JPH04335221A - 光記録媒体 - Google Patents
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- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録媒体、特にコン
パクトディスク対応のライト・ワンス型の光記録ディス
クに関する。
パクトディスク対応のライト・ワンス型の光記録ディス
クに関する。
【0002】
【従来の技術】コンパクトディスク(以下、CDと略称
する)規格に対応して追記ないし記録を行なうことので
きる光記録ディスクが提案されている(日経エレクトロ
ニクス1989年1月23日号,No.465,P10
7、社団法人近畿化学協会機能性色素部会,1989年
3月3日,大阪科学技術センター、SPIE vol
1078 Optical Data Storage
Topical Meeting, 80 1989
等)。
する)規格に対応して追記ないし記録を行なうことので
きる光記録ディスクが提案されている(日経エレクトロ
ニクス1989年1月23日号,No.465,P10
7、社団法人近畿化学協会機能性色素部会,1989年
3月3日,大阪科学技術センター、SPIE vol
1078 Optical Data Storage
Topical Meeting, 80 1989
等)。
【0003】このものは、透明樹脂基板上に、色素層、
Au反射層および保護膜をこの順に設層して形成される
。すなわち、反射層を色素層に密着して設けるものであ
る。従来は、色素層にピットを形成するために色素層上
に空気層を設けていたが、この提案では、反射層を色素
層に密着して設ける密着型であるので、CD規格のディ
スク全厚1.2mmの構成が可能となっている。
Au反射層および保護膜をこの順に設層して形成される
。すなわち、反射層を色素層に密着して設けるものであ
る。従来は、色素層にピットを形成するために色素層上
に空気層を設けていたが、この提案では、反射層を色素
層に密着して設ける密着型であるので、CD規格のディ
スク全厚1.2mmの構成が可能となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような反射層と色
素を含有する記録層とを密着して設ける密着型の媒体の
場合には、特に、記録層の記録光および再生光波長での
消衰係数kおよび屈折率nが、それぞれ0.02〜0.
05および2.0以上の所定の値をもち、60%以上、
特にCD規格では70%以上の反射率をもつ必要がある
。
素を含有する記録層とを密着して設ける密着型の媒体の
場合には、特に、記録層の記録光および再生光波長での
消衰係数kおよび屈折率nが、それぞれ0.02〜0.
05および2.0以上の所定の値をもち、60%以上、
特にCD規格では70%以上の反射率をもつ必要がある
。
【0005】ところで、CD規格では、記録および再生
は、780nmの半導体レーザーによって行なわれる。 しかし、半導体レーザーの発振波長は、製品ごとに差が
あり、一般に、780〜790nm程度の波長範囲に分
布する。また、半導体レーザーの発進波長は、±10n
m程度の変化巾で温度によっても変化する。
は、780nmの半導体レーザーによって行なわれる。 しかし、半導体レーザーの発振波長は、製品ごとに差が
あり、一般に、780〜790nm程度の波長範囲に分
布する。また、半導体レーザーの発進波長は、±10n
m程度の変化巾で温度によっても変化する。
【0006】一方、記録層に用いる色素としては、イン
ドレニン系のシアニン色素が好適である。しかし、通常
のインドレニン系シアニン色素のkは波長依存性が大き
く、780nmにて所定の値であっても、±10nm波
長が変化すると、kは所定範囲からはずれてしまう。
ドレニン系のシアニン色素が好適である。しかし、通常
のインドレニン系シアニン色素のkは波長依存性が大き
く、780nmにて所定の値であっても、±10nm波
長が変化すると、kは所定範囲からはずれてしまう。
【0007】そこで、本発明者らは、先に、2種以上の
インドレニン系のシアニン色素を混合して、kの波長依
存性を矯正する旨を提案している(特願平2−4843
5号)。しかし、2種以上の色素を混合すると、融点が
下がり、軟化点がブロードとなり、耐熱性や耐湿性等の
信頼性が低下することが判明した。
インドレニン系のシアニン色素を混合して、kの波長依
存性を矯正する旨を提案している(特願平2−4843
5号)。しかし、2種以上の色素を混合すると、融点が
下がり、軟化点がブロードとなり、耐熱性や耐湿性等の
信頼性が低下することが判明した。
【0008】また、波長変動によるkの変化も十分に小
さくできる色素の組み合わせも限られている。
さくできる色素の組み合わせも限られている。
【0009】他方、色素層を記録層として用いる場合、
光吸収色素の耐光性が低く、特に、くり返し再生を行な
うと色素がフォトンモードの劣化を受け、これにより再
生劣化が生じることが知られている。本発明者らは、こ
の再生劣化を防止して、耐光性を向上するために、色素
カチオンと、一重項酸素クエンチャーとしての遷移金属
錯体のアニオンとのイオン結合体を用いる旨を提案して
いる(特開昭60−159087号、同60−1626
91号、同60−203488号、同60−16324
3号)。このような結合体は、色素カチオンとクエンチ
ャーアニオンとが1対1で存在している。
光吸収色素の耐光性が低く、特に、くり返し再生を行な
うと色素がフォトンモードの劣化を受け、これにより再
生劣化が生じることが知られている。本発明者らは、こ
の再生劣化を防止して、耐光性を向上するために、色素
カチオンと、一重項酸素クエンチャーとしての遷移金属
錯体のアニオンとのイオン結合体を用いる旨を提案して
いる(特開昭60−159087号、同60−1626
91号、同60−203488号、同60−16324
3号)。このような結合体は、色素カチオンとクエンチ
ャーアニオンとが1対1で存在している。
【0010】一方、カチオン型の色素とクエンチャーと
を混合して記録層とするときには、色素カチオンと、ク
エンチャーイオンと、それぞれの対イオンとの4種のイ
オンが、色素とクエンチャーの混合比に応じて存在する
。従って、結合体を用いるときには、色素およびクエン
チャーのそれぞれの対イオンが存在しないので、混合系
と比較して、再生劣化や明室保存化での劣化がより一層
減少し、耐光性が向上するものである。
を混合して記録層とするときには、色素カチオンと、ク
エンチャーイオンと、それぞれの対イオンとの4種のイ
オンが、色素とクエンチャーの混合比に応じて存在する
。従って、結合体を用いるときには、色素およびクエン
チャーのそれぞれの対イオンが存在しないので、混合系
と比較して、再生劣化や明室保存化での劣化がより一層
減少し、耐光性が向上するものである。
【0011】また、結合体は、高い明確な融点をもつも
のが多いが、混合系では、融点が低下し、軟化点がブロ
ードとなり、熱安定性が低下する。このため、ヒートモ
ードの再生劣化も減少し、保存性も向上する。さらには
、耐水性等も向上する。
のが多いが、混合系では、融点が低下し、軟化点がブロ
ードとなり、熱安定性が低下する。このため、ヒートモ
ードの再生劣化も減少し、保存性も向上する。さらには
、耐水性等も向上する。
【0012】しかし、通常のクエンチャーアニオンは、
特にkが大きい。このため、密着型の媒体に結合体を用
いると、記録層の特にkが増大してしまい、反射率が低
下してしまうため良好な再生を行なうことができない。
特にkが大きい。このため、密着型の媒体に結合体を用
いると、記録層の特にkが増大してしまい、反射率が低
下してしまうため良好な再生を行なうことができない。
【0013】このため、kを所定の値に制御しようとす
るには、kの低い他の光吸収性色素をさらに混合しなけ
ればならず、耐光性、熱安定性等が低下してしまう。
るには、kの低い他の光吸収性色素をさらに混合しなけ
ればならず、耐光性、熱安定性等が低下してしまう。
【0014】このように、密着型の媒体では、すぐれた
耐光性等を示す結合体の特長を活かしきっていないのが
実状である。
耐光性等を示す結合体の特長を活かしきっていないのが
実状である。
【0015】本発明の目的は、良好な記録および再生を
行なうことができるとともに、記録再生光の波長変動に
よっても記録再生特性が変動せず、十分な耐光性、耐熱
性、耐水性を有する密着型の光記録媒体を提供すること
にある。
行なうことができるとともに、記録再生光の波長変動に
よっても記録再生特性が変動せず、十分な耐光性、耐熱
性、耐水性を有する密着型の光記録媒体を提供すること
にある。
【0016】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(4)の本発明により達成される。
(1)〜(4)の本発明により達成される。
【0017】(1) グルーブを有する基板上に色素
を含有する記録層を設け、この記録層上に密着して反射
層を積層して構成され、記録光を前記グルーブ部の前記
記録層に照射して記録部を形成し、再生光により再生を
行なう光記録媒体であって、前記記録層が下記化1で表
わされる光安定化シアニン色素を含有し、前記基板が環
状オレフィンの重合体であり、前記グルーブ部の前記記
録層の厚さが2000〜3000Aであることを特徴と
する光記録媒体。
を含有する記録層を設け、この記録層上に密着して反射
層を積層して構成され、記録光を前記グルーブ部の前記
記録層に照射して記録部を形成し、再生光により再生を
行なう光記録媒体であって、前記記録層が下記化1で表
わされる光安定化シアニン色素を含有し、前記基板が環
状オレフィンの重合体であり、前記グルーブ部の前記記
録層の厚さが2000〜3000Aであることを特徴と
する光記録媒体。
【0018】
【化4】
【0019】(2) 前記グルーブの幅が0.38〜
0.50μm である上記(1)に記載の光記録媒体。
0.50μm である上記(1)に記載の光記録媒体。
【0020】(3) 前記環状オレフィンの重合体が
、下記化2の繰り返し構造単位を有する上記(1)また
は(2)に記載の光記録媒体。
、下記化2の繰り返し構造単位を有する上記(1)また
は(2)に記載の光記録媒体。
【0021】
【化5】
【0022】(4) 前記環状オレフィンの重合体が
、下記化3の環状オレフィンとエチレンとの共重合体で
ある上記(1)または(2)に記載の光記録媒体。
、下記化3の環状オレフィンとエチレンとの共重合体で
ある上記(1)または(2)に記載の光記録媒体。
