JPH04372743A - 被覆形成方法および光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、特に、傷防止のために
光ディスク等の表面に設けられるハードコート層等の被
覆形成方法と、それを用いた光ディスクとに関する。

【０００２】

【従来の技術】大容量情報担持媒体として光ディスクが
注目されている。光ディスクは、通常、光記録ディスク
と再生専用光ディスクに大きく分類される。光記録ディ
スクとしては、光磁気記録ディスク等の消去可能タイプ
、あるいはピット形成型光記録ディスク等の追記タイプ
などがあり、再生専用光ディスクとしては、レーザーデ
ィスクやコンパクトディスクなどがある。

【０００３】これらの光ディスクは、基板上に記録層あ
るいは情報担持層を有する構成となっており、基板材料
としては、成形が容易で、軽量で破損しにくく、取扱が
容易で、しかも低コストであることから、透明性を有す
る各種樹脂が用いられている。しかし、樹脂基板は硬度
が低いため傷つき易い。光ディスクは一般に基板を通し
て記録光や再生光を照射するため、基板に傷が生じると
情報の記録や再生が困難となる場合が生じる。

【０００４】このため、基板の少なくとも光入射側表面
には、損傷防止のためのハードコート層が形成されてい
る。基板の光入射面側に設けられるハードコート層とし
ては、例えば特願昭６２−７２８８８号に開示されてい
るオリゴエステルアクリレート含有組成物の紫外線硬化
膜がある。

【０００５】ところで、特開昭６０−１６８７０８号公
報、特開昭６１−１２０８１６号公報、特開昭６１−１
１５９１２号公報、特開昭６１−１１５９１６号公報、
特願昭６１−９５９０５号公報、特願昭６１−９０９０
６号公報、特開昭６１−２７１３０８号公報、特開昭６
１−２７２２１６号公報等には、環状オレフィンとエチ
レンとの共重合体の２種以上をブレンドしたアモルファ
スポリオレフィンを、光ディスクの基板材料として用い
る旨が開示されている。このものは、従来、光ディスク
の基板材料として汎用されてきたポリカーボネートや、
ポリメチルメタクリレートと比較して、格段とすぐれた
光学特性を示し、吸水性も極めて少なく、光ディスクの
基板材料としてきわめて有利である。

【０００６】しかし、紫外線硬化型のハードコート層等
、各種透明樹脂の被覆との接着性や密着性がきわめて低
いことが判明した。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的は
、環状オレフィンの重合体に透明樹脂被覆を形成する場
合、接着性が格段と向上した被覆形成方法と、この被覆
形成方法を用いて形成したハードコート層を有する光デ
ィスクを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決しようとする手段】このような目的は下記
（１）〜（１８）の本発明によって達成される。

【０００９】（１）環状オレフィンの重合体の表面に紫
外線を照射し、次いで、この表面に、透明樹脂の被覆を
形成することを特徴とする被覆形成方法。

【００１０】（２）前記照射される紫外線は、少なくと
も２７０ｎｍ以下の波長を有する上記（１）に記載の被
覆形成方法。

【００１１】（３）前記紫外線の照射の際に、前記重合
体の表面をオゾンにさらす上記（１）または（２）に記
載の被覆形成方法。

【００１２】（４）前記紫外線照射により、紫外線照射
面にカルボキシ基、アルデヒド基および水酸基の１種以
上が導入される上記（１）ないし（３）のいずれかに記
載の被覆形成方法。

【００１３】（５）前記紫外線照射により、紫外線照射
面の水との接触角を６０°以下に低下させる上記（１）
ないし（４）のいずれかに記載の被覆形成方法。

【００１４】（６）前記重合体が透明成形体である上記
（１）ないし（５）のいずれかに記載の被膜形成方法。

【００１５】（７）前記環状オレフィンの重合体が、下
記化３の繰り返し構造単位を有する上記（１）ないし（
６）のいずれかに記載の被覆形成方法。

【００１６】

【化３】

【００１７】（８）前記環状オレフィンの重合体が、下
記化４の環状オレフィンとエチレンとの共重合体である
上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の被覆形成方
法。

【００１８】

【化２】

【００１９】（９）前記透明樹脂の被覆が、放射線硬化
型化合物の塗膜を放射線硬化したものである上記（１）
ないし（８）のいずれかに記載の被覆形成方法。

【００２０】（１０）前記紫外線硬化型化合物がアクリ
ル基を有する上記（９）に記載の被覆形成方法。

【００２１】（１１）前記放射線硬化型化合物の塗膜は
、エポキシ樹脂と光カチオン重合触媒とを含有する上記
（９）に記載の被覆形成方法。

【００２２】（１２）前記環状オレフィンの重合体の基
板を有し、この基板の少なくとも一方の面に、上記（１
）ないし（１１）のいずれかに記載の被覆形成方法によ
って形成された透明樹脂の被覆を有し、他方の面に記録
層または情報担持層を担持した光ディスク。

【００２３】（１３）前記基板は、環状オレフィンの重
合体を射出成形したものである上記（１２）に記載の光
ディスク。

【００２４】（１４）前記基板は記録層を担持しており
、前記基板は、記録層側表層部に熱軟化点１４０℃以下
のスキン層を有する上記（１３）に記載の光ディスク。

【００２５】（１５）前記基板は、一方の面に記録層を
担持しており、この記録層を形成した面に紫外線を照射
した後、樹脂製の保護コートを設けた上記（１１）ない
し（１４）のいずれかに記載の光記録ディスク。

【００２６】（１６）前記照射される紫外線は、少なく
とも２７０ｎｍ以下の波長を有する上記（１５）に記載
の光記録ディスク。

【００２７】（１７）前記紫外線の照射の際に、前記記
録層形成面をオゾンにさらす上記（１５）または（１６
）に記載の光記録ディスク。

【００２８】（１８）前記保護コートは、放射線硬化型
化合物を紫外線硬化したものである上記（１５）ないし
（１７）のいずれかに記載の光記録ディスク。

【００２９】

【作用】本発明の好ましくはオゾンの共存を伴う、例え
ば２５４ｎｍの紫外線照射により、環状オレフィンの重
合体中の表面には、カルボキシ基、アルデヒド基等のカ
ルボニル基や、水酸基などが導入される。そして、これ
らカルボニル基等の導入により、表面の水との接触角は
、９０°程度から、６０°以下にまで低下し、樹脂塗膜
との接着性が格段と向上する。

