JPH05122440A - ２次元密着型イメージセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 網点等の印刷物を読み取ったときに生じるモ
アレ等のノイズを抑制することができる２次元密着型イ
メージセンサを提供する。 【構成】 画素内のスイッチング素子の薄膜トランジス
タ３又は照明用窓１２の配置を画素内の四隅にした４種
類の画素パターンをランダムに２次元に配列し、また４
種類の画素パターンを組み合わせて複数のグループを作
り、このグループをランダムに２次元に配列した２次元
密着型イメージセンサである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数の受光素子が２次
元に配列されて、原稿に密着して読み取る２次元密着型
イメージセンサに係り、特に網点の印刷物などを読み取
ったときに生じる濃淡差（モアレ）等のノイズを抑制す
ることができる２次元密着型イメージセンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の２次元密着型イメージセンサとし
ては、図１２の等価回路図に示すような構成のものがあ
った。この２次元密着型イメージセンサの構成を以下に
説明する。イメージセンサの構成単位である一画素は、
透明な基板１上に形成された光電変換部である受光素子
（フォトダイオ−ド）２と、他の画素との分離を行う分
離手段となり、電荷転送を行うスイッチング素子である
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３及び採光部とから成り、
この一画素が行方向（主走査方向）と列方向（副走査方
向）の２次元のマトリクス状に配置されて受光エリアを
形成している。

【０００３】各画素における受光素子２の透明電極は薄
膜トランジスタ３のドレイン電極に接続され、また各薄
膜トランジスタ３のゲ−ト電極は行毎に共通のゲ−ト線
１３に接続され、ゲ−ト線１３は行毎に薄膜トランジス
タのＯＮ／ＯＦＦを制御するシフトレジスタ７に接続さ
れている。そして、各薄膜トランジスタ３のソ−ス電極
は列毎に共通のデ−タ線１４に接続され、デ−タ線１４
には電荷が転送される負荷容量ＣL が設けられ、更に、
デ−タ線１４は電荷を読み取るアナログマルチプレクサ
８に接続されている。

【０００４】上記構成のイメ−ジセンサにおいて、原稿
面からの反射光の光量に応じて受光素子２で発生した電
荷が、薄膜トランジスタ３のＯＮ／ＯＦＦにより行毎に
順次複数のアナログマルチプレクサ８に転送されて読み
出され、画像信号として出力されるようになっていた
（特開昭６４−６２９８０号公報参照）。

【０００５】このような従来の２次元密着型イメ−ジセ
ンサにおける一画素の具体的構成を、図１３の平面説明
図及び図１４の断面説明図を使って説明する。

【０００６】図１３に示すように、一画素は、透明性の
基板１上に光電変換部の受光素子２と、受光素子２で発
生した電荷を転送する電荷転送用のスイッチング素子で
ある薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３と、受光素子２の中
央部に設けられ、基板１の裏面から光を取り入れる照明
用窓１２とから構成されている。図１３では、一画素内
のＴＦＴ３の配置面積を考慮すると、ＴＦＴ３を除いた
部分が受光素子２の受光部分となっており、従って受光
部分は凹部を持った形状となっていた。

【０００７】受光素子２は、図１４に示すように、ガラ
ス等の絶縁性の基板１上に窒化シリコン（ＳｉＮx ）、
水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、ｎ+ 水
素化アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈ）を順次
積層して、その上に形成された下部共通電極となるクロ
ム（Ｃｒ）等による金属電極２１と、各受光素子毎に分
割形成されたイントリンシック水素化アモルファスシリ
コン（ｉ−ａ−Ｓｉ：Ｈ）から成る光導電層２２と、同
様に分割形成された酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等
から成る上部透明電極２３とが順次積層するサンドイッ
チ型を構成している。そして、金属電極２１にはバイア
ス電圧が印加されるようになっている。また、受光素子
２の中心部には、上記各層を形成せずに照明用窓１２が
形成されている。

【０００８】薄膜トランジスタ３の構成は、図１４に示
すように、基板１上にゲート電極２４としてのクロム
（Ｃｒ1 ）層、ゲート絶縁層２５としてのシリコン窒化
膜（ＳｉＮx ）、半導体活性層２６としての水素化アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、ゲート電極２４
に対向するように設けられたチャネル保護層２７として
のＳｉＮx 、オーミックコンタクト層２８としてのｎ+
水素化アモルファスシリコン（ｎ+ ａ−Ｓｉ：Ｈ）層、
ドレイン電極３０とソース電極３１としてのクロム（Ｃ
ｒ2 ）層、その上に絶縁層としてポリイミド層３２、更
にその上にアルミニウム（Ａｌ）の配線層３３とを順次
積層した逆スタガ構造のトランジスタである。