【0023】
【化6】
【0024】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【0025】本発明の光記録媒体の好適例が図1に示さ
れる。この光記録媒体1は、基板2上に、色素を含有す
る記録層3を有し、記録層3に密着して、反射層4、保
護膜5を形成した密着型の光記録ディスクである。
れる。この光記録媒体1は、基板2上に、色素を含有す
る記録層3を有し、記録層3に密着して、反射層4、保
護膜5を形成した密着型の光記録ディスクである。
【0026】基板2は、記録光および再生光(600〜
900nm程度、特に700〜800nm程度の半導体
レーザー光、特に780nm)に対し、実質的に透明(
好ましくは透過率80%以上)な樹脂から形成され、基
板をとおしての記録および再生を可能とする。基板2は
、通常のサイズのディスク状であって、CDとして用い
る場合、厚さは1.2mm程度、直径は80ないし12
0mm程度とする。
900nm程度、特に700〜800nm程度の半導体
レーザー光、特に780nm)に対し、実質的に透明(
好ましくは透過率80%以上)な樹脂から形成され、基
板をとおしての記録および再生を可能とする。基板2は
、通常のサイズのディスク状であって、CDとして用い
る場合、厚さは1.2mm程度、直径は80ないし12
0mm程度とする。
【0027】この場合、基板材質は樹脂とし再生劣化や
明室保存化での光劣化を防止し、耐光性を向上するため
、環状オレフィン重合体を用いる。
明室保存化での光劣化を防止し、耐光性を向上するため
、環状オレフィン重合体を用いる。
【0028】環状オレフィンの重合体としては、上記化
5をくり返し構造単位とする環状ポリオレフィンである
ことが好ましい。
5をくり返し構造単位とする環状ポリオレフィンである
ことが好ましい。
【0029】上記化5においては、R1 およびR2
は、炭化水素残基であるが、特に、炭素数1〜5の非置
換のアルキル基であることが好ましい。
は、炭化水素残基であるが、特に、炭素数1〜5の非置
換のアルキル基であることが好ましい。
【0030】用いる環状ポリオレフィンは、このような
化5のくり返し単位のみからなるホモポリマーであるこ
とが好ましいが、R1 、R2 の異なる化5のくり返
し単位の複数からなるコポリマーであってもよい。そし
て、その数平均分子量は、1万〜10万、特に2万〜5
万であることが好ましい。
化5のくり返し単位のみからなるホモポリマーであるこ
とが好ましいが、R1 、R2 の異なる化5のくり返
し単位の複数からなるコポリマーであってもよい。そし
て、その数平均分子量は、1万〜10万、特に2万〜5
万であることが好ましい。
【0031】このような環状ポリオレフィンは、別途常
法に従い重合を行なって用いてもよく、また、例えば日
本ゼオン社製Zeonex 280等として市販されて
いるものを用いてもよい。
法に従い重合を行なって用いてもよく、また、例えば日
本ゼオン社製Zeonex 280等として市販されて
いるものを用いてもよい。
【0032】また、環状オレフィンの重合体としては、
特開平2−257446号等に記載された上記化6の環
状オレフィンとエチレンとの共重合体の好ましくはブレ
ンド体も好適である。
特開平2−257446号等に記載された上記化6の環
状オレフィンとエチレンとの共重合体の好ましくはブレ
ンド体も好適である。
【0033】前記化6で表わされる環状オレフィンは、
シクロペンタジエン類とこれに相応するオレフィン類と
をディールス・アルダー反応で縮合させて合成すればよ
い。
シクロペンタジエン類とこれに相応するオレフィン類と
をディールス・アルダー反応で縮合させて合成すればよ
い。
【0023】化3で表わされる環状オレフィンとして具
体的には、テトラシクロ[4、4、0、12、5 、1
7、10]−3−ドデセン(1、4、5、8−ジメタノ
−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロ
ナフタレン)、2−メチル−1、4、5、8−ジメタノ
−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロ
ナフタレン、2−エチル−1、4、5、8−ジメタノ−
1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロナ
フタレン、2−プロピル−1、4、5、8−ジメタノ−
1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロナ
フタレン、2−ヘキシル−1、4、5、8−ジメタノ−
1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロナ
フタレン、2、3−ジメチル−1、4、5、8−ジメタ
ノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒド
ロナフタレン、2−メチル−3−エチル−1、4、5、
8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−
オクタヒドロナフタレン、2−クロロ−1、4、5、8
−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オ
クタヒドロナフタレン、2−ブロモ−1、4、5、8−
ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オク
タヒドロナフタレン、2−フルオロ−1、4、5、8−
ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オク
タヒドロナフタレン、2、3−ジクロロ−1、4、5、
8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−
オクタヒドロナフタレン、2−シクロヘキシル−1、4
、5、8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、
8a−オクタヒドロナフタレン、2−n−ブチル−−1
、4、5、8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、
8、8a−オクタヒドロナフタレン、2−イソブチル−
1、4、5、8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5
、8、8a−オクタヒドロナフタレンなどのオクタヒド
ロナフタレン類などの化合物を挙げることができる。
体的には、テトラシクロ[4、4、0、12、5 、1
7、10]−3−ドデセン(1、4、5、8−ジメタノ
−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロ
ナフタレン)、2−メチル−1、4、5、8−ジメタノ
−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロ
ナフタレン、2−エチル−1、4、5、8−ジメタノ−
1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロナ
フタレン、2−プロピル−1、4、5、8−ジメタノ−
1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロナ
フタレン、2−ヘキシル−1、4、5、8−ジメタノ−
1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒドロナ
フタレン、2、3−ジメチル−1、4、5、8−ジメタ
ノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オクタヒド
ロナフタレン、2−メチル−3−エチル−1、4、5、
8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−
オクタヒドロナフタレン、2−クロロ−1、4、5、8
−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オ
クタヒドロナフタレン、2−ブロモ−1、4、5、8−
ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オク
タヒドロナフタレン、2−フルオロ−1、4、5、8−
ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−オク
タヒドロナフタレン、2、3−ジクロロ−1、4、5、
8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、8a−
オクタヒドロナフタレン、2−シクロヘキシル−1、4
、5、8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、8、
8a−オクタヒドロナフタレン、2−n−ブチル−−1
、4、5、8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5、
8、8a−オクタヒドロナフタレン、2−イソブチル−
1、4、5、8−ジメタノ−1、2、3、4、4a、5
、8、8a−オクタヒドロナフタレンなどのオクタヒド
ロナフタレン類などの化合物を挙げることができる。
【0034】さらに、化6で表わされる環状オレフィン
の例としては、以下に記載する化合物を挙げることがで
きる。ビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン、6−
メチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン、5、
6−ジメチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン
、1−メチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン
、6−エチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン
、6−n−ブチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−
エン、6−イソブチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−
2−エン、7−メチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−