【００３０】ところで、ポリカーボネートでは、３００
ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線（近紫外線）照射により表面
改質を行なうことが知られている。しかし、ポリカーボ
ネートでは、３００〜４００ｎｍの紫外線照射によって
官能基は生成するが、接触角の低下は認められない。ま
た、ポリカーボネートでは、近紫外線の照射により耐溶
剤性が低下してしまい、実用には不適である。

【００３１】一方、特開平３−６３９４６号公報には、
光磁気記録ディスクの記録層を含む構成層の最表面（Ａ
ｌ　Ｔｉ、ＳｉＮ等）に紫外線−オゾン照射を行ない、
この最表面上に形成されるアクリル系紫外線硬化保護コ
ートとの接着性を向上させる旨が記載されている。しか
し、この公報には、環状オレフィンの重合体に紫外線を
照射したとき、カルボキシ基等が導入され、これにより
接触角が低下し、樹脂塗膜との接着性が向上する旨は示
唆すらされていない。

【００３２】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００３３】本発明において、透明樹脂被覆は、環状オ
レフィンの重合体表面に形成される。本発明が適用可能
な環状オレフィンの重合体としては、公知の種々のもの
であってよいが、特に光ディスク用基板として有用な環
状オレフィンの重合体としては、前記化３をくり返し構
造単位とするアモルファスの環状ポリオレフィンである
ことが好ましい。

【００３４】前記化３においては、Ｒ１　およびＲ２　
は、炭化水素残基であるが、特に、炭素数１〜５の非置
換のアルキル基であることが好ましい。用いる環状ポリ
オレフィンは、このような化３のくり返し単位のみから
なるホモポリマーであることが好ましいが、Ｒ１　、Ｒ
２　の異なる化３のくり返し単位の複数からなるコポリ
マーであってもよい。そして、その数平均分子量は、５
千〜１０万、特に１万〜４万であることが好ましい。

【００３５】このような環状ポリオレフィンは、別途常
法に従い重合を行なって用いてもよく、また、例えば日
本ゼオン社製Ｚｅｏｎｅｘ　２８０等として市販されて
いるものを用いてもよい。

【００３６】また、環状オレフィンの重合体としては、
特開平２−２５７４４６号等に記載された前記化４の環
状オレフィンとエチレンとの共重合体の好ましくはブレ
ンド体も好適である。前記化４で表わされる環状オレフ
ィンは、シクロペンタジエン類とこれに相応するオレフ
ィン類とをディールス・アルダー反応で縮合させて合成
すればよい。

【００３７】化４で表わされる環状オレフィンとして具
体的には、テトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン（１、４、５、８−ジメタノ
−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロ
ナフタレン）、２−メチル−１、４、５、８−ジメタノ
−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロ
ナフタレン、２−エチル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２−プロピル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２−ヘキシル−１、４、５、８−ジメタノ−
１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒドロナ
フタレン、２、３−ジメチル−１、４、５、８−ジメタ
ノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オクタヒド
ロナフタレン、２−メチル−３−エチル−１、４、５、
８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−
オクタヒドロナフタレン、２−クロロ−１、４、５、８
−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オ
クタヒドロナフタレン、２−ブロモ−１、４、５、８−
ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オク
タヒドロナフタレン、２−フルオロ−１、４、５、８−
ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−オク
タヒドロナフタレン、２、３−ジクロロ−１、４、５、
８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、８ａ−
オクタヒドロナフタレン、２−シクロヘキシル−１、４
、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、８、
８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−ｎ−ブチル−−１
、４、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５、
８、８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−イソブチル−
１、４、５、８−ジメタノ−１、２、３、４、４ａ、５
、８、８ａ−オクタヒドロナフタレンなどのオクタヒド
ロナフタレン類などの化合物を挙げることができる。