【０００９】また、別の従来の２次元密着型イメ−ジセ
ンサにおける一画素の具体的構成を、図１５の平面説明
図及び図１６の断面説明図を使って説明する。

【００１０】図１５に示すように、別の従来例の一画素
は、ＴＦＴ３のドレイン電極上にも受光素子２を形成す
るようにしているので、受光素子２の受光面積をほぼ正
方形に近くすることができ、そして、この受光素子２の
中心部に正方形状の照明用窓１２が設けられる構成とな
っている。

【００１１】図１６における受光素子２は、基本的には
金属電極２１、光導電層２２、透明電極２３から構成さ
れるが、透明電極２３にバイアス電圧が印加され、金属
電極２１が個別電極となってＴＦＴ３のドレイン電極３
０に接続するようになっている。

【００１２】図１６におけるＴＦＴ３は、基本的にはゲ
ート電極２４、ゲート絶縁層２５、半導体活性層２６、
チャネル保護層２７、オーミックコンタクト層２８、ド
レイン電極３０とソース電極３１を積層した逆スタガ型
のトランジスタであるが、特にドレイン電極３０上に受
光素子２の一部が形成されるようになっている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の２次元密着型イメージセンサにおいて、図１３及び
図１４に示すセンサでは、１画素の受光部（受光画素）
の内でスイッチ素子の占める部分及び照明用窓１２の部
分は非光電変換部となって、受光画素は本来の解像度に
おける面積よりも小さくなり、また形も凹部を持ったも
のとなっているため、このような受光画素が規則正しく
配列した構造では、網点の印刷物等を読み取る場合に網
点のピッチによりモアレ（濃淡の差）が発生するという
問題点があった。

【００１４】また、図１５及び図１６に示すように、受
光素子２の中央部に正方形状の照明用窓１２を設けた構
成の２次元密着型イメージセンサにおいても、このよう
な受光画素を規則正しく配列した構造では、同様にモア
レが発生するという問題点があった。

【００１５】上記のモアレのような固定ノイズを抑制す
る方法として、従来から特開昭５８−８７９７６号公報
に開示されているように受光画素を市松配置にする手法
や、特開昭５９−１８１５６８号公報に開示されている
ように平行四辺形の形状をした画素を用いる手法が提案
されているが、いずれの方法も１画素毎に規則的に配置
されたイメージセンサとしているため、モアレを完全に
除去することは不可能となっていた。

【００１６】本発明は上記実情に鑑みて為されたもの
で、網点の印刷物を読み取ったときに生じるモアレ等の
ノイズを抑制することができる２次元密着型イメージセ
ンサを提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記従来例の問題点を解
決するための請求項１記載の発明は、受光素子と前記受
光素子に接続する分離手段と照明用窓とを有する複数の
画素を２次元に配列する２次元密着型イメージセンサに
おいて、前記分離手段の位置を前記画素の四隅に配置し
た４種類の画素パターンを使って２次元に配列したこと
を特徴としている。

【００１８】上記従来例の問題点を解決するための請求
項２記載の発明は、請求項１記載の２次元密着型イメー
ジセンサにおいて、４種類の画素パターンを複数組み合
わせて複数のグループとし、前記複数のグループを使っ
て２次元に配列したことを特徴としている。

【００１９】上記従来例の問題点を解決するための請求
項３記載の発明は、受光素子と前記受光素子に接続する
分離手段と照明用窓とを有する複数の画素を２次元に配
列する２次元密着型イメージセンサにおいて、前記照明
用窓の位置を前記画素の四隅に配置した４種類の画素パ
ターンを使って２次元に配列したことを特徴としてい
る。

【００２０】上記従来例の問題点を解決するための請求
項４記載の発明は、請求項３記載の２次元密着型イメー
ジセンサにおいて、４種類の画素パターンを複数組み合
わせて複数のグループとし、前記複数のグループを使っ
て２次元に配列したことを特徴としている。