2−エン、などのようなビシクロ[2、2、1]ヘプト
−2−エン誘導体;テトラシクロ[4、4、0、12、
5 、17、10]−3−ドデセン、5、10−ジメチ
ルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10
]−3−ドデセン、2、10−ジメチルテトラシクロ[
4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデセン
、11、12−ジメチルテトラシクロ[4、4、0、1
2、5 、17、10]−3−ドデセン、2、7、9−
トリメチルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、1
7、10]−3−ドデセン、9−エチル−2、7−ジメ
チルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、1
0]−3−ドデセン、9−イソブチル−2、7−ジメチ
ルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10
]−3−ドデセン、9、11、12−トリメチルテトラ
シクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−
ドデセン、9−エチル−11、12−ジメチルテトラシ
クロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ド
デセン、9−イソブチル−11、12−ジメチルテトラ
シクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−
ドデセン、5、8、9、10−テトラメチルテトラシク
ロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデ
セン、8−メチルテトラシクロ[4、4、0、12、5
、17、10]−3−ドデセン、8−エチルテトラシ
クロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ド
デセン、8−プロピルテトラシクロ[4、4、0、12
、5 、17、10]−3−ドデセン、8−ヘキシルテ
トラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−
3−ドデセン、8−ステアリルテトラシクロ[4、4、
0、12、5 、17、10]−3−ドデセン、8、9
−ジメチルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、1
7、10]−3−ドデセン、8−メチル−9−エチルテ
トラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−
3−ドデセン、8−クロロテトラシクロ[4、4、0、
12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−ブロモ
テトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]
−3−ドデセン、8−フルオロテトラシクロ[4、4、
0、12、5 、17、10]−3−ドデセン、8、9
−ジクロロテトラシクロ[4、4、0、12、5 、1
7、10]−3−ドデセン、8−シクロヘキシルテトラ
シクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−
ドデセン、8−イソブチルテトラシクロ[4、4、0、
12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−ブチル
テトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]
−3−ドデセン、8−エチリデンテトラシクロ[4、4
、0、12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−
エチリデン−9−メチルテトラシクロ[4、4、0、1
2、5 、17、10]−3−ドデセン、8−エチリデ
ン−9−エチルテトラシクロ[4、4、0、12、5
、17、10]−3−ドデセン、8−エチリデン−9−
イソプロピルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、
17、10]−3−ドデセン、8−エチリデン−9−ブ
チルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、1
0]−3−ドデセン、8−n−プロピリデンテトラシク
ロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデ
セン、8−n−プロピリデン−9−メチルテトラシクロ
[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデセ
ン、8−n−プロピリデン−9−エチルテトラシクロ[
4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデセン
、8−n−プロピリデン−9−イソプロピルテトラシク
ロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデ
セン、8−n−プロピリデン−9−ブチルテトラシクロ
[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデセ
ン、8−イソプロピリデンテトラシクロ[4、4、0、
12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−イソプ
ロピリデン−9−メチルテトラシクロ[4、4、0、1
2、5 、17、10]−3−ドデセン、8−イソプロ
ピリデン−9−エチルテトラシクロ[4、4、0、12
、5 、17、10]−3−ドデセン、8−イソプロピ
リデン−9−イソプロピルテトラシクロ[4、4、0、
12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−イソプ
ロピリデン−9−ブチルテトラシクロ[4、4、0、1
2、5 、17、10]−3−ドデセン、などのテトラ
シクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−
ドデセン誘導体;ヘキサシクロ[6、6、1、13、6
、110、13 、02、7 、09、14]−4−
ヘプタデセン、12−メチルヘキサシクロ[6、6、1
、13、6 、110、13 、02、7 、09、1
4]−4−ヘプタデセン、12−エチルヘキサシクロ[
6、6、1、13、6 、110、13 、02、7
、09、14]−4−ヘプタデセン、12−イソブチル
ヘキサシクロ[6、6、1、13、6 、110、13
、02、7 、09、14]−4−ヘプタデセン、1
、6、10−トリメチル−12−イソブチルヘキサシク
ロ[6、6、1、13、6 、110、13 、02、
7 、09、14]−4−ヘプタデセン、などのヘキサ
シクロ[6、6、1、13、6 、110、13 、0
2、7 、09、14]−4−ヘプタデセン誘導体;オ
クタシクロ[8、8、0、12、9 、14、7 、1
11、18 、113、16 、03、8 、012、
17 ]−5−ドコセン、15−メチルオクタシクロ[
8、8、0、12、9 、14、7 、111、18
、113、16、03、8 、012、17 ]−5−
ドコセン、15−エチルオクタシクロ[8、8、0、1
2、9 、14、7 、111、18 、113、16
、03、8 、012、17 ]−5−ドコセン、など
のオクタシクロ[8、8、0、12、9 、14、7
、111、18 、113、16 、03、8 、01
2、17 ]−5−ドコセン誘導体;ペンタシクロ[6
、6、1、13、6 、02、7 、09、14]−4
−ヘキサデセン、1、3−ジメチルペンタシクロ[6、
6、1、13、6 、02、7 、09、14]−4−
ヘキサデセン、1、6−ジメチルペンタシクロ[6、6
、1、13、6 、02、7 、09、14]−4−ヘ
キサデセン、15、16−ジメチルペンタシクロ[6、
6、1、13、6 、02、7 、09、14]−4−
ヘキサデセン、などのペンタシクロ[6、6、1、13
、6 、02、7 、09、14]−4−ヘキサデセン
誘導体;ヘプタシクロ[8、7、0、12、9 、14
、7 、111、17 、03、8 、012、16
]−5−イコセン、ヘプタシクロ[8、7、0、12、
9 、14、7 、111、17 、03、8 、01
2、16 ]−5−ヘンエイコセン、などのヘプタシク
ロ−5−イコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−5−ヘ
ンエイコセン誘導体;トリシクロ[4、3、0、12、
5 ]−3−デセン、2−メチルトリシクロ[4、3、
0、12、5 ]−3−デセン、5−メチル−トリシク
ロ[4、3、0、12、5 ]−3−デセン、などのト
リシクロ[4、3、0、12、5]−3−デセン誘導体
;トリシクロ[4、4、0、12、5 ]−3−ウンデ
セン、10−メチル−トリシクロ[4、4、0、12、
5 ]−3−ウンデセン、などのトリシクロ[4、4、
0、12、5 ]−3−ウンデセン誘導体;ペンタシク
ロ[6、5、1、13、6 、02、7 、09、13
]−4−ペンタデセン、1、3−ジメチル−ペンタシク
ロ[6、5、1、13、6 、02、7 、09、13
]−4−ペンタデセン、1、6−ジメチルペンタシクロ
[6、5、1、13、6 、02、7 、09、13]
−4−ペンタデセン、14、15−ジメチルペンタシク
ロ[6、5、1、13、6 、02、7 、09、13
]−4−ペンタデセン、などのペンタシクロ[6、5、
1、13、6、02、7 、09、13]−4−ペンタ
デセン誘導体;ペンタシクロ[6、5、1、13、6
、02、7 、09、13]−4、10−ペンタデカジ
エン誘導体;ペンタシクロ[4、7、0、12、5 、
08、13、09、12]−3−ペンタデセン、メチル
置換ペンタシクロ[4、7、0、12、5 、08、1
3、09、12]−3−ペンタデセン、などのペンタシ
クロ[4、7、0、12、5 、08、13、09、1
2]−3−ペンタデセン誘導体;ヘプタシクロ[7、8
、0、13、6 、02、7 、110、17 、01
1、16 、112、15 ]−4−エイコセン、ジメ