【００３８】さらに、化４で表わされる環状オレフィン
の例としては、以下に記載する化合物を挙げることがで
きる。ビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、６−
メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン、５、
６−ジメチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン
、１−メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン
、６−エチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−エン
、６−ｎ−ブチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−２−
エン、６−イソブチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−
２−エン、７−メチルビシクロ［２、２、１］ヘプト−
２−エン、などのようなビシクロ［２、２、１］ヘプト
−２−エン誘導体；テトラシクロ［４、４、０、１２、
５　、１７、１０］−３−ドデセン、５、１０−ジメチ
ルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０
］−３−ドデセン、２、１０−ジメチルテトラシクロ［
４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン
、１１、１２−ジメチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、２、７、９−
トリメチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン、９−エチル−２、７−ジメ
チルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１
０］−３−ドデセン、９−イソブチル−２、７−ジメチ
ルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０
］−３−ドデセン、９、１１、１２−トリメチルテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン、９−エチル−１１、１２−ジメチルテトラシ
クロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ド
デセン、９−イソブチル−１１、１２−ジメチルテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン、５、８、９、１０−テトラメチルテトラシク
ロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデ
セン、８−メチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５
　、１７、１０］−３−ドデセン、８−エチルテトラシ
クロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ド
デセン、８−プロピルテトラシクロ［４、４、０、１２
、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ヘキシルテ
トラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−
３−ドデセン、８−ステアリルテトラシクロ［４、４、
０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８、９
−ジメチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン、８−メチル−９−エチルテ
トラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−
３−ドデセン、８−クロロテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ブロモ
テトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］
−３−ドデセン、８−フルオロテトラシクロ［４、４、
０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８、９
−ジクロロテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１
７、１０］−３−ドデセン、８−シクロヘキシルテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン、８−イソブチルテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−ブチル
テトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］
−３−ドデセン、８−エチリデンテトラシクロ［４、４
、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−
エチリデン−９−メチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−エチリデ
ン−９−エチルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　
、１７、１０］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−
イソプロピルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、
１７、１０］−３−ドデセン、８−エチリデン−９−ブ
チルテトラシクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１
０］−３−ドデセン、８−ｎ−プロピリデンテトラシク
ロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデ
セン、８−ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシクロ
［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセ
ン、８−ｎ−プロピリデン−９−エチルテトラシクロ［
４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン
、８−ｎ−プロピリデン−９−イソプロピルテトラシク
ロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデ
セン、８−ｎ−プロピリデン−９−ブチルテトラシクロ
［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−ドデセ
ン、８−イソプロピリデンテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプ
ロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプロ
ピリデン−９−エチルテトラシクロ［４、４、０、１２
、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプロピ
リデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４、４、０、
１２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、８−イソプ
ロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４、４、０、１
２、５　、１７、１０］−３−ドデセン、などのテトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン誘導体；ヘキサシクロ［６、６、１、１３、６
　、１１０、１３　、０２、７　、０９、１４］−４−
ヘプタデセン、１２−メチルヘキサシクロ［６、６、１
、１３、６　、１１０、１３　、０２、７　、０９、１
４］−４−ヘプタデセン、１２−エチルヘキサシクロ［
６、６、１、１３、６　、１１０、１３　、０２、７　
、０９、１４］−４−ヘプタデセン、１２−イソブチル
ヘキサシクロ［６、６、１、１３、６　、１１０、１３
　、０２、７　、０９、１４］−４−ヘプタデセン、１
、６、１０−トリメチル−１２−イソブチルヘキサシク
ロ［６、６、１、１３、６　、１１０、１３　、０２、
７　、０９、１４］−４−ヘプタデセン、などのヘキサ
シクロ［６、６、１、１３、６　、１１０、１３　、０
２、７　、０９、１４］−４−ヘプタデセン誘導体；オ
クタシクロ［８、８、０、１２、９　、１４、７　、１
１１、１８　、１１３、１６　、０３、８　、０１２、
１７　］−５−ドコセン、１５−メチルオクタシクロ［
８、８、０、１２、９　、１４、７　、１１１、１８　
、１１３、１６、０３、８　、０１２、１７　］−５−
ドコセン、１５−エチルオクタシクロ［８、８、０、１
２、９　、１４、７　、１１１、１８　、１１３、１６
、０３、８　、０１２、１７　］−５−ドコセン、など
のオクタシクロ［８、８、０、１２、９　、１４、７　
、１１１、１８　、１１３、１６　、０３、８　、０１
２、１７　］−５−ドコセン誘導体；ペンタシクロ［６
、６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４
−ヘキサデセン、１、３−ジメチルペンタシクロ［６、
６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４−
ヘキサデセン、１、６−ジメチルペンタシクロ［６、６
、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４−ヘ
キサデセン、１５、１６−ジメチルペンタシクロ［６、
６、１、１３、６　、０２、７　、０９、１４］−４−
ヘキサデセン、などのペンタシクロ［６、６、１、１３
、６　、０２、７、０９、１４］−４−ヘキサデセン誘
導体；ヘプタシクロ［８、７、０、１２、９　、１４、
７　、１１１、１７　、０３、８　、０１２、１６　］
−５−イコセン、ヘプタシクロ［８、７、０、１２、９
　、１４、７　、１１１、１７　、０３、８　、０１２
、１６　］−５−ヘンエイコセン、などのヘプタシクロ
−５−イコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−５−ヘン
エイコセン誘導体；トリシクロ［４、３、０、１２、５
］−３−デセン、２−メチルトリシクロ［４、３、０、
１２、５　］−３−デセン、５−メチル−トリシクロ［
４、３、０、１２、５　］−３−デセン、などのトリシ
クロ［４、３、０、１２、５　］−３−デセン誘導体；
トリシクロ［４、４、０、１２、５　］−３−ウンデセ
ン、１０−メチル−トリシクロ［４、４、０、１２、５
　］−３−ウンデセン、などのトリシクロ［４、４、０
、１２、５　］−３−ウンデセン誘導体；ペンタシクロ
［６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］
−４−ペンタデセン、１、３−ジメチル−ペンタシクロ
［６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］
−４−ペンタデセン、１、６−ジメチルペンタシクロ［
６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］−
４−ペンタデセン、１４、１５−ジメチルペンタシクロ
［６、５、１、１３、６　、０２、７　、０９、１３］
−４−ペンタデセン、などのペンタシクロ［６、５、１
、１３、６　、０２、７　、０９、１３］−４−ペンタ
デセン誘導体；ペンタシクロ［６、５、１、１３、６　
、０２、７　、０９、１３］−４、１０−ペンタデカジ
エン誘導体；ペンタシクロ［４、７、０、１２、５　、
０８、１３、０９、１２］−３−ペンタデセン、メチル
置換ペンタシクロ［４、７、０、１２、５、０８、１３
、０９、１２］−３−ペンタデセン、などのペンタシク
ロ［４、７、０、１２、５　、０８、１３、０９、１２
］−３−ペンタデセン誘導体；ヘプタシクロ［７、８、
０、１３、６　、０２、７　、１１０、１７　、０１１
、１６　、１１２、１５　］−４−エイコセン、ジメチ
ル置換ヘプタシクロ［７、８、０、１３、６　、０２、
７　、１１０、１７　、０１１、１６、１１２、１５　
］−４−エイコセン、などのヘプタシクロ［７、８、０
、１３、６　、０２、７　、１１０、１７　、０１１、
１６　、１１２、１５　］−４−エイコセン誘導体；ノ
ナシクロ［９、１０、１、１４、７　、０３、８　、０
２、１０、０１２、２１　、１１３、２０　、０１４、
１９　、１１５、１８　］−５−ペンタコセン、トリメ
チル置換ノナシクロ［９、１０、１、１４、７　、０３
、８　、０２、１０、０１２、２１、０１３、２０　、
０１４、１９　、１１５、１８　］−５−ペンタコセン
、などのノナシクロ［９、１０、１、１４、７　、０３
、８　、０２、１０、０１２、２１　、０１３、２０　
、０１４、１９　、１１５、１８　］−５−ペンタコセ
ン誘導体。

【００３９】化４の環状オレフィンの重合体は、エチレ
ンと前記化４で表わされる環状オレフィンを必須成分と
するものであるが、この他、必要に応じて他の共重合可
能な不飽和単量体成分を含有させてもよい。例えばプロ
ピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−
ヘキセン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセ
ン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコ
センなどの炭素原子数が３〜２０のα−オレフィンなど
を挙げることができる。

【００４０】これら環状オレフィンの重合体を１種用い
るか、または２種以上をブレンドして用いて、基板材質
とする。このような１種以上の環状オレフィン共重合体
は、特開昭６０−１６８７０８号公報、特開昭６１−１
２０８１６号公報、特開昭６１−１１５９１２号公報、
特開昭６１−１１５９１６号公報、特願昭６１−９５９
０５号公報、特願昭６１−９０９０６号公報、特開昭６
１−２７１３０８号公報、特開昭６１−２７２２１６号
公報などの方法に従い適宜条件を選択することにより、
製造することができる。

【００４１】また、環状オレフィンのランダム共重合体
とともに、化４で表わされる環状オレフィンが開環重合
することにより形成される繰り返し単位を含む重合体、
もしくは共重合体が含まれていてもよく、さらに、この
繰り返し単位を水添することにより形成される繰り返し
単位を含む重合体あるいは共重合体が含まれていてもよ
い。