【００２１】

【作用】請求項１記載の発明によれば、画素内の他の画
素とを分離する分離手段を四隅に配置した４種類の画素
パターンをランダムに２次元に配列した２次元密着型イ
メージセンサとしているので、受光画素の配列を不規則
化してモアレを抑制し、網点等の画像を正しく読み取る
ことができる。

【００２２】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の２次元密着型イメージセンサの４種類の画素パター
ンを組み合わせて複数のグループとし、このグループを
ランダムに２次元に配列した２次元密着型イメージセン
サとしているので、受光画素の配列を不規則化してモア
レを抑制し、網点等の画像を正しく読み取ることがで
き、更に上記グループを繰り返し配列することで、設計
製造を容易にできる。

【００２３】請求項３記載の発明によれば、画素内の照
明用窓を四隅に配置した４種類の画素パターンをランダ
ムに２次元に配列した２次元密着型イメージセンサとし
ているので、受光画素の配列を不規則化してモアレを抑
制し、網点等の画像を正しく読み取ることができる。

【００２４】請求項４記載の発明によれば、請求項３記
載の２次元密着型イメージセンサの４種類の画素パター
ンを組み合わせて複数のグループとし、このグループを
ランダムに２次元に配列した２次元密着型イメージセン
サとしているので、受光画素の配列を不規則化してモア
レを抑制し、網点等の画像を正しく読み取ることがで
き、更に上記グループを繰り返し配列することで、設計
製造を容易にできる。

【００２５】

【実施例】本発明の一実施例について図面を参照しなが
ら説明する。本発明の一実施例に係る２次元密着型イメ
ージセンサは、１画素内における受光素子とスイッチン
グ素子との配置の仕方の組み合わせに注目し、画素の配
列を不規則化するものである。

【００２６】一般的に２次元密着型イメージセンサの１
画素は、受光素子と他の画素から分離する分離手段とな
るスイッチング素子と照明用窓とから構成されている。
ここで、受光素子は非晶質シリコンｐｉｎフォトダイオ
ードやショットキー型フォトダイオードであってもよい
し、またスイッチング素子の代わりにブロッキングダイ
オードをもちいても構わない。そして、１画素を構成す
るためには、スイッチング素子は受光素子と隣接し、か
つ共通ゲート線と共通データ線に接続しなければならな
いという条件を満たす必要がある。

【００２７】また、受光素子は感度を良くするために受
光面積をできるだけ広くしなければならず、そのため、
図１３に示すようにスイッチング素子は受光素子の受光
面積の一部を削った部分に配置されるようなパターンと
なっている。

【００２８】このような１画素の配置パターンでは、ス
イッチング素子の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３は幾何
学的に受光素子２に対して１画素内の４つの隅に配置可
能であるので、図１（ａ）〜（ｄ）に示すように、４種
類の配置パターンが考えられる。図１は、２次元密着型
イメージセンサの１画素内の配置パターンの例を示した
図であり、図１３に示した１画素内の受光素子２とＴＦ
Ｔ３の配置を、基本的に横方向がゲート線１３で、縦方
向がデータ線１４となるように組み合わせたものであ
る。

【００２９】図１（ａ）は、図中において、上側にゲー
ト線１３を左側にデータ線１４を配置し、１画素内の左
上にＴＦＴ３が形成され、その部分を除いて受光素子２
が形成されている。図１（ｂ）は、図中において、上側
にゲート線１３を右側にデータ線１４を配置し、１画素
内の右上にＴＦＴ３が形成され、その部分を除いて受光
素子２が形成されている。図１（ｃ）は、図中におい
て、下側にゲート線１３を左側にデータ線１４を配置
し、１画素内の左下にＴＦＴ３が形成され、その部分を
除いて受光素子２が形成されている。図１（ｄ）は、図
中において、下側にゲート線１３を右側にデータ線１４
を配置し、１画素内の右下にＴＦＴ３が形成され、その
部分を除いて受光素子２が形成されている。

【００３０】本実施例では、図１（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ）の４種類の配置パターンによる発光画素
をランダムに２次元配列することにより、配列の不規則
化を図るものである。