チル置換ヘプタシクロ[7、8、0、13、6 、02
、7 、110、17 、011、16、112、15
]−4−エイコセン、などのヘプタシクロ[7、8、
0、13、6 、02、7 、110、17 、011
、16 、112、15 ]−4−エイコセン誘導体;
ノナシクロ[9、10、1、14、7 、03、8 、
02、10、012、21 、113、20、014、
19 、115、18 ]−5−ペンタコセン、トリメ
チル置換ノナシクロ[9、10、1、14、7 、03
、8 、02、10、012、21、013、20 、
014、19 、115、18 ]−5−ペンタコセン
、などのノナシクロ[9、10、1、14、7 、03
、8 、02、10、012、21 、013、20
、014、19 、115、18 ]−5−ペンタコセ
ン誘導体。
の例としては、以下に記載する化合物を挙げることがで
きる。ビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン、6−
メチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン、5、
6−ジメチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン
、1−メチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン
、6−エチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−エン
、6−n−ブチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−2−
エン、6−イソブチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−
2−エン、7−メチルビシクロ[2、2、1]ヘプト−
2−エン、などのようなビシクロ[2、2、1]ヘプト
−2−エン誘導体;テトラシクロ[4、4、0、12、
5 、17、10]−3−ドデセン、5、10−ジメチ
ルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10
]−3−ドデセン、2、10−ジメチルテトラシクロ[
4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデセン
、11、12−ジメチルテトラシクロ[4、4、0、1
2、5 、17、10]−3−ドデセン、2、7、9−
トリメチルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、1
7、10]−3−ドデセン、9−エチル−2、7−ジメ
チルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、1
0]−3−ドデセン、9−イソブチル−2、7−ジメチ
ルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10
]−3−ドデセン、9、11、12−トリメチルテトラ
シクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−
ドデセン、9−エチル−11、12−ジメチルテトラシ
クロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ド
デセン、9−イソブチル−11、12−ジメチルテトラ
シクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−
ドデセン、5、8、9、10−テトラメチルテトラシク
ロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデ
セン、8−メチルテトラシクロ[4、4、0、12、5
、17、10]−3−ドデセン、8−エチルテトラシ
クロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ド
デセン、8−プロピルテトラシクロ[4、4、0、12
、5 、17、10]−3−ドデセン、8−ヘキシルテ
トラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−
3−ドデセン、8−ステアリルテトラシクロ[4、4、
0、12、5 、17、10]−3−ドデセン、8、9
−ジメチルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、1
7、10]−3−ドデセン、8−メチル−9−エチルテ
トラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−
3−ドデセン、8−クロロテトラシクロ[4、4、0、
12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−ブロモ
テトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]
−3−ドデセン、8−フルオロテトラシクロ[4、4、
0、12、5 、17、10]−3−ドデセン、8、9
−ジクロロテトラシクロ[4、4、0、12、5 、1
7、10]−3−ドデセン、8−シクロヘキシルテトラ
シクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−
ドデセン、8−イソブチルテトラシクロ[4、4、0、
12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−ブチル
テトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]
−3−ドデセン、8−エチリデンテトラシクロ[4、4
、0、12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−
エチリデン−9−メチルテトラシクロ[4、4、0、1
2、5 、17、10]−3−ドデセン、8−エチリデ
ン−9−エチルテトラシクロ[4、4、0、12、5
、17、10]−3−ドデセン、8−エチリデン−9−
イソプロピルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、
17、10]−3−ドデセン、8−エチリデン−9−ブ
チルテトラシクロ[4、4、0、12、5 、17、1
0]−3−ドデセン、8−n−プロピリデンテトラシク
ロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデ
セン、8−n−プロピリデン−9−メチルテトラシクロ
[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデセ
ン、8−n−プロピリデン−9−エチルテトラシクロ[
4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデセン
、8−n−プロピリデン−9−イソプロピルテトラシク
ロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデ
セン、8−n−プロピリデン−9−ブチルテトラシクロ
[4、4、0、12、5 、17、10]−3−ドデセ
ン、8−イソプロピリデンテトラシクロ[4、4、0、
12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−イソプ
ロピリデン−9−メチルテトラシクロ[4、4、0、1
2、5 、17、10]−3−ドデセン、8−イソプロ
ピリデン−9−エチルテトラシクロ[4、4、0、12
、5 、17、10]−3−ドデセン、8−イソプロピ
リデン−9−イソプロピルテトラシクロ[4、4、0、
12、5 、17、10]−3−ドデセン、8−イソプ
ロピリデン−9−ブチルテトラシクロ[4、4、0、1
2、5 、17、10]−3−ドデセン、などのテトラ
シクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−3−
ドデセン誘導体;ヘキサシクロ[6、6、1、13、6
、110、13 、02、7 、09、14]−4−
ヘプタデセン、12−メチルヘキサシクロ[6、6、1
、13、6 、110、13 、02、7 、09、1
4]−4−ヘプタデセン、12−エチルヘキサシクロ[
6、6、1、13、6 、110、13 、02、7
、09、14]−4−ヘプタデセン、12−イソブチル
ヘキサシクロ[6、6、1、13、6 、110、13
、02、7 、09、14]−4−ヘプタデセン、1
、6、10−トリメチル−12−イソブチルヘキサシク
ロ[6、6、1、13、6 、110、13 、02、
7 、09、14]−4−ヘプタデセン、などのヘキサ
シクロ[6、6、1、13、6 、110、13 、0
2、7 、09、14]−4−ヘプタデセン誘導体;オ
クタシクロ[8、8、0、12、9 、14、7 、1
11、18 、113、16 、03、8 、012、
17 ]−5−ドコセン、15−メチルオクタシクロ[
8、8、0、12、9 、14、7 、111、18
、113、16、03、8 、012、17 ]−5−
ドコセン、15−エチルオクタシクロ[8、8、0、1
2、9 、14、7 、111、18 、113、16
、03、8 、012、17 ]−5−ドコセン、など
のオクタシクロ[8、8、0、12、9 、14、7
、111、18 、113、16 、03、8 、01
2、17 ]−5−ドコセン誘導体;ペンタシクロ[6
、6、1、13、6 、02、7 、09、14]−4
−ヘキサデセン、1、3−ジメチルペンタシクロ[6、
6、1、13、6 、02、7 、09、14]−4−
ヘキサデセン、1、6−ジメチルペンタシクロ[6、6
、1、13、6 、02、7 、09、14]−4−ヘ
キサデセン、15、16−ジメチルペンタシクロ[6、
6、1、13、6 、02、7 、09、14]−4−
ヘキサデセン、などのペンタシクロ[6、6、1、13
、6 、02、7 、09、14]−4−ヘキサデセン
誘導体;ヘプタシクロ[8、7、0、12、9 、14
、7 、111、17 、03、8 、012、16
]−5−イコセン、ヘプタシクロ[8、7、0、12、
9 、14、7 、111、17 、03、8 、01
2、16 ]−5−ヘンエイコセン、などのヘプタシク
ロ−5−イコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−5−ヘ
ンエイコセン誘導体;トリシクロ[4、3、0、12、