【００４２】さらに、これら各種環状オレフィンの重合
体には酸化防止剤や安定剤が含有されていてもよい。こ
のような環状オレフィンの重合体は、常法に従い射出成
形等により、光ディスクの基板等の透明成形体とすれば
よい。

【００４３】このような環状オレフィンの重合体には、
紫外線照射が行なわれる。酸素は、紫外線を吸収してオ
ゾンを生成し、オゾン生成波長は１８０ｎｍ程度である
。 また、オゾンの吸収帯は２６０ｎｍ程度に中心をもつ。 本発明では、酸素の存在下、２６０ｎｍ程度以下の波長
をもつ紫外線を照射すればよい。この場合、１８０ｎｍ
程度近辺と２６０ｎｍ程度近辺の波長が共存すると、オ
ゾンの連続的な生成と分解が起こる。このオゾンの生成
と分解に際しては、原子状の酸素が生成して、好ましい
結果を得る。

【００４４】従って、光源は、少なくとも２７０ｎｍ程
度以下、特に２５０〜２７０ｎｍ程度範囲に波長成分を
もち、さらにこれに加え、１７０〜１９０ｎｍ程度の範
囲に波長成分をもつものが好ましく、波長１８４．９ｎ
ｍおよび２５３．７ｎｍの波長の紫外光を出す低圧水銀
灯が特に好適である。また、中圧や高圧水銀灯が使用で
きる場合もある。また、光源は、５０〜５，０００Ｗ、
程度とし、光源と試料との距離は３〜５００ｍｍ程度と
することが好ましい。そして、照射時間は、０．５〜３
０分程度とすることが好ましい。

【００４５】また、紫外線照射雰囲気としては、通常、
常圧の清浄な空気または酸素を用いればよい。雰囲気の
紫外線照射前の酸素分圧は、０．０５〜１気圧程度、特
に大気中程度であればよい。また、試料温度は、１２０
℃以下、より好ましくは室温１００℃程度であることが
好ましい。

【００４６】このようにして、雰囲気中の酸素、あるい
はオゾンや、原子状の酸素等により、環状オレフィンの
重合体の基板等の表層部には、特に比較的低分子量の重
合体や、その解裂に伴い、極性基が導入される。極性基
の存在は、フーリエ変換赤外線吸収スペクトル（ＦＴＩ
Ｒ）や、ＥＳＣＡスペクトルによって確認される。この
場合、極性基としては、カルボニルＣＯを含有するカル
ボキシ基ＣＯＯＨ、アルデヒド基ＣＨＯや、水酸基ＯＨ
の１種以上の生成が確認される。

【００４７】より具体的には、ＩＲにて１７４０〜１７
２０ｃｍ−１、特に１７２９ｃｍ−１のＯ＝Ｃ−ＯＨ吸
収、１７２５〜１７００ｃｍ−１、特に１７１２ｃｍ−
１のＯ＝Ｃ−Ｈ吸収が紫外線照射時間に対応して増大す
る。

【００４８】また、ＥＳＣＡでは、下記の酸素および炭
素のケミカルシフトが紫外線照射時間とともに増大する
。

【００４９】

【００５０】このようなカルボキシ基等の導入により、
環状オレフィンの重合体の表面の水との接触角は、紫外
線照射前の９０〜１００°から６０°以下、特に３０〜
５０°に低下し、樹脂被覆との接着性が格段と向上する
。そして、このような接着性は、紫外線波長が２７０ｎ
ｍ以下となると臨界的に向上する。このような紫外線照
射による前処理後に、環状オレフィンの重合体には、透
明樹脂の被覆を形成する。本発明の紫外線照射によって
、重合体の光学特性、例えば透明性、複屈折等には何ら
変化がないので、接着が高く、しかも光学的特性に何ら
影響を与えない透明樹脂のハードコート等の被覆が実現
する。

【００５１】被覆を構成する樹脂材質には特に制限はな
いが、より簡便に、しかも良好な膜物性をもち、さらに
は接着力が格段と向上する点で、放射線、特に紫外線硬
化型化合物の塗膜を放射線、特に紫外線照射により硬化
したものであることが好ましい。そして、放射線、特に
紫外線硬化型化合物としては、特にアクリル基を有する
ものや、エポキシ樹脂と光カチオン重合触媒とを含有す
るものなどが、接着力向上の点で好ましく、これに他の
放射線、特に紫外線硬化型化合物や他の樹脂成分、光重
合開始剤、増感剤等を含有する塗布組成物を用いること
が好ましい。これらについては、後に詳述する。

【００５２】被覆の厚さは一般に１〜３０μｍ　程度と
する。そして、各種光ディスク、各種レンズ、ミラー、
フィルター等の光学部品や、透明カバー、透明ケーシン
グ等に適用可能である。

【００５３】次に、本発明の被覆形成方法を、光ディス
クに適用した場合について説明する。

【００５４】本発明の光ディスクは、情報を予め担持し
ている再生専用の光ディスク、および光記録により情報
を担持させうる記録層を有する光記録ディスクの双方を
指す。ただし、ここでは好適例として図１に示される光
磁気記録ディスクを例に挙げて説明する。図１に示され
る光磁気記録ディスク１は基板２表面上に、保護層４、
中間層５、記録層６、保護層７および保護コート８を順
次有する。この際、ディスク表面、すなわち基板２の裏
面側には、ハードコート３が設けられる。ハードコート
３は、各構成層設層前に予め形成しておくことが好まし
い。

【００５５】このようなハードコート３は、前記のとお
り、特に、放射線硬化型化合物やその重合用組成物を、
放射線硬化させた物質から構成されることが好ましい。 このようなものとしては、イオン化エネルギーに感応し
、ラジカル重合性を示す不飽和二重結合を有するアクリ
ル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステル化合物
のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのよ
うなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体
等の不飽和二重結合等の放射線照射による架橋あるいは
重合する基を分子中に含有または導入したモノマー、オ
リゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。これ
らは多官能、特に３官能以上であることが好ましく、１
種のみ用いても２種以上併用してもよい。