【００３１】しかしながら、２次元密着型イメージセン
サを作製するプロセスの中で、パターニングはステッパ
ーの繰り返し露光などによるフォトリソグラフィを利用
していること、また設計上の容易さなどを考慮すると、
複数の種類の異なる配置パターンの発光画素を組み合わ
せてグループ（第１のグループ）とし、この第１のグル
ープを１単位とし、この単位の繰り返しによる画素配列
にする方が製造プロセス上及び設計上望ましい。そのた
め、複数画素の集合であるグループ（第１のグループ）
の中で画素をランダムに配列してみて、数種類のグルー
プを作成し、このグループ単位を利用することで不規則
性を持たせるようにできる。

【００３２】ここで、上記不規則性の条件を考慮する
と、一般的な２次元密着型イメージセンサでは、画素選
択を行う薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲ−ト電極は、
主走査方向（行方向）の１行の全ての画素が共通に接続
されてゲ−ト線１３となり、また、ＴＦＴのソース電極
は、副走査方向（縦方向）の１列の全ての画素が共通に
接続されてデータ線１４となることが必要である。

【００３３】従って、本実施例においては、共通ゲート
線１３と共通データ線１４との接続を考慮して、図１に
示した４方式の配置パターンを最も簡単な２×２の画素
配列に並べて画素のグループを作ると、図２に示される
８種類のグループの配列パターンが考えられる。

【００３４】図２（ａ）〜（ｄ）は、４つの画素の横方
向にゲート線１３が配置され、更に４つの画素の両横側
縦方向にデータ線１４が配置されている配列パターンで
ある。また、図２（ｅ）〜（ｈ）は、横方向にゲート線
１３が配置され、更に４つの画素の中央縦方向にデータ
線１４が配置されている配列パターンである。従って、
（ａ）〜（ｄ）の配列パターンは同じ縦方向に接続可能
であり、（ｅ）〜（ｈ）の配列パターンも同じ縦方向に
接続可能であるが、前者の組の配列パターンと後者の組
の配列パターンを縦方向に混同して接続することはでき
ない。

【００３５】そこで、本実施例は、図３（ａ）の概略図
に示すように、図２（ａ）〜（ｈ）の配列パターンを組
み合わせて２次元密着型イメージセンサを形成したもの
である。具体的には、図２（ａ）〜（ｄ）の配列パター
ンを縦方向（ｙ方向＝副走査方向）に繰り返し配列し、
また図２（ｅ）〜（ｈ）の配列パターンを別の縦方向に
繰り返し配列したものである。つまり、本実施例では、
ｙ方向に（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ａ）（ｂ）（ｃ）
（ｄ）…というような画素グループの単位列と（ｅ）
（ｆ）（ｇ）（ｈ）（ｅ）（ｆ）（ｇ）（ｈ）…という
ような画素グループの単位列とを交互にｘ方向に配列す
るものである。尚、配列パターンを２次元に配列した受
光エリアの外側には、シフトレジスタ７とアナログマル
チプレクサ８が設けられている。そして、図３（ｂ）
は、図３（ａ）の点線円の部分を具体的回路で示した平
面概略図である。

【００３６】また、第２の実施例として、図４の概略図
に示すように、上記ｙ方向の画素グループの単位列をｘ
方向に配列する際、隣接する画素グループの単位列をｙ
方向に１画素乃至２画素分ずらして配列することでｘ方
向にも不規則性を大きく持たせることができる。

【００３７】第３の実施例として、図５の概略図に示す
ように、図２に示される８種類の配列パターン（２×２
画素）のグループ（第１のグループ）を基本単位として
４×４パターン（８×８画素）を更に一つのグループ
（第２のグループ）とし、この第２のグループを基本単
位として、この８×８画素パターンを図６の概略図に示
すように繰り返し規則的に配列する２次元密着型イメー
ジセンサである。これにより、ステッパーの繰り返し露
光や繰り返しを多用したレイアウト設計に適応させるこ
とができる効果がある。

【００３８】上記第１〜３の実施例の２次元密着型イメ
ージセンサによれば、センサの１画素内の受光素子２と
スイッチング素子の薄膜トランジスタ３との配置の仕方
の組み合わせに注目し、受光画素の配列をランダム化す
ることでモアレを抑制し、網点等の画像を正しく読み取
ることができる効果がある。

【００３９】次に、別の実施例（第４の実施例）の２次
元密着型イメージセンサについて、図７を使って説明す
る。図７（ａ）〜（ｄ）は、図１５に示した２次元密着
型イメージセンサの１画素における受光素子の受光面積
の内部に形成される照明用窓１２の配置を中央から４隅
にずらした４種類の１画素の平面概略図である。