5 ]−3−デセン、2−メチルトリシクロ[4、3、
0、12、5 ]−3−デセン、5−メチル−トリシク
ロ[4、3、0、12、5 ]−3−デセン、などのト
リシクロ[4、3、0、12、5]−3−デセン誘導体
;トリシクロ[4、4、0、12、5 ]−3−ウンデ
セン、10−メチル−トリシクロ[4、4、0、12、
5 ]−3−ウンデセン、などのトリシクロ[4、4、
0、12、5 ]−3−ウンデセン誘導体;ペンタシク
ロ[6、5、1、13、6 、02、7 、09、13
]−4−ペンタデセン、1、3−ジメチル−ペンタシク
ロ[6、5、1、13、6 、02、7 、09、13
]−4−ペンタデセン、1、6−ジメチルペンタシクロ
[6、5、1、13、6 、02、7 、09、13]
−4−ペンタデセン、14、15−ジメチルペンタシク
ロ[6、5、1、13、6 、02、7 、09、13
]−4−ペンタデセン、などのペンタシクロ[6、5、
1、13、6、02、7 、09、13]−4−ペンタ
デセン誘導体;ペンタシクロ[6、5、1、13、6
、02、7 、09、13]−4、10−ペンタデカジ
エン誘導体;ペンタシクロ[4、7、0、12、5 、
08、13、09、12]−3−ペンタデセン、メチル
置換ペンタシクロ[4、7、0、12、5 、08、1
3、09、12]−3−ペンタデセン、などのペンタシ
クロ[4、7、0、12、5 、08、13、09、1
2]−3−ペンタデセン誘導体;ヘプタシクロ[7、8
、0、13、6 、02、7 、110、17 、01
1、16 、112、15 ]−4−エイコセン、ジメ
チル置換ヘプタシクロ[7、8、0、13、6 、02
、7 、110、17 、011、16、112、15
]−4−エイコセン、などのヘプタシクロ[7、8、
0、13、6 、02、7 、110、17 、011
、16 、112、15 ]−4−エイコセン誘導体;
ノナシクロ[9、10、1、14、7 、03、8 、
02、10、012、21 、113、20、014、
19 、115、18 ]−5−ペンタコセン、トリメ
チル置換ノナシクロ[9、10、1、14、7 、03
、8 、02、10、012、21、013、20 、
014、19 、115、18 ]−5−ペンタコセン
、などのノナシクロ[9、10、1、14、7 、03
、8 、02、10、012、21 、013、20
、014、19 、115、18 ]−5−ペンタコセ
ン誘導体。
【0025】化6の環状オレフィンの重合体は、エチレ
ンと前記化6で表わされる環状オレフィンを必須成分と
するものであるが、この他、必要に応じて他の共重合可
能な不飽和単量体成分を含有させてもよい。例えばプロ
ピレン、1−ブテン、4−メチル−1−ペンテン、1−
ヘキセン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセ
ン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン、1−エイコ
センなどの炭素原子数が3〜20のα−オレフィンなど
を挙げることができる。
ンと前記化6で表わされる環状オレフィンを必須成分と
するものであるが、この他、必要に応じて他の共重合可
能な不飽和単量体成分を含有させてもよい。例えばプロ
ピレン、1−ブテン、4−メチル−1−ペンテン、1−
ヘキセン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセ
ン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセン、1−エイコ
センなどの炭素原子数が3〜20のα−オレフィンなど
を挙げることができる。
【0035】これら環状オレフィンの重合体を1種用い
るか、または2種以上をブレンドして用いて、基板材質
とする。このような1種以上の環状オレフィン共重合体
は、特開昭60−168708号公報、特開昭61−1
20816号公報、特開昭61−115912号公報、
特開昭61−115916号公報、特願昭61−959
05号公報、特願昭61−90906号公報、特開昭6
1−271308号公報、特開昭61−272216号
公報などの方法に従い適宜条件を選択することにより、
製造することができる。
るか、または2種以上をブレンドして用いて、基板材質
とする。このような1種以上の環状オレフィン共重合体
は、特開昭60−168708号公報、特開昭61−1
20816号公報、特開昭61−115912号公報、
特開昭61−115916号公報、特願昭61−959
05号公報、特願昭61−90906号公報、特開昭6
1−271308号公報、特開昭61−272216号
公報などの方法に従い適宜条件を選択することにより、
製造することができる。
【0036】また、環状オレフィンのランダム共重合体
とともに、上述の化3で表わされる環状オレフィンが開
環重合することにより形成される繰り返し単位を含む重
合体、もしくは共重合体が含まれていてもよく、さらに
、この繰り返し単位を水添することにより形成される繰
り返し単位を含む重合体あるいは共重合体が含まれてい
てもよい。
とともに、上述の化3で表わされる環状オレフィンが開
環重合することにより形成される繰り返し単位を含む重
合体、もしくは共重合体が含まれていてもよく、さらに
、この繰り返し単位を水添することにより形成される繰
り返し単位を含む重合体あるいは共重合体が含まれてい
てもよい。
【0037】さらに、これら環状オレフィンの重合体に
は酸化防止剤や安定剤が含有されていてもよい。
は酸化防止剤や安定剤が含有されていてもよい。
【0038】このような環状オレフィンの重合体を用い
て、常法に従い射出成形により基板を形成する。なお、
必要に応じ、基板2の外表面や、外周面等に酸素遮断性
の被膜を形成してもよい。
て、常法に従い射出成形により基板を形成する。なお、
必要に応じ、基板2の外表面や、外周面等に酸素遮断性
の被膜を形成してもよい。
【0039】基板2の記録層3形成面には、トラッキン
グ用のグルーブ23が形成される。グルーブ23は、ス
パイラル状の連続型グルーブであることが好ましく、深
さは0.1〜0.25μm 、幅は0.38〜0.50
μm 、グルーブピッチは1.5〜1.7μm である
ことが好ましい。グルーブをこのような構成とすること
により、グルーブ部の反射レベルを下げることなく、良
好なトラッキング信号を得ることができる。
グ用のグルーブ23が形成される。グルーブ23は、ス
パイラル状の連続型グルーブであることが好ましく、深
さは0.1〜0.25μm 、幅は0.38〜0.50
μm 、グルーブピッチは1.5〜1.7μm である
ことが好ましい。グルーブをこのような構成とすること
により、グルーブ部の反射レベルを下げることなく、良
好なトラッキング信号を得ることができる。
【0040】特にグルーブ幅を0.38〜0.50μm
に規制することは重要であり、グルーブ幅を0.38
μm 未満とすると、十分な大きさのトラッキング信号
が得られにくく、記録時のトラッキングのわずかなオフ
セットによって、ジッターが大きくなりやすい。また0
.50μm をこえると、再生信号の波形歪みが生じや
すく、クロストロークの増大の原因となる。
に規制することは重要であり、グルーブ幅を0.38
μm 未満とすると、十分な大きさのトラッキング信号
が得られにくく、記録時のトラッキングのわずかなオフ
セットによって、ジッターが大きくなりやすい。また0
.50μm をこえると、再生信号の波形歪みが生じや
すく、クロストロークの増大の原因となる。
【0041】本発明では、基板2がグルーブを有する場
合、記録光はグルーブ23内の記録層3に照射されるよ
う構成されることが好ましい。すなわち、本発明の光記
録媒体は、グルーブ記録の光記録媒体として用いられる
ことが好ましい。グルーブ記録とすることにより、記録
層の有効厚さを大きくすることができる。
合、記録光はグルーブ23内の記録層3に照射されるよ
う構成されることが好ましい。すなわち、本発明の光記
録媒体は、グルーブ記録の光記録媒体として用いられる
ことが好ましい。グルーブ記録とすることにより、記録
層の有効厚さを大きくすることができる。
【0042】記録層3は、前記化4で表わされる光安定
化シアニン色素、すなわちシアニン色素カチオンとクエ
ンチャーアニオンとのイオン結合体を光吸収色素として
用いる。
化シアニン色素、すなわちシアニン色素カチオンとクエ
ンチャーアニオンとのイオン結合体を光吸収色素として
用いる。
【0043】前記化4において、シアニン色素カチオン
は、ペンタメチン鎖を有するインドレニン系のものであ
るが、一方の核は4,5−ベンゾインドレニン環であり
、他方の核はインドレニン環であり、左右非対称の異核
構造をもつ。そして、4,5−ベンゾインドレニン環の
窒素原子に結合するアルキル基CnH2n+1と、イン
ドレニン環の窒素原子に結合するアルキル基Cm H2
m+1とは、ともに直鎖のものであることが好ましいが
、両者は互いに異なるものであり、m>nとする。この
場合、mは2以上であり、好ましくは2〜10、特に2
〜5の整数である。また、nは、mより小さければよい
が、特に1〜3であることが好ましい。
は、ペンタメチン鎖を有するインドレニン系のものであ
るが、一方の核は4,5−ベンゾインドレニン環であり
、他方の核はインドレニン環であり、左右非対称の異核
構造をもつ。そして、4,5−ベンゾインドレニン環の
窒素原子に結合するアルキル基CnH2n+1と、イン
ドレニン環の窒素原子に結合するアルキル基Cm H2
m+1とは、ともに直鎖のものであることが好ましいが
、両者は互いに異なるものであり、m>nとする。この
場合、mは2以上であり、好ましくは2〜10、特に2
〜5の整数である。また、nは、mより小さければよい
が、特に1〜3であることが好ましい。
【0044】さらに、インドレニン環のベンゼン環には
、アルキル基ClH2l+1が結合してもよい。Cl
H2l+1は好ましくは、インドレニン環の5位に結合
するが、lは0(すなわちH)、あるいは1〜10、好
ましくは1〜3の整数である。
、アルキル基ClH2l+1が結合してもよい。Cl
H2l+1は好ましくは、インドレニン環の5位に結合
するが、lは0(すなわちH)、あるいは1〜10、好
ましくは1〜3の整数である。
【0045】これに対し、クエンチャーアニオンは、ビ
ス−1,2−フェニレンジチオールの銅錆体である。そ
して、フェニレンジチオールの好ましくは4位には、ア
ルキル基Cp H2p+1が結合する。pは、1〜10