【００５６】放射線硬化性モノマーとしては、分子量２
０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０
００〜１００００のものが好適である。これらはスチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
メタクリレート、１，６−ヘキサングリコールジアクリ
レート、１，６−ヘキサングリコールジメタクリレート
等も挙げられるが、特に好ましいものとしては、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレート（メタクリレート）
　、ペンタエリスリトールアクリレート（メタクリレー
ト）　、トリメチロールプロパントリアクリレート（メ
タクリレート）　、トリメチロールプロパンジアクリレ
ート（メタクリレート）、ウレタンエラストマー（ニッ
ポラン４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれらの
ものにＣＯＯＨ等の官能基が導入されたもの、フェノー
ルエチレンオキシド付加物のアクリレート（メタクリレ
ート）　、特願昭６２−０７２８８８号に示されるペン
タエリスリトール縮合環にアクリル基（メタクリル基）
またはε−カプロラクトン−アクリル基のついた化合物
、および特願昭６２−０７２８８８号に示される特殊ア
クリレート類等のアクリル基含有モノマーおよび／また
はオリゴマーが挙げられる。この他、放射線硬化性オリ
ゴマーとしては、オリゴエステルアクリレートやウレタ
ンエラストマーのアクリル変性体、あるいはこれらのも
のにＣＯＯＨ等の官能基が導入されたもの等が挙げられ
る。

【００５７】また、上記の化合物に加えて、あるいはこ
れにかえて熱可塑性樹脂を放射線感応変性することによ
って得られる放射線硬化型化合物を用いてもよい。この
ような放射線硬化性樹脂の具体例としては、ラジカル重
合性を示す不飽和二重結合を有するアクリル酸、メタク
リル酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアク
リル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系
二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結
合等の、放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱
可塑性樹脂の分子中に含有、または導入した樹脂である
。放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例とし
ては、塩化ビニル系共重合体、飽和ポリエスルテル樹脂
、ポリビニルアルコール系樹脂、エポキシ系樹脂、フェ
ノキシ系樹脂、繊維素誘導体等を挙げることができる。 その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ＰＶＰ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセタール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少くとも一種含むアクリル系樹脂等も有
効である。

【００５８】重合用塗布組成物は放射線照射、特に紫外
線照射により硬化されるので、重合用組成物中には光重
合開始剤ないし増感剤が含有されることが好ましい。用
いる光重合開始剤ないし増感剤に特に制限はなく、例え
ば、アセトフェノン系、ベンゾイン系、ベンゾフェノン
系、チオキサントン系等の通常のものから適宜選択すれ
ばよい。なお、光重合開始剤ないし増感剤として、複数
の化合物を併用してもよい。重合用組成物中における光
重合開始剤の含有量は、通常０．５〜５重量％程度とす
ればよい。このような透明樹脂製ハードコートを形成す
るための重合用組成物は、常法に従い合成してもよく、
市販の化合物を用いて調製してもよい。

【００５９】ハードコート３を形成するための放射線硬
化型化合物を含有する組成物としては、エポキシ樹脂お
よび光カチオン重合触媒を含有する組成物も好適に使用
される。

【００６０】エポキシ樹脂としては、脂環式エポキシ樹
脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ基を
有するものが好ましい。

【００６１】脂環式エポキシ樹脂としては、３，４−エ
ポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロ
ヘキサンカルボキシレート、ビス−（３，４−エポキシ
シクロヘキシルメチル）アジペート、ビス−（３，４−
エポキシシクロヘキシル）アジペート、２−（３，４−
エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エ
ポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（２
，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、ビニルシク
ロヘキセンジオキシド等の１種以上が好ましい。脂環式
エポキシ樹脂のエポキシ当量に特に制限はないが、良好
な硬化性が得られることから、６０〜３００、特に１０
０〜２００であることが好ましい。

【００６２】光カチオン重合触媒は、公知のいずれのも
のを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上
の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、
ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属塩
、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族オ
ニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜５
Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム塩、
ＭＦ６　アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ）
を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯塩、
芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩等を
用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウム錯
塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩また
はイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および６Ａ
族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いることが好
ましい。

【００６３】また、有機金属化合物と光分解性を有する
有機けい素化合物とを含有する光カチオン重合触媒も用
いることができる。このような光カチオン重合触媒は非
強酸系であるため、光磁気記録ディスク等の腐食性の高
い記録層に対する悪影響を避けることができる。有機金
属化合物としては、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ
、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ　、Ｚｒ等の金属原子に、ア
ルコキシ基、フェノキシ基、β−ジケトナト基等が結合
した錯体化合物が好ましい。これらのうち特に有機アル
ミニウム化合物が好ましく、具体的には、トリスメトキ
シアルミニウム、トリスプロピオナトアルミニウム、ト
リストリフルオロアセチルアルミニウム、トリスエチル
アセトアセトナトアルミニウムが好ましい。

【００６４】光分解性を有する有機けい素化合物は、紫
外線等の光照射によりシラノールを生じるものであり、
ペルオキシシラノ基、ｏ−ニトロベンジル基、α−ケト
シリル基等を有するけい素化合物が好ましい。

【００６５】組成物中の光カチオン重合触媒の含有量は
、エポキシ樹脂１００重量部に対し、０．０５〜０．７
重量部、特に０．１〜０．５重量部であることが好まし
い。

【００６６】ハードコート３を形成するには、例えば下
記のようにすればよい。まず、前記したようなハードコ
ート用組成物の塗膜を少なくとも基板２裏面上に形成す
る。塗膜の形成方法に特に制限はなく、通常、スピンナ
ーコート、グラビア塗布、スプレーコート、ディッピン
グ等、種々の公知の方法を組み合わせて形成すればよい
。この際の塗布条件は、重合用組成物の粘度、目的とす
る塗膜厚さ等を考慮して適宜決定すればよい。

【００６７】次いで、塗膜を加熱する。加熱温度は、通
常、６０〜９０℃程度とすればよい。そして、加熱後に
、紫外線を照射して塗膜を硬化する。なお、場合によっ
ては、加熱せずに紫外線を照射してもよく、紫外線のか
わりに電子線等を照射してもよい。

【００６８】塗膜に照射する紫外線強度は、通常、５０
ｍＷ／ｃｍ２程度以上、照射量は、通常、５００〜２０
００ｍＪ／ｃｍ２程度とすればよい。また、紫外線源と
しては、水銀灯などの通常のものを用いればよい。紫外
線の照射により、上記各化合物はラジカル重合する。

【００６９】硬化後の塗膜の厚さ、すなわちハードコー
ト３の厚さは、１〜３０μｍ　、特に３〜１０μｍ　で
あることが好ましい。膜厚が薄すぎると一様な膜を形成
することが困難となり、耐久性が不十分となってくる。 また、厚すぎると、硬化の際の収縮によりクラックが生
じたり、ディスクに反りが発生し易くなってくる。