【００４０】第４の実施例の２次元密着型イメージセン
サの１画素は、図１５に示すように受光素子２とスイッ
チング素子の薄膜トランジスタ３と照明用窓１２とから
構成されており、このうち照明用窓１２は受光素子２中
の任意の位置に配置することができる。例えば、図７に
示すような４種類の配置パターンが考えられ、この４種
類の配置パターンによる受光画素をランダムに２次元に
配列することにより２次元密着型イメージセンサを構成
するものである。このように、受光素子中の照明用窓１
２の配置の仕方に注目し、受光画素の配列を不規則化す
るものである。

【００４１】しかしながら、２次元密着型イメージセン
サを作製するプロセスの中でパターニングはステッパー
の繰り返し露光などによるフォトリソグラフィを利用し
ていること、また設計上の容易さ等を考慮すると、複数
の種類の異なる発光画素を組み合わせて１つのグループ
とし、このグループ単位で繰り返し配列する方が望まし
い。そのため、上記複数画素のグループ単位の中で受光
画素をランダムに配列し、この単位を数種類作成し、利
用することで不規則性を持たせるようにする。

【００４２】第４の実施例において、図７（ａ）〜
（ｄ）に示される４方式の画素配置パターンを最も簡単
な２×２画素パターンに並べてグループ（第１のグルー
プ）を作り、例えば、図８（ａ）〜（ｄ）に示される４
種類のグループの配列パターンを考える。これらは、図
７（ａ）〜（ｄ）の画素配置パターンをそれぞれ適当に
組み合わせて４種類のグループの配列パターンを形成し
たものである。

【００４３】つまり、ｘ方向（横方向＝主走査方向）、
ｙ方向（縦方向＝副走査方向）共に図８（ａ）〜（ｄ）
の配列パターンをどのような順に配列しても良いわけで
あるから、そこで、第４の実施例では、図９（ａ）に示
すように、図８（ａ）〜（ｄ）の配列パターンをｙ方向
に（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）
…という順に画素のグループを配列し、このｙ方向の画
素グループの単位列をｘ方向に配列する際、隣接する画
素グループの単位列をｙ方向に１画素乃至２画素分ずら
して配列することでｘ方向にも不規則性を大きく持たせ
ることができる。尚、図９（ｂ）は、図９（ａ）の点線
円の部分を具体的回路で示した平面概略図である。

【００４４】第５の実施例として、図１０の概略図に示
すように、図８に示される４種類の配列パターン（２×
２画素）のグループ（第１のグループ）を基本単位とし
て４×４パターン（８×８画素）を更に一つのグループ
（第２のグループ）とし、この第２のグループを基本単
位として、この８×８画素パターンを図１１の概略図に
示すように繰り返し規則的に配列する２次元密着型イメ
ージセンサである。４種類の第１のグループの配列パタ
ーンの組み合わせた第２のグループの場合も、第１のグ
ループをランダムに選んで配列したものである。これに
より、ステッパーの繰り返し露光や繰り返しを多用した
レイアウト設計に適応させることができる効果がある。

【００４５】尚、第４及び第５の実施例では、照明用窓
１２の形状を等しくその配置を変えることで不規則性を
持たせたが、照明用窓１２の面積が同じであればその形
状を変えることにより不規則性を持たせることもでき
る。

【００４６】第４及び第５の実施例の２次元密着型イメ
ージセンサによれば、センサの１画素の照明用窓１２の
配置の仕方に注目し、受光画素の配列をランダム化する
ことでモアレを抑制し、網点等の画像を正しく読み取る
ことができる効果がある。

【００４７】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、画素内の
他の画素とを分離する分離手段を四隅に配置した４種類
の画素パターンをランダムに２次元に配列した２次元密
着型イメージセンサとしているので、受光画素の配列を
不規則化してモアレを抑制し、網点等の画像を正しく読
み取ることができる効果がある。

【００４８】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の２次元密着型イメージセンサの４種類の画素パター
ンを組み合わせて複数のグループとし、このグループを
ランダムに２次元に配列した２次元密着型イメージセン
サとしているので、受光画素の配列を不規則化してモア
レを抑制し、網点等の画像を正しく読み取ることができ
る効果があり、更に上記グループを繰り返し配列するこ
とで、設計製造を容易にできる効果がある。