の整数、特にt−ブチル基(tBu)であることが好ま
しい。
ス−1,2−フェニレンジチオールの銅錆体である。そ
して、フェニレンジチオールの好ましくは4位には、ア
ルキル基Cp H2p+1が結合する。pは、1〜10
の整数、特にt−ブチル基(tBu)であることが好ま
しい。
【0046】以下に、本発明の光安定化シアニン色素の
好ましい具体例を挙げる。
好ましい具体例を挙げる。
【0047】
【化7】
【0048】
【化8】
【0049】なお、本発明の記録層は、このような光安
定化シアニン色素を50重量%以上、特に60〜100
重量%含有すればよく、この他、他の色素や一重項酸素
クエンチャーが含有されていてもよい。
定化シアニン色素を50重量%以上、特に60〜100
重量%含有すればよく、この他、他の色素や一重項酸素
クエンチャーが含有されていてもよい。
【0050】このような光安定化色素は、nおよびkの
波長依存性が少なく、770〜810nmにてnおよび
kの変化がきわめて少ない。そして、きわめて高い耐光
性を示す。
波長依存性が少なく、770〜810nmにてnおよび
kの変化がきわめて少ない。そして、きわめて高い耐光
性を示す。
【0051】このような光安定化色素を含有することに
より、記録層3の記録光および再生光波長における消衰
係数(複素屈折率の虚部)kは、0.02〜0.05と
なる。kが0.02未満となると記録層の吸収率が低下
し、通常の記録パワーで記録を行うことが困難となって
くる。また、kが0.05をこえると、反射率が70%
を下回ってきて、CD規格による再生を行うことが困難
となってくる。
より、記録層3の記録光および再生光波長における消衰
係数(複素屈折率の虚部)kは、0.02〜0.05と
なる。kが0.02未満となると記録層の吸収率が低下
し、通常の記録パワーで記録を行うことが困難となって
くる。また、kが0.05をこえると、反射率が70%
を下回ってきて、CD規格による再生を行うことが困難
となってくる。
【0052】また、屈折率(複素屈折率の実部)nは、
2.0〜2.6となる。n<2.0では反射率が低下し
、また再生信号が小さくなり、CD規格による再生が困
難となる傾向にある。
2.0〜2.6となる。n<2.0では反射率が低下し
、また再生信号が小さくなり、CD規格による再生が困
難となる傾向にある。
【0053】nおよびkの測定に際しては、所定の透明
基板上に、記録層を例えば400〜1000A程度の厚
さに実際の条件にて設層して、測定サンプルを作製する
。次いで、基板を通しての、あるいは記録層側からの反
射率を測定する。反射率は記録再生光波長を用いて鏡面
反射(5°程度)にて測定する。また、サンプルの透過
率を測定する。これらの測定値から、例えば、共立全書
「光学」石黒浩三P168〜178に準じ、n、kを算
出すればよい。
基板上に、記録層を例えば400〜1000A程度の厚
さに実際の条件にて設層して、測定サンプルを作製する
。次いで、基板を通しての、あるいは記録層側からの反
射率を測定する。反射率は記録再生光波長を用いて鏡面
反射(5°程度)にて測定する。また、サンプルの透過
率を測定する。これらの測定値から、例えば、共立全書
「光学」石黒浩三P168〜178に準じ、n、kを算
出すればよい。
【0054】なお、本発明の光安定化シアニンの吸収極
大は、650〜750nmである。
大は、650〜750nmである。
【0055】記録層3を形成するには、溶液法による塗
布を用いる。塗布溶媒は、基板2の環状オレフィンの重
合体の耐溶剤性が高いので、シクロヘキサノン等の各種
ケトン系を用いることができる。塗布には、スピンコー
ト法を用いることが好ましい。
布を用いる。塗布溶媒は、基板2の環状オレフィンの重
合体の耐溶剤性が高いので、シクロヘキサノン等の各種
ケトン系を用いることができる。塗布には、スピンコー
ト法を用いることが好ましい。
【0056】本発明では、グルーブ23部の記録層3を
記録トラックとするが、グルーブ23部の記録層3の厚
さは、2000〜3000Aとする。2000A未満で
は、十分な大きさの再生信号が得にくく、また、300
0Aをこえると、反射率が低下し、クロストークやジッ
ターも増大する。
記録トラックとするが、グルーブ23部の記録層3の厚
さは、2000〜3000Aとする。2000A未満で
は、十分な大きさの再生信号が得にくく、また、300
0Aをこえると、反射率が低下し、クロストークやジッ
ターも増大する。
【0057】なお、グルーブ23間のランド部の記録層
3の厚さは1200〜1700A程度とする。これによ
り、プッシュプルトラッキング信号の大きさが反転せず
適当な大きさを保つ膜厚構成が可能となる。このとき、
基板のグルーブ深さは1500〜2000Aが望ましい
。
3の厚さは1200〜1700A程度とする。これによ
り、プッシュプルトラッキング信号の大きさが反転せず
適当な大きさを保つ膜厚構成が可能となる。このとき、
基板のグルーブ深さは1500〜2000Aが望ましい
。
【0058】このような記録層3には、直接密着して反
射層4が設層される。反射層4には、Au、Ag、Cu
等の高反射率金属ないし合金を用いればよい。
射層4が設層される。反射層4には、Au、Ag、Cu
等の高反射率金属ないし合金を用いればよい。
【0059】反射層4の厚さは500A以上であること
が好ましく、蒸着、スパッタ等により設層すればよい。 また、厚さの上限に特に制限はないが、コスト、生産作
業時間等を考慮すると、1200A程度以下であること
が好ましい。これにより、反射層4単独での反射率は、
90%以上、媒体の未記録部の基板をとおしての反射率
は、60%以上、特に70%以上がえられる。
が好ましく、蒸着、スパッタ等により設層すればよい。 また、厚さの上限に特に制限はないが、コスト、生産作
業時間等を考慮すると、1200A程度以下であること
が好ましい。これにより、反射層4単独での反射率は、
90%以上、媒体の未記録部の基板をとおしての反射率
は、60%以上、特に70%以上がえられる。
【0060】反射層4上には、保護膜5が設層されるこ
とが好ましい。保護膜5は、例えば紫外線硬化樹脂等の
各種樹脂材質から、通常は、0.5〜100μm 程度
の厚さに設層すればよい。保護膜5は、層状であっても
シート状であってもよい。保護膜5は、特に放射線硬化
型化合物および光重合増感剤を含有する塗膜を放射線硬
化したものであることが好ましい。
とが好ましい。保護膜5は、例えば紫外線硬化樹脂等の
各種樹脂材質から、通常は、0.5〜100μm 程度
の厚さに設層すればよい。保護膜5は、層状であっても
シート状であってもよい。保護膜5は、特に放射線硬化
型化合物および光重合増感剤を含有する塗膜を放射線硬
化したものであることが好ましい。
【0061】そして、保護膜5の硬度が、25℃におけ
る鉛筆硬度(JIS K−5400)で、H〜8H、
特に2H〜7Hであるように構成されることが好ましい
。
る鉛筆硬度(JIS K−5400)で、H〜8H、
特に2H〜7Hであるように構成されることが好ましい
。
【0062】このように構成することにより、アイパタ
ーンが良好になり、ジッターが格段と減少する。また、
高温・高湿あるいは温湿度変化条件下の保存においても
、保護膜と反射層との剥離が生じない。より具体的には
、保護膜の硬度がHより軟らかいとアイパターンが乱れ
、ジッターが増大し、8Hより硬くなると塗膜がもろく
なり膜形成能が低下する他、反射層との接着力が低下す
る。
ーンが良好になり、ジッターが格段と減少する。また、
高温・高湿あるいは温湿度変化条件下の保存においても
、保護膜と反射層との剥離が生じない。より具体的には
、保護膜の硬度がHより軟らかいとアイパターンが乱れ
、ジッターが増大し、8Hより硬くなると塗膜がもろく
なり膜形成能が低下する他、反射層との接着力が低下す
る。
【0063】このような保護膜形成に用いる放射線硬化
型化合物には、オリゴエステルアクリレートが含まれる
ことが好ましい。オリゴエステルアクリレートは、アク
リレート基またはメタクリレート基を複数有するオリゴ
エステル化合物である。そして好ましいオリゴエステル
アクリレートとしては、分子量1000〜10000、
好ましくは2000〜7000であって、重合度2〜1
0、好ましくは、3〜5のものが挙げられる。また、こ
れらのうちアクリレート基またはメタクリレート基を2
〜6個、好ましくは3〜6個有する多官能オリゴエステ
ルアクリレートが好ましい。また、上記の化合物に加え
て、あるいはこれにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変
性することによって得られる放射線硬化型化合物を用い
てもよい。
型化合物には、オリゴエステルアクリレートが含まれる
ことが好ましい。オリゴエステルアクリレートは、アク
リレート基またはメタクリレート基を複数有するオリゴ
エステル化合物である。そして好ましいオリゴエステル
アクリレートとしては、分子量1000〜10000、
好ましくは2000〜7000であって、重合度2〜1
0、好ましくは、3〜5のものが挙げられる。また、こ
れらのうちアクリレート基またはメタクリレート基を2
〜6個、好ましくは3〜6個有する多官能オリゴエステ
ルアクリレートが好ましい。また、上記の化合物に加え
て、あるいはこれにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変
性することによって得られる放射線硬化型化合物を用い
てもよい。
【0064】このような放射線硬化型化合物の保護膜の
膜厚は0.5〜30μm 、より好ましくは1〜10μ
m である。この膜厚が0.5μm 未満になると、一
様な膜を形成しにくく、湿度が高い雰囲気中での防湿効
果が十分でなく、記録層の耐久性が下がる。しかも、ジ
ッター防止効果が低下する。また、30μm をこえる
と、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反り
や保護膜中のクラックが生じやすい。
膜厚は0.5〜30μm 、より好ましくは1〜10μ
m である。この膜厚が0.5μm 未満になると、一
様な膜を形成しにくく、湿度が高い雰囲気中での防湿効
果が十分でなく、記録層の耐久性が下がる。しかも、ジ
ッター防止効果が低下する。また、30μm をこえる
と、樹脂膜の硬化の際に伴う収縮により記録媒体の反り
や保護膜中のクラックが生じやすい。
【0065】このような塗膜は、通常、スピンナーコー
ト、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、