【００７０】このようなハードコート３を塗布した基板
２の記録光および再生光に対する透過率は、８０％以上
、特に８５％以上であることが好ましい。なお、両面記
録型の光磁気記録ディスクでは、両基板にハードコート
を設ける。また、ハードコートは、ディスク主面のみに
限らず、外周側面や内周側面にも形成されていてもよい
。

【００７１】基板２の材質としては、前記のとおり、環
状オレフィンの重合体を用いる。そして、基板２の記録
層設層側の表層部にはスキン層が存在し、このスキン層
の熱軟化点は、１４０℃以下、特に１００〜１４０℃、
より好ましくは１００〜１３５℃、さらに好ましくは１
１０〜１３５℃であることが好ましい。熱軟化点１４０
℃以下のスキン層を設けることによって、ハードコート
の接着性はさらに向上する。ただし、熱軟化点が低くな
りすぎると、成膜時の耐熱性に問題が生じたり、寸法精
度が低下してきたりする。

【００７２】この場合、表層部のスキン層の熱軟化点と
は、下記のように測定された温度である。まず、被検基
板の上に針を置いて、５ｇ　程度の荷重を加え、昇温速
度２℃／ｍｉｎ　程度で、３０℃程度から昇温していっ
て、針の進入量を測定する。針の断面は直径１ｍｍ程度
の円柱形とする。このように測定される温度と針進入量
との関係が図２に示される。図２に示されるように、本
発明の基板では、針進入量の温度特性プロファイルにお
いて、第１の屈曲点と第２の屈曲点とが生じる。

【００７３】例えば、注型基板や、ある種の射出成形基
板では、針進入量の温度特性には１つの屈曲点しか現わ
れないか、あるいは第１の屈曲点はわずかにしか現われ
ない。また、第１の屈曲点によって生じる１段目の針進
入量は、概ね２００μｍ程度以下である。従って、これ
らから第１の屈曲点は、基板表層のスキン層の軟化点に
由来するものと考えられる。そこで、温度特性プロファ
イルの第１の屈曲点近傍にて、針進入前の直線部と、１
段目の進入時の直線部との交点をＴ１　とし、これをス
キン層の熱軟化点Ｔ１　と定義する。そして、このＴ１
　を前記のとおり規制するものである。

【００７４】一方、第２の屈曲点近傍においても、１段
目の進入時と２段目の進入時との直線部の交点をＴ２　
とし、これを第２の熱軟化点Ｔ２と定義する。この第２
の熱軟化点Ｔ２　は、基板中心部での熱軟化点であると
考えられる。そして、この第２の熱軟化点Ｔ２　は、第
１の熱軟化点Ｔ１　より１０℃以上、より好ましくは１
０〜５０℃高い温度であり、１４０℃以上、特に１４５
〜１８０℃の温度であると好ましい。これにより、寸法
精度や機械的特性や耐熱性等がすぐれたものとなる。

【００７５】なお、スキン層は、基板表層部断面のＳＥ
Ｍ像からも、周囲と色の異なる層として確認でき、その
厚さは、一般に１〜２００μｍ、特に１０〜１００μｍ
程度であると考えられる。また、前記の針進入量の温度
特性プロファイルは、ＴＭＡ（熱機械分析装置、サーモ
メカニカルアナライザー）として市販されている各種装
置、例えばデュポン社製９４３熱機械分析装置等によっ
て測定すればよい。

【００７６】このようなスキン層を形成するには、特に
環状オレフィンの重合体を射出成形して基板を形成する
ことが好ましい。そして、射出圧を２５０〜４００ｋｇ
／ｃｍ２程度に設定することが好ましい。また、溶融温
度は３００〜４００℃程度、金型温度は８０〜１２０℃
程度とし、その他、保圧や型締力等は通常の条件とすれ
ばよい。

【００７７】なお、基板２の記録層６形成面には、トラ
ッキング用のグルーブが形成されていてもよい。

【００７８】図１に示される光磁気記録ディスクにおい
て、基板２上には、下地層としての保護層４、中間層５
を介して記録層６が形成されている。中間層５は、Ｃ／
Ｎ比を向上させるために設けられ、各種誘電体物質から
形成されることが好ましく、その層厚は３０〜１５０ｎ
ｍ程度であることが好ましい。

【００７９】また保護層４とともに記録層６の上にも保
護層７を設けることもできる。併用する場合には、保護
層４と保護層７の組成は同一であっても異っていてもよ
い。必要に応じて設けられる保護層４および保護層７は
、記録層６の耐食性向上のために設けられるものであり
、これらは少なくとも一方、好ましくは両方が設けられ
ることが好ましい。これら保護層は、各種酸化物、炭化
物、窒化物、硫化物あるいはこれらの混合物からなる無
機薄膜から構成されることが好ましい。また、保護層４
、７は、上記の中間層材質で形成してもよい。保護層の
層厚は３０〜３００ｎｍ程度であることが耐食性向上の
点から好ましい。このような保護層４、７や中間層５は
、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等の各種気相
成膜法、特にスパッタによって形成されることが好まし
い。

【００８０】記録層６は、変調された熱ビームあるいは
変調された磁界により、情報が磁気的に記録されるもの
であり、記録情報は磁気−光変換して再生されるもので
ある。記録層６は、光磁気記録が行なえるものであれば
その材質に特に制限はないが、希土類金属元素を含有す
る合金、特に希土類金属と遷移金属との合金を、スパッ
タ、蒸着、イオンプレーティング等、特にスパッタによ
り、非晶質膜として形成したものであることが好ましい
。希土類金属としては、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｓｍ
、Ｃｅのうちの１種以上を用いることが好ましい。遷移
金属としては、ＦｅおよびＣｏが好ましい。この場合、
ＦｅとＣｏの総含有量は、６５〜８５ａｔ％であること
が好ましい。そして、残部は実質的に希土類金属である
。

【００８１】好適に用いられる記録層の組成としては、
ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、
ＮｄＧｄＦｅＣｏ等がある。なお、記録層中には、１０
ａｔ％以下の範囲でＣｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｕ等が含有
されてもよい。また、１０ａｔ％以下の範囲で、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒ
、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等の他の希土類金属元素を含有して
もよい。このような記録層６の層厚は、通常、１０〜１
０００ｎｍ程度である。そして、保護層７上には金属製
の反射層が設けられていてもよい。

【００８２】このような記録層６や、下地層としての保
護層４や中間層５をスパッタ等の気相成膜法で設層して
も、前記のスキン層により、記録層や下地層等の基板２
からの膜はがれを効果的に防止することができる。