【００４９】請求項３記載の発明によれば、画素内の照
明用窓を四隅に配置した４種類の画素パターンをランダ
ムに２次元に配列した２次元密着型イメージセンサとし
ているので、受光画素の配列を不規則化してモアレを抑
制し、網点等の画像を正しく読み取ることができる効果
がある。

【００５０】請求項４記載の発明によれば、請求項３記
載の２次元密着型イメージセンサの４種類の画素パター
ンを組み合わせて複数のグループとし、このグループを
ランダムに２次元に配列した２次元密着型イメージセン
サとしているので、受光画素の配列を不規則化してモア
レを抑制し、網点等の画像を正しく読み取ることができ
る効果があり、更に上記グループを繰り返し配列するこ
とで、設計製造を容易にできる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る２次元密着型イメー
ジセンサの１画素内の配置パターンを示した図である。

【図２】 （ａ）〜（ｈ）は２×２画素の配列パターン
の例を示す図である。

【図３】 （ａ）は図２の配列パターンを使った第１の
実施例を示す概略図であり、（ｂ）は（ａ）の点線円の
部分を具体的回路で示した平面概略図である。

【図４】 第２の実施例の２次元密着型イメージセンサ
の概略図である。

【図５】 図２の配列パターンを８×８画素のグループ
にした例を示す図である。

【図６】 第３の実施例の２次元密着型イメージセンサ
の概略図である。

【図７】 別の実施例の４種類の１画素の平面概略図で
ある。

【図８】 （ａ）〜（ｄ）は２×２画素の配列パターン
の例を示す図である。

【図９】 （ａ）は図８の（ａ）〜（ｄ）の配列パター
ンを使った第４の実施例を示す概略図であり、（ｂ）は
（ａ）の点線円の部分を具体的回路で示した平面概略図
である。

【図１０】 図８の配列パターンを８×８画素のグルー
プにした例を示す図である。

【図１１】 図１０のグループを使った第５の実施例の
概略図である。

【図１２】 従来の２次元密着型イメージセンサの等価
回路図である。

【図１３】 従来の２次元密着型イメージセンサの１画
素の平面説明図である。

【図１４】 従来の２次元密着型イメージセンサの１画
素の断面説明図である。

【図１５】 別の従来の２次元密着型イメージセンサの
１画素の平面説明図である。

【図１６】 別の従来の２次元密着型イメージセンサの
１画素の断面説明図である。

【符号の説明】

１…基板、 ２…受光素子、 ３…薄膜トランジスタ、
７…シフトレジスタ、８…アナログマルチプレクサ、
１２…照明用窓、 １３…ゲート線、 １４…データ
線、 ２１…金属電極、 ２２…光導電層、 ２３…透
明電極、 ２４…ゲート電極、 ２５…ゲート絶縁層、
２６…半導体活性層、 ２７…チャネル保護層、 ２
８…オーミックコンタクト層、 ３０…ドレイン電極、
３１…ソース電極、 ３２…ポリイミド層、 ３３…
配線層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 健一 神奈川県海老名市本郷2274番地 富士ゼロ ツクス株式会社海老名事業所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 受光素子と前記受光素子に接続する分離
   手段と照明用窓とを有する複数の画素を２次元に配列す
   る２次元密着型イメージセンサにおいて、前記分離手段
   の位置を前記画素の四隅に配置した４種類の画素パター
   ンを使って２次元に配列したことを特徴とする２次元密
   着型イメージセンサ。
2. 【請求項２】 請求項１記載の２次元密着型イメージセ
   ンサにおいて、４種類の画素パターンを複数組み合わせ
   て複数のグループとし、前記複数のグループを使って２
   次元に配列したことを特徴とする２次元密着型イメージ
   センサ。
3. 【請求項３】 受光素子と前記受光素子に接続する分離
   手段と照明用窓とを有する複数の画素を２次元に配列す
   る２次元密着型イメージセンサにおいて、前記照明用窓
   の位置を前記画素の四隅に配置した４種類の画素パター
   ンを使って２次元に配列したことを特徴とする２次元密
   着型イメージセンサ。
4. 【請求項４】 請求項３記載の２次元密着型イメージセ
   ンサにおいて、４種類の画素パターンを複数組み合わせ
   て複数のグループとし、前記複数のグループを使って２
   次元に配列したことを特徴とする２次元密着型イメージ
   センサ。