さらにＢ
を含んでなる、或いはＴｅ化合物を主成分とし、さらに
Ｃを含んでなることを特徴とする請求項（１）記載の光
学情報記録媒体。 （３）記録薄膜が、Ｉｎ−Ｓｂを主成分とし、さらにＢ
を含んでなる、或いはＩｎ−Ｓｂを主成分とし、さらに
Ｃを含んでなることを特徴とする請求項（１）記載の光
学情報記録媒体。 （４）記録薄膜が、Ｉｎ−Ｓｅを主成分とし、さらにＢ
を含んでなる、成いはＩｎ−Ｓｅを主成分とし、さらに
Ｃを含んでなることを特徴とする請求項（１）記載の光
学情報記録媒体。 （５）記録薄膜が、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢから、或い
はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＣからなることを特徴とする請
求項（１）記載の光学情報記録媒体。 （６）記録簿膜を保護するために、該記録薄膜の両側、
或いは片側に保護層を備えることを特徴とする請求項（
１）記載の光学情報記録媒体。 （７）記録薄膜組成が （Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｙＴｅ＿ｚ）＿１＿−＿αＢ＿α０．
１０≦ｘ≦０．３５、０．１０≦ｙ ０．４５≦ｚ≦０．６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ０＜α≦０．４ で表される範囲内にあることを特徴とする請求項（１）
記載の光学情報記録媒体。 （８）記録薄膜組成が （Ｇｅ＿２Ｓｂ＿２Ｔｅ＿５）＿１＿−＿αＢ＿α０＜
α≦０．４ で表される範囲内にあることを特徴とする請求項（１）
記載の光学情報記録媒体。 （９）記録薄膜組成が （Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｙＴｅ＿ｚ）＿１＿−＿αＣ＿α０．
１０≦ｘ≦０．３５、０．１０≦ｙ ０．４５≦ｚ≦０．６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ０＜α≦０．４ で表される範囲内にあることを特徴とする請求項（１）
記載の光学情報記録媒体。 （１０）記録薄膜組成が （Ｇｅ＿２Ｓｂ＿２Ｔｅ＿５）＿１＿−＿αＣ＿α０＜
α≦０．４ で表される範囲内にあることを特徴とする請求項（１）
記載の光学情報記録媒体。 （１１）記録薄膜成膜時において、該記録薄膜中のＢ濃
度が、該記録膜の膜厚方向で濃度分布をもつことを特徴
とする請求項（１）記載の光学情報記録媒体。 （１２）記録薄膜成膜時において、該記録薄膜中のＣ濃
度が、該記録膜の膜厚方向で濃度分布をもつことを特徴
とする請求項（１）記載の光学情報記録媒体。 （１３）基板と、前記基板上に形成され、記録、消去を
目的とするレーザ光線の照射により相変化を生じて光学
特性の異なる状態へと可逆的に移りうる記録薄膜と、前
記記録薄膜に接してその両側、或いは片側に備えられた
Ｂ層とを少なくとも備えてなる可逆的光学情報記録媒体
。 （１４）記録薄膜組成が Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｙＴｅ＿ｚ ０．１０≦ｘ≦０．３５、０．１０≦ｙ ０．４５≦ｚ≦０．６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ で表される範囲内にあり、かつＢ層の膜厚が１０ｎｍ以
下であることを特徴とする請求項（１３）記載の光学情
報記録媒体。 （１５）記録薄膜組成がＧｅ＿２Ｓｂ＿２Ｔｅ＿５で、
かつＢ層の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする
請求項（１３）記載の光学情報記録媒体。 （１６）基板と、前記基板上に形成され、記録、消去を
目的とするレーザ光線の照射により相変化を生じて光学
特性の異なる状態へと可逆的に移りうる記録薄膜と、前
記記録薄膜に接してその両側、或いは片側に備えられた
Ｃ層とを少なくとも備えてなる光学情報記録媒体。 （１７）記録薄膜組成が Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｙＴｅ＿ｚ ０．１０≦ｘ≦０．３５、０．１０≦ｙ ０．４５≦ｚ≦０．６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ で表される範囲内にあり、かつＣ層の膜厚が１０ｎｍ以
下であることを特徴とする請求項（１６）記載の光学情
報記録媒体。 （１８）記録薄膜組成がＧｅ＿２Ｓｂ＿２Ｔｅ＿５で、
かつＣ層の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする
請求項（１６）記載の光学情報記録媒体。 （１９）記録薄膜に接してその両側、或いは片側にＢ層
或いはＣ層を備えることを特徴とする請求項（１）記載
の光学情報記録媒体。 （２０）基板と、前記基板上に形成され、記録、消去を
目的とするレーザ光線の照射により相変化を生じて光学
特性の異なる状態へと可逆的に移りうる記録薄膜と、前
記記録薄膜に接してその両側、或いは片側に備えられた
材料成分としてＢ或いはＣを含有する保護層とを少なく
とも備えてなる光学情報記録媒体。 （２１）記録薄膜組成が Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｙＴｅ＿ｚ ０．１０≦ｘ≦０．３５、０．１０≦ｙ ０．４５≦ｚ≦０．６５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ で表される範囲内にあることを特徴とする請求項（２０
）記載の光学情報記録媒体。 （２２）記録薄膜組成がＧｅ＿２Ｓｂ＿２Ｔｅ＿５であ
ることを特徴とする請求項四記載の光学情報記録媒体。 （２３）記録薄膜に接してその両側、或いは片側に、材
料成分としてＢ或いはＣを含有する保護層を備えること
を特徴とする請求項（１）記載の光学情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-192498 | 1988-08-01 | ||
| JP19249888 | 1988-08-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02139283A true JPH02139283A (ja) | 1990-05-29 |
| JP2991725B2 JP2991725B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=16292307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19590289A Expired - Fee Related JP2991725B2 (ja) | 1988-08-01 | 1989-07-27 | 光学情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2991725B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999006220A1 (fr) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'informations |
| JP2008217858A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 相変化記録媒体およびこの媒体を用いる情報記録再生装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217943A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPS6370939A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録部材 |
| JPS63187431A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH01292636A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Daicel Chem Ind Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH02171290A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-02 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19590289A patent/JP2991725B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217943A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスク |
| JPS6370939A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学式情報記録部材 |
| JPS63187431A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH01292636A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Daicel Chem Ind Ltd | 光情報記録媒体 |
| JPH02171290A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-02 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999006220A1 (fr) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'informations |
| JP2008217858A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 相変化記録媒体およびこの媒体を用いる情報記録再生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2991725B2 (ja) | 1999-12-20 |
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|---|---|---|---|
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