【００８３】保護層７上には、保護コート８が設層され
ることが好ましい。保護コート８は、例えば紫外線硬化
樹脂等の各種樹脂材質から、通常は、０．１〜１００μ
ｍ程度の厚さに設層すればよい。保護コート８は、層状
であってもシート状であってもよい。保護コート８は、
特に放射線硬化型化合物および光重合増感剤ないし開始
剤を含有する塗膜を放射線、特に紫外線硬化したもので
あることが好ましい。このような放射線硬化型化合物と
しては、前述のアクリル基を含有するものが好ましい。 そして、前記ハードコートと同様にして、光重合増感剤
ないし開始剤が添加され、好ましくは紫外線硬化される
。

【００８４】このような場合、基板上に各構成層を気相
法により形成したのち、構成層最上層（保護層７）表面
と、記録層形成側の基板の構成層が形成されていない領
域とに、前記の好ましくはオゾンを共存させた状態での
紫外線照射を施すことが好ましい。これによって、保護
コート８の密着性が向上する。紫外線照射条件は前記と
同様である。

【００８５】また本発明は、この他、いわゆる相変化型
等の記録層を有し、反射率変化により記録・再生を行な
う光記録ディスクにも適用することができる。さらには
、色素の塗布膜等を記録層とし、この上に空隙を設けて
内封したり、色素層上に反射層を密着して積層した光記
録ディスクであってもよい。特に、密着型のものはコン
パクトディスク（ＣＤ）規格対応やビデオディスク用の
光記録ディスク等として好適であるが、このものでは、
スキン層の生成により、感度やＣ／Ｎが向上する。 密着型の色素層を有するものや、相変化型のものは、上
記の保護コートを設けることが好ましい。このとき、前
記と同様、保護コート形成前に紫外線照射処理を施して
おくことが好ましい。

【００８６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００８７】実施例１ 前記化３において、Ｒ１　＝Ｒ２　＝エチルの１，４−
ジメチレン−２，３−ジエチルシクロペンタンをくり返
し単位とし、分子量２９，０００の環状ポリオレフィン
のペレットを得た。これを３５０℃にて溶融し、金型温
度１００℃、射出圧３５０ｋｇ／ｃｍ２で射出成形し、
１２０ｍｍ径、厚さ１．２ｍｍの基板サンプルＮｏ．　
１を得た。

【００８８】基板の熱軟化点を、ＴＭＡにて下記のよう
に測定した。 針断面：１ｍｍ径円柱 荷重：５ｇ 昇温速度：２℃／ｍｉｎ

【００８９】上記条件にて、針進入量の温度プロファイ
ルを測定し、第１および第２の熱軟化点Ｔ１　、Ｔ２　
を算出したところ、Ｔ１＝１３０℃、Ｔ２　＝１６５℃
であった。また、この基板のＳＥＭ像から、スキン層の
厚さは１００μｍ程度以下であると考えられた。

【００９０】次に、下記の条件で低圧水銀灯を用いて、
基板の記録層形成側裏面から光照射を行った。光照射に
は、市販の紫外線−オゾン洗浄装置を用いた。

【００９１】紫外線照射出力　　　　　　　　　　１０
０Ｗ紫外線照射時間　　　　　　　　　　３分光源と試
料との距離　　　　　　５０ｍｍ雰囲気　　　　　　　
　　　　　　　　　　　１気圧・空気試料温度　　　　
　　　　　　　　　　　　室温

【００９２】これら紫外
線照射を行なったものおよび行なわなかったものにつき
、ＥＳＣＡスペクトルを測定した。結果を表１に示す。 表１から、紫外線−オゾン処理により、カルボニルが導
入されたことがわかる。

【００９３】

【表１】

【００９４】また、ＦＴＩＲの測定を行ったところ、１
７２９ｃｍ−１のＯ＝Ｃ−ＯＨと１７１２ｃｍ−１のＯ
＝Ｃ−Ｈとの吸収が確認された。

【００９５】さらに、処理による水との接触角を測定し
たところ、９２°が４０°に低下していた。

【００９６】次いで、上記と同一の処理を施した基板の
記録層形成側裏面および周面に、ハードコート層用組成
物の塗膜を形成し、この塗膜を紫外線硬化してハードコ
ートを形成した。ハードコートは、下記の重合用組成物
中をスピンナーコートにより塗布し、加熱した後、紫外
線を照射して硬化したものであり、硬化後の平均厚さは
５μｍ　とした。

【００９７】 重合用組成物 　　オリゴエステルアクリレート　　　　　　　　　　
　　　　　　５０重量部　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　（分子量５，０００）　　ポリメチロール
プロパントリアクリレート　　　　５０重量部　　アセ
トフェノン系光重合開始剤　　　　　　　　　　　　　
　　　３重量部

【００９８】こうして作製したハードコ
ートについて密着性試験を行った。密着性試験はＪＩＳ
　　Ｋ５４００の碁盤目試験に準じて行った。すなわち
、サンプルのハードコート上に、直交する縦横１１本ず
つの平行線をカッターナイフを用いて２ｍｍの間隔でひ
き、４ｃｍ２　の中に１００個の升目ができるように碁
盤目状の切傷をつける。 この上にセロハンテープ（ニチバン製）を貼りつけ剥離
評価を行った。

【００９９】ハードコート形成直後と、温度８０℃、湿
度８０％ＲＨの条件下で１０００時間保存した後の紫外
線照射処理の有無による密着性を測定した。結果を表１
に示す。なお、表中の１００／１００は１００個の升目
のうち剥離しなかった升目が１００個あることを示す。

【０１００】

【表２】

【０１０１】表２に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。

【０１０２】次いで、上記のようにハードコートを形成
した基板の他面上の一定領域に、ガラス製の保護層を高
周波マグネトロンスパッタにより４０ｎｍの層厚に設層
した。この保護層上に、ＳｉＮｘ　中間層を高周波マグ
ネトロンスパッタにより層厚８０ｎｍに設層した。次に
、この中間層上に、Ｔｂ２３Ｆｅ７２Ｃｏ５　の組成を
有する記録層を、スパッタにより層厚８０ｎｍに設層し
た。

【０１０３】さらに、この記録層上に、前記保護層と同
組成１００ｎｍの保護層を高周波マグネトロンスパッタ
により設層し、この保護層上に、保護コートを設層した
。 なお、保護コートは、オリゴエステルアクリレートを含
有するハードコート用組成物と同様の紫外線硬化型樹脂
を塗布した後、紫外線硬化して５μｍ厚の保護膜とした
。