種々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。この
時の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
ト、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、
種々の公知の方法を組み合わせて設層すればよい。この
時の塗膜の設層条件は、塗膜組成の混合物の粘度、目的
とする塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。
【0066】本発明において塗膜に照射する放射線とし
ては、紫外線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ま
しい。紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。
ては、紫外線、電子線等が挙げられるが、紫外線が好ま
しい。紫外線を用いる場合には、前述したような放射線
硬化型化合物の中には、通常、光重合増感剤が加えられ
る。
【0067】光重合増感剤としては、例えば、ベンゾイ
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、α−メ
チルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾイン等のベ
ンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン、モルホ
リノジメチルメチル−4−メチルチオフェニルケトン、
ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、ア
ントラキノン、フェナントラキノン等のキノン類、ベン
ジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィ
ド等のスルフィド類等を挙げることができる。
ンメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、α−メ
チルベンゾイン、α−クロルデオキシベンゾイン等のベ
ンゾイン系、ベンゾフェノン、アセトフェノン、モルホ
リノジメチルメチル−4−メチルチオフェニルケトン、
ビスジアルキルアミノベンゾフェノン等のケトン類、ア
ントラキノン、フェナントラキノン等のキノン類、ベン
ジルジスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィ
ド等のスルフィド類等を挙げることができる。
【0068】そして、このような光重合増感剤と放射線
硬化型化合物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させ
るには、公知の種々の方法に従えばよい。たとえば、キ
セノン放電管、水銀放電管などの紫外線電球等を用いれ
ばよい。また、場合によっては電子線を用いることもで
きる。
硬化型化合物を含有する塗膜を紫外線によって硬化させ
るには、公知の種々の方法に従えばよい。たとえば、キ
セノン放電管、水銀放電管などの紫外線電球等を用いれ
ばよい。また、場合によっては電子線を用いることもで
きる。
【0069】このような構成の光記録媒体1に記録ない
し追記を行なうには、例えば780nmの記録光を、基
板2をとおしてパルス状に照射する。
し追記を行なうには、例えば780nmの記録光を、基
板2をとおしてパルス状に照射する。
【0070】これにより、記録層3が光を吸収して発熱
し、同時に基板2も加熱される。この結果、基板2と記
録層3との界面近傍において、色素等の記録層材質の融
解や分解が生じ、記録層3と基板2との界面に圧力が加
わり、グルーブ23の特に側壁を変形させる。
し、同時に基板2も加熱される。この結果、基板2と記
録層3との界面近傍において、色素等の記録層材質の融
解や分解が生じ、記録層3と基板2との界面に圧力が加
わり、グルーブ23の特に側壁を変形させる。
【0071】この場合記録層3の融解物や分解物を含有
する分解物層61が、通常グルーブ23の底部上に残存
する。しかも、分解物層61は、基板側に侵入し、ピッ
ト部6の形状はより大きく形成される。分解物層61の
材質は、実質的に基板材質を含まない材質であり、記録
層材質の分解物あるいは記録層材質の分解物と、記録層
材質との混合物によって構成される。
する分解物層61が、通常グルーブ23の底部上に残存
する。しかも、分解物層61は、基板側に侵入し、ピッ
ト部6の形状はより大きく形成される。分解物層61の
材質は、実質的に基板材質を含まない材質であり、記録
層材質の分解物あるいは記録層材質の分解物と、記録層
材質との混合物によって構成される。
【0072】なお、記録光のパワーは5〜9mW程度、
基板回転線速度は1.2〜1.4m/s程度とする。
基板回転線速度は1.2〜1.4m/s程度とする。
【0073】このようにして、微小記録部ないしピット
部6を形成したのち、例えば780nmの再生光を、基
板2をとおして照射すると、ピット部6により未記録部
やランド部21との間に反射光の位相差を生じ、再生反
射レベルが未記録部分の40%以下、特に20%以下に
低下する。
部6を形成したのち、例えば780nmの再生光を、基
板2をとおして照射すると、ピット部6により未記録部
やランド部21との間に反射光の位相差を生じ、再生反
射レベルが未記録部分の40%以下、特に20%以下に
低下する。
【0074】一方、未記録部では、60%以上、特に7
0%以上の高反射率を示しているので、CD規格による
再生が可能となる。再生光のパワーは、0.1〜1.0
mW程度とする。
0%以上の高反射率を示しているので、CD規格による
再生が可能となる。再生光のパワーは、0.1〜1.0
mW程度とする。
【0075】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【0076】[実施例1]前記化2において、R1 =
R2 =エチルの1,4−ジメチレン−2,3−ジエチ
ルシクロペンタンをくり返し単位とし、分子量29,0
00の環状ポリオレフィン(ポリオレフィン1)のペレ
ットを得た。これを350℃にて溶融し、金型温度10
0℃、射出圧350kg/cm2で射出成形し、120
mm径、厚さ1.2mmの連続グルーブを有する基板を
得た。グルーブピッチは1.6μm 、グルーブ幅は0
.42μm 、グルーブ深さは0.2μm とした。
R2 =エチルの1,4−ジメチレン−2,3−ジエチ
ルシクロペンタンをくり返し単位とし、分子量29,0
00の環状ポリオレフィン(ポリオレフィン1)のペレ
ットを得た。これを350℃にて溶融し、金型温度10
0℃、射出圧350kg/cm2で射出成形し、120
mm径、厚さ1.2mmの連続グルーブを有する基板を
得た。グルーブピッチは1.6μm 、グルーブ幅は0
.42μm 、グルーブ深さは0.2μm とした。
【0077】この基板上に光安定化シアニン色素D1を
含有する記録層を設層した。
含有する記録層を設層した。
【0078】記録層の設層は、スピンコート塗布により
行なった。塗布溶液としては、3.5wt% シクロヘ
キサノンの溶液を用いた。乾燥後の色素層の厚さはグル
ーブ部で2500A、ランド部で1400Aであった。
行なった。塗布溶液としては、3.5wt% シクロヘ
キサノンの溶液を用いた。乾燥後の色素層の厚さはグル
ーブ部で2500A、ランド部で1400Aであった。
【0079】記録層の屈折率(n)と消衰係数(k)を
、770〜790nmにおいて測定した。結果を表1に
示す。nおよびkは、上記色素を含有する溶液を測定用
基板上に乾燥膜厚1000〜1500Aに成膜して被検
記録層とし、この被検記録層のnおよびkを測定するこ
とにより求めた。なお、この測定は、「光学」(石黒浩
三著、共立全書)第168〜178ページの記載に準じ
て行なった。
、770〜790nmにおいて測定した。結果を表1に
示す。nおよびkは、上記色素を含有する溶液を測定用
基板上に乾燥膜厚1000〜1500Aに成膜して被検
記録層とし、この被検記録層のnおよびkを測定するこ
とにより求めた。なお、この測定は、「光学」(石黒浩
三著、共立全書)第168〜178ページの記載に準じ
て行なった。
【0080】さらにこの記録層上に、スパッタリングに
よりAu膜を1000A厚に設層して反射層とし、さら
に、オリゴエステルアクリレートを含有する紫外線硬化
型樹脂を塗布した後、紫外線硬化して5μm 厚の保護
膜とし、光記録ディスクサンプルNo.1を得た。
よりAu膜を1000A厚に設層して反射層とし、さら
に、オリゴエステルアクリレートを含有する紫外線硬化
型樹脂を塗布した後、紫外線硬化して5μm 厚の保護
膜とし、光記録ディスクサンプルNo.1を得た。
【0081】保護膜は、放射線硬化型化合物および光重
合増感剤を含む塗布組成物をスピンナーコートで設層し
た。
合増感剤を含む塗布組成物をスピンナーコートで設層し
た。
【0082】このような塗布組成物を設層後、120W
/cmの紫外線を15sec 照射し架橋硬化させ、硬
化膜とした。この膜の鉛筆硬度は2Hであった。
/cmの紫外線を15sec 照射し架橋硬化させ、硬
化膜とした。この膜の鉛筆硬度は2Hであった。
【0083】このサンプルに対し、波長780nm、7
mWのレーザーにてコンパクトディスク信号の記録を行
ない、次いで市販のコンパクトディスクプレーヤで再生
を行なったところ、良好な結果を得た。また、未記録部
で70%以上の反射率が得られ、記録部の反射率は未記
録部の反射率の40%以下であり、しかもジッターの少
ないものであった。
mWのレーザーにてコンパクトディスク信号の記録を行
ない、次いで市販のコンパクトディスクプレーヤで再生
を行なったところ、良好な結果を得た。また、未記録部
で70%以上の反射率が得られ、記録部の反射率は未記
録部の反射率の40%以下であり、しかもジッターの少
ないものであった。
【0084】次に、このサンプルの耐光性を評価した。
この結果、8万ルックスにて、Xeランプを50時間照
射したところ、反射率の変化は全くなかった。また、0
.8mW、780nmの再生光パルスを106 回照射
したところ、反射率の変化は全くなかった。
射したところ、反射率の変化は全くなかった。また、0
.8mW、780nmの再生光パルスを106 回照射
したところ、反射率の変化は全くなかった。
【0085】また、80℃、相対湿度80%にて、それ