【０１０４】紫外線照射を行なった本発明のディスクは
、良好な記録再生特性を示した。

【０１０５】なお、以上とは別に紫外光波長と、水との
接触角の関係を調べた。図３に、照射光量を同一とし、
２５４ｎｍと、３６５ｎｍとでの接触角の変化を示す。 ２５４ｎｍの光を用いると、カルボニル基が導入され、
図３に示されるように、水との接触角が４０°まで低下
するのに対し、３６５ｎｍではカルボニル基の導入がほ
とんど導入されず、水との接触角も低下しない。この結
果、剥離試験に大きな差を生じた。

【０１０６】実施例２ 特開昭６０−１６８７０８号公報の記載に従い、テトラ
シクロ［４、４、０、１２、５　、１７、１０］−３−
ドデセン（以下ＤＭＯＮ）］とエチレンとをランダム重
合させて、共重合体を得た。

【０１０７】この２種の共重合体を、ブレンドし、これ
を３５０℃にて溶融し、金型温度１００℃、射出圧３５
０ｋｇ／ｃｍ２で射出成形し、１２０ｍｍ直径、厚さ１
．２ｍｍの基板を得た。この基板のＴ１　は１３１℃、
Ｔ２　は１６３℃であった。この基板に、実施例１と同
様の紫外線処理およびハードコート被覆を行ったところ
、前記とほぼ同等の効果が得られた。

【０１０８】実施例３

【０１０９】化５の構造の化合物（ダイセル化学工業（
株）製、ＥＨＰＥ−３１５０、軟化点７１℃）３０部、

【０１１０】

【化５】

【０１１１】３，４−エポキシシクロヘキシメチル−３
，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート６０部
、ＳＰ−１７０（旭電化（株）製、光カチオン重合触媒
、プロピレンカーボネート５０％希釈品）０．６部を混
合し、紫外線硬化型ハードコート組成物を調整した。

【０１１２】これを、実施例１の環状ポリオレフィン基
板に、実施例１の紫外線照射を施した後、上記の紫外線
硬化型組成物をスピンコートし、紫外線を照射して硬化
させた。このものの密着性も、実施例１と同等であった
。

【０１１３】実施例４ 保護コート成膜直前に、記録層形成面に実施例１の紫外
線照射を行った以外は、実施例１と全く同様にして光記
録ディスクを作製した。この紫外線照射により、保護コ
ートの密着性が向上した。

【０１１４】

【発明の効果】本発明によれば、環状オレフィンの重合
体の基板と、透明樹脂のハードコート等の接着性が格段
と向上し、きわめて高い耐久性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の１例を示す部分断面図で
ある。

【図２】基板の熱軟化点を説明するためのグラフである
。

【図３】照射紫外線波長による照射時間と、水との接触
角との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１　　光記録媒体 ２　　基板 ３　　ハードコート ４　　保護層 ５　　中間層 ６　　記録層 ７　　保護膜 ８　　保護コート Ｔ１　　　第１の軟化点 Ｔ２　　　第２の軟化点

【化４】

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　環状オレフィンの重合体の表面に紫外
   線を照射し、次いで、この表面に、透明樹脂の被覆を形
   成することを特徴とする被覆形成方法。
2. 【請求項２】　　前記照射される紫外線は、少なくとも
   ２７０ｎｍ以下の波長を有する請求項１に記載の被覆形
   成方法。
3. 【請求項３】　　前記紫外線の照射の際に、前記重合体
   の表面をオゾンにさらす請求項１または２に記載の被覆
   形成方法。
4. 【請求項４】　　前記紫外線照射により、紫外線照射面
   にカルボキシ基、アルデヒド基および水酸基の１種以上
   が導入される請求項１ないし３のいずれかに記載の被覆
   形成方法。
5. 【請求項５】　　前記紫外線照射により、紫外線照射面
   の水との接触角を６０°以下に低下させる請求項１ない
   し４のいずれかに記載の被覆形成方法。
6. 【請求項６】　　前記重合体が透明成形体である請求項
   １ないし５のいずれかに記載の被膜形成方法。
7. 【請求項７】　　前記環状オレフィンの重合体が、下記
   化１の繰り返し構造単位を有する請求項１ないし６のい
   ずれかに記載の被覆形成方法。 【化１】
8. 【請求項８】　　前記環状オレフィンの重合体が、下記
   化２の環状オレフィンとエチレンとの共重合体である請
   求項１ないし６のいずれかに記載の被覆形成方法。 【化２】
9. 【請求項９】　　前記透明樹脂の被覆が、放射線硬化型
   化合物の塗膜を放射線硬化したものである請求項１ない
   し８のいずれかに記載の被覆形成方法。
10. 【請求項１０】　　前記紫外線硬化型化合物がアクリル
    基を有する請求項９に記載の被覆形成方法。
11. 【請求項１１】　　前記放射線硬化型化合物の塗膜は、
    エポキシ樹脂と光カチオン重合触媒とを含有する請求項
    ９に記載の被覆形成方法。
12. 【請求項１２】　　前記環状オレフィンの重合体の基板
    を有し、この基板の少なくとも一方の面に、請求項１な
    いし１１のいずれかに記載の被覆形成方法によって形成
    された透明樹脂の被覆を有し、他方の面に記録層または
    情報担持層を担持した光ディスク。
13. 【請求項１３】　　前記基板は、環状オレフィンの重合
    体を射出成形したものである請求項１２に記載の光ディ
    スク。
14. 【請求項１４】　　前記基板は記録層を担持しており、
    前記基板は、記録層側表層部に熱軟化点１４０℃以下の
    スキン層を有する請求項１３に記載の光ディスク。
15. 【請求項１５】　　前記基板は、一方の面に記録層を担
    持しており、この記録層を形成した面に紫外線を照射し
    た後、樹脂製の保護コートを設けた請求項１１ないし１
    ４のいずれかに記載の光記録ディスク。
16. 【請求項１６】　　前記照射される紫外線は、少なくと
    も２７０ｎｍ以下の波長を有する請求項１５に記載の光
    記録ディスク。
17. 【請求項１７】　　前記紫外線の照射の際に、前記記録
    層形成面をオゾンにさらす請求項１５または１６に記載
    の光記録ディスク。
18. 【請求項１８】　　前記保護コートは、放射線硬化型化
    合物を紫外線硬化したものである請求項１５ないし１７
    のいずれかに記載の光記録ディスク。