ぞれ500時間保存し、保存後のC1エラーの増大を測
定して、耐熱性、耐湿性を評価したところ、エラーの増
大はなかった。
ぞれ500時間保存し、保存後のC1エラーの増大を測
定して、耐熱性、耐湿性を評価したところ、エラーの増
大はなかった。
【0086】これらの結果を表1に示す。
【0087】
【表1】
【0088】なお、これらの結果は、D2〜D6の光安
定化シアニン色素でも、同等に実現した。
定化シアニン色素でも、同等に実現した。
【0089】比較例1〜4
光安定化色素D1を下記化9〜化12の比較用色素D’
1、D’2、D’3およびD’4+Qにかえ、実施例1
と同様にして光記録ディスクサンプルNo. 2〜No
. 5を作製した。
1、D’2、D’3およびD’4+Qにかえ、実施例1
と同様にして光記録ディスクサンプルNo. 2〜No
. 5を作製した。
【0090】
【化9】
【0091】
【化10】
【0092】
【化11】
【0093】
【化12】
【0094】結果を表1に併記する。表1に示される結
果から本発明の効果が明らかである。
果から本発明の効果が明らかである。
【0095】比較例6
実施例1の環状オレフィンの重合体の基板を、ポリカー
ボネート製として光記録ディスクサンプルNo. 6を
得たところ、表1に示される結果を得た。
ボネート製として光記録ディスクサンプルNo. 6を
得たところ、表1に示される結果を得た。
【0096】比較例7
実施例1において、スピンコート条件を変更して、グル
ーブ部の記録層厚さを1900Aとしたところ、十分な
大きさの再生信号が得られなかった。
ーブ部の記録層厚さを1900Aとしたところ、十分な
大きさの再生信号が得られなかった。
【0097】また、グルーブ部の記録層厚さを3100
Aとしたところ、ジッターとクロストークが大きくなり
すぎた。
Aとしたところ、ジッターとクロストークが大きくなり
すぎた。
【0098】なお、実施例1において、グルーブ幅のみ
を0.36μm としたときには、トラックキング制御
不良、記録感度不足を引きおこし、またグルーブ幅のみ
を0.52μm としたときには、再生波形に歪みを生
じ、クロストークが増大した。
を0.36μm としたときには、トラックキング制御
不良、記録感度不足を引きおこし、またグルーブ幅のみ
を0.52μm としたときには、再生波形に歪みを生
じ、クロストークが増大した。
【0099】実施例2
特開昭60−168708号公報の記載にしたがい、テ
トラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−
3−ドデセン(以下DMON)]とエチレンとをランダ
ム重合させて、共重合体(ポリオレフィン2)を得た。
トラシクロ[4、4、0、12、5 、17、10]−
3−ドデセン(以下DMON)]とエチレンとをランダ
ム重合させて、共重合体(ポリオレフィン2)を得た。
【0100】この2種の共重合体を、ブレンドし(オレ
フィンII)、これを350℃にて溶融し、金型温度1
00℃、射出圧350kg/cm2で射出成形し、12
0mm直径、厚さ1.2mmの基板を得た。基板2の表
面には実施例1と同一のグルーブを形成した。実施例1
と全く同一の条件で光記録ディスクサンプルNo. 7
を得た。結果を表1に併記する。
フィンII)、これを350℃にて溶融し、金型温度1
00℃、射出圧350kg/cm2で射出成形し、12
0mm直径、厚さ1.2mmの基板を得た。基板2の表
面には実施例1と同一のグルーブを形成した。実施例1
と全く同一の条件で光記録ディスクサンプルNo. 7
を得た。結果を表1に併記する。
【0101】表1に示される結果から、本発明の光安定
化シアニン色素を結合体とした記録層は、nおよびkの
波長依存性が小さく、良好な記録再生特性と、耐光性、
耐熱性、耐湿性とを示すことがわかる。
化シアニン色素を結合体とした記録層は、nおよびkの
波長依存性が小さく、良好な記録再生特性と、耐光性、
耐熱性、耐湿性とを示すことがわかる。
【0102】
【発明の効果】本発明によれば、高反射率で、しかもピ
ット部での大きな反射率低下を示すので、CD規格によ
る再生を行なうことのできる良好な光記録が可能となる
。この際、記録層は、n、kの波長依存性が小さいので
、記録再生光の波長の変動等があっても、記録再生特性
の変化が少ない。そして、ピット形状が良好で、しかも
高いS/N比が得られ、良好な記録・再生を行なうこと
ができる。そして、耐熱性、耐湿ないし耐水性も高く、
耐光性もきわめて高く、再生劣化や明室保存による劣化
も少ない。
ット部での大きな反射率低下を示すので、CD規格によ
る再生を行なうことのできる良好な光記録が可能となる
。この際、記録層は、n、kの波長依存性が小さいので
、記録再生光の波長の変動等があっても、記録再生特性
の変化が少ない。そして、ピット形状が良好で、しかも
高いS/N比が得られ、良好な記録・再生を行なうこと
ができる。そして、耐熱性、耐湿ないし耐水性も高く、
耐光性もきわめて高く、再生劣化や明室保存による劣化
も少ない。
【図1】図1は、本発明の光記録媒体を示す部分断面図
である。
である。
1 光記録媒体
2 基板
23 グルーブ
3 記録層
4 反射層
5 保護膜
6 ピット部
61 分解物層
Claims (4)
- 【請求項1】 グルーブを有する基板上に色素を含有
する記録層を設け、この記録層上に密着して反射層を積
層して構成され、記録光を前記グルーブ部の前記記録層
に照射して記録部を形成し、再生光により再生を行なう
光記録媒体であって、前記記録層が下記化1で表わされ
る光安定化シアニン色素を含有し、前記基板が環状オレ
フィンの重合体であり、前記グルーブ部の前記記録層の
厚さが2000〜3000Aであることを特徴とする光
記録媒体。 【化1】 - 【請求項2】 前記グルーブの幅が0.38〜0.5
0μm である請求項1に記載の光記録媒体。 - 【請求項3】 前記環状オレフィンの重合体が、下記
化2の繰り返し構造単位を有する請求項1または2に記
載の光記録媒体。 【化2】 - 【請求項4】 前記環状オレフィンの重合体が、下記
化3の環状オレフィンとエチレンとの共重合体である請
求項1または2に記載の光記録媒体。 【化3】
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JP3135935A JP3062294B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光記録媒体 |
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---|---|
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ID=15163286
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP3135935A Expired - Fee Related JP3062294B2 (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光記録媒体 |
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US7432036B2 (en) | 2002-10-07 | 2008-10-07 | Fujifilm Corporation | Non-resonant two-photon absorbing material, non-resonant two-photon emitting material, and method for inducing absorption or generating emission of non-resonant two photons by using the material |
US20060046006A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Bastion Bradley J | Multilayer polymeric barrier film, flexible packaging made therewith, and methods |
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JPS60159087A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
JPS60163243A (ja) * | 1984-09-25 | 1985-08-26 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
US4990388A (en) * | 1988-07-30 | 1991-02-05 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Optical information recording medium |
JPH0248435A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバの製造方法 |
JP2893184B2 (ja) * | 1988-08-05 | 1999-05-17 | 旭電化工業株式会社 | 光学記録材料 |
JP2509714B2 (ja) * | 1988-11-01 | 1996-06-26 | 三井石油化学工業株式会社 | 光記録媒体 |
US4994354A (en) * | 1988-11-01 | 1991-02-19 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Optical recording media |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP3135935A patent/JP3062294B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-29 US US07/736,976 patent/US5154958A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5154958A (en) | 1992-10-13 |
JP3062294B2 (ja) | 2000-07-10 |
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